Теги → smic
Быстрый переход

Китайская SMIC начала рисковую 14-нм печать FinFET, а коммерческую запустит к концу года

Ожидалось, что SMIC, крупнейший контрактный производитель полупроводниковых чипов в Китае, приступит к массовому 14-нм производству чипов FinFET до середины текущего года. Но компания сообщила, что пока приступила только к рисковому производству и начнёт коммерческое на своих мощностях до конца года. Это будет первая производственная линия FinFET в Китае, что весьма важно для страны, в которой уже находится немало полупроводниковых предприятий: ведущие мировые производители никогда не развёртывали технологию FinFET в Китае по геополитическим причинам и соображениям охраны интеллектуальной собственности. SMIC, похоже, ожидает довольно быстрого наращивания производства, так как полагает, что новая линия внесёт заметный вклад в её доходы до конца года.

Согласно SMIC, их 14-нм нормы FinFET были разработаны полностью собственными силами и, как ожидается, позволят значительно увеличить плотность транзисторов, нарастить производительность и снизить энергопотребление по сравнению с кристаллами, выпускавшимися с соблюдением самых продвинутых 28-нм норм компании. Ожидалось, что SMIC начнёт производство 14-нм чипов уже в первой половине 2019 года, но компания несколько отстаёт от графика. Тем не менее, собственный техпроцесс FinFET является настоящим прорывом для относительно небольшого предприятия и вводит его в элитный клуб, где пока имеются лишь 5 компаний, выпускающих чипы с транзисторами FinFET.

Любопытно, что SMIC заявила, будто её 14-нм нормы FinFET внесут значительный вклад в общий объём доходов уже к концу текущего года. Однако в настоящее время SMIC имеет только две относительно небольшие 300-мм HVM-фабрики (в настоящее время используются для печати 28–65-нм чипов), которые загружены и приносят 40–49 % выручки компании. Поэтому трудно представить, что SMIC сможет начать массовые отгрузки 14-нм кристаллов в 2019 году.

Возможности пяти фабрик SMIC

Техпроцессы

 Мощности (пластин  в месяц)

Место расположения

 BJ

 200 мм

90 нм — 150 нм

50 000

Пекин, Китай

 300 мм

28 нм — 65 нм

35 000

 SH

 200 мм

90 нм — 350 нм

120 000

Шанхай, Китай

 300 мм

28 нм — 65 нм

20 000

 SZ

 200 мм

90 нм — 350 нм

60 000

Шэньчжэнь, Китай

 TJ

 200 мм

90 нм — 350 нм

50 000

Тяньцзинь, Китай

 LF

 200 мм

90 нм — 180 нм

50 000

Авеццано, Италия

 

В начале этого года компания завершила строительство своего завода SMIC South FinFET стоимостью $10 млрд, который будет использоваться для передовых производственных норм, и начала насыщать его оборудованием. Как только завод будет готов к коммерческим операциям, SMIC сможет значительно увеличить производство чипов с соблюдением 14-нм, а затем и 12-нм норм FinFET.

Долгосрочные планы SMIC включают освоение 10-нм и 7-нм норм. Ожидается, что последний потребует использования фотолитографии в глубоком ультрафиолетовом диапазоне, поэтому в прошлом году SMIC приобрела сканер EUV у ASML за $120 млн и должна была получить это оборудование в 2019 году.

Кстати, SMIC — не единственная китайская компания, которая готовится к началу массового 14-нм производства с транзисторами FinFET. Шанхайская компания Huali Microelectronics (HLMC) станет второй в 2020 году — об этом на открытии выставки SEMICON China 2019 сообщил вице-президент HLMC по исследованиям и разработкам Шао Хуа (Shao Hua).

Китайский чипмейкер SMIC покинет Нью-Йоркскую фондовую биржу, нацелившись на Гонконг

Крупнейший китайский контрактный производитель микросхем Semiconductor Manufacturing International Corp. (SMIC) покидает Нью-Йоркскую фондовую биржу (NYSE) в связи с тем, что торговая война между США и Пекином перешла в технологический сектор.

Imaginechina

Imaginechina

Компания SMIC заявила в пятницу вечером, что уведомила NYSE о своем намерении подать 3 июня заявку на исключение своих американских депозитарных расписок (ADR) из списка допущенных к торгам на бирже.

SMIC сослалась на «ряд причин» такого шага, в том числе ограниченный объём торговли своих американских депозитарных акций (ADS) на бирже по сравнению с объёмом торгов по всему миру. SMIC также объяснила уход с Нью-Йоркской фондовой биржи значительным административным бременем и высокими расходами на обеспечение листинга, соблюдение требований периодической отчётности и связанных с этим обязательств.

Согласно заявлению компании, совет директоров уже одобрил этот шаг, хотя SMIC также потребуется разрешение Комиссии по ценным бумагам и биржам США (SEC) на реализацию своего плана.

CoinSpice

CoinSpice

По словам представителя компании, её последний торговый день на NYSE пройдёт 13 июня. SMIC дебютировала на биржах в Гонконге и Нью-Йорке в марте 2004 года. 

По словам компании, торговля ценными бумагами SMIC после делистинга в США будет в основном сосредоточена на Гонконгской фондовой бирже.

Китай приступит к 14-нм массовому производству до середины 2019 года

На этой неделе появились сообщения о том, что SMIC, крупнейший полупроводниковый производитель Китая, собирается в первой половине текущего этого года начать массовое производство чипов с использованием самостоятельно разработанной технологии производства 14 нм FinFET. Примечательно, что это происходит как минимум на пару кварталов раньше, чем первоначально предполагалось — другими словами, SMIC явно опережает график. Между тем компания уже работает над более тонкими по сравнению с 14 нм нормами: в настоящее время она осваивает 10-нм техпроцесс и 7-нм нормы с использованием литографии в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV).

Согласно различным сообщениям китайских и тайваньских технологических СМИ, выход годных кристаллов SMIC при 14-нм производстве достиг 95 %, чего более чем достаточно для пуска массового производства. Одним из первых чипов, которые будут печататься на 14-нм мощностях китайского производителя, станет однокристальная система для смартфонов. Хотя SMIC, естественно, не раскрывает имя своего первого 14-нм клиента, её ключевыми заказчиками выступают HiSilicon, Qualcomm и производящая датчики отпечатков пальцев Fingerprint Cards. Так что список потенциальных кандидатов довольно короткий.

Аналитики говорят, что 14-нм мощности SMIC будут относительно небольшими по сравнению с лидерами отрасли, каждый из которых имеет несколько таких заводов. SMIC в настоящее время имеет два завода, которые могут работать с 300-мм кремниевыми пластинами с использованием 28-нм и более крупных процессов. Те же самые заводы будут использоваться и для 14-нм проектов, но учитывая их возможности и очень высокий коэффициент загруженности SMIC (94,1 % во втором квартале 2018 года), вряд ли в обозримом будущем они будут целиком переведены на производство более совершенных решений. По той же причине наряду с подготовкой 14-нм норм для своих существующих фабрик компания возводит большое предприятие с объёмом инвестиций в $10 млрд, который будет использоваться для передового производства в будущем.

«SMIC получила $10 млрд на строительство производственных мощностей для 14-, 10- и 7-нм производства. К четвёртому кварталу 2021 года они будут иметь мощность 70 000 кремниевых пластин в месяц, — отметил исполнительный директор International Business Strategies (IBS) Гендель Джонс (Handel Jones). — Строительство будет масштабным. Они уже купили кое-какое оборудование, но пока ничего существенного».

Так что не стоит ожидать, что в обозримом будущем SMIC удастся производить однокристальные системы с использованием передовых технологических процессов FinFET в объёмах, сравнимых с лидерами отрасли. Но даже если компания сможет относительно быстро нарастить мощности, обеспечение спроса может оказаться более сложной задачей. 14-нм чипы дороги в проектировании и изготовлении для них масок, поэтому до сих пор так много кристаллов печатается по 28-нм и более старым нормам.

Возможности пяти фабрик SMIC

Техпроцессы

 Мощности (пластин  в месяц)

Место расположения

 BJ

 200 мм

90 нм — 150 нм

50 000

Пекин, Китай

 300 мм

28 нм — 65 нм

35 000

 SH

 200 мм

90 нм — 350 нм

120 000

Шанхай, Китай

 300 мм

28 нм — 65 нм

20 000

 SZ

 200 мм

90 нм — 350 нм

60 000

Шэньчжэнь, Китай

 TJ

 200 мм

90 нм — 350 нм

50 000

Тяньцзинь, Китай

 LF

 200 мм

90 нм — 180 нм

50 000

Авеццано, Италия

Так или иначе, последние достижения SMIC отлично укладываются в амбициозную программу китайского правительства «Сделано в Китае 2025». Согласно нему, государство хочет достичь через 6 лет уровня самообеспеченности чипами в 70 %, и передовые полупроводниковые заводы сыграют в этом важную роль. Однако среди аналитиков есть сомнения, что план осуществим. Большинство произведённых в Китае к 2025 году чипов будет печататься компаниями, базирующимися за пределами страны.

Как уже отмечалось, SMIC уже работает над 10- и 7-нм нормами, что сама компания подтвердила ещё в 2018 году. Оба техпроцесса чрезвычайно дороги в проектировании, но, поскольку полупроводниковая индустрия в целом растёт и имеется щедрое финансирование со стороны правительства Китая (и различных аффилированных сторон), у SMIC достаточно денег на необходимые исследования и разработки. Работая на достижение этой цели, в прошлом году SMIC приобрела систему Step and scan EUV у ASML за $120 млн — она, как ожидается, будет получена ​​в начале этого года, чтобы в будущем использоваться при разработке 7-нм техпроцесса и, в конечном итоге, применяться в массовом производстве.

В 2019 году в Китае начнёт внедряться «национальный» 14-нм FinFET техпроцесс

Локомотивом разработки и внедрения в Китае условно национальных техпроцессов является крупнейший в этой стране контрактный производитель полупроводников Semiconductor Manufacturing International (SMIC). Не всё у него идёт гладко, но в свете отказа тайваньской компании UMC от разработки техпроцессов с нормами менее 14 нм SMIC получила шанс обогнать ближайшего к себе тайваньского конкурента как по технологичности, так и по объёмам выручки.

Разделение китайского рынка контрактных полупроводников между местными и иностранными лидерами отрасли (IC Insights)

Разделение китайского рынка контрактных полупроводников между местными и иностранными лидерами отрасли (IC Insights)

На последней отчётной конференции руководство SMIC подтвердило, что производитель начнёт рисковое производство с нормами 14 нм и транзисторами FinFET в первой половине 2019 года. Это на два года позже запуска 14-нм техпроцесса на линиях UMC, но дальше тайваньский производитель не пойдёт, чего не скажешь о намерениях китайцев.

В настоящий момент SMIC на практике обкатывает техпроцесс с нормами 28 нм (HKC+). В третьем квартале 2018 календарного года выручка от выполнения 28-нм заказов принесла SMIC 7,1 % от общей выручки. Впрочем, год назад и кварталом ранее техпроцесс 28 нм принёс компании чуть больше: сокращение составило, соответственно, 8,8 % и 8,6 %. Зато техпроцесс 40/45 нм стабильно приносит SMIC в районе 19 % от общей выручки.

Основной продукцией компании являются дактилоскопические датчики и контроллеры, чипы для беспроводных платформ и электроника по управлению питанием устройств. Интересно отметить, что 33 % объёма выручки китайский контрактник получает от выполнения заказов от компаний из США. Китайские клиенты в третьем квартале принесли SMIC 57,9 % от совокупной выручки. Год назад эта доля составляла 45,7 %, а во втором квартале 2018 года — 58,6 %.

В четвёртом квартале производитель ожидает последовательного снижения квартальной выручки на 7–9 %. В первом квартале 2019 года компания также ждёт непростых времён, в чём будет повинен также сезонный фактор. Спрос со стороны клиентов и рынка SMIC рассчитывает увидеть со второго квартала нового года. Как бы Китай ни обвиняли в протекционизме, SMIC сама крутится, как может (хотя оказание помощи тоже нельзя отрицать). Получается средне, но иным не снилось даже такое.

Тайваньская UMC отказывается от гонки техпроцессов

Третий в мире по величине контрактный производитель полупроводников тайваньская компания UMC (United Microelectronics Corporation) решил остепениться. Вместо разработки техпроцессов с нормами менее 12 нм компания задумалась о возврате инвестиций на базе развития более зрелых техпроцессов, в частности 28- и 14-нм. Техпроцесс с нормами 14 нм FinFET компания UMC ввела в строй только в прошлом году, что на год с небольшим позже компании TSMC. На очереди внедрение 12-нм техпроцесса, но с этим тоже есть трудности. Отставание от TSMC стало настолько критическим, что в UMC приняли решение вовсе отказаться от гонки техпроцессов.

Разница между выручками TSMC и UMC очень большая. Компания TSMC получила в 2017 году свыше $32 млрд, а UMC только около $5 млрд. С такой разницей расходы на НИОКР также будут колоссально отличаться, что определяет выбор стратегии развития. И если TSMC успешно разработала 7-нм техпроцесс и почти завершила разработку 5-нм техпроцесса, а также вгрызлась в разработку 3-нм, то UMC пока остановилась на 12-нм техпроцессе и собирается делать минимальные вложения как в разработку 7-, так и 5-нм  техпроцесса.

Полупроводниковый завод компании UMC (UMC)

Полупроводниковый завод компании UMC (UMC)

К сожалению для UMC, главная угроза для неё не в компании TSMC (во всяком случае в обозримом будущем), а в китайском контрактном производителе полупроводников компании SMIC. Компания SMIC успешно освоила 28-нм техпроцесс и планово внедряет 14-нм производство. Она-то точно не остановится на выпуске 14-нм решений и уже сообщает о закупке сканеров EUV. На очереди у китайцев внедрение 7-нм техпроцесса и более мелкого. Ориентировочно через два года китайская SMIC будет обладать более совершенными техпроцессами и технологиями, чем компания UMC. Это определённо позволит SMIC обойти UMC и по экономическим показателям. При этом важно понимать, что обе они (как и другие лидеры рынка) стремятся расшириться на рынке Китая. Для UMC новая стратегия выглядит проигрышной, но другой альтернативы у неё, похоже, нет.

Китайский производитель получил от властей деньги на новые техпроцессы

Одним из крупнейших в Китае контрактным производителем полупроводников является компания Semiconductor Manufacturing International (SMIC). В мировом рейтинге контрактников она занимает четвёртое место и буквально дышит в затылок тайваньской компании UMC. И если по объёмам производства SMIC потенциально готова обогнать UMC, то по внедрению новейших техпроцессов она отстаёт от конкурента. Так, например, UMC приступила к массовому производству 14-нм FinFET чипов в первом квартале 2017 года. Компания SMIC осенью 2017 года начала опытное производство 14-нм чипов и надеется внедрить этот техпроцесс на своих промышленных линиях в конце 2018 года. Тем самым отставание от UMC может составить до двух лет.

Ускорить разработку, обкатку и промышленное внедрение 14-нм техпроцесса и техпроцессов с меньшими нормами производства компании помогут два национальных фонда под патронажем правительства Китая: National Semiconductor Industry Investment Fund (известен также как Big Fund) и Shanghai Integrated Circuit Investment Fund (SICIF). Оба фонда выкупили доли в одном из предприятий, подконтрольных SMIC. Речь идёт об СП Semiconductor Manufacturing South China (SMSC), которым владели компании SMIC Shanghai и SMIC Holdings. Доля партнёров в СП SMSC снизится до 50,1 %, а оставшуюся часть поделят между собой национальные фонды. Фонд Big Fund выкупит 27,04 %, а фонду SICIF достанется 22,86 %.

Разделение китайского рынка контракткных полупроводников между местными и иностранными лидерами отрасли (IC Insights)

Разделение китайского рынка контрактных полупроводников между местными и иностранными лидерами отрасли (IC Insights)

После завершения транзакции средства СП SMSC повысятся с $210 млн до $3,5 млрд. Это те деньги, которые планируется пустить на разработку новых техпроцессов. Разработки в компании SMSC дополнят работу исследовательского центра SMIC Advanced Technology Research & Development, расположенного в Шанхае. В работе шанхайского центра SMIC, что интересно, участвуют компании Huawei, Qualcomm и бельгийский центр Imec. Все они помогали и помогают китайскому производителю разработать и адаптировать 14-нм техпроцесс и техпроцессы с меньшими нормами производства. Благодаря совместным усилиями шанхайского центра R&D SMIC и СП SMSC дело обещает пойти веселее.

UMC делает ставку на 28-нм техпроцесс

Третий в мире по величине контрактный производитель чипов United Microelectronics Corp (UMC) отметил снижение квартальной выручки и прибыли. В уменьшении денежных потоков производитель винит снижение темпов продаж смартфонов. При этом UMC не может похвастаться быстрым ростом выручки от выполнения 14-нм заказов и всецело надеется на 28-нм HKMG техпроцесс. От выпуска 14-нм продукции, например, в четвёртом квартале 2017 года UMC получила 2 % выручки, а от выпуска 28-нм — 15 %. Производство с нормами 40 нм приносит компании больше всего — 28 % от общей выручки.

Полупроводниковый завод компании UMC (UMC)

Полупроводниковый завод компании UMC (UMC)

За четвёртый квартал календарного 2017 года UMC выручила порядка $1,23 млрд, что на 2,8 % меньше выручки в третьем квартале 2017 года и на 4,4 % меньше выручки в четвёртом квартале 2016 года. Чистая квартальная прибыль компании в годовом сравнении уменьшилась на 30,5 % до $59,5 млн. Годовое падение операционной прибыли составило 16,5 % до отметки $64 млн. В компании опасаются, что четвёртый в мире по величине контрактный производитель чипов китайская компания SMIC может сместить её с третьего на четвёртое место.

www.lesechos.fr

www.lesechos.fr

В 2018 году UMC собирается «вернуть инвестиции», направленные в разработку 28-нм техпроцесса. Это означает, что тайваньский контрактник замедлит вложения в разработку новых техпроцессов и в расширение 14-нм линий. В частности, объёмы капитальных затрат, запланированные на 2018 год, по сравнению с 2017 годом уменьшатся на четверть и составят $1,1 млрд. В 2017 году UMC выделила на капитальные затраты $1,44 млрд, хотя планировала на эти цели отпустить $1,7 млрд. В 2016 году, отметим, UMC на развитие отпустила $2 млрд. Никто не спорит, что окупаемость — это главное. Но та же компания TSMC, пока UMC топчется на 14-нм техпроцессе, от эксплуатации 10-нм техпроцесса в четвёртом квартале получила уже 25 % выручки.

В Китае национальный 14-нм FinFET техпроцесс станет доступным в 2019 г.

Как известно, крупнейшим в Китае контрактным производителем полупроводников является компания Semiconductor Manufacturing International Corp (SMIC). В мировом рейтинге контрактных производителей SMIC идёт четвёртой по списку, оставаясь позади тайваньской компании UMC с годовым оборотом примерно на треть меньше. В настоящий момент SMIC наращивает объёмы производства с использованием 28-нм HKMG техпроцесса, массовое использование которого стартовало во втором квартале текущего года. Второе поколение 28-нм HKMG техпроцесса компания намечает сделать коммерчески доступным к концу 2018 года, но основные усилия SMIC направлены на разработку 14-нм FinFET техпроцесса.

www.lesechos.fr

www.lesechos.fr

На днях на встрече с инвесторами руководство SMIC сообщило, что на разработку 14-нм техпроцесса с транзисторами FinFET (это структуры с вертикальными затворами) уйдёт ещё достаточно времени. Массовый выпуск полупроводников с данными нормами производства компания обещает начать в 2019 году. Тем самым, кстати, сохранится двухлетнее отставание от компании UMC, догнать которую в SMIC считают делом чести. Тайваньская UMC начала массовый выпуск 14-нм FinFET чипов в первом квартале этого года.

Определённым образом надежды на создание 14-нм техпроцесса и дальнейших разработок в этой области связаны с новым генеральным содиректором SMIC —  Ляном Мон-Соном (Liang Mong-song). Он был назначен вторым директором компании в середине октября (разделил эту должность с Чжао Хайцзюнем (Zhao Haijun), назначенным на пост генерального директора в начале 2017 года). До работы в SMIC Лян Мон-Сон возглавлял исследовательские подразделения в компаниях TSMC и Samsung. В своё время опыта и знаний г-на Ляна оказалось достаточно, чтобы компания TSMC обвинила его в передаче технологических секретов компании Samsung. Возможно, для компании SMIC тоже что-то осталось, хотя к 2019 году для TSMC 14/16-нм техпроцесс потеряет актуальность.

Генеральным директором китайского производителя стал перебежчик из TSMC

Крупнейший китайский контрактный производитель полупроводников компания SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corp) выпустил пресс-релиз, в котором сообщил о назначении на должность генерального директора Лян Мон-Сона (Liang Mong-song). Точнее, на должность генерального директора SMIC назначаются сразу два человека, одним из которых выбран г-н Лян. У нового генерального директора SMIC интересная история, о которой в контексте его новой работы обязательно надо вспомнить.

В 2011 году Лян Мон-Сон ушёл с руководящей должности в компании TSMC и перешёл на работу в компанию Samsung на должность технического директора подразделения по выпуску цифровой логики (LSI). Кроме этого он стал преподавать в одном из университетов Южной Кореи, спонсором которого среди прочих называлась компания Samsung. В процессе так называемого преподавания, как потом в суде доказывала компания TSMC, бывший специалист по разработке технологических процессов передавал конфиденциальные знания инженерному составу компании Samsung.

Сравнительные размеры базовых элементов в техпроцессах компаний Intel, Samsung и TSMC

Сравнительные размеры базовых элементов в техпроцессах компаний Intel, Samsung и TSMC

Тогда, в 2015 году, TSMC через суд запретила Лян Мон-Сону продолжать какое-то время работать в Samsung. Иски по утечкам 28-нм и 16-нм FinFET техпроцессам против компании Samsung не были поданы, хотя предварительная экспертиза подтвердила значительное сходство указанных техпроцессов Samsung и TSMC. И сейчас этот определённо специалист с богатым багажом специфических знаний всплывает в качестве одного из руководителей китайской компании SMIC.

Разделение китайского рынка контраткных полупроводников между местными и иностранными лидерами отрасли (IC Insights)

Разделение китайского рынка контракткных полупроводников между местными и иностранными лидерами отрасли (IC Insights)

Как считают аналитики, опыт и знания Лян Мон-Сона могут помочь компании SMIC быстрее освоить выпуск полупроводников с нормами 14 нм (на год раньше запланированного) и снизить уровень брака при производстве 28-нм решений. Для местного производителя это важный момент, поскольку зарубежные производители активно наращивают мощности на своих китайских заводах с целью забрать побольше на растущем китайском рынке полупроводников. Выдерживать конкуренцию в равных условиях местным предельно тяжело, поскольку те же TSMC и UMC имеют в своём распоряжении более совершенные технологии производства.

Крупнейший в Китае контрактный производитель чипов наращивает производство

Если не считать компанию Samsung, которая выпускает полупроводники для себя и по контракту, то на четвёртом месте в мировом рейтинге контрактных производителей чипов уверенно расположилась китайская компания Semiconductor Manufacturing International Corp (SMIC). Если вглядеться в статистику ещё внимательнее, то окажется, что из пятёрки лидеров в плане наращивания выручки за последние три года SMIC росла быстрее всех (за небольшим исключением в 2016 году). Этот рост даёт возможность китайскому контрактнику по объёмам производства приближаться к тайваньской компании UMC. Данная тенденция сохранится также в 2017 году.

IC Insights

IC Insights

На квартальной конференции руководство SMIC сообщило, что в текущем году выручка компании увеличится ещё примерно на 20 %. В 2016 году выручка SMIC достигла рекордного показателя в $2,9 млрд. Для сравнения, выручка компании за 2015 год составила $2,2 млрд. Загрузка линий производителя оказалась на высочайшем уровне — 97,5 %, что говорит о спросе на продукцию SMIC в стране и за рубежом. Кстати, заметный объём поступлений идёт благодаря заказам компании Qualcomm. Чистая прибыль SMIC в 2016 году выросла на 49 % и составила $377 млн. Добавим, квартальная выручка компании растёт восьмой квартал подряд.

Для удовлетворения спроса в будущем SMIC до конца 2017 года увеличит объёмы производства на 11 %. Это произойдёт за счёт новых линий в Китае, а также благодаря приобретению в прошлом году итальянского завода компании LFoundry. В 2016 году ежемесячно SMIC могла обрабатывать 406 тыс. пластин в месяц. До конца 2017 года ежемесячные объёмы производства вырастут до 450 тыс. пластин. Отдельно компания подчёркивает, что итальянское производство позволит ей стать своей на европейском и американском рынках.

www.lesechos.fr

www.lesechos.fr

В настоящий момент самый передовой техпроцесс, который компания эксплуатирует, относится к 28-нм нормам производства. Причём самый «процессорный» из них — HKMG — компания начала использовать менее года назад. В 2017 году SMIC будет наращивать выпуск 28-нм решений и попутно продолжит разработку 14-нм техпроцесса. В этом она на два года, а то и больше, отстаёт от своего ближайшего конкурента, компании UMC, которая приступила к массовому выпуску 14-нм чипов в первом квартале текущего года.

Китайская SMIC приступила к поставкам образцов памяти ReRAM

Молодая американская компания Crossbar (Санта-Клара, штат Калифорния) сообщила о доступности первых серийных образцов энергонезависимой памяти нового типа. Это так называемая резистивная RAM или ReRAM, один из вариантов которой разработала компания Crossbar. Сама она не будет выпускать ReRAM, хотя в партнёрстве с кем-либо из крупных брендов готова этим заниматься. Например, если бы такое предложение поступило от компании Western Digital. В настоящий момент Crossbar занимается лицензирование собственной разработки всем заинтересованным компаниям и мечтает стать ARM в мире памяти.

Реальный образец памяти RRAM (Crossbar)

Реальный образец памяти RRAM (Crossbar)

Лицензия на производство памяти ReRAM была предоставлена китайской компании SMIC в марте прошлого года. К этому дню, как уже сказано выше, SMIC приступила к поставкам рабочих образцов кристаллов ReRAM. Резистивная память выпускается с использованием 40-нм техпроцесса, а в течение первой половины текущего года обещают выйти 28-нм образцы ReRAM. Полученные образцы помогут компании Crossbar разработать технологию встраиваемой в микроконтроллеры и SoC памяти ReRAM. Запрос на это очень высок, ведь резистивная память устойчива к перезаписи и может выдерживать до 100 000 циклов записи.

Общий принцип организации перекрёстной памяти RRAM (Crossbar)

Общий принцип организации перекрёстной памяти RRAM (Crossbar)

Благодаря своим характеристикам память ReRAM потенциально способна заменить память NOR-флеш, оптимизированную для запуска кода, и память NAND-флеш, которая сегодня в массе используется для хранения данных. Так, если задержки при обращении к памяти NAND-типа достигают миллисекунд, то задержки при чтении из ячейки ReRAM равны 20 нс, а задержки на запись в ReRAM не превышают 12 нс. При этом память ReRAM перед записью не надо очищать, что упрощает структуру сигнала и сокращает время на операции.

Принцип работы ячейки памяти ReRAM компании Crossbar (Crossbar)

Принцип работы ячейки памяти ReRAM компании Crossbar (Crossbar)

В заключение напомним, что память ReRAM компании Crossbar работает на принципе управляемого формирования нитей из ионов серебра в рабочем слое из аморфного кремния. Рабочее напряжение одной полярности заставляет ионы серебра мигрировать в рабочий слой из серебряных электродов снаружи ячеек, а рабочее напряжение обратной полярности возвращает ионы серебра обратно в электроды. Напряжение с невысоким значением считывает состояние ячеек. Таких состояний, кстати, может быть несколько, и, соответственно, в каждой ячейке может храниться несколько бит данных. Также такую память можно выпускать в виде многослойного стека. Одним словом — очень перспективная разработка и очень хорошо, что её сегодня могут пощупать все желающие производители. Авось кому-то понравится.

Китайцы покупают в Италии завод по выпуску полупроводников

Согласно текущему пятилетнему плану развития Китая, значительные усилия направляются на развитие производства электроники во всех её проявлениях — от разработки и производства элементной базы до создания комплексных решений. На эти цели правительство страны выделяет огромные даже по мировым меркам средства. Внешне это также проявляется в интенсивной скупке или в попытке таковой зарубежных разработчиков и производителей.

Так, на днях крупнейший китайский контрактный производитель полупроводников — компания Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) — сообщила о первом приобретении за рубежом. За сумму в 49 млн евро SMIC договорилась купить контрольный пакет акций полупроводникового завода в Италии (в городе Авеццано). Добавим, сделка должна быть закрыта к 29 июля.

Итальянский завод LFoundry принадлежит немецкой компании LFoundry Europe GmbH и итальянской компании Marsica Innovation SPA. Каждой из них останется по 15 % акций предприятия, тогда как китайский производитель получит 70 % акций Lfoundry и фактически станет хозяином производства. Мощности LFoundry — это до 40 тыс. 200-мм полупроводниковых подложек каждый месяц. На своих китайских заводах SMIC ежемесячно может обрабатывать до 162 тыс. 200-мм пластин и до 62,5 тыс. 300-мм пластин. В мировом рейтинге компания SMIC занимает четвёртое место в списке крупнейших контрактных производителей чипов и пятое, если считать контрактное производство Samsung (для Samsung, как известно, контрактное производство не является основным видом деятельности).

http://www.lesechos.fr

www.lesechos.fr

Покупка завода в Италии расширяет перед компанией SMIC выход на международные рынки. Итальянское производство специализируется на выпуске датчиков изображения, аналоговых дискретных и интегрированных решений, а также определённых чипов для логических цепей. Сфера применения продукции — это автомобильная промышленность, промышленная автоматика и системы безопасности. Это будет хорошее дополнение к списку продукции SMIC и явно сыграет на повышение авторитета китайской компании на мировой арене.

Производителем 28-нм процессоров Snapdragon 425 стал «китаец»

Крупнейший китайский контрактный производитель полупроводников, компания Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) сообщила об успешном прохождении этапа сертификации собственного 28-нм HKMG-техпроцесса у компании Qualcomm и о начале массового производства ряда её 28-нм решений. Выпускать 28-нм однокристальные сборки Qualcomm Snapdragon 425 и модемы LTE Qualcomm MDM9x07 будет пекинский завод SMIC. Это первый запуск 28-нм полупроводникового производства в глубине материковой части Китая.

В начале года компания SMIC также сообщала, что осенью начнётся выпуск 28-нм однокристальных процессоров для другой компании — для китайского предприятия Leadcore Technology, известного нам по смартфонам компании Xiaomi. Успешное освоение компанией SMIC техпроцесса с нормами 28 нм с использованием металлических затворов и HK-изоляторов означает, что в Китае появилась возможность выпускать передовые решения. Это не 14-нм или 16-нм техпроцессы, но уже многое.

Машинный зал с системой Sunway TaihuLight

Машинный зал с системой Sunway TaihuLight

К примеру, новейший китайский RISC-процессор SW26010 предположительно выпускается с нормами 65 нм. При этом эффективность решения в среднем составляет 6 гигафлопс/Вт. Процессоры Intel Xeon Phi поколения Knights Landing, выпущенные с использованием 14 нм техпроцесса, работают с эффективностью 12 гигафлопс/Вт. Освоение меньших технологических норм производства китайцами способно нивелировать разницу в эффективности.

Понятно, что при сравнении свою роль играют архитектура и среда (RISC/UNIX против x86). Тем не менее, перевод производства китайских процессоров на 28-нм техпроцесс даст им весомые преимущества по сравнению с конкурирующими решениями. Сегодня 260-ядерный SW26010 по производительности подобрался к 72-ядерному Intel Xeon Phi Knights Landing — оба они работают с производительностью порядка 3 терафлопса при выполнении операций с двойной точностью. Простой перевод SW26010 на 28 нм позволит ожидать ощутимого опережения решений Intel китайскими процессорами, а начало массового производства 28-нм SoC Qualcomm означает, что это время уже не за горами.

Китайцы довели «мемристор» до стадии серийного производства

Шесть лет назад компания HP с помпой сообщила о создании «четвёртого» электротехнического элемента — мифического мемристора, который представляет собой управляемый резистивный переход или, проще говоря, переменное сопротивление, которому не требуется энергия для поддержки своего состояния. На базе мемристора предлагалось создавать энергонезависимую память, быстродействие которой было бы близко к оперативной памяти компьютера. С такой памятью компьютеры включались бы и выключались практически мгновенно, ведь в случае выключения вся информация оставалась бы в энергонезависимом ОЗУ. Но с RRAM, ReRAM или резистивной памятью, которая на самом деле скрывается под маркетинговым именем мемристор компании HP, до сих пор не сложилось. Коммерческий выпуск RRAM (ReRAM) так и не стартовал, хотя это событие торопят многие крупнейшие разработчики и производители.

Общий принцип организации перекрёстной памяти RRAM (Crossbar)

Общий принцип организации перекрёстной памяти RRAM (Crossbar)

Похоже, как это сложилось в последние годы, за всё опять придётся отрабатывать китайцам. Крупнейший китайский контрактный производитель полупроводников (четвёртый по величине в мире) — компания Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) — доложила, что она прямо сейчас готова выпускать память RRAM в виде встраиваемых в микропроцессоры и однокристальные схемы блоков. Производство встраиваемой памяти RRAM адаптировано к 40-нм техпроцессу компании, в своё время созданного с помощью специалистов компании IBM. Выдающиеся характеристики RRAM, уверены в SMIC, идеально дополнят энергоэффективные решения для носимой электроники, вещей с подключением к Интернету, смартфоны и планшеты, а также широкий спектр процессоров для промышленной и транспортной автоматики.

RRAM это универсальная пмаять (Crossbar)

RRAM — это универсальная память (Crossbar)

Технология производства и тип ячейки RRAM для внедрения в производство на линиях SMIC лицензированы у молодой американской компании Crossbar. Компания Crossbar, кстати, организована в 2010 году — тогда же, когда компания HP завершила разработку мемристора. Тем не менее, принцип работы памяти RRAM Crossbar отличается от принципа работы памяти HP. Мемристор HP запоминает состояние благодаря насыщению обеднённого слоя ячейки атомами кислорода. Ячейка памяти Crossbar работает на принципе обратимого создания в ячейке из аморфного кремния токопроводящих нитей из ионов серебра. Но внешне оба принципа одинаковы: в обоих случаях сопротивление ячейки изменяется и не теряет своих характеристик после снятия питания.

Реальный образец памяти RRAM (Crossbar)

Реальный образец памяти RRAM (Crossbar)

Добавим, компания Crossbar демонстрировала вполне работоспособные прототипы RRAM в 2013 и в 2014 годах. В данном случае она приступила к следующему этапу своего плана — к лицензированию технологии производства. Согласно испытаниям, массив памяти RRAM Crossbar в 20 раз быстрее NAND, в 20 раз экономичнее её по питанию и выдерживает в 10 раз больше циклов перезаписи. Единственное в чём RRAM может уступать NAND — это плотность записи. Опытные микросхемы RRAM Crossbar были ёмкостью до 4 Мбит. Ясность в этом вопросе может появиться после первого производственного анонса SMIC с использованием нового типа памяти. Ждём.

Китайские процессоры для массовых смартфонов готовы осваивать 28-нм нормы

Китайские компании Semiconductor Manufacturing International (SMIC) и Leadcore Technology совместно объявили о подготовке 28-нм техпроцесса с использованием HKMG-материалов для массового производства однокристальных сборок для смартфонов. Разработкой SoC занимается компания Leadcore Technology. Это имя нам хорошо известно по смартфонам компании Xiaomi.

Процессоры смартфонам компании Xiaomi

Процессоры Leadcore можно обнаружить в смартфонах компании Xiaomi

Процессоры Leadcore заслужили репутацию неплохого выбора для недорогих массовых решений. В настоящий момент компания Leadcore выпускает SoC с использованием 28-нм техпроцесса и поликристаллического кремния (PolySiON). Переход на HKMG-материалы — изоляторы с высоким значением диэлектрической константы и металлические затворы — позволит повысить производительность решений и (или) снизить потребление. Для крупнейшего китайского контрактного производителя чипов — компании SMIC, который будет обеспечивать производство — это будет настоящий прорыв.

Стоит отметить, что пока продукция Leadcore с использованием 28-нм норм и HKMG-материалов на линиях SMIC прошла лишь этап проверки на опытных экземплярах. Массовое производство по этим нормам и с этими материалами стартует только к концу текущего года. Компания SMIC, как мы отмечали ранее, не ограничена в денежных средствах на совершенствование производства. Она пользуется деньгами государственных фондов Китая в рамках национальной стратегии «Made in China 2025». Компания Leadcore, как стало известно, тоже планирует работать с привлечением средств в рамках данной стратегии.

Интересно, что компания SMIC при разработке «национального» 28-нм HKMG-техпроцесса получила значительную технологическую помощь со стороны компании Qualcomm. Компания Qualcomm также имеет виды на загрузку линий китайского контрактника своими заказами. Тем самым она фактически своими руками создаёт почву для взращивания конкурентов о чём, со временем, наверняка будет жалеть.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥