Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Intel 18A вскрыли под микроскопом: новые транзисторы есть, но TSMC всё ещё впереди
28.09.2026 [01:12],
Андрей Созинов
Компания SemiAnalysis провела подробный анализ процессора Intel Panther Lake, впервые независимо исследовав устройство чипа и самый передовой на сегодняшний день техпроцесс Intel. Основное внимание специалисты уделили технологии производства Intel 18A, которая включает два ключевых нововведения — транзисторы нового типа RibbonFET и систему подачи питания PowerVia. 
Источник изображения: Intel Если кратко, то главный вывод исследования заключается в том, что Intel действительно смогла внедрить обе технологии в серийный потребительский процессор. Однако результаты разбора показывают, что по плотности логических элементов Intel 18A примерно соответствует техпроцессу TSMC N3E. При этом названия 18A и N3E не следует воспринимать как обозначения физических размеров транзисторов, 1,8 и 3 нм соответственно: это лишь маркетинговые названия технологических норм. 
Снимок всех кристаллов процессора Panther Lake Panther Lake стал первым потребительским процессором Intel с транзисторами RibbonFET — собственной реализацией технологии Gate-All-Around (GAA). В традиционных FinFET-транзисторах ток проходит через вертикальные кремниевые «рёбра». В RibbonFET вместо этого используются четыре расположенных друг над другом горизонтальных кремниевых нанолиста. Затвор окружает каждый из них со всех сторон, что позволяет точнее контролировать прохождение электрического тока и снижать утечки.  Интересно, что Intel использует четыре нанолиста в одном транзисторе, тогда как Samsung в своём техпроцессе SF2 — три. При этом у Samsung эти слои заметно шире, поэтому итоговая плотность зависит не только от их количества, но и от геометрии каждого из них.  Второе ключевое нововведение — PowerVia — система подачи питания с обратной стороны кристалла в исполнении Intel. В традиционной конструкции чипов питание и сигналы проходят по металлическим слоям, расположенным над транзисторами. PowerVia переносит значительную часть силовой инфраструктуры на обратную сторону кристалла, под слоем транзисторов. Это освобождает верхние металлические слои для сигнальных соединений и позволяет использовать более короткие и широкие пути для подачи питания, что потенциально снижает сопротивление и улучшает стабильность напряжения для наиболее требовательных частей процессора. Впрочем, у такого подхода есть и компромиссы. Перенос силовой инфраструктуры на обратную сторону кристалла повышает технологическую сложность и сопровождается дополнительными паразитными ёмкостями и тепловым сопротивлением. Поэтому преимущества PowerVia приходится рассматривать в комплексе с издержками новой технологии. При этом наиболее интересные результаты разборки касаются плотности транзисторов. SemiAnalysis измерила плотность транзисторов в логике Panther Lake на Intel 18A и обнаружила, что она примерно соответствует плотности транзисторов у логики графических процессоров, выпускаемых TSMC по техпроцессу N3E. Для Intel, которая в последние годы уступала TSMC в освоении передовых техпроцессов, это заметное достижение. Однако 18A, согласно оценке SemiAnalysis, не превосходит по максимальной плотности более новые нормы TSMC N3P и N2, а также Samsung SF2. Более детальные измерения показывают, что по модели репрезентативной логической ячейки 18A примерно на 18,6 % плотнее Intel 3 и находится примерно на том же уровне, что и TSMC N3E. При этом исследователи подчёркивают, что это сравнение отдельных ячеек, а не всей площади кристалла: реальная плотность зависит от набора блоков процессора и их размещения. 
Поперечное сечение Panther Lake: вычислительные и графические модули, установленные на кремниевом интерпозере Разбор также наглядно показывает, как Intel использует чиплетную архитектуру и передовую упаковку для объединения компонентов, изготовленных по разным техпроцессам. В Panther Lake отдельные вычислительный, графический и I/O кристаллы размещаются на пассивной кремниевой основе с использованием технологии упаковки Foveros-S. Вычислительный кристалл производится по технологии Intel 18A. Графическая часть выпускается в двух вариантах: четырёхъядерный Xe3-кристалл производится по Intel 3, тогда как более крупный вариант с 12 ядрами Xe3 изготавливается TSMC по техпроцессу N3E. Кристаллы ввода-вывода также производит TSMC, используя более старый техпроцесс N6. 
CPU Panther Lake При этом конструкция Panther Lake заметно отличается от Meteor Lake и Arrow Lake. Теперь NPU, энергоэффективные LP E-cores, контроллер памяти, PHY, мультимедийные и дисплейные блоки размещены непосредственно на вычислительном кристалле. Это позволяет сократить число межкристальных соединений, хотя часть интерфейсной и аналоговой логики теперь приходится размещать на более дорогом техпроцессе 18A. Отдельный I/O-кристалл, напротив, отвечает за внешние интерфейсы — в частности, PCIe и Thunderbolt. Он выпускается по более зрелому техпроцессу TSMC N6, что позволяет не переносить эти относительно медленные интерфейсные блоки на дорогой Intel 18A. 
Слева — ядро Lion Cove в Lunar Lake, справа — Cougar Cove в Panther Lake SemiAnalysis отмечает и архитектурные изменения процессора. Архитектура CPU Panther Lake представляет собой скорее развитие предыдущего поколения, чем полностью новую разработку. Производительное ядро Cougar Cove по площади близко к Lion Cove из Lunar Lake, однако объём кэш-памяти второго уровня вырос с 2,5 до 3 Мбайт на ядро. По оценке специалистов, Cougar Cove позволяет разместить примерно на 20 % больше L2-кэша при сопоставимой площади ядра. При этом общий объём кэш-памяти третьего уровня для производительных ядер сократился примерно на 14,8 %. Четырёхъядерный кластер энергоэффективных ядер Darkmont LP, в свою очередь, примерно на 5 % меньше предшественника. 
Intel NPU 4 в процессоре Lunar Lake (слева) крупнее NPU 5 в Intel Panther Lake (справа) Существенно переработан нейронный ускоритель. По данным SemiAnalysis, NPU 5 в Panther Lake занимает на 36,9 % меньше площади, чем NPU 4 в Lunar Lake, сохраняя при этом сопоставимую производительность в вычислениях INT8. Intel объединила вычислительные блоки в меньшее количество более крупных нейронных ядер, одновременно сократив число блоков локальной памяти Scratchpad и DSP SHAVE с 12 до шести. Кроме того, NPU 5 получил аппаратную поддержку FP8 — формата данных с пониженной точностью, который всё чаще применяется для инференса ИИ-моделей. 
Два варианта графики Intel Xe3 в Panther Lake: слева — кристалл GT1 на базе Intel 3, справа — GT2 на базе N3E Интересное сравнение даёт и графическая составляющая. Одно ядро Xe3 в графическом кристалле GT1, произведённом по Intel 3, примерно на 55 % крупнее ядра в 12-ядерном кристалле GT2 на базе TSMC N3E. Кроме того, ядро Xe3 на Intel 3 примерно на 69 % крупнее аналогичного ядра в Lunar Lake. Иными словами, Intel способна производить GPU по собственному техпроцессу, однако TSMC N3E позволяет разместить значительно больше графических вычислительных блоков на той же площади кремния. По итогам разбора Panther Lake нельзя сказать, что Intel уже вернула себе безоговорочное технологическое лидерство. Однако он показывает, что компания смогла довести до серийного потребительского продукта сразу две важные технологии — RibbonFET и PowerVia. При этом 18A демонстрирует уровень плотности, сопоставимый с TSMC N3E, но пока не превосходит более новые техпроцессы конкурента по этому показателю. Окончательная конкурентоспособность Intel 18A будет зависеть не только от плотности транзисторов, но и от сочетания производительности, энергоэффективности, выхода годных кристаллов и стоимости производства. Ангстремный техпроцесс Intel 14A заинтересовал Amazon, Apple, AMD, Google, Tesla, Microsoft, Nvidia и Qualcomm
25.09.2026 [17:52],
Павел Котов
Компании Amazon, Apple, AMD, Google, Tesla, Microsoft, Nvidia и Qualcomm изучают возможности техпроцесса Intel 14A, гласит аналитический доклад инвестиционного банка Piper Sandler. Если переговоры между компаниями приведут к заключению контрактов на производство, Intel сумеет привлечь сторонних клиентов и поддержать свой бизнес по направлению контрактного полупроводникового производства. Пока конкретных обязательств на себя не взял ни один потенциальный клиент. 
Источник изображения: Brecht Corbeel / unsplash.com Intel уже не первый год пытается превратить своё производственное подразделение в серьёзного конкурента TSMC — решающим испытанием станет техпроцесс 14A. В конце 2026 или начале 2027 года компании необходимо привлечь хотя бы одного «якорного» заказчика и в 2028 году нарастить производство. К новой технологии проявили интерес крупнейшие американские чипмейкеры: технические показатели Intel улучшаются, мощности TSMC перегружены, клиенты стремятся диверсифицировать производство и расширить возможности упаковки чипов за пределами Тайваня. TSMC остаётся доминирующим контрактным производителем передовых чипов; её мощности законтрактованы вплоть до 2028 года. Но это не значит, что Intel уже получила заказы: оценка техпроцесса — это ещё не решение перевести на него выпуск ключевой линейки продукции. Список потенциальных клиентов свидетельствует, что Intel ведёт переговоры только с теми компаниями, которые ей необходимы. Сегодня американские компании стремятся расширить производство в США; связанным с цепочками поставок рискам уделяется всё больше внимания; власти страны также призывают отрасль наращивать внутренние производственные мощности. У Intel уже имеются заводы в США, и компания расширяет производство, но возможность обосновать дальнейшие инвестиции будет зависеть от готовности клиентов размещать заказы. 
Источник изображения: Thufeil M / unsplash.com Недавно Intel привлекла до $23 млрд, и эту меру аналитики связали с развитием контрактного бизнеса компании — средства могут пойти на закупку оборудования для завода, работающего с техпроцессом 14A. Проектная мощность предприятия составит 20 000 пластин в месяц, а его оснащение оборудованием обойдётся примерно в $10 млрд. Строительство завода Intel Fab 62 уже практически завершено, и теперь необходимо обеспечить его оборудованием. Intel, однако, не намерена расширять производство по передовым техпроцессам без явных признаков спроса со стороны клиентов, заявил гендиректор компании Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan); если не не получится привлечь крупного внешнего заказчика или выполнить ключевые обязательства перед клиентами, то Intel может приостановить развитие 14A и последующих техпроцессов — это станет «экономически нецелесообразным». Пока же работы над техпроцессом Intel 14A идут по графику; пробное производство стартует в 2028 году. На этом этапе выпускаются первые партии чипов, производится проверка и отладка перед запуском массового производства. Утверждённый график позволит технологии 14A составить конкуренцию передовым техпроцессам TSMC. Название Intel 14A отражает новую систему наименования техпроцессов «ангстремной эры» и следует за 18A. Эти обозначения не следует воспринимать как буквальные физические размеры элементов чипа, поэтому даже при схожих названиях сопоставлять технологии разных производителей не всегда корректно. Ключевой вопрос состоит в том, сможет ли Intel добиться не только оценки технологии заказчиками, но и заключения контрактов с ними — к этому компания идёт с 2021 года. SK hynix успешно расширяет производство памяти DRAM по передовому техпроцессу 1c
07.09.2026 [22:05],
Николай Хижняк
Компания SK hynix переводит значительную часть своих производственных мощностей по выпуску оперативной памяти DRAM на новейший техпроцесс 1c, пишет TechPowerUp со ссылкой на южнокорейскую газету Chosun. 
Источник изображения: SK hynix По мере развития технологии DRAM компания переносит производство на более продвинутые техпроцессы 10-нм уровня. В первом квартале 2026 года на долю техпроцесса 10-нм класса шестого поколения 1c приходилось 10 % от общего объёма производства, а во втором этот показатель вырос до 13 %. Ожидается, что в текущем третьем квартале компания выпустит 24 % своей памяти DRAM на техпроцессе 1c, а в четвёртом этот показатель перевалит за треть (34 %). К первому кварталу 2027 года на долю техпроцесса 1c, как прогнозируется, придётся около 35 % от общего объёма производства, а на долю техпроцесса 1b, тоже 10-нм уровня, но пятого поколения, — 33 %, что сделает его самым распространённым техпроцессом SK hynix. Техпроцессы для производства DRAM отличаются от обычных логических техпроцессов, то есть тех, на базе которых выпускаются процессоры. Производители DRAM используют различные варианты техпроцессов от 10 до 19-нм (10-нм класса) и масштабируют их, добавляя больше слоёв EUV-литографии или улучшая другие характеристики. Для SK hynix доминирующий на данный момент техпроцесс 1b предполагает использование 12–13 нм по фактическому размеру и включает около четырёх слоёв EUV-литографии, в то время как самый передовой техпроцесс 1c предполагает уменьшение до 11–12 нм с использованием 5–6 слоёв EUV-литографии. SK hynix будет использовать техпроцесс 1c для производства памяти HBM4E, LPDDR6 и DDR5. На более старом техпроцессе 1b SK hynix производит память DDR5, LPDDR5X, HBM3E и HBM4. Для сравнения, другие производители DRAM, такие как Samsung, в настоящее время используют техпроцесс 1c только на 16 % своих производственных мощностей, в то время как у SK hynix этот показатель составляет 13 %. У Micron этот показатель равен 19 %, но SK hynix быстро наращивает производственные мощности и, как ожидается, в четвёртом квартале обгонит обе компании за счёт перехода на техпроцесс 1c. В перспективе SK hynix будет осваивать и другие техпроцессы, поскольку масштабирование DRAM становится всё более сложной задачей: стандартная планарная структура транзисторов 6F² сталкивается с физическими ограничениями при уменьшении размеров. Будущее за транзисторами с вертикальным затвором 4F² и трёхмерным стекированием DRAM, которые станут основой для наступления следующей эры DRAM, но узел 1c компания SK hynix будет использовать ещё долгие годы. HBM4 и Grok загрузили 4-нм линии Samsung до предела на весь 2027 год — клиентов переводят на 5 нм
06.08.2026 [19:04],
Николай Хижняк
Производственные мощности компании Samsung по выпуску чипов на основе 4-нм техпроцесса полностью забронированы на весь 2027 год, сообщает южнокорейское издание ZDNet. В то же время компания активно наращивает объёмы заказов на производство чипов по 5-нм техпроцессу. 
Источник изображения: Samsung Electronics «В связи с резким ростом заказов на память HBM4 (High Bandwidth Memory) от Samsung Electronics, коэффициент использования 4-нм линии значительно увеличился. На память приходится крупнейшая часть заказов», — заявил в разговоре с ZDNet представитель полупроводниковой индустрии. Сообщается, что объёмы производства процессоров LPU (Language Processing Unit) Grok-3 от Nvidia также превысили ожидания, что повлияло на достижение полной загрузки линий по производству чипов на основе 4-нм техпроцесса. Из-за полной загрузки 4-нм производственных мощностей Samsung предлагает заинтересованным клиентам 5-нм техпроцесс в качестве альтернативы. Стратегия производителя строится на том, что данный техпроцесс более зрелый и уже доказал свою эффективность и надёжность. Он обеспечивает определённый уровень выхода годной продукции, а также представляет собой более выгодную с экономической точки зрения альтернативу для клиентов, разрабатывающих чипы, но не имеющих собственных производств, которым сложно перейти на 2-нм или 3-нм техпроцессы, сопряжённые с более высокими производственными затратами по сравнению с 4-нм. «Передовые 2- и 3-нанометровые техпроцессы создают значительную нагрузку на клиентов с точки зрения выхода годных изделий и стоимости, а линия по производству 4-нанометровых микросхем уже заполнена. По этой причине Samsung Electronics активно предлагает 5-нанометровый техпроцесс со стабильным выходом годных изделий в качестве альтернативы. Компании, разрабатывающие полупроводниковые микросхемы без собственного производства, положительно о нём отзываются», — сказал представитель полупроводниковой отрасли. Производственный 5-нм техпроцесс Samsung SF5A классифицируется как специализированный узел для выпуска автомобильных чипов. На нём, в частности, будут выпускаться управляющие чипы систем помощи водителям ADAS (Advanced Driver Assistance Systems), которые Hyundai Motor Company планирует запустить в массовое производство к 2030 году, а также SoC компании Bose Semiconductor. Кроме того, на основе SF5A планируется выпуск автомобильных процессоров Telechips Dolphin 7. В последнее время сфера применения техпроцесса SF5A расширилась. На нём производятся чипы для серверов, а также высокопроизводительные микросхемы для обработки данных в области искусственного интеллекта и нейронных сетей (NPU). Полная загрузка производственных линий тайваньской компании TSMC и глобальные геополитические факторы также оказывают положительное влияние на объёмы заказов Samsung Foundry на 5-нм техпроцесс, отмечается в публикации ZDNet Korea. Это связано с тем, что по мере сокращения доступных мощностей TSMC для выпуска 3-, 4- и 5-нм чипов китайские и индийские клиенты, не имеющие собственных производственных мощностей, переключают своё внимание на 5-нм техпроцесс Samsung, чтобы удовлетворить спрос на передовые технологии и обойти санкции. «Для китайских и индийских компаний, не имеющих собственных производственных мощностей, но которым необходимо обеспечить производительность на уровне передовых техпроцессов в условиях санкций США против Китая, Samsung Foundry является реалистичной альтернативой. Samsung Electronics получает косвенные выгоды от 5-нм техпроцесса, поскольку он позволяет покрыть даже мелкосерийные заказы, от которых отказалась TSMC», — заявил ZDNet Korea представитель компании-партнёра Samsung Foundry. ИИ и VR ускорили строительство завода TSMC по выпуску 1,4-нм чипов — оно завершится к апрелю 2027 года
30.07.2026 [21:44],
Николай Хижняк
Компания TSMC ведёт строительство нового завода, на котором будут производиться микросхемы на основе фирменного 1,4-нм техпроцесса A14. По данным тайваньской газеты Commercial Times, завершение строительства ожидается уже к апрелю 2027 года. Это впечатляющие сроки для TSMC, ускорившей второй этап строительства новой фабрики в Тайчжуне, в районе расширения Центрального научного парка Тайваня. 
Источник изображения: TSMC Сообщается, что TSMC использует искусственный интеллект и виртуальную реальность для реализации проекта строительства нового завода. Отмечается, что ИИ применяется для распознавания изображений и интеллектуального контроля, а моделирование в виртуальной реальности помогает при обучении работе на большой высоте и действиям в потенциально опасных ситуациях. Благодаря быстрой подготовке кадров, помощи ИИ при строительстве и другим мерам TSMC может запустить производство раньше запланированного срока, что позволит развернуть техпроцесс A14 с нуля до стадии начального опытного производства к концу 2027 года. По сравнению 2-нм техпроцессом N2, о выходе которого на серийное производство сообщалось недавно, техпроцесс A14 обеспечит до 15 % более высокую производительность при том же уровне энергопотребления или до 30 % меньшее энергопотребление при той же производительности. TSMC также заявляет об увеличении плотности логических компонентов на 20 %, при этом масштабируемость логических компонентов у A14 значительно лучше, чем у других техпроцессов. TSMC планирует начать массовое использование техпроцесса A14 в 2028 году. Это предоставит ей небольшое преимущество по времени перед Samsung и Intel, ведущими разработку технологических узлов аналогичного уровня. TSMC вышла на производство 20 000 кремниевых пластин в месяц согласно 2-нм техпроцессу N2
28.07.2026 [05:08],
Николай Хижняк
По информации тайваньского издания Money UDN, на которое ссылается портал TechPowerUp, компания TSMC достигла нового рубежа в масштабировании крупномасштабного выпуска микросхем по 2-нм техпроцессу. Теперь тайваньский производитель ежемесячно выпускает 20 000 кремниевых пластин согласно своему передовому техпроцессу N2. 
Источник изображения: TSMC Выпуск чипов с использованием техпроцесса N2 планируется на пяти заводах TSMC, однако в настоящий момент только один завод работает в режиме серийного производства N2. Речь идёт о Fab 20, на котором был достигнут показатель в 20 000 кремниевых пластин в месяц. TSMC сообщила о выходе на крупномасштабное производство по техпроцессу N2 в четвёртом квартале 2025 года. На сегодняшний день на техпроцесс 2 нм приходится всего 3 % выручки компании, на 3 нм — 30 %, а на 5 нм – 33 %. Недавно TSMC заявила, количество выпущенных микросхем по техпроцессу N2 в четыре раза превышает количество микросхем, выпущенных по предыдущему передовому техпроцессу 3 нм (N3). Благодаря технологии GAAFET, техпроцесс N2 от TSMC обеспечивает повышение производительности до 15 % при том же уровне энергопотребления или снижение энергопотребления до 30 % при той же частоте. Техпроцесс привлёк четырёхкратное увеличение числа клиентов, занимающихся разработкой микросхем, включая AMD с серверными процессорами EPYC Venice, Apple с чипами A20 Pro для серии iPhone 18 Pro и многих других. Хотя на техпроцесс N2 сейчас приходится лишь малая часть от общего объёма выпуска пластин и незначительный объём выручки компании, всё больше клиентов TSMC им интересуются. Intel недавно заявила об аналогичных показателях крупносерийного производства кремниевых пластин по её фирменному техпроцессу Intel 18A (близкий аналог N2 от TSMC). Компания вышла на производство около 30 000 пластин в месяц на двух своих площадках — заводе Fab 52 в Финиксе, штат Аризона, и ещё одном предприятии в Хилсборо, штат Орегон. TSMC производит микросхемы по техпроцессу N2 на литографических сканерах класса EUV с низким значением числовой апертуры (low-NA) от ASML, таких как TWINSCAN NXE:3800E. Недавно ASML заявила о планах поднять цены на оборудование для выпуска чипов, чем сильно разозлила TSMC. TSMC похвалилась успехами в разработке 1,4-нм техпроцесса A14 — он развивается быстрее N2
17.07.2026 [20:41],
Павел Котов
За минувшие три месяца TSMC значительно продвинулась в развитии техпроцесса A14 (1,4 нм), опередив N2 (2 нм) на той же стадии разработки. На новую технологию обозначился высокий спрос со стороны производителей чипов для смартфонов, искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений (HPC). 
Источник изображения: tsmc.com «Разработка технологии A14 идёт по плану и успешно продвигается. Внутренние испытания тестового компонента показали производительность на уровне 90 % от целевой и выход годной продукции для 256-Мбит SRAM на уровне около 90 %», — заявил гендиректор TSMC Си-Си Вэй (C.C. Wei) в ходе брифинга с инвесторами. Запуск серийного производства с использованием техпроцесса A14 намечен на вторую половину 2028 года. В апреле компания сообщала, что ей удалось достичь 85 % целевой производительности при 80 % выходе годной продукции для 256-Мбит SRAM. Таким образом, за три месяца ей удалось повысить оба показателя до 90 %. Для сравнения: в апреле 2023 года техпроцесс N2 обеспечивал 80 % целевой производительности при 50-% выходе годной продукции для тестового 256-мегабитного чипа SRAM; в апреле 2024 года компания повысила эти показатели до 90 % и 80 % соответственно. То есть разработка технологии A14 действительно продвигается быстрее, чем N2. Отчасти это можно объяснить накопленным TSMC опытом работы с транзисторами с окружающим затвором (GAA), которые компания впервые внедрила в техпроцессе N2. Производителю, очевидно, удалось устранить многие сдерживающие факторы, однако приведённые генеральным директором показатели лишь указывают на достаточно низкую плотность дефектов в однородно повторяющейся структуре SRAM — говорить об успехах коммерческого производства пока рано. Тем не менее достижение почти 90 % по обоим показателям за 2,5 года до запланированного запуска массового производства позволяет говорить о том, что разработка A14 значительно опережает прогресс N2 на сопоставимом этапе. Теоретически компания может начать массовый выпуск и раньше, если у заказчиков будут готовы проекты. Клиенты TSMC действительно стремятся завершить проектирование раньше запланированного срока, отметил Си-Си Вэй, и это хороший знак. Несмотря на то что A14 не получит систему подачи питания с обратной стороны кристалла Super Power Rail — она дебютирует лишь с A12 во второй половине 2029 года, — к новому техпроцессу уже проявили интерес производители клиентских процессоров, а также оборудования для ИИ и HPC. По сравнению с N2 новый A14 обещает повышение производительности на 10–15 % при том же энергопотреблении и количестве транзисторов либо снижение энергопотребления на 25–30 % при той же частоте и сложности схем. Плотность транзисторов для смешанных схем вырастет на 20 %, а для логических — на 23 %. Intel вложит €5 млрд в крупнейшую фабрику чипов Европы, чтобы выпускать там ангстремные процессоры
13.07.2026 [22:05],
Николай Хижняк
Intel инвестирует 5 млрд евро в расширение своей производственной площадки в Лейкслипе (Ирландия) и намерена закрепить за ней статус ключевого объекта на будущее. На этом предприятии уже работает значительное количество EUV-литографов для выпуска продукции по технологии Intel 3. 
Источник изображения: Intel Как пишет портал ComputerBase, завод Fab 34 в Лейкслипе работает уже много лет и способен массово производить микросхемы по самому тонкому техпроцессу в Европе. В 2023 году он стал первым крупным заводом Intel, использующим EUV-литографию, и по-прежнему остаётся единственным в Европе предприятием компании, использующим эту технологию. Intel полностью выкупила Fab 34 и объявила о планируемых инвестициях в апреле. В этом году компания планирует инвестировать в завод 5 млрд евро. В 2027 году Intel закупит для предприятия дополнительные станки и оборудование, а также модернизирует некоторые производственные мощности для увеличения объёмов выпуска. Кроме того, будет улучшена внутризаводская логистика. Все модули завода объединят в единую сеть, а система транспортировки контейнеров с кремниевыми пластинами по потолочным направляющим будет охватывать все производственные участки. Все эти меры призваны значительно увеличить объёмы выпуска продукции по техпроцессу Intel 3. В ходе предварительного обсуждения в понедельник Intel пояснила, что на данный момент сохраняет акцент на техпроцессе Intel 3. При этом завод также идеально подходит (особенно после приобретения дополнительного оборудования) для выпуска продукции по техпроцессам Intel 18A и Intel 18A-P. В будущем техпроцесс Intel 3 будет использоваться для производства микросхем ввода-вывода и базовых кристаллов, главным образом для центров обработки данных. В настоящее время Intel 3 применяется для производства вычислительных кристаллов серверных процессоров Xeon 6, также известных как Intel Granite Rapids. Вычислительные кристаллы других серверных процессоров — Intel Clearwater Forest — используют техпроцесс Intel 18A, тогда как остальные кристаллы этих чипов производятся по техпроцессу Intel 3. Сегодня Intel также подтвердила, что серверные процессоры Xeon следующего поколения тоже будут использовать техпроцесс Intel 3. Аналогичная архитектура будет применяться и в процессорах серии Intel Diamond Rapids, где для вычислительных кристаллов компания также задействует техпроцесс Intel 18A-P. По словам Intel, спрос в сегменте «базовых кристаллов» сейчас особенно высок. Основную часть этого спроса обеспечивает сама Intel, но интерес наблюдается и со стороны внешних клиентов. При этом компания не раскрывает их имён. Intel также сообщила, что в настоящее время не планирует строительство новых заводов в Европе. Компания намерена сначала набрать критическую массу внешних клиентов, а затем оценить ситуацию на мировом рынке, чтобы определить, где можно и целесообразно реализовывать дальнейшие проекты. Японская Rapidus выбрала самый простой путь для переманивания клиентов TSMC на свой 2-нм техпроцесс
11.07.2026 [00:31],
Николай Хижняк
Японский производитель микросхем Rapidus попытается переманить клиентов у тайваньской компании TSMC не только за счёт предложения услуг другого типа, но и за счёт более низких цен на свои производственные услуги, заявил на этой неделе генеральный директор Ацуёси Коике (Atsuyoshi Koike). 
Источник изображения: Rapidus Как отмечает Tom’s Hardware, план Rapidus конкурировать с TSMC по цене на первый взгляд кажется рискованным, поскольку компания стремится к освоению передовых технологических процессов. Новая стратегия может ограничить её финансовые возможности в области разработки и исследований новых технологий. Согласно текущим оценкам, Rapidus планирует брать плату в размере от 3 до 3,5 млн иен ($18 550–21 635) за пластину, обработанную по 2-нм техпроцессу. Это значительно ниже предполагаемой цены TSMC — около $30 000 за пластину, изготовленную по техпроцессу N2 (2 нм), — и сопоставимо с тем, что, по слухам, предложит Samsung для своей технологии производства SF2, — около $20 000 за пластину. Фактические цены будут зависеть от обменных курсов, однако намерение Rapidus предлагать значительно более низкие цены, чем TSMC, очевидно. Rapidus планирует начать крупномасштабное производство чипов с использованием своей 2-нм технологии во второй половине 2027 года. Запуск нового завода займёт некоторое время, поэтому выход на значительные объёмы производства ожидается только в 2028 году. К этому моменту N2 от TSMC перестанет быть самым передовым технологическим процессом тайваньской компании. К моменту начала Rapidus крупномасштабного производства на своём заводе IIM-1 в 2027 году TSMC нарастит выпуск чипов с использованием улучшенного по производительности технологического процесса N2P. Кроме того, компания успеет накопить необходимый опыт для повышения выхода годных кристаллов при использовании технологии транзисторов с круговым затвором GAA (gate-all-around), которая будет внедрена на пяти предприятиях, где сейчас применяется техпроцесс N2. Также к тому моменту, когда Rapidus достигнет значительных объёмов производства на заводе IIM-1 в 2028 году, TSMC собирается нарастить выпуск продукции с использованием своего передового техпроцесса A16 с подачей питания на обратной стороне кремниевой пластины (Super Power Rail), а также технологии N2X — третьего поколения 2-нм техпроцесса. Одним из главных преимуществ техпроцессов TSMC перед конкурентами является экосистема Open Innovation Platform (OIP). Она включает комплексные инструменты автоматизации проектирования электроники и проверенные библиотеки полупроводниковых блоков, которые могут использоваться даже для новейших техпроцессов. Кроме того, в рамках этой экосистемы компания сотрудничает со множеством контрактных разработчиков чипов и предоставляет передовые услуги по упаковке не только собственными силами, но и через своих партнёров. На данный момент ни Rapidus, ни Intel Foundry, ни Samsung Foundry не могут предложить ничего даже близкого к возможностям OIP TSMC. Учитывая преимущества, которые TSMC, вероятно, будет иметь перед конкурентами благодаря накопленному опыту производства 2-нм чипов к 2028 году, более низкие цены могут стать одним из немногих способов конкурировать с крупнейшим в мире контрактным производителем полупроводников. Однако стратегия Rapidus, предполагающая более низкие цены при наличии всего одного завода, выглядит не лучшим способом заработать деньги, а, скорее, верным способом их потерять, пишет Tom’s Hardware. У Rapidus тем не менее может быть ещё один козырь в рукаве — услуги по обработке пластин на всех этапах производственного процесса. Такой подход значительно ускорит производственный цикл, что станет неоспоримым преимуществом компании перед другими производителями микросхем, хотя и за счёт снижения эффективности использования оборудования. Помогут ли компании более низкие цены и более короткие производственные циклы переманить клиентов у TSMC, покажет время. Сообщается, что Rapidus ведёт переговоры с более чем 60 потенциальными клиентами, в основном зарубежными компаниями. Это говорит о стремлении японского производителя микросхем стать серьёзным конкурентом мировому лидеру TSMC, а также таким контрактным производителям микросхем, как Intel Foundry и Samsung Foundry. Intel больше не спотыкается о 18A — техпроцесс вышел на стабильное производство 30 000 пластин в месяц
03.07.2026 [14:38],
Николай Хижняк
По информации аналитической компании BlueFin Research Partners, Intel устранила все проблемы, связанные с выпуском годных чипов на базе своего фирменного технологического узла 18A. Компания сделала крупномасштабное производство своего новейшего узла устойчивым как с точки зрения выхода годных изделий, так и с экономической точки зрения. 
Источник изображения: Intel В конце прошлого года Intel подтвердила, что выход годных изделий при использовании техпроцесса 18A ежемесячно улучшался примерно на 7 % на протяжении нескольких месяцев. Эта тенденция сохранялась с момента запуска первого продукта на базе техпроцесса 18A. Речь идёт о процессорах Panther Lake. Как сообщается, проблемы с выходом годных изделий были решены. Для зрелого техпроцесса это обычно означает уровень дефектов D0 = 0,1 или D0 = 0,2. Вероятно, Intel теперь достигла нижней границы этого диапазона благодаря усовершенствованию техпроцесса и нескольким месяцам оптимизации крупномасштабного производства. В отчёте BlueFin Research Partners также отмечается, что Intel производит продукцию по техпроцессу 18A на двух заводах: Fab 52 в Финиксе (штат Аризона) и ещё одной фабрике в Хилсборо (штат Орегон). В настоящее время эти предприятия производят около 30 000 пластин в месяц с использованием технологии 18A. На данный момент этих мощностей достаточно для внутреннего производства Intel, например выпуска процессоров Panther Lake, однако для выпуска других внутренних продуктов потребуются дополнительные мощности. Что касается других фирменных техпроцессов, Intel начала пробное производство по технологии 18A-P на площадке D1X в Орегоне. Крупномасштабное и долгосрочное использование техпроцесса 18A-P планируется на заводе Fab 62. Первые результаты опытного производства техпроцесса 14A показывают многообещающие перспективы. Intel планирует использовать завод D1X для первоначального крупномасштабного производства, а площадки в Огайо — для второго этапа крупномасштабного производства по техпроцессу 14A. Для внешних клиентов предложения Intel будут в основном касаться техпроцессов 18A-P, 18A-PT и предстоящего техпроцесса 14A, пробное производство которого начнётся в 2028 году, а крупномасштабное — запланировано на 2029 год. IBM представила первый 0,7-нм техпроцесс и трёхмерную архитектуру наностековых транзисторов
25.06.2026 [16:14],
Геннадий Детинич
IBM представила первую в отрасли технологию производства кремниевых чипов субнанометрового класса с нормами 0,7 нм, или 7 ангстрем. Технология стала развитием идеи нанопроводных каналов, полностью окружённых затворами (GAA, Gate-All-Around). Практическая реализация техпроцесса должна состояться не позднее 2031 года, обещая принести с собой значительное сокращение энергопотребления чипов при росте производительности. 
Источник изображения: IBM В настоящий момент IBM вместе с японской компанией Rapidus находится на этапе внедрения массового производства 2-нм чипов с нанопроводными транзисторными GAA-каналами. Технология родилась около 15 лет назад в содружестве с компанией Samsung, пути с которой у IBM позже разошлись. Несмотря на переход от FinFET к GAA, массивы транзисторов на кристалле продолжают оставаться, по сути, планарными. «Настоящее 3D» всё ещё впереди, когда транзисторы будут размещаться друг над другом в два, а то и более слоёв. Работы в этом направлении ведутся со всё возрастающей интенсивностью, и компания IBM также участвует в этой игре. Как стало известно, следующим шагом IBM после «наностраничной» транзисторной архитектуры станет «наностековая» архитектура (NanoStack). Вместо дальнейшего «плоского» ужатия транзисторов на поверхности пластины IBM предлагает вертикально и со смещением укладывать транзисторы друг относительно друга наподобие технологии CFET, предложенной бельгийским исследовательским центром IMEC. За неимением иллюстрации от IBM для наглядности поместим иллюстрацию IMEC, как это может выглядеть. 
Источник изображения: IMEC По мнению IBM, у наностраничных транзисторов лучше контроль канала и меньше утечки, но для дальнейшего роста плотности масштабирование следует перенести в «третье измерение». Это обеспечит развязку с помощью сверхтонких диэлектриков, возможность раздельного проектирования верхнего и нижнего каналов и электрические характеристики, сопоставимые с характеристиками наностраничных транзисторов или превосходящие их. Тем самым на кристалле размером примерно с ноготь, как на заглавной иллюстрации, IBM обещает разместить почти 100 млрд транзисторов, что примерно вдвое плотнее её 2-нм технологии Gate-All-Around, представленной в 2021 году. 
Каналы транзисторов IBM шириной 15 атомов кремния По расчётам IBM, новый техпроцесс может дать до 50 % прироста производительности либо до 70 % повышения энергоэффективности по сравнению с 2-нм техпроцессом. Отдельно подчёркивается возможность на 40 % улучшить масштабирование SRAM, что важно для ИИ-ускорителей: чем больше быстрой памяти можно держать рядом с вычислительными блоками, тем меньше энергии тратится на перемещение данных между процессором и внешней памятью. Именно энергопотребление и охлаждение становятся главным ограничителем роста дата-центров для искусственного интеллекта, с чем компания обещает, так или иначе, справиться. Лучший китайский техпроцесс SMIC N+3 по плотности транзисторов догнал только TSMC N6 — но есть и успехи
16.06.2026 [20:00],
Андрей Созинов
Специалисты аналитической компании SemiAnalysis опубликовали результаты первого исследования, проведённого в новой лаборатории по реверс-инжинирингу микросхем. Объектом изучения стал процессор HiSilicon Kirin 9030, используемый в смартфонах серии Huawei Mate 80 и выпускаемый китайским контрактным производителем SMIC по техпроцессу N+3, который считается третьим поколением 7-нм технологии компании. 
Huawei Mate 80 Pro построен на Kirin 9030 Наиболее примечательным результатом анализа стало измерение минимального шага металлических соединений (metal pitch) в нижних слоях разводки. По данным SemiAnalysis, у SMIC N+3 этот показатель составляет 32,5 нм. Для сравнения, в серийных процессорах Intel Panther Lake, выпускаемых по техпроцессу Intel 18A, используется шаг 36 нм. 
Источник изображений: SemiAnalysis На первый взгляд может показаться, что китайская технология даже превосходит решение Intel. Однако авторы исследования подчёркивают, что подобное сравнение отражает лишь один из множества параметров современного техпроцесса. Более того, Intel 18A изначально поддерживает минимальный шаг металлизации 32 нм, но в Panther Lake компания Intel сознательно использовала более крупный шаг из-за применения технологии подачи питания с обратной стороны пластины PowerVia. Перенос силовых линий на тыльную сторону кристалла освобождает место в верхних слоях металлизации для сигнальных соединений и позволяет сохранять высокую плотность компоновки даже при менее агрессивных нормах разводки. 
Снимки кристаллов Kirin 9020 (слева) и Kirin 9030 (справа) Другим важным наблюдением SemiAnalysis является то, что техпроцесс SMIC N+3 уступает Intel 18A по плотности размещения транзисторов примерно на 38 %. При этом китайской компании удалось добиться плотности размещения транзисторов на уровне 113,4 млн на квадратный миллиметр, что немного выше показателя зрелого техпроцесса TSMC N6 с его 107,7 млн транзисторов на квадратный миллиметр. Добиться этого удалось без применения литографии в экстремальном ультрафиолете (EUV): SMIC продолжает использовать оборудование для глубокой ультрафиолетовой литографии (DUV) и сложные схемы многократного экспонирования, требующие дополнительных циклов формирования рисунка на пластине.  Для достижения такой плотности инженерам SMIC пришлось использовать практически все доступные методы оптимизации. В частности, применяются транзисторы с двойными плавниками (Fin), контакты размещаются непосредственно над затвором, а между стандартными ячейками используются минимальные разделительные области. Подобные решения позволяют экономить площадь, но одновременно повышают сложность и стоимость производства. Впрочем, высокая плотность размещения транзисторов не означает сопоставимой производительности. Согласно данным SemiAnalysis, старшее вычислительное ядро Kirin 9030 Pro работает на частоте 2,75 ГГц и по производительности на такт находится примерно на уровне Arm Cortex-X2 образца 2021 года. В результате новый процессор Huawei сопоставим с флагманскими Android-смартфонами трёхлетней давности и уступает современным решениям Apple, Qualcomm, MediaTek и Samsung. При этом анализ показал, что новый чип заметно эффективнее использует доступную площадь кристалла по сравнению с предшественником Kirin 9020. Благодаря переходу на техпроцесс N+3 Huawei смогла разместить дополнительное производительное ядро, увеличить объём кеш-памяти, а также расширить графический и нейронный блоки, сохранив практически неизменные размеры самого кристалла. 
Kirin 9030 выпускается в разных упаковках для разных смартфонов Авторы исследования отмечают, что экспортные ограничения США не остановили развитие китайской полупроводниковой отрасли, а лишь изменили подход к дальнейшему масштабированию технологий. Вместо использования EUV-литографии китайским компаниям приходится компенсировать её отсутствие более сложными производственными процессами, архитектурными оптимизациями и передовыми методами компоновки микросхем, включая 3D-штабелирование. При этом, как подчёркивают аналитики, Китай пока не сокращает отставание от Intel, TSMC и Samsung на переднем крае полупроводниковой отрасли, однако продолжает последовательно двигаться вперёд, несмотря на санкционные ограничения. Дополнительно исследование показало, что процессоры Kirin 9030 Pro комплектуются памятью LPDDR5X производства Samsung. В отдельных версиях смартфонов с 16 Гбайт оперативной памяти также были обнаружены микросхемы китайского производителя CXMT. TSMC получила от IMEC техпроцесс для массового выпуска 2D-транзисторов на 300-мм пластинах
16.06.2026 [12:09],
Геннадий Детинич
На конференции VLSI Technology and Circuits компании ASML и TSMC, а также бельгийский исследовательский центр IMEC совместно представили техпроцесс массового производства 2D-транзисторов на 300-мм кремниевых пластинах. Его внедрение произойдёт не завтра и не послезавтра, но точно будет востребовано после исчерпания ресурсов обычных кремниевых транзисторов нанометрового масштаба. По крайней мере, TSMC уже знает, куда ей двигаться дальше. 
Источник изображения: IMEC Транзисторы масштаба 2D с атомарно тонкими проводящими каналами — это очевидное будущее электроники. Снижение масштабов технологических процессов делает транзисторные каналы всё короче и короче, что начинает мешать управляемости этими электронными приборами. Атомарно тонкие каналы можно надёжно перекрывать или открывать ничтожными токами на уровне статики, что также сделает такие полупроводники менее прожорливыми и более холодными. Проблемой оставалось производство 2D-транзисторов обоих типов (полярностей) в рамках экосистемы 300-мм пластин, с чем успешно справились IMEC, ASML и TSMC. По крайней мере, они заявили об этом в совместном пресс-релизе. Как сообщается в документе, на 300-мм кремниевой пластине партнёры продемонстрировали «масштабируемую интеграцию» nFET- и pFET-транзисторов с каналами из TMD-материалов — дихалькогенидов переходных металлов. Для nFET использовался MoS2 (дисульфид молибдена), а для pFET — WS2 (дисульфид вольфрама) или WSe2 (диселенид вольфрама). Все представленные транзисторные структуры изготовлены с шагом CPP (contacted poly pitch) 50 нм, что примерно соответствует 3-нм технологическому процессу. По данным IMEC, новые транзисторы показали хорошие вольт-амперные характеристики, низкий ток утечки в выключенном состоянии и работоспособность обоих типов проводимости — n- и p-типа — на одной 300-мм пластине. Более того, инновационные 2D-транзисторы можно производить на обратной стороне пластины, куда стало модно переносить питание и часть интерфейса, разгружая лицевую сторону для чего-то полезного. Для этого предложено решение в виде канавок с вольфрамовой металлизацией на обратной стороне пластины, на которые впоследствии осаждаются 2D-материалы. Такой подход позволяет уменьшить контактную область транзисторов, не ухудшая их характеристик. Изготовление 2D-транзисторов, что также важно для экономии средств, происходит с использованием только одной маски на слой (при однократном экспонировании). Впрочем, нужно ещё раз уточнить, что пока это не готовый коммерческий техпроцесс TSMC, а демонстрация возможности его переноса «из лаборатории на фабрику». Потенциально такие 2D-транзисторы могут использоваться в сверхмасштабируемой логике и для заполнения обратных сторон пластин, включая интерфейсы для стековой компоновки или подвода питания с тыла. «Начало мечты»: Huawei показала чип с 2D-транзисторами — это шанс догнать TSMC без EUV-литографии
28.05.2026 [22:48],
Геннадий Детинич
На днях исследователи из Huawei совместно с командой Нанкинского университета в журнале Nature Electronics опубликовали работу, в которой сообщили о создании RISC-процессора с использованием 2D-материалов. В перспективе это поможет добиться рекордной плотности размещения транзисторов без использования передовых подсанкционных литографов ASML. Используя только местное оборудование, Китай сможет выпускать чипы не хуже решений TSMC, Intel и других лидеров отрасли. 
Источник изображения: Nanjing University В статье речь идёт о первом параллельном микропроцессоре на таком двумерном полупроводнике, как дисульфид молибдена — MoS2. За счёт гексагональной молекулярной структуры слой MoS2 имеет толщину менее 1 нм, что можно сравнить с размером одного атома. Это позволяет сделать транзисторы на основе MoS2 намного меньше классических кремниевых и плотнее упаковать их на подложке, добившись прорыва в продлении действия закона Мура иными средствами — без повышения разрешающей способности литографов, которые почти упёрлись в физические пределы технологии. Свой чип команда исследователей назвала «Мэнци-1000» (Mengqi-1000, в английском варианте — Magic-1000). При этом в китайском языке понятие «Мэнци» имеет несколько иной смысл и означает «начало мечты» или «открытие мечты». Это микропроцессор с 1433 транзисторами на подложке с четырьмя металлическими слоями. Заявленная плотность интеграции — около 9336 транзисторов на 1 мм2. Он может хранить данные во встроенном регистровом файле и выполнять арифметические операции с многобитными данными параллельно, но пока на очень скромной частоте — 1 кГц. Отметим, около года назад учёные из Национальной лаборатории интегральных схем и систем Университета Фудань также сообщали в Nature о создании 32-битного RISC-V-процессора на элементах из дисульфида молибдена. Новая разработка более зрелая и функциональная, что демонстрирует прогресс китайских исследователей в развитии нестандартных технологий производства чипов. Безусловно, они пока не конкуренты новейшим техпроцессам TSMC и других лидеров, но в пересчёте на одинаковые нормы техпроцесса плотность транзисторов на MoS2 примерно соответствует 2–3-нм техпроцессам TSMC или даже превосходит их. По факту опытный чип Huawei «Мэнци-1000» произведён по нормам 0,5 мкм. Это означает, что в случае перевода производства чипов на 2D-материалах на субмикронные техпроцессы Китай может получить более мощные процессоры, не прибегая к новейшей литографии. Добавим, Huawei уже сообщила о готовности подхватить знамя закона Мура, выпадающее из рук лидеров западного лагеря производителей, и продолжить его работу за счёт оптимизации сигнальной структуры чипов. Материалы типа дисульфида молибдена также рассматриваются в рамках этой цели. Если нельзя иди напрямую, нормальные герои всегда идут в обход. Будущие смартфоны Huawei Mate 90 получат процессор Kirin на аналоге 3-нм техпроцесса
27.05.2026 [21:21],
Николай Хижняк
На днях Huawei представила свой закон масштабирования полупроводников, названный «законом масштабирования тау», и архитектуру LogicFolding. Вскоре после этого компания выступила с докладом на Финансовом форуме и саммите в Шэньчжэне, пообещав выпустить гораздо более мощный процессор Kirin следующего поколения, который будет использоваться в будущих смартфонах линейки Mate 90. 
Источник изображения: GSMArena Утверждается, что этот чип станет первым мобильным процессором компании, построенным на архитектуре LogicFolding, и сможет конкурировать с чипами, производящимися по 3-нм техпроцессу. Представитель компании в рамках доклада не уточнил, будет ли следующий чип Kirin использовать 3-нм техпроцесс, а лишь заявил, что он окажется на одном уровне с современными 3-нм чипами. Инновационная архитектура LogicFolding позволила компании увеличить плотность транзисторов на 53,5 %, что повышает производительность на 41 % и увеличивает пиковую частоту на 12,7 %. Новая архитектура также обещает повышенную энергоэффективность. Название чипа Kirin следующего поколения пока не разглашается. Вероятно, подробности о нём можно будет узнать ближе к запуску серии смартфонов Huawei Mate 90, который запланирован на эту осень. |
© 1997—2026 3DNews
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
