Компания Western Digital выпустила новый недорогой безбуферный твердотельный накопитель WD Blue SN5000 стандарта PCIe 4.0. Новинка является преемницей прошлогодней модели WD Blue SN580, которая также соответствует стандарту PCIe 4.0.

Источник изображений: Western Digital

WD Blue SN5000 будет доступен в версиях объёмом 500 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Все они построены на тех же чипах флеш-памяти BiCS 5 TLC NAND, что и прежние SN580. Кроме того, появилась модель ёмкостью 4 Тбайт, в которой используется флеш-память BiCS 6 QLC NAND. Новинки серии WD Blue SN5000 обеспечивают более высокую скорость последовательного чтения и записи по сравнению с прошлогодними SN580, а также обладают более высокой производительностью в случайных операциях.

На примере модели объёмом 1 Тбайт скорость последовательного чтения у нового SSD выросла на 1 Гбайт/с, с 4150 до 5150 Мбайт/с, а скорость последовательной записи — на 750 Мбайт/с, с 4150 до 4900 Мбайт/с. Что касается производительности в случайных операциях чтения, то она выросла с 600 тыс. IOPS до 730 тыс. IOPS, а в случайных операциях записи — с 750 до 770 тыс. IOPS. Модель объёмом 4 Тбайт предлагает ещё больше производительности, за исключением скорости в операциях случайного чтения.

Заявленный ресурс работы у накопителей WD Blue SN5000 составляет от 300 TBW (терабайт перезаписанной информации) у модели объёмом 500 Гбайт до 1200 TBW у версии на 4 Тбайт. На все новинки предоставляется пятилетняя гарантия производителя. Из дополнительных особенностей накопителей WD Blue SN5000 отмечается появившаяся поддержка шифрования TGC Pyrite 2.01.

Western Digital оценила модель WD Blue SN5000 объёмом 500 Гбайт в $70, версии на 1 и 2 Тбайт в 80 и 140 долларов, а вариант на 4 Тбайт — в $280. В настоящий момент в продаже доступна только модель ёмкостью 500 Гбайт. Поставки остальных ожидаются в течение ближайших трёх–четырёх недель.

Компания Gigabyte выпустила твердотельный накопитель AI TOP 100E M.2 2280 стандарта PCIe 4.0 с выдающейся выносливостью— для него заявлен ресурс перезаписи более 219 тыс. TBW (терабайт перезаписанной информации). Новинка предназначена для использования задачах с интенсивными нагрузками на подсистему хранения данных, например, связанных с обучением ИИ-моделей.

Источник изображения: Gigabyte

Накопитель Gigabyte AI TOP 100E будет выпускаться в версиях на 1 и 2 Тбайт. Производитель не сообщает, какой контроллер и флеш-память используются в новинке. Для модели объёмом 1 Тбайт заявляется скорость последовательного чтения до 7200 Мбайт/с и последовательной записи до 6500 Мбайт/с, а для версии на 2 Тбайт — 7200 и 5900 Мбайт/с соответственно. Младшая модель имеет 1 Гбайт кеш-памяти LPDDR4, старшая получила 2 Гбайт кеша. Показатели производительности в случайных операциях чтения и записи не приводятся.

Наиболее интересной особенностью новинки является её ресурс перезаписи. У модели на 1 Тбайт он составляет 109 500 TBW, а у версии на 2 Тбайт — 219 500 TBW. Для старшей модели это эквивалентно почти 17 часам в день непрерывной записи на носитель со скоростью 2 Тбайт/с в течение пяти лет. За счёт этого AI TOP 100E может соперничать с твердотельными накопителями корпоративного уровня и решениями для центров обработки данных. В сравнении с популярным Samsung 990 Pro ресурс перезаписи у Gigabyte AI TOP 100E до 183 раз больше. По словам самой Gigabyte, рейтинг TBW у её SSD в 150 раз выше, чем у обычных накопителей PCIe 4.0, у которых он обычно составляет около 1400 TBW.

Gigabyte не позиционирует AI TOP 100E SSD в качестве корпоративного накопителя. Она лишь отмечает, что он подходит для интенсивных задач, связанных с ИИ. Стоимость AI TOP 100E SSD производитель не сообщает.

Western Digital на конференции инвесторов предварительно представила первый в мире кристалл памяти 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит (256 Гбайт). Новая флэш-память потенциально может изменить рынок твердотельных накопителей, позволяя создавать гораздо более быстрые и энергоэффективные SSD большой ёмкости. Кристалл производится по отработанному 218-слойному производственному процессу BiCS8 и имеет настолько крошечные размеры, что легко помещается на кончике пальца.

Источник изображений: Western Digital

«Я очень рад поделиться с вами предварительным обзором кристалла BiCS8 2Tb 3D QLC, — заявил генеральный менеджер подразделения флэш-памяти Western Digital Роберт Содербери (Robert Soderbery). — Мы разработали этот кристалл для удовлетворения потребностей центров обработки данных и систем хранения данных искусственного интеллекта. Вскоре мы собираемся анонсировать этот продукт, но я хочу поделиться им с вами сегодня. Это кристалл памяти с самой высокой ёмкостью в мире».

«Обычно мы показываем вам пластину, но мне показалось, что вид пластины не совсем передаёт то, чего мы достигли, — сказал Содербери. — Итак, я хочу показать вам кристалл. Пожалуйста, увеличьте масштаб того, что я держу здесь на пальце. Это размер кристалла, намного меньше чем кончик моего пальца».

Микросхема 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит является огромным достижением по сравнению с «базовым» продуктом 3D TLC ёмкостью 1 Тбит, изготовленном на основе той же 218-слойной производственной технологии BiCS8. На данный момент компания не предоставила информации об архитектуре нового чипа и скоростных характеристиках, но поделилась сравнительными показателями производительности и энергопотребления.

3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит (256 Гбайт) позволит производителям создавать SSD ёмкостью 1 Тбайт, используя всего четыре кристалла памяти. В производители уже научились упаковывать до 16 кристаллов в один корпус — с новыми кристаллами WD можно получить ёмкость 4 Тбайт в одном чипе. Таким образом, если Western Digital и её партнёр Kioxia смогут наладить массовое производство 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит, новинка может существенно повлиять на стоимость твердотельных накопителей большой ёмкости.

Western Digital заявляет, что плотность её кристаллов QLC на 15–19 % выше, чем у конкурентов. По утверждению компании, новинка на 50 % быстрее и требует на 13 % меньше энергии на 1 Гбайт хранимой информации, чем конкуренты.

Официальный анонс 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит ожидается в ближайшее время.

Компания Gigabyte выпустила свой самый скоростной потребительский твердотельный NVMe-накопитель — Aorus Gen5 14000 SSD. Новинка поддерживает стандарт PCIe 5.0 и обеспечивает скорость последовательного чтения выше 14 Гбайт/с.

Источник изображений: Gigabyte

Aorus Gen5 14000 SSD будет предлагаться в версиях на 1, 2 и 4 Тбайт. Для модели объёмом 2 Тбайт производитель заявляет скорость последовательного чтения до 14 500 Мбайт/с и последовательной записи до 12 700 Мбайт/с. Две другие новинки будут слегка медленнее.

В накопителях Aorus Gen5 14000 SSD используется контроллер памяти Phison PS5026-E26, выполненный по 12-нм техпроцессе и соответствующий спецификациям протокола NVMe 2.0, а также 232-слойные чипы флеш-памяти TLC 3D NAND и кеш-память DDR4.

Для версии накопителя объёмом 1 Тбайт производитель заявляет скорости последовательного чтения до 13 600 Мбайт/с и записи до 10 200 Мбайт/с, для варианта на 4 Тбайт — 14100 и 12 600 Мбайт/с соответственно. Младшая модель получила 2 Гбайт кеш-памяти LPDDR4, вариант на 2 Тбайт имеет 4 Гбайт кеш-памяти, а версия на 4 Тбайт — 8 Гбайт кеша.

Максимальный показатель энергопотребления SSD составляет 11,5 Вт. Для новинок указан ресурс до 1,6 млн часов наработки на отказ или до 3000 TBW (терабайт перезаписанной информации). На представленные накопители компания заявляет пятилетнюю гарантию.

Компания MSI представила на выставке Computex 2024 карту расширения Xpander-Aero Slider Gen 5, с помощью которой к компьютеру можно подключить до двух накопителей формата M.2 PCIe 5.0 длиной до 110 мм (до формата 22110). Любопытной особенностью новинки является её внешний вид — она выглядит как компактная видеокарта.

Главная черта, которая выделяет её на фоне остальных подобных продуктов, карты расширения Xpander-Aero Slider Gen 5 кроется в её системе установки SSD. Если другие подобные платы необходимо сначала разобрать, чтобы добраться до слотов M.2, новинка Xpander-Aero Slider Gen 5 предлагает систему «горячей замены» накопителей. Нужные разъёмы находятся в задней части карты расширения, доступной с тыльной стороны корпуса ПК.

Xpander-Aero Slider Gen 5 оснащена большим вентилятором для охлаждения установленных SSD. Если не знать заранее, новинку можно спутать с какой-нибудь кастомной GeForce GTX 1650, учитывая схожие размеры.

Вентилятор карты расширения автоматически отключается, если устройство не определяет наличие установленных SSD. Также есть возможность ручного выключения вентилятора. Эта опция может оказаться полезной, если речь идёт об использовании накопителей M.2 стандартов PCIe 3.0 и PCIe 4.0, которые греются при работе значительно меньше, чем SSD стандарта PCIe 5.0.

MSI не сказала, когда карта расширения Xpander-Aero Slider Gen 5 появится в продаже. Производитель также не сообщил её стоимость.

Выручка отрасли производства флеш-памяти NAND в первом квартале текущего года достигла более $14,7 млрд — это самый высокий квартальный показатель за последние годы. При этом Micron обогнала одного из лидеров рынка в лице Western Digital благодаря наращиванию поставок SSD для ИИ-серверов. Флэш-память остаётся одним из самых быстрорастущих сегментов рынка полупроводников.

Источник изображения: Wikipedia

Согласно отчету аналитической компании TrendForce, в первом квартале 2024 года наблюдался значительный рост на рынке флэш-памяти NAND. Выручка отрасли увеличилась на 28,1 % по сравнению с предыдущим кварталом и достигла $14,71 млрд.

Основными драйверами роста стал высокий спрос на твердотельные накопители (SSD) для корпоративных серверов, нацеленных на задачи искусственного интеллекта. Также запасы флэш-памяти наращивали производители ПК и смартфонов, а также операторы дата-центров. Последние постоянно стремятся компенсировать ожидаемый дальнейший рост цен.

Источник изображений: TrendForce

Лидером рынка остается Samsung с долей 37 %, выручка компании от продаж NAND выросла на 28,6 % до $5,4 млрд. На втором месте оказалась SK Group (SK Hynix + Solidigm) с долей 22 % и ростом выручки на 31,9 % до $3,27 млрд. Третье и четвертое место занимают Kioxia и Micron с долями 12 % и 13 % соответственно.

Micron смогла обогнать Western Digital благодаря более низким ценам и активному наращиванию поставок SSD для дата-центров. Выручка Micron выросла на 51,2 %, что является самым высоким показателем среди лидеров отрасли.

Эксперты TrendForce прогнозируют сохранение положительной динамики и во втором квартале — ожидается рост выручки отрасли почти на 10 %. Отмечается, что этому будут способствовать дальнейшее увеличение контрактных цен на флэш-память (+15 %) и расширение использования SSD корпоративным сегментом.

Игровой бренд IRDM польского производителя оперативной памяти и твердотельных накопителей Wilk Electronik SA, который больше известен под брендом Goodram, представил серию высокоскоростных компактных накопителей M.2 2230 Pro Nano стандарта PCIe 4.0. Производитель позиционирует новую серию в качестве SSD для портативных игровых консолей и ноутбуков.

Источник изображений: IRDM

В состав серии накопителей IRDM Pro Nano вошли модели объёмом 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Для младшей версии производитель заявляет скорость последовательного чтения и записи до 5100 и 4600 Мбайт/с соответственно, производительность в случайных операциях чтения и записи —до 780 тыс. и 920 тыс. IOPS. А запас прочности составляет 300 TBW (терабайт перезаписанной информации).

Для моделей на 1 и 2 Тбайт указываются скорости последовательного чтения и записи до 7300 и 6000 Мбайт/с, соответственно, производительность в случайных операциях чтения и записи —до 750 тыс. и 850 тыс. IOPS, а также ресурс в 600 и 1200 TBW.

Следует добавить, что подобные цифры производительности можно будет увидеть только у портативных игровых консолей, которые обладают поддержкой SSD стандарта PCIe 4.0 x4. Например, популярная Steam Deck от Valve поддерживает только стандарт PCIe 3.0 x4, то есть не сможет раскрыть новые SSD в полной мере, хотя они и будут работать в данной консоли.

О стоимости накопителей IRDM Pro Nano и их дате поступления в продажу производитель ничего не сообщил. На представленные новинки заявляется пятилетняя гарантия.

Компания Sabrent выпустила компактный твердотельный NVMe-накопитель Rocket Nano 2242 Gen4. Новинка предназначена для использования в портативных игровых приставках, планшетах, ноутбуках и ПК, где пространства для установки полноразмерных SSD форматов M.2 2260 и 2280 может не хватать.

Источник изображений: Sabrent

Формат NVMe-накопителей M.2 2242 встречается не так часто, как остальные. Особенно сейчас, когда Valve популяризировала формфактор M.2 2230, который применяется в её портативной игровой приставке Steam Deck. Однако одним из преимуществ формата M.2 2242 над M.2 2230 является то, что он позволяет разместить на SSD вдвое больше чипов флеш-памяти NAND, тем самым позволяя выпускать более ёмкие накопители. Кроме того, формат M.2 2242 для SSD является основным для портативной игровой приставки Lenovo Legion Go, являющейся прямым и весьма достойным конкурентом Steam Deck.

В составе накопителя Sabrent Rocket Nano 2242 Gen4 используется энергоэффективный контроллер Phison E27T и 162-слойные чипы флеш-памяти BiCS6 TLC NAND от Kioxia. Новинка не имеет DRAM-буфера. Производитель заявляет для SSD скорость последовательного чтения и записи до 5 Гбайт/с.

Основной продающей особенностью Sabrent Rocket Nano 2242 Gen4 является его поддержка интерфейса PCIe 4.0 — это первый NVMe-накопитель M.2 2242 от Sabrent с такой характеристикой.

Rocket Nano 2242 Gen4 предлагается пока только в одном объёме на 1 Тбайт и оценивается в $99,99. Однако учитывая то, что в продаже уже есть модели компактных NVMe-накопителей M.2 2230 объёмом 2 Тбайт от других производителей, не исключено что в перспективе Sabrent также выпустит модели Rocket Nano 2242 Gen4 ёмкостью 2 и даже 4 Тбайт, поскольку формфактор SSD это позволяет.

Компания SK hynix в рамках недавней пресс-конференции рассказал о перспективных разработках, среди которых оказался твердотельный накопитель объёмом 300 Тбайт. Новая разработка станет частью более широкого ассортимента продуктов и технологий компаний, предназначенных для дата-центров и ИИ-систем.

Источник изображения: SK hynix

По мнению SK hynix, совокупный мировой объём информации, генерируемой людьми и системами искусственного интеллекта к 2030 году достигнет значения 660 зеттабайт. Этот огромный объём данных необходимо где-то хранить, и в таком деле как раз пригодятся жёсткие диски объёмом 100 Тбайт и твердотельные накопители объёмом 300 Тбайт.

О разрабатываемом SK hynix накопителе объёмом 300 Тбайт практически ничего неизвестно, за исключением того факта, что в ближайшие годы спрос на высокопроизводительные SSD большой ёмкости резко возрастёт. В связи с этим для различных задач потребуются как накопители большой ёмкости, так и высокопроизводительные флеш-массивы.

Как предполагает портал Tom’s Hardware, SK hynix может вести разработку конкурента архитектуре системы хранения данных Samsung PBSSD, которая к настоящему моменту представляет собой флеш-массив объёмом 240 Гбайт, но обладает возможностями масштабирования до систем петабайтного класса. Подобные платформы обладают возможностью изоляции потоков данных при множественном доступе к накопителю, позволяя сохранить для разных нагрузок заданные для них уровни задержки и производительности.

Согласно другому предположению, SK hynix может вести разработку конкурента 3,5-дюймовомым твердотельным носителям ExaDrive от компании Nimbus, которые могут хранить до 100 Тбайт информации. Правда, последние представляются весьма нишевыми продуктами и обладают низкой производительностью. Также разработка южнокорейской компании может представлять собой специализированный SSD в формате карты расширения PCIe. Однако опять же, носитель объёмом 300 Тбайт даже при использовании интерфейса PCIe 6.0 x16, скорее всего, будет обладать весьма низкой производительностью в расчёте на терабайт доступного пространства.

Помимо SSD объёмом 300 Тбайт SK hynix также работает над множеством других продуктов, которые будут полезны для задач по обучению ИИ в масштабах ЦОД (высокопроизводительная память HBM4 и HBM4E, решения Pooled CXL, а также Processing-in-Memory (PIM)), для периферийного оборудования с поддержкой ИИ (память LPDDR6, GDDR7, PIM), а также устройств для локальной работы ИИ (память LPDDR6, GDDR7 и DDR5 высокой ёмкости).

Специалист по твердотельным накопителям с помощью специального программного обеспечения смог превратить дешевый SSD на флеш-памяти 3D QLC NAND в высокопроизводительный SLC-накопитель с высоким уровнем надёжности.

Источник изображения: Vishnu Mohanan/Unsplash

Инженер-программист и специалист по твердотельным накопителям из TechPowerUp Габриэль Ферраза (Gabriel Ferraz) недавно предпринял еще одну успешную попытку модификации стандартного потребительского SSD. На этот раз он взял твердотельный накопитель Crucial BX500 емкостью 512 Гбайт, и преобразовал его память из NAND с четырехуровневой ячейкой (QLC) в NAND с псевдо одноуровневой ячейкой (pSLC).

Данная модель SSD изначально использует четыре кристалла флеш-памяти Micron NY240, которые рассчитаны на работу со скоростью 1600 МТ/с (мегатранзакций в секунду). В основу SSD положен контроллер Silicon Motion SM2259XT2, который может работать с двумя каналами со скоростью 800 MT/с. Однако в реальных условиях скорость ограничена до 525 МТ/с в данном SSD.

Процесс преобразования в SLC потребовал использования специализированного ПО MPtools для контроллера Silicon Motion SM2259XT2. Энтузиаст тщательно модифицировал файлы конфигурации, чтобы заставить флеш-память вести себя как SLC. Затем он изменил прошивку накопителя в соответствии с новыми настройками.

В результате емкость SSD уменьшилась с 512 Гбайт до 114-120 Гбайт. Однако ресурс накопителей значительно вырос. Использованные в Crucial BX500 чипы памяти изначально рассчитаны на 1500 циклов программирования/стирания (P/E cycles) в FortisFlash и около 900 циклов в Mediagrade. Преобразование в pSLC увеличило данные числа соответственно до 100 000 и 60 000 циклов.

Ресурс перезаписи вырос почти в 30 раз — до 4000 TBW (терабайт перезаписи). Кроме того, значительно увеличилась производительность, как последовательного чтения/записи, так и случайного чтения/записи, что стало возможным благодаря особенностям SLC памяти, которая является более стабильной.

Таким образом, используя низкоуровневое ПО и свои глубокие познания в области твердотельных накопителей, Ферраза смог превратить обычный дешевый потребительский SSD в высокопроизводительное профессиональное решение.

Компания TeamGroup представила серию твердотельных накопителей MP44Q M.2 PCIe 4.0 на основе чипов флеш-памяти 3D QLC NAND. В состав серии вошли модели SSD объёмом 1, 2 и 4 Тбайт.

Источник изображений: TeamGroup

Компания не уточняет, какой контроллер используется в новинках. Для модели MP44Q M.2 PCIe 4.0 объёмом 1 Тбайт производитель заявляет скорость последовательного чтения и записи до 7400 и 6200 Мбайт/с. В свою очередь, для версий объёмом 2 и 4 Тбайт указываются показатели до 7400 и 6500 Мбайт/с. Производитель отмечает, что в накопителях используется кеш-память SLC.

За охлаждение компонентов SSD отвечает тонкий графеновый радиатор.

Заявленный ресурс у модели объёмом 1 Тбайт составляет 512 TBW (терабайт перезаписанной информации). Для модели объёмом 2 Тбайт указывается ресурс 1024 TBW, а для версии SSD на 4 Тбайт — 2048 TBW. На все новинки предоставляется пятилетняя гарантия производителя или 1,6 млн часов работы на отказ.

В продаже серия накопителей TeamGroup MP44Q M.2 PCIe 4.0 появится в мае. Об их стоимости производитель не сообщил.

Компания Micron выпустила твердотельные накопители 2500-й серии, в которых впервые используются чипы флеш-памяти QLC NAND с количеством слоёв более 200. При этом новинки быстрее, чем накопители серии Micron 2550 на базе памяти TLC NAND, хотя исторически TLC-памяти быстрее, чем на QLC.

Источник изображений: Micron

Память QLC в одной ячейке способна хранить четыре бита информации, а TLC — три. Таким образом, в случае с памятью QLC контроллеру SSD приходится согласовывать 16 состояний напряжения QLC на ячейку вместо 8 у TLC. Как результат, операции чтения и записи индивидуальных ячеек у памяти QLC медленнее, чем у TLC. Повысить скорость накопителей на базе QLC-памяти можно через программную составляющую SSD-контроллера, а также с помощью кеш-памяти SLC (один бит на ячейку) и параллельного доступа к данным.

В составе серии накопителей Micron 2500 используются 232-слойные чипы флеш-памяти QLC NAND со скоростью ввода-вывода 2400 МТ/с на контакт, что на 50 % больше, чем у 176-слойных QLC-чипов. Они также обладают почти на 30 % большей плотностью по сравнению с 176-слойной QLC-памятью в составе накопителей Micron 2400 и на 31 % больше плотностью по сравнению с 232-слойными чипами флеш-памяти TLC NAND, которые используются в серии SSD Micron 2550.

Накопители Micron 2500 до 24 % быстрее в операциях чтения и до 31 % в операциях записи, чем накопители Micron 2450 на 176-слойных чипах памяти TLC. Ниже представлена сравнительная таблица с моделями SSD от Micron на основе флеш-памяти TLC и QLC.

Источник изображения: Blocks and Files

Для новой серии SSD Micron 2500 заявляется скорость в операциях последовательного чтения и записи до 7,1 Гбайт/с и до 6 Гбайт/с соответственно. Производительность в операциях случайного чтения и записи у новинок составляет до 1 млн IOPS, что практически сопоставимо с показателями серии SSD Micron 3500 на базе 232-слойных чипов памяти TLC NAND. При этом по скорости последовательного чтения новинки оказываются даже быстрее. По словам производителя, серия накопителей 2500 на чипах QLC обеспечила в бенчмарке PC Mark10 результат до 45 % выше по сравнению с тремя конкурентами с памятью TLC.

Накопители Micron 2500 будут выпускаться в трёх форматах NVMe M.2: малом (22 × 30 мм), среднем (22 × 42 мм) и большом (22 × 80 мм). Новинки соответствуют стандарту PCIe 4.0 и используют протокол NVMe 1.4. Для SSD Micron 2500 заявляется используется технология буфера HMB. Другими словами, они не имеют собственного буфера памяти DRAM и используют для этих целей часть системной памяти DRAM.

Новинки будут выпускаться в объёмах 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Для младшей модели заявлен ресурс в 200 TBW (терабайт перезаписанной информации), для двух других — 300 и 600 TBW соответственно. На все модели предоставляется пять лет гарантии или 2 млн часов работы на отказ.

Компания Seagate представила серию твердотельных NVMe-накопителей BarraCuda 530, пришедших на смену SSD серии BarraCuda 520. Как и предшественники, новинки поддерживают работу с интерфейсом PCIe 4.0.

Источник изображения: Seagate

В состав серии накопителей BarraCuda 530 вошли модели объёмом 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Версии на 4 Тбайт, которая присутствует в предыдущей серии, пока нет. Возможно, она появится в будущем. Производитель не указывает, какой контроллер памяти используется в новинках, однако отмечается, что он соответствует протоколу NVMe 2.0. Модели предыдущей серии поддерживали протокол NVMe 1.4.

Для накопителя BarraCuda 530 объёмом 2 Тбайт заявляются скорости последовательного чтения до 7400 Мбайт/с и записи до 6400 Мбайт/с, для версии объёмом 1 Тбайт указаны 7400 и 6100 Мбайт/с, для младшего SSD на 512 Гбайт — 7200 и 4300 Мбайт/с соответственно. Таким образом, скорость последовательного чтения у новинок до 48 % выше, а записи до 52 % выше, чем у моделей BarraCuda 520. Показателями скорости случайного чтения и записи новых SSD компания Seagate не поделилась.

Энергопотребление новых NVMe-накопителей несильно изменилось относительно предыдущих моделей. В режиме простоя SSD потребляют в среднем 50 мВт. Максимальный показатель энергопотребления у BarraCuda 530 объёмом 2 Тбайт остался таким же (5,7 Вт), как у модели BarraCuda 520 того же объёма. В свою очередь, BarraCuda 530 объёмом 1 Тбайт и 512 Гбайт потребляют на 4 и 6 % больше энергии по сравнению с предшественниками.

Заявленный ресурс работы у SSD серии BarraCuda 530 стал заметно выше. У версии на 2 Тбайт он составляет 1200 TBW (терабайт перезаписанной информации), а у вариантов на 1 Тбайт и 512 Гбайт равен 600 TBW и 300 TBW соответственно. Таким образом, в случае моделей на 1 и 2 Тбайт он вырос более чем вдвое, а у версии на 512 Гбайт — в полтора раза по сравнению с предшественниками.

Для накопителей BarraCuda 530 производитель заявляет пятилетнюю гарантию.

Китайская компания Maxio Technology представила серию SSD-контроллеров стандарта PCIe 5.0 для потребительских накопителей среднего и высокого уровня, а также корпоративных решений. Производитель заявляет, что новинки смогут обеспечить скорость передачи данных до 14,8 Гбайт/с, что ставит их в один ряд с самыми производительными SSD-контроллерами в мире.

Источник изображения: Maxio

Контроллер MAP1803 предназначен для накопителей корпоративного уровня и обладает поддержкой 16 каналов для подключения флеш-памяти 3D NAND со скоростью до 3200 МТ/с. Модели MAP1806 предназначена для высококлассных потребительских SSD с поддержкой восьми каналов для флеш-памяти 3D NAND со скоростью до 3600 МТ/с. Наконец, чип MAP1802 для потребительских SSD среднего уровня поддерживает четыре канала флеш-памяти со скоростью до 4800 МТ/с каждый. Первый может использоваться для производства SSD объёмом до 64 Тбайт, второй — до 16 Тбайт, а третий — до 8 Тбайт. Максимальная скорость последовательного чтения SSD-контроллеров PCIe 5.0 от Maxio заявлена от 14 до 14,8 Гбайт/с, а записи — от 13,5 до 14,5 Гбайт/с.

Источник изображения: Tom's Hardware

В целом SSD-контроллеры Maxio серии MAP1800 очень похожи. Они все соответствуют протоколу NVMe 2.0 и предлагают поддержку алгоритмов LDPC для коррекции ошибок и повышения надёжности. От корпоративных накопителей с контроллером MAP1803 можно ожидать наличие различных функций, повышающих их надёжность и долговечность.

Как сообщает китайское издание MyDrivers, новинки от Maxio были продемонстрированы на недавней технологической выставке. Однако SSD на их основе не показали. Вполне возможно, что речь идёт о ранних образцах контроллеров. И учитывая тот факт, что разработка и оптимизация ПО для таких решений занимает немало времени, первые потребительские SSD на их основе могут появиться не ранее 2025 года, а накопители корпоративного уровня — ещё позже.

Maxio Technology является одной из немногих компаний, которой удалось создать SSD-контроллеры с поддержкой интерфейса PCIe 5.0 x4. К настоящему моменту помимо неё такие решения представили Innogrit, Marvell, Phison, Samsung и Silicon Motion. Стоит также добавить, что Maxio не является новичком в производстве SSD-контроллеров, поскольку компания ещё несколько лет назад приобрела этот бизнес у JMicron, имеющей многолетний опыт работы с NAND-контроллерами.

Компания Sabrent представила твердотельный накопитель Rocket 4 формата M.2 с поддержкой интерфейса PCIe 4.0. Новинка представляет собой безбуферный SSD и будет выпускаться в версиях объёмом 1, 2 и 4 Тбайт.

Источник изображения: Sabrent

В составе накопителей Sabrent Rocket 4 применяется контроллер Phison E27T, а также 162-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND BiCS 6 от компании Kioxia. Производитель заявляет для новинок скорость последовательного чтения до 7,4 Гбайт/с и последовательной записи до 6,4 Гбайт/с. Показатель производительности SSD в операциях случайного чтения составляет до 1 млн IOPS, а записи — до 0,95 млн IOPS.

За охлаждение компонентов в составе SSD Sabrent Rocket 4 отвечает тонкая медная пластина. Контроллер Phison E27T производится согласно 12-нм техпроцессу, он оказался весьма энергоэффективным и не требует мощного охлаждения.

Sabrent уже выпустила модели накопителей Rocket 4 M.2 NVMe Gen 4 объёмом 1 и 2 Тбайт, оценив их в $100 и $200 соответственно. Версия на 4 Тбайт появится в продаже позже. Компания пока не сообщила её стоимость.