На мероприятии GTC 2024 компания Nvidia показала чипы памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 Гбит/с и объёмом 2 Гбайт от компании Samsung. Новая память на 33 % быстрее актуальных решений GDDR6 и GDDR6X. Благодаря этому будущие видеокарты с такими чипами памяти смогут обеспечить гораздо более высокий показатель пропускной способности.

Источник изображения: Overclock3d

Первые чипы памяти GDDR7 в составе будущих видеокарт по причинам энергоэффективности будут обеспечивать скорость передачи данных, ограниченную до 28 Гбит/с. Они будут на 17 % медленнее максимального показателя их возможной скорости, но в то же время значительно быстрее актуальных чипов памяти GDDR6 и GDDR6X, которые используются в современных графических ускорителях.

Источник изображения: HardwareLuxx

Напомним, что в рамках GTC 2024 компания Nvidia также представила новое поколение специализированных графических процессоров Blackwell для ИИ. Правда, они будут оснащаться не памятью GDDR7, а набортной высокоскоростной памятью HBM3E.

Весьма вероятно, Nvidia будет использовать микросхемы памяти GDDR7 в составе своих будущих игровых видеокарт GeForce RTX 50-й серии. По слухам, именно флагманская модель будущей серии предложит скорость памяти на уровне 28 Гбит/с на контакт.

Последние слухи также говорят в пользу того, что условная GeForce RTX 5090 получит 512-битную шину памяти. Таким образом, новинка не только предложит на 33 % более скоростную память, чем у GeForce RTX 4090, но также получит на 33 % более широкую шину памяти. Всё это совокупно может увеличить пропускную способность памяти будущей флагманской видеокарты на 77 % по сравнению с флагманом текущего поколения.

Micron стала первым производителем модулей памяти DDR5 объёмом 24 Гбайт и первым же их поставщиком. Компания хочет сохранить за собой лидерство «первопроходца» и готовит к массовому производству первые на рынке 32-гигабитные чипы памяти DDR5, а также модули ОЗУ большой ёмкости. Старт производства этих продуктов запланирован на первую половину следующего года.

Источник изображений: Micron

Монолитные 32-гигабитные чипы памяти DDR5 будут производиться с использованием технологического процесса 1β (1-бета), являющегося самым продвинутым у производителя, а также последним техпроцессом Micron, в котором не применяется литография в экстремальном ультрафиолете. Компания пока не готова делиться информацией о пропускной способности будущих чипов памяти.

Одним из преимуществ современных технологий производства чипов DRAM является то, что с их помощью можно создавать монолитные микросхемы очень большой ёмкости. Те же 32-гигабитные чипы DDR5 окажутся очень полезными для производства серверных модулей ОЗУ большой ёмкости. Теоретически на базе 32-гигабитных модулей DDR5 можно будет создавать модули памяти объёмом до 1 Тбайт (на основе 32 8-стектовых 32-гигабитных чипов). Правда, сама Micron такие продукты анонсировать пока не спешит. Вместо них производитель планирует выпускать модули ОЗУ DDR5 объёмом 128, 192 и 256 Гбайт.

Отсутствие в дорожной карте будущих продуктов Micron модулей памяти DDR5 объёмом 512 Гбайт и 1 Тбайт может означать, что производитель пока рассматривает такие продукты очень нишевыми. Впрочем, это не исключает возможности, что компания в какой-то степени всё же рассматривает возможность выпуска таких модулей, но доступными они будут только для избранных клиентов.

В дорожной карте Micron также указано, что компания планирует с середины 2024 года начать массовое производство 16-гигабитных и 24-гигабитных чипов памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 ГТ/с (гигатрансферов в секунду). Кроме того, она работает над памятью HBMNext. Это новое поколение высокопроизводительной памяти должно обеспечить полосу пропускания от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек при ёмкости от 36 до 64 Гбайт. Ранее производитель представил память HBM3 Gen2 с пропускной способностью 1,2 Тбайт/с, которая на 44 % быстрее обычной HBM3.

SK hynix доложила о запуске в мае массового производства 238-слойной памяти 4D NAND, на основе которой будут выпускаться твердотельные накопители нового поколения с более высокими скоростью и ёмкостью. Новые чипы обеспечивают передачу данных в 2400 МТ/с, закладывая основу для высокопроизводительных SSD с интерфейсом PCIe 5.0 x4 и скоростью последовательного чтения/записи 12 Гбайт/с и выше.

Источник изображения: skhynix.com

Скорость интерфейса в 2400 МТ/с является, пожалуй, ключевым показателем для 238-слойных чипов TLC NAND от SK hynix — это на 50 % быстрее интерфейса чипов предыдущего поколения, которые при 1600 МТ/с едва ли могут раскрыть потенциал PCIe 5.0 x4. На 34 % повышается экономическая эффективность компонентов в сравнении со 176-слойными аналогами: если принять, что производителю удалось обеспечить сравнимые показатели выхода годной продукции, то с 238-слойными чипами TLC NAND стоимость гигабайта снизится на те же 34 %. Помимо сокращения физических размеров готовых устройств, энергопотребление памяти нового поколения при чтении уменьшается на 21 %.

Предложенное производителем маркетинговое обозначение новых чипов как 4D NAND на самом деле означает, что в них используются технология ячейки с ловушкой заряда (Charge Trap Flash — CTF) и запатентованная производителем компоновка с переносом логики под массив ячеек (Peripheral Under Cells — PUC). Готовые продукты на 238-слойных чипах NAND дебютируют на рынке как накопители для смартфонов, после чего начнут использоваться и в других устройствах. В SK hynix добавили, что на доходы компании продукты нового поколения начнут оказывать влияние уже во второй половине года.

Компания Samsung анонсировала видеопамять нового типа — GDDR6W. Она разработана с использованием новой технологии упаковки FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging), которая позволила удвоить объём и пропускную способность микросхем.

Источник изображений: Samsung

В июле Samsung начала поставки чипов памяти GDDR6 со скоростью 24 Гбит/с на контакт. Производитель отмечает, что новая GDDR6W обеспечивает вдвое большую пропускную способность по сравнению с GDDR6 и вдвое больший объём при сохранении тех же размеров упаковки — всё благодаря тому, что в одном чипе удалось разместить вдвое больше кристаллов памяти, как видно на изображении ниже. Благодаря этому ёмкость одного чипа памяти увеличивается с 16 до 32 Гбит (с 2 до 4 Гбайт), а количество вводов-выводов с 32 до 64.

Технология FOWLP предусматривает установку кристалла памяти непосредственно на кремниевой пластине, а не на печатной плате. А использование технологии редистрибутивного слоя (redistributive layer, RDL) позволяет обеспечить гораздо более тонкие схемы разводки. Отсутствие печатной платы в конструкции чипа памяти GDDR6W уменьшает толщину упаковки микросхемы и повышает эффективность рассеивания тепла, указывают в Samsung. Высота корпуса GDDR6W составляет 0,7 мм. Это на 36 % меньше, чем у GDDR6 (1,1 мм). То есть, фактически, Samsung смогла разместить больше памяти даже в меньшем объёме, чем раньше.

Представленная память GDDR6W способна обеспечить пропускную способность уровня памяти HBM. Например, память HBM2E обеспечивает скорость передачи данных в 3,2 Гбит/с на контакт и ускоритель с ней способен обеспечить пропускную способность в 1,6 Тбайт/с. В свою очередь GDDR6W может обеспечить пропускную способность на уровне 1,4 Тбайт/с на основе 512 контактов ввода-вывода при скорости передачи 22 Гбит/с на контакт.

Samsung сообщила, что завершила процедуру стандартизации JEDEC для продуктов GDDR6W во втором квартале этого года. Компания также отметила, что расширит применение GDDR6W на устройства малого форм-фактора, такие как ноутбуки, а также на новые высокопроизводительные ускорители для ИИ и HPC.

Вместо покупки готовых чипов памяти NAND у американских и японских брендов, индийская Sahasra Semiconductors решила организовать процесс сборки, тестирования и упаковки (ATMP) полупроводников своими силами — собственные готовые продукты компания намерена начать продавать к декабрю. Это будет первый в Индии завод, способный с нуля выполнять ATMP-операции.

Источник изображения: Sahasra Semiconductors

Как сообщает DigiTimes, председатель и управляющий директор Sahasra Semiconductors Амрит Манвани (Amrit Manwani) пообещал потратить на строительство завода порядка $94 млн — его построят в индийском штате Раджастхан. Половина средств будет инвестирована в 2023 фискальном году, начавшемся в апреле 2022 и заканчивающемся в марте 2023, ещё половина — в 2024 году. По мере роста доходов ожидаются новые инвестиции в предприятие. К 2026 фискальному году компания намерена занять 5-7 % местного рынка полупроводников.

По словам Манвани, первая партия оборудования для новой фабрики покинет Сингапур в ближайшие дни и поступит на завод к середине августа, следующие партии будут поступать в августе и сентябре. Тестовое производство начнётся в ноябре, а выпуск в коммерческих масштабах — к декабрю.

Изначально Sahasra Semiconductor выступала в Индии в роли агента, продававшего модули памяти для западных компаний, а теперь продаёт аналогичные продукты, включая USB-накопители, SD-карты и SSD под собственными торговыми марками. Sahasra Semiconductors была основана в 2020 году и занимается выпуском электронных компонентов различного назначения, участвуя в многочисленных государственных программах производства электроники. Компания связана с Sahasra Electronics и Infopower Technologies.

Ранее сообщалось, что помимо Sahasra Semiconductors рассматривали возможность производства модулей памяти в индийских штатах и в Micron, но компания не подтвердила слухи.

Китайский производитель микросхем Innosilicon сообщил, что смог заставить чипы памяти LPDDR5X работать на впечатляющей скорости — 10 000 Мбит/с. Это на 17 % выше 8533 Мбит/с, которые являются максимальной частотой в утверждённой комитетом JEDEC спецификации для LPDDR5X. Кроме того, китайский производитель смог снизить задержки чипов памяти LPDDR5X.

Источник изображений: Innosilicon

Чипы памяти LPDDR5X в перспективе будут использоваться в составе мобильных устройств нового поколения. Различные производители в настоящий момент проводят их проверку. Не так давно, например, компания Qualcomm сообщила, что провела валидацию LPDDR5X DRAM производства компании Samsung для работы с будущими смартфонами на базе процессоров Snapdragon. Samsung анонсировала первые в отрасли 14-нанометровых 16-гигабитных чипов памяти стандарта LPDDR5X в ноябре прошлого года. На тот момент компания сообщила, что её чипы памяти смогут работать со скоростью до 8500 Мбит/с. Валидацию к настоящему моменту прошли микросхемы со скоростью до 7500 Мбит/с.

Похоже, что Innosilicon собирается выпустить на рынок ещё более скоростные микросхемы LPDDR5X-10000. Согласно спецификациям JEDEC, память стандарта LPDDR5X-8533 способна обеспечить пропускную способность до 68,2 Гбайт/с. А LPDDR5-6400 способна передавать до 51,2 Гбайт/с. В случае с чипами памяти LPDDR5X-10000 речь идёт о пропускной способности на уровне 80 Гбайт/с, что на 17 % выше максимального показателя, заявленного JEDEC для этого вида памяти, и на 56,2 % выше, чем у LPDDR5-6400.

Innosilicon также отмечает, что её удалось на 15 % снизить задержки в работе чипов LPDDR5X-10000. В сочетании с высокой скоростью передачи данных эти микросхемы предложат значительную прибавку в производительности для самых разных устройств — от 5G-смартфонов и гарнитур виртуальной реальности, до автомобильных систем автономного вождения.