Компания V-Color анонсировала новый комплект оперативной памяти OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 для платформы AMD WRX90, предназначенной для процессоров Ryzen Threadripper 7000 для высокопроизводительных настольных компьютеров (HEDT), а также Ryzen Threadripper PRO 7000 для рабочих станций. Примечательной особенностью нового комплекта является его объём в 768 Гбайт.

Источник изображений: V-Color

В рамках комплекта OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 компания V-Color готова предложить 8 модулей ОЗУ объёмом от 16 Гбайт до 96 Гбайт. Таким образом, общий объём одного комплекта памяти может составлять от 128 до 768 Гбайт. Производитель предлагает модули памяти со скоростью от 5600 до 7200 МГц. Все поддерживают профили разгона AMD EXPO, поскольку платформа AMD WRX90 рассчитана на разгон.

Память не оснащается радиаторами охлаждения. Однако для компонентов элементов питания RCD & PMIC производитель предусмотрел наличие компактного теплового щита.

Производитель отмечает, что комплекты OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 протестированы на материнских платах ASRock WRX90 WS EVO, ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE и решениях компании Supermicro, где показали свою высокую эффективность. Новый комплект ОЗУ разработан специально для использования с процессорами AMD Ryzen Threadripper PRO 7000.

Предзаказы на комплект памяти OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 начнут принимать с 5 марта на официальном сайте V-Color. Полноценный старт продаж состоится в середине текущего месяца. Цены варьируются от $1049,99 за комплект памяти DDR5-5600 общим объёмом 128 Гбайт (8x16 Гбайт) и до $4919,99 за набор из восьми модулей DDR5-6000 общим объёмом 768 Гбайт (8x96 Гбайт).

Компания Micron Technology представила два новых продукта из серии Crucial Pro — семейство модулей оперативной памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition и твердотельный накопитель Crucial T705 стандарта PCIe 5.0. Первые обзоры говорят, что это самый быстрый потребительский SSD в мире.

Источник изображений: Micron

Твердотельные накопители Crucial T705 стандарта PCIe 5.0 будут выпускаться в виде моделей объёмом 1, 2 и 4 Тбайт. Производитель заявляет для новинок скорость последовательного чтения до 14 500 Мбайт/с и последовательной записи до 12 700 Мбайт/с. В операциях случайного чтения и записи производительность новинок достигает 1,55 млн и 1,8 млн IOPS соответственно. Причём самыми быстрыми являются версии на 2 Тбайт.

Производитель отмечает, что в составе накопителей Crucial T705 используются 232-слойные чипы флеш-памяти TLC NAND от самой Micron со скоростью 2400 МТ/с. Новый SSD построен на контроллере Phison E26. Имеется и кеш из памяти LPDDR4. На все модели SSD компания предоставляет пятилетнюю гарантию.

Твердотельные накопители Crucial T705 будут выпускаться как с комплектным алюминиевым радиатором охлаждения чёрного цвета, так и без него. Кроме того, компания предложит специальную версию Crucial T705 объёмом 2 Тбайт с белым радиатором.

Предварительные продажи новинок начнутся 12 апреля. Стоимость начинается от $239,99 за версию на 1 Тбайт без радиатора и доходит до $729,99 за 4-Тбайт накопитель в модификации с радиатором.

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition выделяется задержками CL36-38-38-80, которые на 25 % ниже, чем у ранее выпущенных модулей ОЗУ Crucial DDR5 Pro Memory Plug and Play Edition. Рабочее напряжение новых модулей памяти составляет 1,35 В. Эффективная частота модулей памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition составляет 6000 МГц. Они совместимы с профилями разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition будет выпускаться в виде двухканальных комплектов, состоящих из двух модулей DDR5-6000 объёмом по 16 Гбайт (общий объём 32 Гбайт), а также двухканальных комплектов из двух модулей по 24 Гбайт (общий объём 48 Гбайт). Первые появятся в продаже с 27 февраля, вторые компания выпустит позже в этом году.

Серия настольных гибридных процессоров Ryzen 8000G привлекла внимание энтузиастов поддержкой высокоскоростной оперативной памяти и хорошими возможностями для её разгона. Недавно оверклокерам удалось разогнать память DDR5 до 10 600 МГц и даже выше на системах с Ryzen 7 8700G, причём для этого не пришлось прибегать к экстремальному охлаждению.

Источник изображения: VideoCardz

Различные команды оверклокеров последние несколько дней активно экспериментируют с разгоном оперативной памяти на системах с Ryzen 7 8700G. Например, энтузиаст SafeDisk поделился деталями разгона двухканального комплекта ОЗУ на материнской плате ROG Crosshair X670E Gene до скорости 10 600 МТ/с.

Источник изображения: SafeDisk

Для эксперимента был выбран комплект памяти G.Skill Trident Z5, изначально рассчитанный на работу со скоростью 7800 МТ/с при таймингах CL36.

Источник изображения: SafeDisk

В рамках разгона скорость памяти была увеличена до 10 600 МГц. Но вместе с тем выросли и тайминги. Память заработала при задержках CL50-62-62-127-127 и напряжении 1,4 В. Примечательно, что для разгона ОЗУ энтузиаст не использовал какого-либо экзотического охлаждения, вроде жидкого азота. Сам процессор Ryzen 7 8700G также работал под обычной СЖО.

В базе данных CPU-Z Validator уже успели появиться и более впечатляющие результаты разгона. Например, оверклокер с псевдонимом MSIMAX разогнал память TeamGroup с заявленным профилем разгона 8200 МТ/с до частоты 10 950 МГц на материнской плате Gigabyte B650I Aorus Ultra.

Источник изображения: MSIMAX

Спустя несколько часов другой оверклокер зарегистрировал результат разгона памяти Patriot с профилем 8200 МТ/с до 11 298 МГц на материнской плате Gigabyte Aorus B650E Tachyon.

Источник изображения: CPU-Z Validator

Согласно информации в среде энтузиастов, в новой библиотеке AGESA, на базе которой выпускаются BIOS для материнских плат AMD, обнаружен баг, который приводит к тому, что в результатах разгона могут отображаться более высокие значения частоты памяти, чем есть на самом деле. Тот же оверклокер SafeDisk предоставил фотографию осциллографа, подтверждающую его результат разгона, чего нельзя сказать о двух других экспериментаторах.

Источник изображения: SafeDisk

Хотя результат SafeDisk, согласно данным HWBOT, является не таким высоким, как разгон памяти на платформах Intel, следует отметить, что энтузиасты разгоняют ОЗУ DDR5 с процессорами Ryzen 8000G в двухканальном режиме, а не в одноканальном, как у Intel.

Корпорация Microsoft установила минимально рекомендуемый объём оперативной памяти для ПК, работающих с ИИ-ассистентом Copilot, на уровне 16 Гбайт, сообщает TrendForce. По сути, это подтолкнёт активных пользователей ПК к модернизации своих систем. По меньшей мере, оперативной памяти придётся добавить, поскольку многие до сих пор обходились вдвое меньшим объёмом.

Источник изображения: Samsung Electronics

К таким рассуждениям приходит ресурс PC Gamer, который утверждает, что 8 Гбайт памяти уже давно считаются разумным минимумом объёма оперативной памяти для ПК. По крайней мере, это было справедливо для решения офисных задач, тогда как любители игр уже опираются на 16 Гбайт в качестве минимальной разумной отметки. Правда заключается в том, что и при работе с базовыми приложениями типа браузера с несколькими вкладками упереться в предел производительности по критерию оперативной памяти можно довольно быстро уже сейчас, если использовать лишь 8 Гбайт ОЗУ.

Цены на оперативную память DDR4 и DDR5 сейчас не так высоки, поэтому перейти с 8 на 16 Гбайт ОЗУ можно с умеренными затратами, если это возможно технически. Во всяком случае, не все ноутбуки позволяют провести такую операцию, и тогда придётся задуматься уже о замене всего устройства.

Распространение процессоров с функциями ускорения работы систем искусственного интеллекта начнётся уже в этом году, и рассчитывать на увеличение минимального объёма оперативной памяти лучше заблаговременно, пока цены на микросхемы DRAM не так высоки. В дальнейшем, как отмечают эксперты TrendForce, интеграция памяти типа LPDDR5x непосредственно на процессор или материнскую плату будет получать всё большее распространение, и тогда самостоятельное увеличение объёма ОЗУ станет невозможным.

В линейке комплектующих бренда Mastero появилась оперативная память DDR4 для ПК. Компания предлагает планки объёмом 8 и 16 Гбайт, а также комплекты на 16 (2×8) и 32 Гбайт (2×16). Модули рассчитаны на рабочую частоту 3200 МГц и укомплектованы штатными радиаторами, что позволяет использовать их в игровых компьютерах и производительных рабочих станциях.

Источник изображений: e2e4

Память Mastero производится по контракту на технологической площадке в Китае. На модули действует гарантия 10 лет, что сравнимо с гарантийным сроком от мировых брендов.

В ОЗУ используются чипы A-класса Hynix и Micron с нулевым процентом брака. Встроенный XMP-профиль при активации позволяет автоматически установить рабочую частоту 3200 МГц и тайминги 16-20-20-38. Память Mastero обладает хорошим разгонным потенциалом и стабильностью, что проверено в обзоре комплекта памяти Mastero DDR4 16 Гбайт (2×8 Гбайт).

Mastero предлагает одиночные модули ОЗУ и комплекты:

• Память DDR4 DIMM 8 Гбайт, 3200 МГц Mastero (MS-OP-8G-3200-CL16). Цена — 2300 руб.
• Память DDR4 DIMM 16 Гбайт, 3200 МГц Mastero (MS-OP-16G-3200-CL16). Цена — 3600 руб.
• Комплект памяти DDR4 DIMM 16 Гбайт (2 × 8 Гбайт), 3200 МГц Mastero (MS-OP-16G-3200-CL16-K2). Цена — 4300 руб.
• Комплект памяти DDR4 DIMM 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт), 3200 МГц Mastero (MS-OP-32G-3200-CL16-K2). Цена — 7400 руб.
  

Модули памяти Mastero оснащены радиаторами чёрного матового цвета с серебристыми вставками. Радиаторы улучшают охлаждение электронных компонентов и придают сборке стильный вид.

На Российском рынке Mastero представлен в категориях: системные блоки, комплектующие для ПК и периферия. Бренд предлагает продукты для широкого круга пользователей и для узких специалистов: инженеров, архитекторов, видеографов, дизайнеров. Техническую поддержку в России предоставляет официальный дистрибьютор — компания е2е4.

Специалисты по безопасности из Швейцарии обнаружили новую разновидность атаки на оперативную память DRAM, от которой сегодня нет защиты. Новая атака пока не реализована в виде эксплоита и ещё не использовалась злоумышленниками, но производители памяти должны срочно искать защиту, иначе будет поздно.

Источник изображения: Pixabay

Исследователи из Швейцарской высшей технической школы Цюриха (ETH Zürich) во главе с профессором Онуром Мутлу (Onur Mutlu) изучали так называемые атаки ошибок чтения в процессе воздействия на модули оперативной памяти DRAM. На данные в ячейках могут влиять как естественные причины, например, попадание высокоэнергетических космических частиц, так и специально организованное воздействие. И если с природными явлениями можно смириться и научиться им противодействовать, используя коды коррекции ошибок, то злонамеренному воздействию противостоять намного сложнее.

Впервые научно о возможности целевого и непрямого изменения данных в ячейках памяти исследователи рассказали в 2015 году. Атака получила название RowHammer. Как следует из названия, серия запросов как молоточком долбила по определённой строке в банке памяти, и это вызывало изменение данных в ячейках, находящихся по соседству.

Механизм атаки базировался на том, что определённые ячейки памяти перегружались запросами настолько, что вызванные этими операциями токи утечек меняли заряды в физически расположенных рядом ячейках. Тем самым, например, можно было атаковать защищённые области памяти, не обращаясь к ней напрямую. Позже было показано, как с помощью атаки RowHammer можно похищать 2048-битные RSA-ключи из защищённой области.

Производители приняли меры, которые помогли защититься от атак типа RowHammer. В частности, у памяти поколения DDR4 есть своеобразный счётчик числа обращений к одной строке — технология Target Row Refresh или TRR, которая при превышении определённого порога перезаписывает ячейки в соседних строках на случай, если в какой-то из ячеек произошло искажение бита. И хотя в 2021 году появился вариант атаки RowHammer, который преодолевает защиту TRR, в целом, этот механизм защищает от широкого спектра подобных атак.

Новый вид атак RowPress ставит крест на всех предыдущих методах защиты от злонамеренного изменения данных в ячейках памяти DRAM. Он использует совсем другой принцип и поэтому опасен. Вместо длительных серий активации строки-агрессора, как это делает RowHammer, атака RowPress просто держит строку открытой дольше определённого времени. Но результат тот же — строка-жертва, на которую никак напрямую не воздействуют, меняет состояния ячеек памяти на нужное злоумышленнику.

Исследователи подчёркивают, что на основе RowPress пока нет готовых рецептов для атаки. Однако потенциальная возможность изменения данных в ячейках DRAM с её помощью открывает окно возможностей, в которое рано или поздно проникнет нарушитель.

Главная беда в том, что атака RowPress менее затратная, чем RowHammer. Для её проведения — для изменения данных в строках-жертвах — необходимо в 10–100 раз меньше активаций, чем в случае использования RowHammer. Такую атаку намного сложнее обнаружить. Для противодействия ей, считают исследователи, понадобятся свои схемотехнические решения и это снизит среднюю производительность DRAM как минимум на 2 % и намного сильнее для ряда приложений.

Готовы ли производители пойти на такие жертвы? Компания Samsung ответила, что изучает возможность защиты модулей памяти DDR4 от нового вида атаки. Компании Micron и SK Hynix на момент написания новости комментарии не предоставили.

Исследователи проанализировали 164 современных модуля компьютерной памяти и убедились, что все они в той или иной мере подвержены уязвимости RowPress. Это совершенно новый механизм воздействия на память, который в сочетании с атакой RowHammer расширяет список и диапазон опасностей. В комбинации RowPress и RowHammer обещают оказаться очень и очень опасными. Также выяснилось, что чем выше температура чипов DRAM, тем легче проходит атака RowPress. Наконец, атака RowPress тем легче, чем более тонкие техпроцессы использовались для производства модулей памяти.

Теоретически защититься от RowPress можно простым сокращением разрешённого времени открытия строки. Исследователи показали, что это время не должно превышать 30 мс. Если строка остаётся открытой дольше этого времени, то происходит, как минимум, одно переключение бита. Производители памяти должны опытным путём найти оптимальную длительность открытия строки, чтобы это не сильно снижало производительность DRAM и не давало бы шансов на проведение атаки RowPress.

Компания ASUS в обновлённых материнских платах на чипсете Intel Z790 предлагает новый способ разгона оперативной памяти DDR5, получивший название DIMM Flex. Он призван не только повышать производительность памяти, но и увеличивать стабильность работы разогнанных модулей ОЗУ.

Источник изображений: ASUS

Есть два основных метода разгона оперативной памяти. Через повышение частоты её работы улучшаются скорости чтения и записи ОЗУ. Через настройку таймингов снижается задержка в её работе. Проблема современных комплектов DDR5 заключается в том, что под нагрузкой они сильно нагреваются, что не только ограничивает потенциал их дополнительного разгона, но и снижает заложенные в них показатели производительности. Внутренние тесты ASUS показали, что по мере нагрева оперативной памяти DDR5 под нагрузкой её быстродействие может упасть более чем на 22 %.

DIMM Flex призвана решить проблему, описанную выше. Для этого на определённых моделях своих обновлённых Z790-плат ASUS установила рядом со слотами DIMM температурный датчик. Данные с датчика обрабатываются специальным контроллером на плате, после чего направляются CPU, давая последнему команду изменить частоту ОЗУ. Формально речь идёт о динамической смене частоты работы оперативной памяти с учётом нагрузки, температуры, а также некоторых других параметров. При этом, судя по всему, информация о температуре с внутреннего контроллера PMIC на самих модулях памяти не учитывается.

Компания объясняет, что в зависимости от игры, выбранного разрешения экрана, а также игровых настроек, DIMM Flex может существенно повысить частоту кадров. Например, в игре Metro Exodus, запущенной в разрешении 1440p, с настройками качества «Экстрим» и с включённой функцией DIMM Flex прибавка FPS составила 17,59 % по сравнению настройками ОЗУ по умолчанию. Новая функция DIMM Flex обеспечила преимущество в производительности даже на фоне оптимизированного профиля разгона памяти XMP. Последний повысил быстродействие в указанной игре лишь на 1,35 % по сравнению со стандартными настройками памяти. В Counter-Strike: Global Offensive в разрешении 4K профиль XMP смог повысить FPS на 5,26 %, а DIMM Flex увеличил FPS на 10,53 %.

Активация DIMM Flex производится в пункте меню Ai Tweaker в BIOS материнской платы. После активации DIMM Flex функция AI Overclock Tuner автоматически переключит профиль разгона памяти на значение XMP Tweaked — наиболее подходящее для DIMM Flex. При использовании модулей памяти без поддержки XMP можно выбрать профиль AEMP II или DIMM Flex во вкладке Ai Tweaker.

После этого можно оставить все настройки по умолчанию или вручную установить ограничения по температурам и таймингам. DIMM Flex предлагает три уровня настроек на основе изменяемых контрольных точек температуры, что позволяет использовать экстремальные настройки производительности при низких температурах, менее агрессивные настройки при некотором нагреве ОЗУ, а также ещё менее производительные настройки при достижении порогового значения температуры памяти. Настройки Level 1 соответствуют тем, которые были установлены в корневом меню настройки DRAM (базовые или XMP профиль). Для уровней 2 и 3 можно выбрать значения второстепенных таймингов, чтобы настроить производительность ОЗУ в соответствии со сценариями использования.

Компания опубликовала список материнских плат, а также модулей ОЗУ, которые поддерживают DIMM Flex. С ним можно ознакомиться на сайте производителя. В основном речь идёт о платах серии ROG и модулях ОЗУ с поддержкой частоты от 6800 МГц и выше. К сожалению, ASUS в своём анонсе не уточняет, будет ли технология DIMM Flex работать только с процессорами Core 14-го поколения (Raptor Lake Refresh), либо её можно использовать также с 13-м (Raptor Lake) и 12-м (Alder Lake) поколениями чипов Intel.

Тайваньская компания TeamGroup представила модули оперативной памяти T-Force XTREEM DDR5. Новинки будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 Гбайт (два модуля по 16 Гбайт) и 48 Гбайт (два модуля по 24 Гбайт) со скоростью 7600 МТ/с (тайминги CL36), 8000 МТ/с (CL38) и 8200 МТ/с (CL38).

Источник изображений: TeamGroup

Рабочее напряжение модулей оперативной памяти TeamGroup T-Force XTREEM DDR5 составляет 1,4 или 1,45 В. Производитель отмечает, что для новой серии ОЗУ была разработана и запатентована новая методика тестирования и проверки чипов памяти, что и помогло добиться таких высоких скоростных характеристик.

Модули памяти TeamGroup T-Force XTREEM DDR5 ориентированы на геймеров, энтузиастов и любителей разгона. Новинки поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Память TeamGroup T-Force XTREEM DDR5 оснащена радиаторами охлаждения из алюминиевого сплава толщиной 2 мм. Радиаторы прошли пескоструйную обработку и имеют анодированное покрытие, устойчивое к внешнему воздействию различных сред. Для более плотного контакта радиаторов с чипами используется специальный теплопроводящий силикон. Размеры модулей ОЗУ составляют 134,5 × 8,2 × 48,8 мм.

В продаже модули памяти TeamGroup T-Force XTREEM DDR5 появятся в конце октября. О стоимости новинок производитель не сообщил.

Компания Micron приступила к тестированию модулей DDR5 объёмом 128 Гбайт, использующих 32-Гбит чипы памяти. Чипы собраны в монолитном корпусе без технологии стекирования. Выпуск монолитных 32-Гбит микросхем DDR5 открывает путь к перспективным 1-Тбайт модулям памяти для серверов. Об этом сообщает портал AnandTech, ссылающийся на заявление производителя, прозвучавшее на пресс-конференции Micron на этой неделе.

Источник изображения: Micron

«Мы расширили нашу линейку модулей памяти DDR5 высокой ёмкости за счёт модуля объёмом 128 Гбайт на базе монолитных однокристальных чипов. Мы также начали поставлять нашим клиентам образцы указанных модулей. Они призваны удовлетворить потребности в задачах и приложениях, связанных с искусственным интеллектом. Мы ожидаем первую прибыль от этого продукта во втором квартале 2024 года», — заявил генеральный директор Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra).

Micron производит 32-Гбит чипы DDR5 DRAM с использованием техпроцесса 1β (1-beta) — новейшего решения компании, в котором используется технология множественной экспозиции с применением литографии в глубоком ультрафиолете (DUV), а не более передовая литография в сверхжёстком ультрафиолете (EUV). Это всё, что известно об этих монолитных 32-Гбит чипах памяти. Компания не сообщает потенциальную скорость указанных чипов памяти. Однако можно предположить, что уровень их энергопотребления при том же уровне рабочего напряжения и скорости передачи должен быть ниже, чем у тех же 32-Гбит чипов памяти, где применяется монтаж двух 16-Гбит кристаллов друг на друга.

Новые 32-Гбит чипы памяти отрывают возможность производства 32-Гбайт модулей памяти, состоящих всего из восьми отдельных микросхем. На основе 32 таких чипов можно выпускать модули ОЗУ объёмом 128 Гбайт. При более плотном расположении чипов также теоретически возможно создание модулей памяти объём 1 Тбайт. На данный момент такие решения могут показаться чрезмерными, однако они безусловно найдут своё применение в таких сферах, как искусственный интеллект, Big Data и серверах баз данных. Такие модули памяти обеспечат наличие до 12 Тбайт ОЗУ DDR5 в составе однопроцессорного сервера с учётом поддержки CPU 12-канальной памяти.

Если говорить о памяти DDR5 в целом, то Micron ожидает, что в её структуре поставок объёмы производства новой памяти превысят объёмы выпуска DDR4 в начале 2024 года.

Компания Corsair выпустила премиальные комплекты оперативной памяти Dominator Titanium DDR5 со скоростью до 8000 МГц. Интересной особенностью новинок является возможность изменить их внешний вид при помощи замены верхней части радиаторов.

Источник изображений: Corsair

В верхней части радиаторов модулей памяти Corsair Dominator Titanium DDR5 находится панель, которую можно снять и заменить на другую — свою или купленную у Corsair. При этом подсветка ARGB останется, кроме тех случаев, когда верхняя часть полностью непрозрачная. Для управления подсветкой есть фирменное программное обеспечение Corsair iCUE.

Corsair будет предлагать модули ОЗУ Dominator Titanium DDR5 как с поддержкой профилей разгона Intel XMP 3.0, так и с поддержкой профилей AMD EXPO. Выглядят планки практически одинаково, поэтому следует более внимательно изучить комплект при покупке. Также можно обратить внимание на цвет модулей. Планки с поддержкой XMP 3.0 будут доступны в чёрном или белом вариантах, а модули с поддержкой AMD EXPO — только с серыми радиаторами.

Компания Corsair предлагает память Dominator Titanium DDR5 в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2×16), 48 (2×24), 64 (2×32) и 96 (2×48) Гбайт. В виде четырёхканальных комплектов память будет предлагаться модулями объёмом по 16, 24 и 48 Гбайт. То есть, общий объём комплектов в этом случае составит до 192 Гбайт. Скорость модулей варьируются от DDR5-6000 до DDR5-8000, а рабочее напряжение — от 1,35 до 1,45 В.

Corsair также выпустит специальные комплекты памяти First Edition. Всего 500 пар для каждой модели. Они будут доступны в виде двухканальных наборов на 32 (2×16), 48 (2×24) и 64 (2×32) Гбайт и предложат скорости DDR5-6000, DDR5-6600 и DDR5-7200. Независимо от объёма и скорости все они работают с напряжением 1,4 В.

Варианты First Edition поставляются с дополнительными аксессуарами в виде фирменной отвёртки Corsair, а также сменных планок радиаторов. Указанные комплекты будут доступны только через официальный онлайн-магазин Corsair.

На момент написания данной заметки не все модули памяти Dominator Titanium DDR5 были доступны в онлайн-магазине производителя. Комплект DDR5-6000 с таймингами CL30 объёмом 32 Гбайт (2×16 Гбайт) и комплект DDR5-7200 того же объёма с таймингами CL32 компания оценила в $174,99 и $234,99 соответственно. В свою очередь двухканальный комплект DDR5-6000 с таймингами CL30 на 64 Гбайт (2×32 Гбайт) производитель оценил в $314,99.

Компания TeamGroup представила память T-Create Master DDR5 OC R-DIMM с возможностями разгона, разработанную специально для рабочих станций и серверных систем.

Источник изображений: TeamGroup

Произведенная память T-Create Master DDR5 OC R-DIMM адаптирована под требования рабочих станций с материнскими платами Intel W790. Производитель готов предложить модули ОЗУ DDR5-6000, DDR5-6400 и DDR5-6800. Планки можно использовать с материнскими платами рабочих станций для достижения максимальной ёмкости 384 Гбайт.

Память T-Create Master DDR5 OC R-DIMM имеет встроенную стандартную функцию ECC, которая автоматически распознаёт и исправляет спонтанно возникшие изменения битов памяти.

Модули памяти оснащаются алюминиевыми радиаторами охлаждения, снижающими рабочую температуру чипов памяти DDR5 на 10,6 градуса Цельсия, а силовых компонентов PMIC — почти на 14 градусов Цельсия.

TeamGroup собирается выпускать комплекты памяти DDR5-6800 из четырёх модулей по 16 Гбайт и DDR5-6800 из восьми модулей по 16 Гбайт. Их производство начнётся в октябре 2023 года.

Компания Patriot Memory сообщила о расширении своего ассортимента высокоскоростных модулей оперативной памяти, представив новинки в серии Viper Xtreme 5 DDR5. Производитель выпустил двухканальные комплекты ОЗУ общим объёмов 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) и 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт). Изначально они были анонсированы на выставке CES 2023 в начале этого года.

Источник изображений: Patriot Memory

Новинки предлагают скорости передачи данных 7600 и 8200 МТ/с. Они работают с таймингами CL38-48-48-84 при напряжении 1,45 В и поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0.

Модули ОЗУ Viper Xtreme 5 DDR5 оснащены радиаторами с RGB-подсветкой, для которой заявляется поддержка самых популярных утилит для управления подсветкой, включая Gigabyte RGB Fusion 2.0, MSI Mystic Light Sync, ASUS Aura Sync и ASRock Polychrome Sync. В продаже также будут доступны варианты без RGB-подсветки.

Производитель отмечает, что новые комплекты памяти ОЗУ Viper Xtreme 5 DDR5-7600 и DDR5-8200 общим объёмом 32 и 48 Гбайт появятся в продаже в этом месяце.

Компания Gigabyte выпустила новые прошивки и обновила программное обеспечение Gigabyte Control Center (GCC) для материнских плат Intel 600-й и 700-й серий, которые устраняют очень необычную и неприятную ошибку, связанную с работой микросхемы SPD (Serial Presence Detect) у модулей памяти DDR5. В этот чип записаны метаданные о модулях ОЗУ.

Источник изображения: Gigabyte

Некоторые пользователи китайского сообщества Baidu Tieba пожаловались на постоянные проблемы в работе модулей памяти DDR5 на материнских платах Gigabyte с чипсетами Intel 600-й и 700-й серии. Например, один пользователей сообщил, что его материнская плата Gigabyte Z790 Aorus Elite AX перестала корректно определять один из модулей ОЗУ DDR5. Когда плате всё же удалось запустить планку памяти, она неверно определила ёмкость модуля в 384 Гбайт. Позже у модуля ОЗУ исчез один из профилей XMP для разгона, а в профиле DDR5-6000 система заменила тайминги на невероятные 1-36-104-194. По словам пользователя, он заменил «неисправный» модуль памяти другим, заведомо рабочим, но результат остался тем же. Ошибка в работе памяти возникает случайно. Иногда через месяц работы модуля, иногда через неделю, а иногда и через несколько дней с момента установки в ПК.

8DRhzAtj7XRvnXwZTm9wzZ.jpg

Смотреть все изображения (5)

EAKY4XPE3ANqfQU3BwSiCa.jpg

gP2jz4eMW6n6pgcGfARria.jpg

UJhGFHUS8HCbZcxEEyfbWa.jpg

V43MzGJSmEH8DR2NLVMBda.jpg

Смотреть все
изображения (5)

Другой владелец материнской платы Gigabyte сообщил об аналогичном поведении модулей оперативной памяти DDR5. Его система часто вылетала и перезагружалась. После одного из таких инцидентов пользователь обнаружил, что его ОЗУ «потеряла» профиль AMD EXPO. В другом случае нарушилась работа профиля XMP DDR5-6800 — материнская плата выставила для него нереальные тайминги 34-153-0-0.

Китайские пользователи окрестили эту ситуацию «проблемой горящей памяти». Во-первых, многие изначально подумали, что платы Gigabyte действительно повреждают модули памяти DDR5, поскольку компьютеры в некоторых случаях вовсе переставали запускаться. Как выяснилось позже, проблема, к счастью, связана лишь с настройками таймингов памяти и не затрагивает показатели рабочего напряжения модулей ОЗУ. Что касается материнских плат Gigabyte, то с ними тоже всё в порядке с аппаратной точки зрения. Корнем проблемы оказалась микросхема SPD на модулях памяти и неправильно предоставляемые ею для системы параметры ОЗУ.

Gigabyte признала существование проблемы, обратившись к своим клиентам через официальную страницу Aorus в социальной сети Bilibili, уточнив некоторые детали. В своём заявлении Gigabyte, в частности, возложила ответственность в ситуации на поставщиков оперативной памяти — некоторые из них неправильно реализуют функцию SPD Write Protection. Это защита, предотвращающая доступ к данным на чипе SPD.

По словам Gigabyte, без правильной работы SPD Write Protection есть небольшая доля вероятности, что данные SPD могут некорректно отображаться при использовании памяти DDR5 и приложения GCC. Однако компания не объяснила, каким образом материнские платы или приложение GCC способны «переписывать» данные SPD. К счастью, в этом случае ничего не повреждается. Для восстановления работы модуля ОЗУ необходимо только обновить прошивку SPD. Для решения проблемы Gigabyte посоветовала владельцам плат на чипсетах Intel 600-й и 700-й серий установить последние версии BIOS для своих плат, а также обновить GCC до последней версии.

В описании BIOS последней версии F6 для платы Z790 Aaorus Tachyon или прошивки версии FN для платы Z690 Aorus Elite AX указано, что новая версия ПО «восстанавливает работу SPD write protect и устраняет проблему совместимости памяти DDR5, возникающую из-за того, что какой-то модуль не предоставляет надлежащим образом параметры защиты JEDEC SPD».

Samsung Electronics представила самые ёмкие в отрасли 12-нм чипы памяти DDR5 DRAM 32 Гбит, которые, по её словам, идеально подходит для эпохи искусственного интеллекта. До этого компания могла выпускать 32-Гбит чипы только при TSV-монтаже друг на друга 16-Гбит кристаллов. Выпуск «цельных» 32-Гбит чипов DDR5 в одинаковом корпусе с 16-Гбит микросхемами снизит потребление и откроет путь к перспективным 1-Тбайт модулям памяти.

Источник изображения: Samsung Electronics

По оценкам Samsung, микросхемы DDR5 вдвое большей ёмкости обеспечат на 10 % более низкое потребление 128-Гбайт модулей DDR5. Интересно, что о начале производства 12-нм 16-Гбит DDR5 DRAM компания сообщила совсем недавно — в мае этого года. Нынешний анонс не означает немедленный запуск в массовое производство 32-Гбит микросхем. Компания обещает начать их выпуск только в конце текущего года. Увеличение ёмкости серийно поставляемых чипов до 32 Гбит позволит производителям памяти перейти к выпуску массовых модулей DDR5 объёмом 64 Гбайт и серверных моделей объёмом вплоть до 1 Тбайт.

«Создавая 12-нм DRAM класса 32 Гбит, мы обеспечили решение, которое позволит выпускать модули DRAM объёмом до 1 Тбайт, что даёт нам идеальные возможности для удовлетворения растущих потребностей в DRAM большой ёмкости в эпоху искусственного интеллекта и больших данных, — заявил Сан Джун Хванг, исполнительный вице-президент подразделения DRAM Product & Technology компании Samsung Electronics. — Мы продолжим разработку решений DRAM на основе дифференцированных технологических процессов и технологий проектирования, чтобы расширить границы технологий памяти».

На данный момент производители памяти, такие как SK hynix и Micron, предлагают лишь 24-Гбит чипы DDR5, что позволяет создавать массовые модули с объемом до 96 Гбайт, но Samsung поднимает ёмкость на ступеньку выше, предлагая на треть более плотное решение. Впрочем, Micron также подтвердила работу над чипами DDR5 32-Гбит ёмкости в своей дорожной карте, хотя их официального анонса пока не было.

За свою историю Samsung расширила границы оперативной памяти в 500 тыс. раз. Свою первую (64-Кбит) память компания представила в 1983 году. За прошедшие 40 лет она увеличила ёмкость микросхем в невероятное количество раз, о чём в то время мало кто мог даже подумать.

Компания G.Skill анонсировала двухканальные комплекты оперативной памяти Trident Z5 Neo RGB DDR5-6400 общими объёмами 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) и 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт). Новинки сертифицированы для работы с процессорами Ryzen 7000 и материнскими платами с чипсетом AMD X670, с установленным BIOS на базе библиотеки AGESA 1.0.0.7c, и поддерживают профили разгона AMD EXPO.

Источник изображений: G.Skill

Комплекты модулей памяти G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6400 объёмом 32 Гбайт и 48 Гбайт работают при заявленных таймингах CL32-39-39-102, что подтверждают внутренние тесты производителя.

Модули ОЗУ проверялись в составе системы с флагманским процессором Ryzen 9 7950X и материнской платой ASUS ROG Crosshair X670E Hero с прошивкой BIOS версии 1602. В G.Skill отмечают, что производительность оперативной памяти может варьироваться в зависимости от модели материнкой платы, процессора и версии BIOS.

Модули Trident Z5 Neo RGB теперь также будут выпускаться с белыми радиаторами. Как и прежде, они оснащаются RGB-подсветкой.

В продаже модули ОЗУ G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6400 появятся в следующем месяце. Об их стоимости компания не сообщила.