MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
SK hynix активизировала разработку DRAM с 3D-компоновкой поверх логического кристалла (3D-Stacked DRAM-on-Logic), предназначенной для работы на оборудовании нового поколения для систем искусственного интеллекта, в том числе мобильных. Компания начала набор специализирующихся на этой технологии инженеров через свой американский филиал в Сан-Хосе. SK hynix уже заключила соглашение с конкретным клиентом на разработку решений на основе этой технологии, передаёт ZDNet.
Источник изображения: skhynix.com
SK hynix впервые начала нанимать специалистов по DRAM с 3D-компоновкой — она будет использоваться на ИИ-оборудовании нового поколения; этот шаг рассматривается как начало подготовки к выводу решения на рынок. В объявлении о вакансии уточняется, что работа будет вестись в тесном сотрудничестве с американским заказчиком в целях совместного создания кристаллов 3D-Stacked DRAM-on-Logic, то есть с вертикальной интеграцией DRAM непосредственно поверх системы на кристалле. В отличие от компоновки упакованных чипов (Package-on-Package — PoP) этот метод предполагает более короткие межсоединения и большее число каналов ввода-вывода на той же площади. Снижается задержка передачи данных, повышаются энергоэффективность и эффективнее используется пространство.
Технология разрабатывается для систем ИИ — они требуют высокой пропускной способности памяти и низкого потребления энергии, и возможностей традиционных схем PoP уже не хватает. Одним из наиболее перспективных областей применения технологии считаются мобильные процессоры — в этом сегменте часто используются передовые техпроцессы и технологии упаковки. Ведущими разработчиками таких систем являются Apple и Qualcomm.
Информация о работе над проектом соответствует дорожной карте SK hynix, которую корейская компания представила на технологическом симпозиуме TSMC в этом году. Президент и директор по развитию SK hynix Хён Ан (Hyun Ahn) заявил, что развитию ИИ-оборудования мешают несовершенства технологий памяти — требуются новые архитектуры, выход за рамки постепенных улучшений. Корейская компания, заявил он, совместно с TSMC намеревается применить передовые логические процессы к базовым кристаллам HBM4, расширить решение на высокоскоростную флеш-память (HBF), а также на схему 3D-компоновки DRAM поверх логического кристалла: дальнейшая интеграция памяти с логикой будет способствовать росту производительности и энергоэффективности.
Samsung параллельно тоже ведёт исследования в области 3D DRAM нового поколения. Недавно компания опубликовала совместную статью с imec, KU Leuven и Lam Research — материал посвящён архитектуре монолитной 3D DRAM с использованием каналов на оксидах полупроводников. Исследование пока остаётся на стадии моделирования, о планах выводить технологию на рынок пока не сообщается.
Источник:
