MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Преемник самой передовой технологии ASML для производства микросхем может появиться примерно через десять лет — об этом написали в рецензируемой статье инженеры нидерландской компании, а также сотрудники поставляющей ей оптику фирмы Carl Zeiss.
Источник изображений: asml.com
Новая установка получила название Hyper NA — она позволит формировать чипы с более мелкими элементами; в ней будет использоваться значительная часть уже существующих технологий компаний, хотя определённые трудности ещё предстоит преодолеть. ASML уже приступила к разработке этой установки, но окончательное решение о серийном производстве пока не принято — тем не менее, она имеет важное значение для перспектив самой компании, а также её партнёров и конкурентов.
ASML является самой дорогой в Европе компанией по величине рыночной капитализации, поскольку она выступает монополистом на рынке литографического оборудования с использованием сверхжёсткого ультрафиолета (EUV), который применяется для формирования миниатюрных схем чипов — в том числе для систем искусственного интеллекта.
image
Технология Hyper NA должна обеспечить разрешение около 5 нм — против 8 нм у нынешних EUV-установок ASML класса High NA с числовой апертурой 0,55. Иными словами, новая система сможет формировать элементы примерно на 38 % мельче. При этом речь идёт именно о разрешении литографической установки, а не о 5-нм техпроцессе: современные названия техпроцессов уже не соответствуют непосредственно физическому размеру элементов.
Например, TSMC называет свой самый передовой техпроцесс N2, а Intel — 18A, то есть «18 ангстрем». В буквальном смысле это 2 и 1,8 нм соответственно, однако транзисторы, изготовленные по этим нормам, не имеют затворов шириной ровно 2 или 1,8 нм. Эти обозначения являются скорее названиями поколений технологического процесса и отражают их положение относительно предыдущих поколений и уровень достигнутой плотности, производительности и энергоэффективности. Подробнее об этом мы писали здесь.
К слову, среди производителей чипов пока только Intel начала использовать оборудование High NA, как раз для техпроцесса 18A. TSMC и Samsung свои 2-нм чипы выпускают с помощью EUV-литографии, но в будущем тоже перейдут на High NA — Samsung в 2028 году, а TSMC — в 2030 году.
Zeiss уже начала изготавливать зеркала с точностью, необходимой для Hyper NA — при этом сама установка будет лишь незначительно превосходить по габаритам системы High NA, которые по размерам сопоставимы с двухэтажным автобусом. Для создания систем, превосходящих Hyper NA, вероятно, потребуется свет с ещё более короткой длиной волны, но этот вопрос пока находится на стадии научных исследований.
Нынешний источник света у ASML «может использоваться в неизменном виде» для Hyper NA; альтернативный метод с применением лазеров на свободных электронах не потребует менять конструкцию системы освещения, отметили инженеры. Эти замечания актуальны для американских стартапов: xLight разрабатывает источники излучения на базе лазеров на свободных электронах — Илон Маск (Elon Musk) намекал, что может сделать на них ставку на своём заводе Terafab в Техасе; а Substrate занимается рентгеновской литографией.
Источник:
