Компания Western Digital на своей выставке The Future of Memory and Storage показала новые модели твердотельных накопителей форм-фактора M.2 2280 с интерфейсом PCIe 5.0 x4 для мобильных рабочих станций и потребительских настольных ПК. У новинок пока нет названия, однако они выделяются не только высокой производительностью, но и высокой энергоэффективностью.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображений: AnandTech

В составе первых моделей накопителей с интерфейсом PCIe 5.0 использовалась более медленная флеш-память NAND, поэтому они ограничивались скоростями до 12,5 Гбайт/с. Однако сейчас самые передовые модели SSD оснащаются 232-слойными чипами флеш-памяти 3D TLC Micron со скоростью 2400 МТ/с на контакт, чей общий показатель скорости последовательного чтения превышает значение 14 Гбайт/с. Весь прошлый год компания Western Digital была сосредоточена на выпуске моделей потребительских SSD более массовых сегментов под интерфейс PCIe 4.0 (серии WD Blue SN5000, WD Black SN770M, и WD Blue SN580). Теперь производитель планирует пополнить своё портфолио накопителей новыми высокопроизводительными моделями с поддержкой PCIe 5.0.

Компания готовит к выпуску две модели SSD M.2 2280: одна будет ориентирована на верхний сегмент, другая — на массовый. В основе обеих моделей используются новые фирменные контроллеры. Флагманская модель SSD получила 8-канальный контроллер с кеш-памятью DRAM. Модель массового сегмента оснащена четырёхканальным контроллером без кеш-памяти DRAM. Оба накопителя используют 218-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND BiCS8.

Ключевой особенностью новинок, как отмечает производитель, является не только высокая производительность, но и энергоэффективность, которая влечёт за собой невысокие рабочие температуры. Для флагманской модели компания обещает энергопотребление под нагрузкой на уровне всего 7 Вт, а для массовой модели — 5 Вт. Для сравнения, существующие модели флагманских PCIe 5.0 SSD потребляют под нагрузкой до 11-12 Вт.

Western Digital показала, что модель производительного сегмента способна обеспечивать скорость последовательного чтения почти на уровне 15 Гбайт/с и производительность в операциях случайного чтения выше 2 млн IOPS. В свою очередь модель SSD массового сегмента обеспечивает скорость последовательного чтения на уровне 10,7 Гбайт/с.

Хотя Western Digital несколько задержалась с выходом своих собственных SSD стандарта PCIe 5.0 по сравнению с конкурентами, эта демонстрация решений на проприетарных контроллерах и чипах памяти NAND показывает, что в технологическом плане она совсем не отстаёт.

Samsung анонсировала на конференции The Future of Memory and Storage (ранее Flash Memory Summit) несколько твердотельных накопителей: новая линейка PM1753 обещает рекордные скорости PCIe 5.0, а BM1743 вскоре получит 128-Тбайт модель. В потребительском сегменте скоро дебютирует PM9E1 с PCIe 5.0.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображения: samsung.com

Максимальные скорости в существующем ассортименте Samsung — это серия PM1743, но она существует уже несколько лет, и настало время выхода её преемника. Новый Samsung PM1753 также подключается по PCIe 5.0 x4, но практически полностью использует потенциал интерфейса. Если у PM1743 скорость последовательного чтения составляет до 14 Гбайт/с, то у PM1753 это уже 14,8 Гбайт/с, а скорость записи увеличилась с 6 до 11 Гбайт/с. Производительность случайных операций выросла до 3,4 млн IOPS. Накопитель нового поколения комплектуется 16-канальным контроллером, памятью TLC-NAND ёмкостью до 32 Тбайт и предлагается в формфакторах U.2 и E3.S.

Свой первый SSD ёмкостью 128 Тбайт Samsung показала семь лет назад, и с тех пор он кочевал по выставкам в качестве демонстрационного экземпляра. На рынок модель такой ёмкости выйдет в серии BM1743. Весной корейский производитель обновил серию моделью на 64 Тбайт (61,44 Тбайт) и обмолвился, что этот показатель может удвоиться — теперь компания официально анонсировала SSD BM1743 ёмкостью 128 Тбайт (122,88 Тбайт), но пока не объявила дату её выхода в продажу. Накопитель оснащён памятью QLC от Samsung и предлагает скорость чтения 7,5 Гбайт/с, записи — 3,5 Гбайт/с и до 1,6 млн IOPS для случайных операций.

Компания снова решила заглянуть в будущее. SSD ёмкостью 256 Тбайт появится в период с 2024 по 2026 год, модели на 1 Пбайт едва ли стоит ожидать до 2035 года, а SSD формфактора M.2 ёмкостью 16 Тбайт Samsung выпустит лишь в 2027 году. Корейский производитель также рассказал о модели PM9E1 для потребительских систем — она появится как OEM-продукт с PCIe 5.0, ёмкостью до 4 Тбайт и предложит скорости 14,5 Гбайт/с на чтение и 13 Гбайт/с на запись.

Недавно Western Digital сообщила о начале тестирования своих SSD ёмкостью 64 Тбайт для центров обработки данных, а сегодня на выставке FMS 2024 компания представила твердотельный накопитель следующего поколения объёмом 128 Тбайт. SSD использует память BiCS8 QLC NAND производства Kioxia и предназначен в первую очередь для «быстрых данных ИИ и приложений с высокой производительностью».

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображений: anandtech.com

Демонстрационный SSD получил прошивку, оптимизированную для контрольных точек ИИ — рабочей нагрузки, которая включает последовательную запись, но также требует, чтобы диск поддерживал минимальный уровень обслуживания для одновременных операций чтения. Судя по фотографии с выставки, скорость последовательной записи при такой рабочей нагрузке достигает 6,32 Гбайт/с, а скорость одновременного последовательного чтения — 3,13 Гбайт/с. Других характеристик новинки Western Digital пока не сообщила, но судя по выставочному образцу, накопитель будет выпускаться в формфакторах U.2 и U.3.

218-слойная память BiCS8 использует гибридную схему «CMOS, напрямую связанная с массивом» (CMOS directly bonded to Array, CBA). Эта технология является эволюционным преемником технологий CMOS-under-Array (CuA) компании Micron и Periphery-under-Cell (4D PUC) компании SK hynix. BiCS8 NAND может взаимодействовать с контроллером со скоростью до 3600 МТ/с, что делает её пригодной для использования в накопителях поколения Gen 4+.

Western Digital — не единственная компания, разработавшая высокопроизводительный SSD ёмкостью 128 Тбайт. Samsung недавно сообщила о наличии у неё технологии для создания твердотельных накопителей объёмом 120 Тбайт. Solidigm продемонстрировала на выставке FMS 2024 прототип SSD QLC ёмкостью 122 Тбайт.

Рабочие нагрузки ИИ стали новым вызовом для поставщиков корпоративных SSD и стимулом для производства энергоэффективных быстродействующих и ёмких твердотельных накопителей с максимальной плотностью размещения в ЦОД.

Компания Kingston анонсировала новый твердотельный накопитель NV3 с интерфейсом PCIe 4.0. По заявлению производителя, SSD NV3 предназначен для высокоскоростных задач с низким энергопотреблением и будет доступен в вариантах ёмкостью от 500 Гбайт до 4 Тбайт.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: Kingston

NV3 является преемником модели NV2, которая подвергалась критике за низкую производительность и не рекомендовалась экспертами к использованию из-за перегрева, особенно на ноутбуках или в качестве основного накопителя. Новый SSD, по сообщению Tom's Hardware, обещает улучшенные характеристики со скоростью последовательного чтения до 6000 МБайт/с и записи до 5000 МБайт/с для версий на 2 Тбайт и 4 Тбайт.

Показатели выносливости NV3 также выглядят неплохо. Для варианта на 500 Гбайт заявлено 160 TBW, для 1 Тбайт и 2 Тбайт — 320 TBW и 640 TBW соответственно. Версия на 4 Тбайт получит 1280 TBW.

Источник изображения: Tomshardware.com

По слухам, официальный запуск Kingston NV3 состоится 5 августа. Некоторые зарубежные розничные продавцы уже разместили предварительные ценники в $49,99 за 500 Гбайт и $69,82 за вариант 1 Тбайт. Однако эти цены могут быть лишь ориентировочными, так как рекомендованные производителем розничные цены на NV3 для разных объёмов SSD ещё не названы.

«Будет интересно увидеть, как Kingston NV3 покажет себя на фоне конкурентов», — отмечают эксперты. Учитывая, что такие накопители часто выбирают для бюджетных сборок и OEM-производители, важно, чтобы SSD NV3 решил проблемы предыдущего поколения NV2, обеспечив заявленные низкое энергопотребление и хорошее соотношение цены и качества.

Компания Micron представила 276-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND девятого поколения (Micron G9 NAND), а также серию твердотельных накопителей Micron 2650 стандарта PCIe 4.0 на их основе. Последние будут выпускаться в форматах M.2 2230, 2242 и 2280, предлагая объёмы 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображений: Micron

По словам Micron, запросы её клиентов стали основной причиной разработки новых чипов флеш-памяти. Цель состояла в том, чтобы создать 1-Тбит кристалл, который поместится в упаковку BGA размером 11,5 × 13,5 мм, при этом будет обладать пропускной способностью 3,6 Гбит/с и иметь на 44 % более высокую битовую плотностью по сравнению с её решениями предыдущих поколений.

Источник изображения: Blocks and Files

Micron заявляет, что новые накопители на базе её 276-слойных чипов флеш-памяти со скоростью 3,6 Гбит/с на канал обеспечивают лучшую производительность в классе. Micron G9 NAND обладает до 99 % более высокой пропускной способностью записи и на 88 % более высокой пропускной способностью чтения на кристалл, чем доступные в настоящее время конкурирующие решения NAND от SK hynix, Solidigm, Kioxia, Western Digital и Samsung. Кроме того, плотность Micron G9 NAND до 73 % выше, а их размер на 28 % меньше, чем решения конкурентов.

Для накопителя Micron 2650 объёмом 256 Гбайт компания заявляет скорость последовательного чтения на уровне 5000 Мбайт/с и последовательной записи в 2500 Мбайт/с, а также производительность в операциях случайного чтения и записи на уровне 370 тыс. и 500 IOPS. Для модели объёмом 512 Гбайт указываются скорости последовательного чтения и записи на уровне 7000 и 4800 Мбайт/с и производительность в случайных операциях чтения и записи на уровне 740 тыс. и 1 млн IOPS. Для версии SSD объёмом 1 Тбайт заявлены скорости последовательного чтения и записи соответственно на уровне 7000 и 6000 Мбайт/с, а также производительность в операциях случайного чтения и записи на уровне 1 млн IOPS.

По словам Micron, её новинки обеспечивают до 38 % более высокую производительность в тесте PCMark 10, в среднем на 36 % более высокую пропускную способность и на 40 % быстрее обращаются к данным.

Компания отмечает, что новые чипы 276-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND уже доступны в накопителях Micron 2650 для OEM-партнёров, а также проходят тестирование для потребительских SSD и продуктов её собственного бренда Crucial.