Компания Samsung анонсировала видеопамять нового типа — GDDR6W. Она разработана с использованием новой технологии упаковки FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging), которая позволила удвоить объём и пропускную способность микросхем.

Источник изображений: Samsung

В июле Samsung начала поставки чипов памяти GDDR6 со скоростью 24 Гбит/с на контакт. Производитель отмечает, что новая GDDR6W обеспечивает вдвое большую пропускную способность по сравнению с GDDR6 и вдвое больший объём при сохранении тех же размеров упаковки — всё благодаря тому, что в одном чипе удалось разместить вдвое больше кристаллов памяти, как видно на изображении ниже. Благодаря этому ёмкость одного чипа памяти увеличивается с 16 до 32 Гбит (с 2 до 4 Гбайт), а количество вводов-выводов с 32 до 64.

Технология FOWLP предусматривает установку кристалла памяти непосредственно на кремниевой пластине, а не на печатной плате. А использование технологии редистрибутивного слоя (redistributive layer, RDL) позволяет обеспечить гораздо более тонкие схемы разводки. Отсутствие печатной платы в конструкции чипа памяти GDDR6W уменьшает толщину упаковки микросхемы и повышает эффективность рассеивания тепла, указывают в Samsung. Высота корпуса GDDR6W составляет 0,7 мм. Это на 36 % меньше, чем у GDDR6 (1,1 мм). То есть, фактически, Samsung смогла разместить больше памяти даже в меньшем объёме, чем раньше.

Представленная память GDDR6W способна обеспечить пропускную способность уровня памяти HBM. Например, память HBM2E обеспечивает скорость передачи данных в 3,2 Гбит/с на контакт и ускоритель с ней способен обеспечить пропускную способность в 1,6 Тбайт/с. В свою очередь GDDR6W может обеспечить пропускную способность на уровне 1,4 Тбайт/с на основе 512 контактов ввода-вывода при скорости передачи 22 Гбит/с на контакт.

Samsung сообщила, что завершила процедуру стандартизации JEDEC для продуктов GDDR6W во втором квартале этого года. Компания также отметила, что расширит применение GDDR6W на устройства малого форм-фактора, такие как ноутбуки, а также на новые высокопроизводительные ускорители для ИИ и HPC.

Вместо покупки готовых чипов памяти NAND у американских и японских брендов, индийская Sahasra Semiconductors решила организовать процесс сборки, тестирования и упаковки (ATMP) полупроводников своими силами — собственные готовые продукты компания намерена начать продавать к декабрю. Это будет первый в Индии завод, способный с нуля выполнять ATMP-операции.

Источник изображения: Sahasra Semiconductors

Как сообщает DigiTimes, председатель и управляющий директор Sahasra Semiconductors Амрит Манвани (Amrit Manwani) пообещал потратить на строительство завода порядка $94 млн — его построят в индийском штате Раджастхан. Половина средств будет инвестирована в 2023 фискальном году, начавшемся в апреле 2022 и заканчивающемся в марте 2023, ещё половина — в 2024 году. По мере роста доходов ожидаются новые инвестиции в предприятие. К 2026 фискальному году компания намерена занять 5-7 % местного рынка полупроводников.

По словам Манвани, первая партия оборудования для новой фабрики покинет Сингапур в ближайшие дни и поступит на завод к середине августа, следующие партии будут поступать в августе и сентябре. Тестовое производство начнётся в ноябре, а выпуск в коммерческих масштабах — к декабрю.

Изначально Sahasra Semiconductor выступала в Индии в роли агента, продававшего модули памяти для западных компаний, а теперь продаёт аналогичные продукты, включая USB-накопители, SD-карты и SSD под собственными торговыми марками. Sahasra Semiconductors была основана в 2020 году и занимается выпуском электронных компонентов различного назначения, участвуя в многочисленных государственных программах производства электроники. Компания связана с Sahasra Electronics и Infopower Technologies.

Ранее сообщалось, что помимо Sahasra Semiconductors рассматривали возможность производства модулей памяти в индийских штатах и в Micron, но компания не подтвердила слухи.

Китайский производитель микросхем Innosilicon сообщил, что смог заставить чипы памяти LPDDR5X работать на впечатляющей скорости — 10 000 Мбит/с. Это на 17 % выше 8533 Мбит/с, которые являются максимальной частотой в утверждённой комитетом JEDEC спецификации для LPDDR5X. Кроме того, китайский производитель смог снизить задержки чипов памяти LPDDR5X.

Источник изображений: Innosilicon

Чипы памяти LPDDR5X в перспективе будут использоваться в составе мобильных устройств нового поколения. Различные производители в настоящий момент проводят их проверку. Не так давно, например, компания Qualcomm сообщила, что провела валидацию LPDDR5X DRAM производства компании Samsung для работы с будущими смартфонами на базе процессоров Snapdragon. Samsung анонсировала первые в отрасли 14-нанометровых 16-гигабитных чипов памяти стандарта LPDDR5X в ноябре прошлого года. На тот момент компания сообщила, что её чипы памяти смогут работать со скоростью до 8500 Мбит/с. Валидацию к настоящему моменту прошли микросхемы со скоростью до 7500 Мбит/с.

Похоже, что Innosilicon собирается выпустить на рынок ещё более скоростные микросхемы LPDDR5X-10000. Согласно спецификациям JEDEC, память стандарта LPDDR5X-8533 способна обеспечить пропускную способность до 68,2 Гбайт/с. А LPDDR5-6400 способна передавать до 51,2 Гбайт/с. В случае с чипами памяти LPDDR5X-10000 речь идёт о пропускной способности на уровне 80 Гбайт/с, что на 17 % выше максимального показателя, заявленного JEDEC для этого вида памяти, и на 56,2 % выше, чем у LPDDR5-6400.

Innosilicon также отмечает, что её удалось на 15 % снизить задержки в работе чипов LPDDR5X-10000. В сочетании с высокой скоростью передачи данных эти микросхемы предложат значительную прибавку в производительности для самых разных устройств — от 5G-смартфонов и гарнитур виртуальной реальности, до автомобильных систем автономного вождения.

Японская компания Century Micro, занимающаяся выпуском модулей оперативной памяти, показала необычное устройство, которое используется для проверки работоспособности чипов памяти DRAM без их припайки непосредственно на сам модуль. По словам источника, подобные приспособления находятся в свободной продаже.

Источник изображений: Century Micro

Само устройство представляет собой конструкцию из некоего сплава, похожую на радиатор модуля оперативной памяти, только крупнее. С помощью специальных механизмов это устройство прижимает чипы памяти к контактным площадкам на плате модуля ОЗУ, обеспечивая качественную передачу сигнала на уровне стандартного припоя.

Подобное устройство, как отмечается, может использоваться не только при ремонте вышедших из строя модулей памяти DIMM, например, для выявления бракованного чипа DRAM, но также и в процессе ручной выборки наиболее удачных чипов памяти DRAM. Из них впоследствии можно собирать очень качественный модуль ОЗУ. В теории такие планки памяти могут обладать наиболее высоким потенциалом разгона.

К слову, когда производители высокопроизводительных модулей оперативной памяти, разработанной для энтузиастов разгона заявляют, что вручную отбирают лучшие чипы DRAM для их создания, то они немного лукавят. Да, они действительно отбирают наиболее удачные чипы, прошедшие предварительную проверку. Однако отбор осуществляется с помощью специального электронного оборудования, которое может проверять микросхемы памяти ещё в составе кремниевой пластины, в виде партии из нескольких микросхем или индивидуально каждый чип. Ручная же выборка значительно повысила бы как себестоимость самого модуля, так и его цену на полке магазина.

Как пишет Tom’s Hardware, компания Century Micro — не единственная, кто использует подобные приспособления для проверки чипов памяти. Для модулей ОЗУ стандарта DIMM DDR4 на той же торговой площадке AliExpress эти устройства предлагаются по 850-880 долларов в зависимости от объёма партии. Подобными устройствами пользуются многие мастерские по ремонту компьютерной техники.

Слухи относительно использования памяти GDDR6 уже в следующем поколении видеокарт обоих ключевых производителей становятся всё более упорными, и, вполне естественно, интерес к статусу разработки и выпуска этого нового типа видеопамяти также растёт. Известно, что поставки GDDR6 не начнутся до 2018 года, но теперь 2017 год подходит к концу и поставщики рассказывают всё больше подробностей о своих планах по выпуску GDDR6.

Micron не стала исключением и опубликовала в своём блоге заметку, напоминая об усилиях в области видеопамяти в 2017 году и поделившись производственными инициативами на 2018 год. Компания уже открыла двери в мир следующего поколения памяти благодаря выпуску GDDR5X, а теперь на основании этого производственного опыта собирается там обосноваться с помощью выпуска GDDR6.

По словам Micron, компания уже закончила проектирование и внутренние тесты своих чипов GDDR6 с пропускной способностью 12 Гбит/с и 14 Гбит/с. Это означает, что компания завершила, пожалуй, самую сложную часть разработки GDDR6 и теперь может сосредоточиться на массовом производстве и разработке ещё более высокоскоростных чипов. Интересно, что компании удалось даже немного опередить график.

Следующий важный этап для Micron — массовое производство. Ранее компания собиралась начать его в первой половине 2018 года, и, судя по последней заметке, эти планы не изменились. Производитель уже отбирает чипы и пишет, что приложит все силы, чтобы успеть развернуть массовое производство до второй половины 2018 года. С опережением графика в деле тестов GDDR6 цель становится вполне достижимой.

Между тем инженеры Micron уже трудятся над более скоростными чипами GDDR6. Компания отмечает, что новый стандарт позволяет добиться ещё более высоких скоростных показателей, но не называет верхних пределов. В этой области она собирается использовать свой опыт разработки GDDR5X, поскольку самой большой проблемой на данный момент является передача сигналов, а не сами ячейки памяти. Следующие друг за другом стандарты GDDR обычно вносят лишь незначительные изменения во внутреннюю синхронизацию ячеек памяти, а скорости продолжают наращиваться. И хотя между GDDR5X и GDDR6 есть заметные различия, опыт Micron с чипами GDDR5X 12 Гбит/с, как правило, применим и к GDDR6. Но пока Micron не говорит о том, когда работа над чипами GDDR6 16 Гбит/с будет завершена.

Стоит добавить, что, хотя GDDR6 появится во флагманских ускорителях 2018 года, GDDR5 ещё долго останется с нами и не собирается пока уходить на покой. Micron будет продолжать инвестировать и в этот стандарт. Компания, например, начала производство и поставку 8-Гбит чипов GDDR5, построенных на новом 1X-нм техпроцессе DRAM.

Toshiba Corp перевела некоторые активы подразделения по выпуску чипов памяти назад в родительскую компанию в ответ на заявление Western Digital Corp о том, что японский конгломерат не имеет права продавать полупроводниковый бизнес без согласия американского партнёра.

REUTERS/Issei Kato

Western Digital обвинила Toshiba в нарушении соглашения о совместном предприятии в связи с выделением производства чипов памяти в отдельное предприятие Toshiba Memory без согласия SanDisk и объявила в середине мая об инициировании арбитражных процедур в Международной торговой палате. Возврат активов должен снять претензии Western Digital из-за перевода активов совместного предприятия в компанию Toshiba Memory, созданную в рамках подготовки к продаже.

Toshiba является вторым по величине в мире производителем чипов памяти NAND, и рассчитывает закрыть с помощью продажи части полупроводникового бизнеса финансовую брешь, образовавшуюся из-за значительных убытков ядерного бизнеса дочернего предприятия Westinghouse Electric в США.

Western Digital, владеющая совместно с Toshiba заводом по выпуску чипов в Японии, надеется с помощью международного арбитража остановить продажу её полупроводникового бизнеса.

В письме, датированном 31 мая, адвокаты Toshiba сообщили Western Digital, что передача назад совместных активов материнской компании снимает все разногласия. Этот шаг, как ожидается, позволит Toshiba продолжить процесс продажи.

В этом письме, с которым ознакомилось агентство Reuters, также отмечается, что активы совместного предприятия связаны только с механизмами финансирования производственных процессов (оборудования), что непосредственно касалось каждого из участников СП. Их стоимость составляет менее 5 % общей стоимости полупроводникового бизнеса Toshiba, который оценивается как минимум в 2 трлн иен ($18 млрд).

Компания SK Hynix получила рекордную прибыль благодаря росту цен на чипы памяти. Квартальный финансовый отчёт обнародован во вторник, 25 апреля.

В январе–марте 2017 года операционная прибыль SK Hynix составила 2,47 трлн вон ($2,2 млрд), что на 339 % больше относительно аналогичного периода прошлого года и стало максимальным значением в истории южнокорейской компании. Опрошенные Bloomberg аналитики ожидали доход на уровне 2,25 трлн вон.

reuters.com

Чистая прибыль SK Hynix подскочила более чем вчетверо, достигнув 1,89 трлн вон ($1,66 млрд). Продажи прибавили 72 % и составили 6,28 трлн вон ($5,5 млрд).

Согласно заявлению SK Hynix, компания сократила поставки DRAM-памяти в первой четверти 2017 года, однако средняя стоимость проданных микросхем повысилась на 24 % благодаря рынкам компьютеров и серверов.

Похожая тенденция наблюдалась в случае с памятью NAND flash: её отгрузки у SK Hynix снизились на 3 %, но средняя цена возросла на 15 %.

reuters.com

По оценкам аналитиков InSpectrum Tech, к концу марта 2017 года стоимость 4-гигабитного чипа DDR3 поднялась до $2,98 с $2,79 в конце декабря 2016 года, а в годовом исчислении прирост измерялся 77 %.

В SK Hynix ожидают, что в 2017 году мировые продажи памяти DRAM и NAND flash увеличатся на 20 % и 30 % соответственно.

Производитель жёстких дисков Western Digital (WD) намерен привлечь японских инвесторов для покупки полупроводникового бизнеса Toshiba. Об этом сообщает агентство Bloomberg со ссылкой на финансового директора американской компании Марка Лонга (Mark Long).

По его словам, WD ведёт переговоры с государственным инвестиционным фондом Innovation Network Corp of Japan (INCJ) и Банком развития Японии (Development Bank of Japan).

reuters.com

Сколько WD собирается предложить Toshiba за подразделение по выпуску чипов памяти, Лонг не уточнил. Ранее в СМИ проходила информация о том, что претенденты готовы заплатить за активы 2–3 трлн иен ($18,3–27,5 млрд). Toshiba планирует закрыть сделку к марту 2018 года.

WD стала производственным партнёром Toshiba после покупки за $15,8 млрд компании SanDisk, у которой с японской корпорацией был совместный бизнес по производству флеш-памяти. Марк Лонг заявил, что для заключения сделки Toshiba сначала должна договориться с WD.

«Мы думаем совсем по-другому. Наши приоритеты, в первую очередь, нацелены на сохранение конкурентоспособности совместного предприятия», — сообщил финансовый директор WD.

reuters.com

Он добавил, что WD «вела переговоры почти со всеми», кто претендует на полупроводниковый бизнес Toshiba. Среди них — Apple.

«Пока другие находятся в процессе разработки предложения, у нас уже есть чёткое представление о стоимости бизнеса и других вещах, влияющих на цену. У нас больше разных способов повлиять на решение, чем у других игроков», — сказал Марк Лонг.

Компания Rambus сообщила о том, что она снова становится членом организации JEDEC — комитета инженерной стандартизации полупроводниковой продукции.

Rambus была основана в 1990 году и ранее уже входила в состав JEDEC. Однако в 1996-м компания вышла из состава этого комитета, преследуя собственные коммерческие интересы.

В начале 2000-х у Rambus возник громкий конфликт с другими участниками организации. Дело в том, что, участвуя в разработке стандартов JEDEC, Rambus запатентовала ряд технологий самостоятельно и получила на них исключительные права. В итоге другие участники JEDEC оказались в положении нарушителей патентов. Этим и воспользовалась Rambus, в судебном порядке потребовав выплаты лицензионных отчислений от других компаний. На пике разбирательств Rambus противостояла полутора десяткам оппонентов, некоторые из которых потерпели поражение.

Так или иначе, но теперь Rambus снова присоединилась к JEDEC. Она вошла в состав группы Committee 40 (JC-40), которая специализируется на стандартах памяти для серверных окружений и облачных платформ. В официальном сообщении говорится, что «Rambus будет работать с другими лидерами отрасли с целью определения новых архитектурных направлений в серверной памяти, которые помогут улучшить показатели энергоэффективности, производительности и стоимости, а также будут способствовать развитию индустрии».

Южнокорейская компания SK hynix создала, как она утверждает, первый в мире чип памяти с применением технологии межслойных соединений (Through Silicon Via, TSV). Эти микросхемы превосходят доступные на рынке образцы памяти по скорости и эффективности потребления энергии.

Созданная совместно с корпорацией AMD новая память состоит из четырех чипов DRAM, изготовленных по 40-нм техпроцессу и объединенных в один модуль посредством «связи сквозь кремний». За счет размещения компонентов ближе друг к другу, чем раньше, повышается быстродействие, уменьшаются габариты и энергопотребление полупроводниковых микросхем. В случае с разработкой Hynix и AMD энергоэффективность повышена на 40%, а напряжение питания составляет 1,2 В.

eteknix.com

Пропускная способность TSV-памяти составляет 128 Гбит/с, что в четыре раза больше по сравнению с чипами GDDR5, пишет The Korea Herald.

Такая производительность найдет применение в суперкомпьютерах, серверах и вычислительных устройствах, от которых требуется высокая графическая мощь.

gadgets.ndtv.com

В SK hynix обещают начать серийное производство памяти с использованием технологии межслойных соединений во второй половине будущего года.

Компания TSMC предоставила некоторые подробности о своей новой микросхеме SRAM ёмкостью 112 Мбит. Чип выпущен с использованием 20-нм техпроцесса и технологии металлических затворов и High-K диэлектриков (HKMG).

Площадь одной ячейки памяти составляет 0,081 мкм². Это самое маленькое значение в отрасли, утверждают разработчики. Для сравнения, в прошлом году компания Intel представила 22-нм чип SRAM с площадью ячейки 0,092 мкм². Площадь всей микросхемы TSMC составляет 40,3 мм².

Габариты ячейки удалось уменьшить на 40% (по сравнению с чипами TSMC предыдущего поколения) благодаря переходу с 28- на 20-нм техпроцесс. Кроме того, использование передовых схемных решений, которые играют вспомогательную роль в операциях чтения/записи (RWA, read-write-assist), позволило уменьшить напряжение питания ядра с 1 до 0,95 В.

Материалы по теме:

• TSMC начнёт производить 20-нм чипы для Apple в конце 2013 года;
• Inotera запустила пробное производство 30-нм 4-Гбит DDR2-чипов;
• NVIDIA и AMD вряд ли будут использовать 28-нм техпроцесс Samsung;
• Globalfoundries ускоряет освоение 28-нм норм и с оптимизмом смотрит в будущее.

Источник:

• Tech-On!

В 2012 году отрасль флеш-памяти типа NOR показала спад. И, по мнению аналитического агентства IHS iSuppli, ситуация вряд ли изменится в лучшую сторону в 2013 и 2014 годах. Эксперты объясняют это тем, что многие производители мобильных телефонов (именно эти устройства являются главными потребителями NOR) постепенно отдают предпочтение NAND-микросхемам.

Если в 2011 году обороты отрасли NOR составили $4,34 млрд, то в прошлом году она сократились до $3,47 млрд, а в текущем году выручка производителей упадёт до $3,4 млрд. В 2014 году ожидается пятипроцентный спад. Тем не менее, аналитики предрекают появление новых приложений, которые положат конец затуханию отрасли. Уже в 2015 году спрос на NOR-память опять начнет расти.

NOR-память с параллельным интерфейсом отличается более высокой стоимостью и стремительно теряет популярность. Ей на смену приходит SPI NOR с последовательным интерфейсом, которая дешевле и при этом экономичнее в терминах энергопотребления.

Материалы по теме:

• Micron представила 20-нм TLC NAND-чип ёмкостью 128 Гбит;
• SK Hynix вылетела из тройки лидеров рынка флеш-памяти;
• DRAM-память вскоре подорожает ещё на 10%;
• Toshiba сократит почти на треть выпуск флеш-памяти NAND.

Источник:

• Digitimes

Ещё в начале января в предварительной программе конференции ISSCC 2013 появился анонс интересного совместного доклада компаний SanDisk и Toshiba о разработке первой в отрасли микросхемы ReRAM (резистивная память) ёмкостью 32 Гбит. И вот стали доступны некоторые подробные сведения о новинке.

Чип выпущен с использованием 24-нм техпроцесса. Площадь одной ячейки составляет 24 х 24 нм, а площадь всего кристалла — 130,7 мм². Размер страницы памяти составляет 2 килобайта. Значения задержек для чтения и записи составляют 40 и 230 мкс соответственно.

В традиционной архитектуре ReRAM с перекрёстной точкой используются проводящие оксиды металлов. Селективные устройства располагаются в местах пересечения горизонтальных строк и вертикальных битовых линий, а ячейки формируются в одной плоскости с другими схемами. В новом чипе формируется двухслойный массив ячеек памяти на совместно разделяемых регистрах страниц и усилителях считывания. Это позволило повысить плотность размещения компонентов. Как отмечает источник, такой подход похож на технологию компании Matrix Semiconductor, которую купила SanDisk.

Новый чип пока находится на ранней стадии разработки и для коммерциализации потребуется ещё потратить много времени, отметили многие инженеры, слушавшие доклад.

Материалы по теме:

• Micron представила 20-нм TLC NAND-чип ёмкостью 128 Гбит;
• Toshiba показала 128-Гбит NAND-чип с трёхуровневыми ячейками;
• Rambus представила архитектуру мобильного ОЗУ R+ LPDDR3.

Источник:

• Tech-On!

Компания Micron Technology, неплохо себя чувствующая на рынке флеш-микросхем, постепенно набирает обороты и в сегменте модулей оперативной памяти. С прицелом на перспективный рынок ультрабуков и других сверхтонких мобильных устройств Micron разработала свой новый низкопрофильный модуль DDR3 SO-DIMM.

Новинка выполнена в низкопрофильном форм-факторе, что позволяет экономить место в корпусе. Кроме того, чипы и остальные элементы ОЗУ размещаются только с одной стороны платы. Это позволило уменьшить толщину модуля до 3 мм. Отметим, стандартные решения имеют толщину 4,6 мм. В эпоху, когда важен каждый выигранный миллиметр, продукт Micron кажется весьма актуальным.

Также новые модули используют 30-нм чипы DDR3L-RS, которые отличаются малой потребляемой мощностью. При этом ёмкость одного модуля достигает 4 Гбайт, чего достаточно в большинстве стандартных пользовательских приложений.

Односторонние модули уже доступны в виде ознакомительных образцов, а их массовое производство стартует этой весной.

Материалы по теме:

• DRAM-память вскоре подорожает ещё на 10%;
• G.Skill выпустила самый быстрый в мире 32-Гбайт комплект DDR3-памяти;
• Rambus представила архитектуру мобильного ОЗУ R+ LPDDR3.

Источник:

• Micron

Согласно данным отраслевых источников, 4-Гбайт модули DDR3-памяти вновь подорожают ещё на 10% после Китайского Нового года. Напомним, цены на оперативную память в начале января поднялись на 10%. В настоящее время 4-Гбайт модули на контрактном рынке стоят около $18.

Спрос в отрасли подстегнул быстро растущий сектор смартфонов. В сегменте DRAM-чипов для ПК вскоре спрос может превысить предложение, так как ключевые поставщики переключили большую часть своих производственных мощностей на мобильную память. Поэтому производители удерживают цены и не спешат со сбытом, ожидая новую волну роста цен.

На днях 2-Гбит DDR3-микросхемы подорожали до $1,4. После китайских праздников, которые начнутся уже через дней, их цена может вырасти до $1,5.

Материалы оп теме:

• Мобильные чипы займут 30% производства оперативной памяти в 2013 году;
• Финансовый дайджест: итоги недели, 14–18 января 2013 года, в IT-секторе;
• DRAMeXchange: чипы памяти выросли в цене на 10%.

Источник:

• Digitimes