Теги → чип памяти
Быстрый переход

Micron готова к производству GDDR6 в первом квартале 2018 года

Слухи относительно использования памяти GDDR6 уже в следующем поколении видеокарт обоих ключевых производителей становятся всё более упорными, и, вполне естественно, интерес к статусу разработки и выпуска этого нового типа видеопамяти также растёт. Известно, что поставки GDDR6 не начнутся до 2018 года, но теперь 2017 год подходит к концу и поставщики рассказывают всё больше подробностей о своих планах по выпуску GDDR6.

Micron не стала исключением и опубликовала в своём блоге заметку, напоминая об усилиях в области видеопамяти в 2017 году и поделившись производственными инициативами на 2018 год. Компания уже открыла двери в мир следующего поколения памяти благодаря выпуску GDDR5X, а теперь на основании этого производственного опыта собирается там обосноваться с помощью выпуска GDDR6.

По словам Micron, компания уже закончила проектирование и внутренние тесты своих чипов GDDR6 с пропускной способностью 12 Гбит/с и 14 Гбит/с. Это означает, что компания завершила, пожалуй, самую сложную часть разработки GDDR6 и теперь может сосредоточиться на массовом производстве и разработке ещё более высокоскоростных чипов. Интересно, что компании удалось даже немного опередить график.

Следующий важный этап для Micron — массовое производство. Ранее компания собиралась начать его в первой половине 2018 года, и, судя по последней заметке, эти планы не изменились. Производитель уже отбирает чипы и пишет, что приложит все силы, чтобы успеть развернуть массовое производство до второй половины 2018 года. С опережением графика в деле тестов GDDR6 цель становится вполне достижимой.

Между тем инженеры Micron уже трудятся над более скоростными чипами GDDR6. Компания отмечает, что новый стандарт позволяет добиться ещё более высоких скоростных показателей, но не называет верхних пределов. В этой области она собирается использовать свой опыт разработки GDDR5X, поскольку самой большой проблемой на данный момент является передача сигналов, а не сами ячейки памяти. Следующие друг за другом стандарты GDDR обычно вносят лишь незначительные изменения во внутреннюю синхронизацию ячеек памяти, а скорости продолжают наращиваться. И хотя между GDDR5X и GDDR6 есть заметные различия, опыт Micron с чипами GDDR5X 12 Гбит/с, как правило, применим и к GDDR6. Но пока Micron не говорит о том, когда работа над чипами GDDR6 16 Гбит/с будет завершена.

Стоит добавить, что, хотя GDDR6 появится во флагманских ускорителях 2018 года, GDDR5 ещё долго останется с нами и не собирается пока уходить на покой. Micron будет продолжать инвестировать и в этот стандарт. Компания, например, начала производство и поставку 8-Гбит чипов GDDR5, построенных на новом 1X-нм техпроцессе DRAM.

Toshiba вернула часть активов по выпуску чипов, чтобы снять претензии Western Digital

Toshiba Corp перевела некоторые активы подразделения по выпуску чипов памяти назад в родительскую компанию в ответ на заявление Western Digital Corp о том, что японский конгломерат не имеет права продавать полупроводниковый бизнес без согласия американского партнёра.

REUTERS/Issei Kato

REUTERS/Issei Kato

Western Digital обвинила Toshiba в нарушении соглашения о совместном предприятии в связи с выделением производства чипов памяти в отдельное предприятие Toshiba Memory без согласия SanDisk и объявила в середине мая об инициировании арбитражных процедур в Международной торговой палате. Возврат активов должен снять претензии Western Digital из-за перевода активов совместного предприятия в компанию Toshiba Memory, созданную в рамках подготовки к продаже.

Toshiba является вторым по величине в мире производителем чипов памяти NAND, и рассчитывает закрыть с помощью продажи части полупроводникового бизнеса финансовую брешь, образовавшуюся из-за значительных убытков ядерного бизнеса дочернего предприятия Westinghouse Electric в США.

Western Digital, владеющая совместно с Toshiba заводом по выпуску чипов в Японии, надеется с помощью международного арбитража остановить продажу её полупроводникового бизнеса.

В письме, датированном 31 мая, адвокаты Toshiba сообщили Western Digital, что передача назад совместных активов материнской компании снимает все разногласия. Этот шаг, как ожидается, позволит Toshiba продолжить процесс продажи.

В этом письме, с которым ознакомилось агентство Reuters, также отмечается, что активы совместного предприятия связаны только с механизмами финансирования производственных процессов (оборудования), что непосредственно касалось каждого из участников СП. Их стоимость составляет менее 5 % общей стоимости полупроводникового бизнеса Toshiba, который оценивается как минимум в 2 трлн иен ($18 млрд).

SK Hynix получила рекордную прибыль благодаря росту цен на память

Компания SK Hynix получила рекордную прибыль благодаря росту цен на чипы памяти. Квартальный финансовый отчёт обнародован во вторник, 25 апреля.

В январе–марте 2017 года операционная прибыль SK Hynix составила 2,47 трлн вон ($2,2 млрд), что на 339 % больше относительно аналогичного периода прошлого года и стало максимальным значением в истории южнокорейской компании. Опрошенные Bloomberg аналитики ожидали доход на уровне 2,25 трлн вон.

reuters.com

reuters.com

Чистая прибыль SK Hynix подскочила более чем вчетверо, достигнув 1,89 трлн вон ($1,66 млрд). Продажи прибавили 72 % и составили 6,28 трлн вон ($5,5 млрд).

Согласно заявлению SK Hynix, компания сократила поставки DRAM-памяти в первой четверти 2017 года, однако средняя стоимость проданных микросхем повысилась на 24 % благодаря рынкам компьютеров и серверов.

Похожая тенденция наблюдалась в случае с памятью NAND flash: её отгрузки у SK Hynix снизились на 3 %, но средняя цена возросла на 15 %.

reuters.com

reuters.com

По оценкам аналитиков InSpectrum Tech, к концу марта 2017 года стоимость 4-гигабитного чипа DDR3 поднялась до $2,98 с $2,79 в конце декабря 2016 года, а в годовом исчислении прирост измерялся 77 %.

В SK Hynix ожидают, что в 2017 году мировые продажи памяти DRAM и NAND flash увеличатся на 20 % и 30 % соответственно. 

Western Digital собралась купить полупроводниковые активы Toshiba при поддержке инвесторов

Производитель жёстких дисков Western Digital (WD) намерен привлечь японских инвесторов для покупки полупроводникового бизнеса Toshiba. Об этом сообщает агентство Bloomberg со ссылкой на финансового директора американской компании Марка Лонга (Mark Long).

По его словам, WD ведёт переговоры с государственным инвестиционным фондом Innovation Network Corp of Japan (INCJ) и Банком развития Японии (Development Bank of Japan).

reuters.com

reuters.com

Сколько WD собирается предложить Toshiba за подразделение по выпуску чипов памяти, Лонг не уточнил. Ранее в СМИ проходила информация о том, что претенденты готовы заплатить за активы 2–3 трлн иен ($18,3–27,5 млрд). Toshiba планирует закрыть сделку к марту 2018 года.

WD стала производственным партнёром Toshiba после покупки за $15,8 млрд компании SanDisk, у которой с японской корпорацией был совместный бизнес по производству флеш-памяти. Марк Лонг заявил, что для заключения сделки Toshiba сначала должна договориться с WD.

«Мы думаем совсем по-другому. Наши приоритеты, в первую очередь, нацелены на сохранение конкурентоспособности совместного предприятия», — сообщил финансовый директор WD.

reuters.com

reuters.com

Он добавил, что WD «вела переговоры почти со всеми», кто претендует на полупроводниковый бизнес Toshiba. Среди них — Apple.

«Пока другие находятся в процессе разработки предложения, у нас уже есть чёткое представление о стоимости бизнеса и других вещах, влияющих на цену. У нас больше разных способов повлиять на решение, чем у других игроков», — сказал Марк Лонг.

Rambus спустя почти 20 лет вновь присоединилась к JEDEC

Компания Rambus сообщила о том, что она снова становится членом организации JEDEC — комитета инженерной стандартизации полупроводниковой продукции.

Rambus была основана в 1990 году и ранее уже входила в состав JEDEC. Однако в 1996-м компания вышла из состава этого комитета, преследуя собственные коммерческие интересы.

В начале 2000-х у Rambus возник громкий конфликт с другими участниками организации. Дело в том, что, участвуя в разработке стандартов JEDEC, Rambus запатентовала ряд технологий самостоятельно и получила на них исключительные права. В итоге другие участники JEDEC оказались в положении нарушителей патентов. Этим и воспользовалась Rambus, в судебном порядке потребовав выплаты лицензионных отчислений от других компаний. На пике разбирательств Rambus противостояла полутора десяткам оппонентов, некоторые из которых потерпели поражение.

Так или иначе, но теперь Rambus снова присоединилась к JEDEC. Она вошла в состав группы Committee 40 (JC-40), которая специализируется на стандартах памяти для серверных окружений и облачных платформ. В официальном сообщении говорится, что «Rambus будет работать с другими лидерами отрасли с целью определения новых архитектурных направлений в серверной памяти, которые помогут улучшить показатели энергоэффективности, производительности и стоимости, а также будут способствовать развитию индустрии». 

Hynix утверждает, что создала первые чипы памяти с технологией межслойных соединений

Южнокорейская компания SK hynix создала, как она утверждает, первый в мире чип памяти с применением технологии межслойных соединений (Through Silicon Via, TSV). Эти микросхемы превосходят доступные на рынке образцы памяти по скорости и эффективности потребления энергии.

Созданная совместно с корпорацией AMD новая память состоит из четырех чипов DRAM, изготовленных по 40-нм техпроцессу и объединенных в один модуль посредством «связи сквозь кремний». За счет размещения компонентов ближе друг к другу, чем раньше, повышается быстродействие, уменьшаются габариты и энергопотребление полупроводниковых микросхем. В случае с разработкой Hynix и AMD энергоэффективность повышена на 40%, а напряжение питания составляет 1,2 В.

eteknix.com

eteknix.com

Пропускная способность TSV-памяти составляет 128 Гбит/с, что в четыре раза больше по сравнению с чипами GDDR5, пишет The Korea Herald.

Такая производительность найдет применение в суперкомпьютерах, серверах и вычислительных устройствах, от которых требуется высокая графическая мощь.

gadgets.ndtv.com

gadgets.ndtv.com

В SK hynix обещают начать серийное производство памяти с использованием технологии межслойных соединений во второй половине будущего года.

TSMC рассказала о SRAM-памяти с самыми маленькими в отрасли ячейками

Компания TSMC предоставила некоторые подробности о своей новой микросхеме SRAM ёмкостью 112 Мбит. Чип выпущен с использованием 20-нм техпроцесса и технологии металлических затворов и High-K диэлектриков (HKMG).

Площадь одной ячейки памяти составляет 0,081 мкм2. Это самое маленькое значение в отрасли, утверждают разработчики. Для сравнения, в прошлом году компания Intel представила 22-нм чип SRAM с площадью ячейки 0,092 мкм2. Площадь всей микросхемы TSMC составляет 40,3 мм2.

Габариты ячейки удалось уменьшить на 40% (по сравнению с чипами TSMC предыдущего поколения) благодаря переходу с 28- на 20-нм техпроцесс. Кроме того, использование передовых схемных решений, которые играют вспомогательную роль в операциях чтения/записи (RWA, read-write-assist), позволило уменьшить напряжение питания ядра с 1 до 0,95 В.

Материалы по теме:

Источник:

IHS iSuppli: отрасль NOR-памяти будет стагнировать до 2015 года

В 2012 году отрасль флеш-памяти типа NOR показала спад. И, по мнению аналитического агентства IHS iSuppli, ситуация вряд ли изменится в лучшую сторону в 2013 и 2014 годах. Эксперты объясняют это тем, что многие производители мобильных телефонов (именно эти устройства являются главными потребителями NOR) постепенно отдают предпочтение NAND-микросхемам.

Если в 2011 году обороты отрасли NOR составили $4,34 млрд, то в прошлом году она сократились до $3,47 млрд, а в текущем году выручка производителей упадёт до $3,4 млрд. В 2014 году ожидается пятипроцентный спад. Тем не менее, аналитики предрекают появление новых приложений, которые положат конец затуханию отрасли. Уже в 2015 году спрос на NOR-память опять начнет расти.

NOR-память с параллельным интерфейсом отличается более высокой стоимостью и стремительно теряет популярность. Ей на смену приходит SPI NOR с последовательным интерфейсом, которая дешевле и при этом экономичнее в терминах энергопотребления.

Материалы по теме:

Источник:

SanDisk и Toshiba представили 32-Гбит ReRAM-чип

Ещё в начале января в предварительной программе конференции ISSCC 2013 появился анонс интересного совместного доклада компаний SanDisk и Toshiba о разработке первой в отрасли микросхемы ReRAM (резистивная память) ёмкостью 32 Гбит. И вот стали доступны некоторые подробные сведения о новинке.

Чип выпущен с использованием 24-нм техпроцесса. Площадь одной ячейки составляет 24 х 24 нм, а площадь всего кристалла — 130,7 мм2. Размер страницы памяти составляет 2 килобайта. Значения задержек для чтения и записи составляют 40 и 230 мкс соответственно.

В традиционной архитектуре ReRAM с перекрёстной точкой используются проводящие оксиды металлов. Селективные устройства располагаются в местах пересечения горизонтальных строк и вертикальных битовых линий, а ячейки формируются в одной плоскости с другими схемами. В новом чипе формируется двухслойный массив ячеек памяти на совместно разделяемых регистрах страниц и усилителях считывания. Это позволило повысить плотность размещения компонентов. Как отмечает источник, такой подход похож на технологию компании Matrix Semiconductor, которую купила SanDisk.

Новый чип пока находится на ранней стадии разработки и для коммерциализации потребуется ещё потратить много времени, отметили многие инженеры, слушавшие доклад.

Материалы по теме:

Источник:

Micron выпустила односторонний DDR3-модуль для ультрабуков

Компания Micron Technology, неплохо себя чувствующая на рынке флеш-микросхем, постепенно набирает обороты и в сегменте модулей оперативной памяти. С прицелом на перспективный рынок ультрабуков и других сверхтонких мобильных устройств Micron разработала свой новый низкопрофильный модуль DDR3 SO-DIMM.

Новинка выполнена в низкопрофильном форм-факторе, что позволяет экономить место в корпусе. Кроме того, чипы и остальные элементы ОЗУ размещаются только с одной стороны платы. Это позволило уменьшить толщину модуля до 3 мм. Отметим, стандартные решения имеют толщину 4,6 мм. В эпоху, когда важен каждый выигранный миллиметр, продукт Micron кажется весьма актуальным.

Также новые модули используют 30-нм чипы DDR3L-RS, которые отличаются малой потребляемой мощностью. При этом ёмкость одного модуля достигает 4 Гбайт, чего достаточно в большинстве стандартных пользовательских приложений.

Односторонние модули уже доступны в виде ознакомительных образцов, а их массовое производство стартует этой весной.

Материалы по теме:

Источник:

DRAM-память вскоре подорожает ещё на 10%

Согласно данным отраслевых источников, 4-Гбайт модули DDR3-памяти вновь подорожают ещё на 10% после Китайского Нового года. Напомним, цены на оперативную память в начале января поднялись на 10%. В настоящее время 4-Гбайт модули на контрактном рынке стоят около $18.

Спрос в отрасли подстегнул быстро растущий сектор смартфонов. В сегменте DRAM-чипов для ПК вскоре спрос может превысить предложение, так как ключевые поставщики переключили большую часть своих производственных мощностей на мобильную память. Поэтому производители удерживают цены и не спешат со сбытом, ожидая новую волну роста цен.

На днях 2-Гбит DDR3-микросхемы подорожали до $1,4. После китайских праздников, которые начнутся уже через дней, их цена может вырасти до $1,5.

Материалы оп теме:

Источник:

G.Skill выпустила самый быстрый в мире 32-Гбайт комплект DDR3-памяти

Известный производитель модулей оперативной памяти и флеш-накопителей, компания G.Skill анонсировала выпуск нового продукта — Trident X 2800MHz 32GB kit (номер изделия F3-2800C11Q-32GTXD). Новинка, по утверждению разработчиков, является самым быстрым в мире комплектом DDR3-памяти общей ёмкостью 32 Гбайт.

Trident X 32GB kit включает 4 модуля ОЗУ каждый ёмкостью 8 Гбайт. Новый продукт нацелен на использование в системах на базе чипсета Intel Z77 и процессора Ivy Bridge. 32-Гбайт набор ОЗУ работает с эффективной частотой 2800 МГц при задержке CL11, чего ранее не мог предложить ни один производитель.

32-Гбайт комплект нацелен на энтузиастов и оверклокеров, которым требуется большой объём памяти в сочетании с высокой скоростью работы. Цену своей новинки G.Skill не уточнила.

Материалы по теме:

Источник:

DRAMeXchange: чипы памяти выросли в цене на 10%

Согласно данным аналитического агентства DRAMeXchange, в первой половине января контрактные цены на микросхемы оперативной памяти выросли на 10%. При этом 4-Гбайт модули ОЗУ подорожали до $17,5 на спот-рынке.

В начале января средние контрактные цены DDR3-модулей ёмкостью 2 и 4 Гбайт составили соответственно $9,75 и $17,25, что на 8,3% и 9,5% больше по сравнению с предыдущим месяцем. Средние цены 2-Гбит чипов за тот же период повысились на 10,8% — до $0,92.

Как отмечают отраслевые источники, японские и тайваньские производители продолжают сокращать объёмы выпуска DRAM-памяти для настольных ПК. В это же время корейские компании стали переключать больше внимания на чипы ОЗУ для других устройств, включая мобильные компьютеры и серверные системы. В такой ситуации перепроизводство в отрасли существенно сократилось, что и оказало позитивное влияние на цены.

Согласно прогнозам, в начале февраля тенденция к повышению цен сохранится.

Материалы по теме:

Источник:

Samsung выпустила первый в отрасли 128-Гбайт eMMC-чип

Южнокорейская компания Samsung Electronics, являющаяся одним из ключевых игроков отрасли оперативной флеш-памяти, заявила о запуске массового производства встраиваемых микросхем NAND ёмкостью 128 Гбайт. Это самая большая ёмкость для приборов такого класса.

Новинка дополнила модельный ряд eMMC Pro Class 1500, который включает чипы ёмкостью 16, 32 и 64 Гбайт. Габаритные размеры новой микросхемы составляют 12 х 16 мм (корпус FBGA), что позволяет использовать её в компактных карманных устройствах. Скорость чтения составляет до 140 Мбайт/с, скорость записи – до 50 Мбайт/с. Также отмечается поддержка спецификации JEDEC eMMC v4.5.

128-Гбайт eMMC-чип нацелен на использование в смартфонах, планшетных компьютерах следующего поколения и других мобильных устройствах.

Материалы по теме:

Источник:

Nanya представила 8-Гбит DDR3-чипы на основе технологии TSV 3D

Компания Nanya Technology показала прототип 8-Гбит DDR3-чипа в упаковке QDP (quad-die package), который включает четыре кристалла в одном корпусе. Новинка использует собственную технологию TSV (through silicon via) 3D, которая предусматривает многослойную структуру микросхемы.

В корпусе QDP есть четыре слоя, каждый из которых включает один кристалл DDR3-памяти ёмкостью 2 Гбит. Как отмечает производитель, массовый выпуск ёмких и компактных QDP DDR3-чипов, которые нацелены на мобильные устройства, запланирован на 2013-2014 гг.

В сотрудничестве с компанией Micron Technology Nanya также анонсировала разработку 30-нм 4-Гбит DDR4-чипов. Образцы маломощной памяти DDR4 RDIMM и LRDIMM будут проходить сертификацию в третьем квартале текущего года. Эти продукты нацелены на серверные системы High-End-класса, а их массовое производство намечено на 2013 год.

Во втором квартале Nanya зафиксировала доход на уровне $344 млн. При этом её чистые убытки составили $233 млн.

Материалы по теме:

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥