⇣ Содержание
Опрос
|
реклама
Самое интересное в новостях
Обзор памяти G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL14 2x16 Гбайт: лучший комплект для Ryzen 5000
Комплект памяти G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN ориентирован на работу в системах на процессорах AMD, поэтому его тестирование проходило в системе, построенной на процессоре Ryzen 7 5800X. Проводить тесты этой памяти в системе с процессором Intel мы не стали, но не только потому, что так не рекомендует делать производитель. Дело ещё и в том, что рассматриваемая память рассчитана на работу при высоком напряжении 1,45 В, которое, согласно имеющимся данным, может при длительной работе вызвать деградацию встроенного контроллера памяти процессоров Intel. У процессоров AMD такой проблемы не существует, и по этой причине комплект F4-3600C14D-32GTZN имеет явную ориентацию на «красные» системы. Для сравнения вместе с G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN в тестах приняла участие память Crucial Ballistix RGB DDR4-3600 BL2K16G36C16U4BL, которая представляет «другой лагерь» – DDR4 SDRAM, основанную на чипах Micron Rev. E. Модули на базе чипов Micron стоят заметно дешевле и пользуются заслуженной популярностью, поэтому сравнить G.Skill Trident Z Neo с такой альтернативой будет совсем не лишним. Состав тестовой системы:
Тестирование выполнялось в операционной системе Microsoft Windows 10 Pro 20H2 Build 19042.572 с использованием следующего комплекта драйверов:
Описание использовавшихся для измерения вычислительной производительности инструментов: Синтетические бенчмарки:
Приложения:
Игры:
Во всех игровых тестах в качестве результатов приводится среднее количество кадров в секунду, а также 0,01-квантиль (первая перцентиль) для значений FPS. Использование 0,01-квантиля вместо показателей минимального FPS обусловлено стремлением очистить результаты от случайных всплесков производительности, которые были спровоцированы не связанными напрямую с работой основных компонентов платформы причинами. Для оверклокерских модулей памяти, тем более таких, как дорогая память G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN, важны не только хорошие номинальные параметры, но и возможность их дополнительного улучшения. С этой точки зрения рассматриваемый комплект выглядит очень многообещающе, потому что он основывается на чипах Samsung B-die, которые могут покорять режимы, недоступные для других чипов. И ожидания не были обмануты. С использованием штатного для комплекта F4-3600C14D-32GTZN напряжения 1,45 В мы смогли добиться успеха сразу по трём направлениям. Во-первых, в номинальном режиме DDR4-3600 тайминги могут быть существенно улучшены относительно заявленных в спецификациях. Во-вторых, рассматриваемая память вполне успешно может работать и как DDR4-3800 – то есть в наилучшем с точки зрения производительности режиме контроллера памяти процессоров Ryzen 5000. И в-третьих, при сохранении довольно низких задержек данная память может работать и в режиме DDR4-4000, пусть в этом пока и нет практического смысла. В штатном для комплекта F4-3600C14D-32GTZN режиме тайминги могут быть существенно понижены. Особенно это касается вторичных таймингов: в результате оптимизации удаётся получить следующую производительность. Обратите внимание: без увеличения частоты работы памяти и при сохранении задержки CAS Latency в номинальном значении 14 практическая латентность снижается на дополнительные 3 нс. Это наглядный аргумент в пользу того, что тайминги лучше настраивать вручную (на скриншоте можно увидеть их подобранные значения). Режим DDR4-3800 считается для процессоров Ryzen 5000 оптимальным. Дело в том, что это – максимальный режим, в котором возможно синхронная работа памяти и шины Infinity Fabric. Единственное, при активации такого режима не стоит забывать о необходимости вручную выставить управляющую Infinity Fabric частоту FCLK в 1900 МГц – автоматически материнские платы этого не делают. Подбор таймингов комплекта F4-3600C14D-32GTZN в этом режиме приводит к необходимости ослабить первичные задержки, в первую очередь CAS Latency до 16, однако в конечном итоге это всё равно приносит прирост производительности, в чём можно убедиться по скриншоту. Путём повышения частоты работы памяти в синхронном с Infinity Fabric режиме нам удалось отвоевать дополнительную наносекунду в практической латентности и заметный рост в показателях практической пропускной способности. В целом же очевидно, что рассматриваемый комплект памяти G.Skill Trident Z Neo выгодно отличается от огромного числа альтернатив своей гибкостью в настройках и способностью работы при весьма агрессивных таймингах, которые доступны только памяти на базе отборных чипов Samsung B-die. Для того чтобы разгонять память в платформе AMD до частот выше 3800 МГц, требуется использовать асинхронный режим работы контроллера памяти и Infinity Fabric. Это влечёт за собой возникновение ощутимого штрафа в быстродействии, поэтому на практике режимы вроде DDR4-4000 и выше не имеют большого смысла. Однако комплект памяти F4-3600C14D-32GTZN может работать как DDR4-4000 при довольно неплохих таймингах, например при CAS Latency 16, поэтому мы попробовали и такой вариант. Производительность подсистемы памяти оказалась довольно унылой, практическая латентность по сравнению с вариантом DDR4-3800 увеличилась почти на 8 нс. Очевидно, пользоваться таким режимом работы не стоит, по крайней мере до тех пор, пока AMD не реализует возможность разгона шины Infinity Fabric до 2000 МГц, которую она пообещала в момент анонса процессоров Ryzen 5000. Зато если Infinity Fabric всё-таки заработает на такой частоте, комплект F4-3600C14D-32GTZN окажется вполне подходящим вариантом, несмотря на то, что спецификация не предполагает возможности эксплуатации этой памяти в режиме DDR4-4000. В практических тестах мы сосредоточились на том, чтобы показать преимущества рассматриваемого комплекта в сравнении с более дешёвой памятью, в частности основанной на популярных в сообществе чипах Micron Rev. E. Для этого быстродействие системы, в которой устанавливался рассматриваемый комплект G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN, сравнивалось с быстродействием аналогичной конфигурации с памятью Crucial Ballistix RGB DDR4-3600 BL2K16G36C16U4BL. В обоих случаях выбирались варианты настройки таймингов памяти как в автоматическом режиме (по XMP), так и при подборе их вручную (см. предыдущий раздел). В первую очередь – результаты синтетического теста AIDA64 Cachemem. По ним можно составить предварительное впечатление о том, что дают агрессивные настройки, которые может вытерпеть память G.Skill Trident Z Neo. И интересно тут вот что: если использовать автоматическое конфигурирование параметров подсистемы памяти, то между комплектами G.Skill и Crucial нет никакой особой разницы. Память Trident Z Neo обеспечивает немного лучшую практическую латентность, да и только. Но если позаниматься настройкой в ручном режиме, то она может предоставить гораздо больше свободы. Вместе с тем, что чипы Samsung B-die дают доступ к более низким задержкам tCL, tRCD и tRP, они также позволяют минимизировать тайминги tWR, tRC и tRFC, что в конечном итоге выливается и в прибавку в практической пропускной способности, и в дополнительное снижение практической латентности. Поэтому при ручном конфигурировании комплект памяти G.Skill выглядит явно предпочтительнее. Дополнительный прирост производительности подсистемы памяти с модулями G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN можно получить, если перевести их в режим DDR4-3800 при синхронной работе с шиной Infinity Fabric, которая в процессорах Ryzen используется для связи контроллера памяти с вычислительными ядрами. В этом случае увеличиваются скорости чтения и записи в память. При этом преимущества памяти с более агрессивными настройками таймингов прослеживаются не только в синтетических тестах. Выигрыш хорошо заметен и во многих реальных приложениях, которые ворочают большими объёмами данных. Однако есть нюанс. Если использовать настройки задержек по умолчанию, которые выставляет материнская плата, исходя из информации XMP, то на практике существенных отличий в производительности разных комплектов памяти не так-то много. Зато если заняться ручным конфигурированием настроек, то оказывается, что комплект G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN имеет гораздо больший потенциал: правильным подбором величин таймингов можно получить прирост быстродействия на уровне нескольких процентов. При таком подходе память на отборных чипах Samsung B-die, безусловно, интереснее. Комплект Crucial Ballistix тоже можно оптимизировать подобным образом, но разница будет не так заметна. Подобным образом память G.Skill проявляет себя и в играх. По таймингам её можно настроить агрессивнее, чем альтернативные варианты, и в конечном итоге система с такими модулями будет выдавать лучшую частоту кадров. Причём тесты явно показывают, что оверклокерская память различается по своим свойствам. Комплект Trident Z Neo после настройки даёт более высокую производительность, чем память Crucial Ballistix. И это несмотря на то, что речь идёт о сравнении качественной оверклокерской DDR4-3600 разных марок, а вовсе не о том, что память G.Skill лучше «обычной зелёной DDR4» (что вряд ли кто-то станет подвергать сомнению). В финале тестирования хотелось бы обратить внимание на тот факт, что, несмотря на высокое рабочее напряжение 1,45 В, комплект G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN не подвержен какому-то вопиющему нагреву. В процессе тестов на стабильность, например в том же TestMem5, температура модулей по встроенным в них датчикам не превышала 65 градусов. Толстые алюминиевые теплораспределительные пластины, которыми G.Skill наделила свои планки памяти, очень достойно справляются со своей основной задачей – охлаждением чипов. Максимальная температура, которая была зафиксирована на их поверхности при выполнении тестов, составила 55 градусов. В серии Trident Z компания G.Skill всегда предлагала память, соответствующую повышенным оверклокерским стандартам: не только без проблем берущую заявленные характеристики, но и обладающую существенным запасом прочности для ручного разгона. Протестированные сегодня модули, входящие в комплект G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN, именно такие. Невзирая на то, что для них номинальным является режим DDR4-3600, они разгоняются по частоте и допускают существенное снижение таймингов, что в конечном итоге выливается в дополнительный прирост производительности. Фактически нам удалось выяснить, что эта память отлично функционирует не только как DDR4-3600, но и как DDR4-3800, обеспечивая в обоих случаях отличный уровень быстродействия системы. Нельзя отрицать, что модули G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN стоят довольно дорого даже на фоне иной оверклокерской памяти. Но на то есть веская причина: в них применена лучшая на данный момент компонентная база – отборные чипы Samsung B-die, что уже само по себе делает их уникальными. И действительно, на рынке представлено совсем немного комплектов оверклокерской памяти, для которых гарантируется работоспособность в режиме DDR4-3600 при CAS Latency 14, и F4-3600C14D-32GTZN – как раз один из них. Но это не единственное его преимущество. Нельзя не упомянуть, что память G.Skill Trident Z Neo может похвастать привлекательным внешним видом и конфигурируемой и ненавязчивой RGB-подсветкой, за счёт чего она отлично вписывается в интерьер практически любой сборки. Всё это вместе делает новые комплекты G.Skill Trident Z Neo вроде рассмотренного в этой статье отличным выбором для энтузиастов, которые захотят выжать максимум из систем, построенных на базе процессоров AMD. Почему именно AMD? Всё очень просто – серия G.Skill Trident Z Neo оптимизирована для работы с Ryzen, и, более того, комплект Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN был выпущен конкретно для последнего семейства Ryzen 5000. В этом исследовании мы подтвердили, что такая память после настройки действительно хорошо подходит для носителей архитектуры Zen 3 и отлично раскрывает их потенциал. Но также необходимо напомнить, что в ассортименте G.Skill есть и другие, похожие варианты с той же ориентацией, нацеленные на работу в режимах DDR4-3800 и DDR4-4000.
⇣ Содержание
Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
|