Компания Thermaltake анонсировала новый набор оперативной памяти Toughram RGB стандарта DDR4, предназначенный для настольных компьютеров игрового класса.

В состав нового комплекта входят два модуля ёмкостью 8 Гбайт каждый. Таким образом, суммарный объём составляет 16 Гбайт. Говорится о совместимости с аппаратными платформами Intel Z490 и AMD X570.

Модули функционируют на частоте 4600 МГц при напряжении 1,5 В. Поддержка оверклокерских профилей Intel XMP 2.0 облегчит подбор настроек подсистемы оперативной памяти в UEFI.

Изделия наделены охлаждающим радиатором, для которого предусмотрены два варианта цветового исполнения — белый и чёрный. На память предоставляется пожизненная гарантия.

В верхней части модулей имеется яркая многоцветная подсветка. Управлять её работой можно через материнскую плату с технологией ASUS Aura Sync, GIGABYTE RGB Fusion, MSI Mystic Light Sync или ASRock Polychrome Sync. Упомянуты совместимость с экосистемой TT RGB PLUS и поддержка голосового помощника Amazon Alexa.

Информации об ориентировочной цене набора Toughram RGB DDR4-4600 на 16 Гбайт пока нет. 

Компания G.Skill International Enterprise сообщила о том, что её модули оперативной памяти Trident Z Royal стандарта DDR4 способны функционировать на частоте до 5000 МГц в составе систем на основе материнских плат с набором логики Intel Z490.

В тестах, в частности, использовались платы ASUS ROG Maximus XII Formula, ASUS ROG Maximus XII Apex, ASUS ROG Maximus XII Extreme, ASRock Z490 Aqua и MSI MEG Z490 Godlike. При этом применялись процессоры Core i7-10700K и Core i9-10900K поколения Comet Lake.

При использовании двух модулей ёмкостью 32 Гбайт каждый (комплект на 64 Гбайт) память функционировала в режиме DDR4-4400. Тайминги при этом составили CL19-26-26-46.

В случае двух модулей ёмкостью 16 Гбайт каждый (32 Гбайт в сумме) был также задействован режим DDR4-4400, но с меньшими задержками — CL17-18-18-38.

Нажмите для увеличения

Что касается режима DDR4-5000, то он продемонстрирован для наборов 2 × 8 Гбайт и 2 × 16 Гбайт суммарной ёмкостью соответственно 16 и 32 Гбайт. В обоих случае CAS-латентность составила CL19-26-26-46.

О том, когда такие комплекты оперативной памяти Trident Z Royal поступят в продажу, ничего не сообщается. 

Подготовка обзоров нового десятиядерного процессора Intel Core i9-10900K — это лишь часть работы, проделанной доверенными энтузиастами. Многие из них получили процессоры этой модели заранее, чтобы испытать новинку в разгоне. Впечатляющих результатов удалось добиться в разгоне оперативной памяти.

Источник изображения: HWBot, Bianbao

Сразу оговоримся, что экстремальный разгон оперативной памяти — дисциплина довольно специфическая. Обычно используется единственный модуль памяти не самого большого объёма, на него водружается специальный резервуар для жидкого азота, а сам центральный процессор при этом может работать на умеренной частоте. Энтузиасту с псевдонимом Bianbao покорился режим DDR4-6665 при значении таймингов 31-63-63-63-3 в одноканальном режиме, поскольку использовался единственный модуль памяти объёмом 8 Гбайт марки G.Skill с артикулом F4-4000C18-8GTRG.

Примечательно, что сам процессор Core i9-10900K в это время использовал только два активных ядра из десяти, но не отказался при этом от Hyper-Threading. В основу испытательного стенда легла материнская плата ASUS ROG Maximus XII Apex на базе чипсета Intel Z490, этот факт наверняка в скором времени будет отмечен корпоративным пресс-релизом. В отличие от многих обозревателей, оверклокеры получили инженерные образцы Core i9-10900K, а не серийные экземпляры процессоров.

Источник изображения: CPU-Z, Elmor

Строго говоря, в статистике разгона памяти DDR4 по версии HWBot сейчас всего четыре результата выше DDR4-6000, и три верхние позиции заняты системами на базе представленного недавно десятиядерного Intel Core i9-10900K. На четвёртом месте ютится Core i9-9900K, но пятое с очень близким к DDR4-6000 результатом досталось системе на базе процессора AMD Ryzen 9 3900X, и датирован рекорд началом мая.

Если говорить о способности процессора Intel Core i9-10900K достигать максимальной частоты под жидким азотом, то на момент подготовки материала к публикации рекорд в модельном зачёте соответствует значению 7708 МГц при активности всех десяти ядер и Hyper-Threading. На такой частоте процессор не может осуществлять какие-либо расчёты. Для достижения стабильности под нагрузкой частоту нужно опустить хотя бы на 200 МГц. Новый процессор с десятью ядрами не смог далеко уйти от Core i9-9900K, который в аналогичных условиях разгонялся до 7613 МГц, но это вполне закономерно, ведь техпроцесс остался 14-нм.

Компания Antec выпустила модули оперативной памяти Katana 7 Series стандарта DDR4, образцы которых демонстрировались около года назад на выставке Computex 2019. Изделия предназначены для использования в игровых настольных компьютерах.

Новые модули получили необычный дизайн, навеянный формой катаны — длинной японской сабли. Силуэт клинка угадывается в верхней части изделий. Новинки оснащены алюминиевым радиатором для отвода тепла. В верхней части имеется эффектная ARGB-подсветка, контролировать работу которой можно через материнскую плату с поддержкой технологии ASUS Aura Sync, MSI Mystic Light Sync или ASRock Polychrome Sync.

В серии Antec Katana DDR4 доступны модули с частотой 3200 и 3600 МГц. В первом случае тайминги составляют 16-18-18-38, во втором — 18-20-20-44. Напряжение питания несколько выше стандартного и равно 1,35 В.

Реализована поддержка оверклокерских профилей Intel XMP 2.0. На память предоставляется пожизненная гарантия.

Покупателям будут предлагаться комплекты Antec Katana DDR4-3200 и DDR4-3600 суммарной ёмкостью 16 Гбайт в конфигурации 2 × 8 Гбайт. Цена пока не раскрывается. 

Компания HP предложит пользователям, собирающим игровую настольную систему, эффектные модули оперативной памяти V8 RGB стандарта DDR4, сообщают сетевые источники.

Покупателям будут доступны изделия ёмкостью 8 и 16 Гбайт. Частота может составлять 3000, 3200, 3466 и 3600 МГц. При этом напряжение питания у всех модулей немного выше стандартного и равно 1,35 В.

Новинки выделяются агрессивным дизайном охлаждающего радиатора. В верхней части имеется секция многоцветной адресуемой подсветки. Контролировать её работу можно через совместимую материнскую плату с технологией ASUS Aura Sync, GIGABYTE RGB Fusion, MSI Mystic Light Sync или ASRock Polychrome Sync.

Размеры модулей составляют 148 × 38,9 × 8,5 мм, вес — 58 г. Заявленный диапазон рабочих температур — от 0 до 85 градусов Цельсия.

На текущий момент это вся доступная информация об изделиях серии HP V8 RGB. Новинки будут предлагаться в качестве отдельных модулей, но цена пока не называется. 

Компания Patriot расширяет ассортимент комплектов модулей памяти для игровых систем, выпускаемых под брендом Viper Gaming. Серию модулей Viper 4 Blackout пополнили двухканальные комплекты повышенной ёмкости, состоящие из 32-Гбайт модулей.

Всего было представлено три комплекта, каждый из которых состоит из двух модулей по 32 Гбайт, то есть суммарной ёмкостью 64 Гбайт. Доступны наборы с эффективными частотами 3000, 3200 и 3600 МГц. Для первых двух заявлены тайминги CL16-18-18-36, тогда как у наиболее скоростных модулей латентность составляет CL18-20-20-40.

Новинки оснащены сравнительно небольшими алюминиевыми радиаторами чёрного цвета без какой-либо пресловутой подсветки. Рабочее напряжение 32-Гбайт модулей Viper 4 Blackout составляет 1,35 В. Имеется у новинок и поддержка профилей XMP 2.0 для разгона. Кроме того, производитель отмечает, что модули Viper 4 Blackout проходят всестороннее тестирование на совместимость с актуальными настольными процессорами Intel и AMD.

Комплекты модулей памяти Viper 4 Blackout из двух 32-Гбайт модулей уже поступили в продажу в США по цене от $285 до $310 в зависимости от частоты.

Компания GeIL представила новый набор модулей оперативной памяти SO-DIMM DDR4, предназначенный для использования в портативных компьютерах на процессорах AMD и Intel последних поколений.

Комплект включает два модуля ёмкостью 32 Гбайт каждый: таким образом, суммарный объём составляет 64 Гбайт. Иными словами, набор ориентирован на ноутбуки топового уровня.

Частота модулей составляет 3200 МГц. Память функционирует при напряжении питания 1,2 В. Тайминги — 22-22-22-52.

Доступны также комплекты GeIL SO-DIMM DDR4 суммарной ёмкостью 64 Гбайт с частотой 2933 и 2666 МГц. В первом случае тайминги составляют 21-21-21-48, во втором — 19-19-19-43.

Говорится о совместимости с процессорами Intel Core десятого поколения и с чипами AMD Ryzen 4000. На память предоставляется пожизненная гарантия.

Информации об ориентировочной цене новых наборов на данный момент нет. 

Компания Zadak анонсировала модули оперативной памяти Twist DDR4, подходящие для использования в компьютерах с ограниченным пространством внутри корпуса.

Изделия имеют низкопрофильное исполнение: высота составляет 35 мм. За охлаждение отвечает радиатор из алюминиевого сплава, выполненный в серо-чёрном цвете.

В семейство Twist DDR4 вошли модули с частотой 2666, 3000, 3200, 3600, 4000 и 4133 МГц. Напряжение питания варьируется от 1,2 до 1,4 В.

Покупатели смогут выбирать между отдельными модулями ёмкостью 8, 16 и 32 Гбайт, а также между комплектами из двух, четырёх и восьми штук суммарным объёмом от 16 до 256 Гбайт.

Реализована поддержка оверклокерских профилей Intel XMP 2.0, что облегчит подбор настроек подсистемы оперативной памяти в UEFI. На изделия Twist DDR4 предоставляется пожизненная гарантия.

С основными характеристиками модулей, включая тайминги, можно ознакомиться в следующей таблице: 

Компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), ранее известная как Innotron, готовится начать производство динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) с использованием технологического процесса 17 нм (10G3). Новая технология использует ряд инноваций и позволит компании как увеличить возможности своей памяти, так и расширить её ассортимент.

CXMT начала производство 4-Гбит и 8-Гбит микросхем памяти типа DDR4 на своей фабрике около города Хэфэй (провинция Аньхой, КНР) в сентябре прошлого года. В настоящее время компания использует технологический процесс 19 нм (10G1), который по многом опирается на технологии и интеллектуальную собственность компании Qimonda. Некоторое время назад, по мере освоения 10G1 и повышения уровня выхода годных чипов, CXMT начала использовать её для производства памяти LPDDR4X.

Согласно сообщению сайта DigiTimes, китайская компания завершила разработку технологического процесса 17 нм (10G3) и готовится начать его использование для изготовления памяти во второй половине этого года. Более того, первые 17-нм микросхемы CXMT также планируется отгрузить в 2020 году. Источник не сообщает, какие микросхемы памяти будут производиться по технологии 17 нм изначально, но из ранних сообщений мы знаем, что 10G3 разрабатывалась с прицелом на DDR4, DDR5, LPDDR4X и LPDDR5.

Новый техпроцесс 10G3 продолжит полагаться на иммерсионную фотолитографию, но будет использовать новые конденсаторы, а также толстый алюминиевый редистрибутивный слой (redistributive layer, RDL), который требуется для создания многослойных 2.5D и 3D микросхем. Последние используются как в мобильных устройствах, так и для серверных модулей памяти. При этом, следующее поколение технологии CXMT, 10G5, задействует HKMG диэлектрики (high-k metal gate), а также воздушные зазоры (air-gap), что благоприятно скажется на частотном потенциале будущих микросхем памяти.

В настоящее время власти Китая вкладывают значительные средства в различные высокотехнологичные компании в рамках проекта «Сделано в Китае 2025». Поскольку Китай потребляет около половины мирового объёма DRAM, развитие собственной индустрии имеет огромный смысл для этой страны. Будучи лишь одним из производителей DRAM в КНР, CXMT является самым успешным китайским изготовителем памяти.

Основанная в 2016 году, компания уже построила свой первый производственный комплекс с площадью «чистой» комнаты 65000 м², чья производительность к концу 2020 года должна увеличиться до 120 тысяч пластин диаметром 300 мм, что сравнимо с производительностью фабрики SK Hynix около Уси (провинция Цзянсу, КНР).

Компания Thermaltake представила новые модули оперативной памяти Toughram Z-One стандарта DDR4, предназначенные для установки в настольные компьютеры игрового класса.

Анонсированы изделия с частотой 3200 и 3600 МГц. Напряжение питания в обоих случаях составляет 1,35 В. Модули будут предлагаться в комплектах из двух штук суммарной ёмкостью 16 Гбайт (2 × 8 Гбайт).

Говорится о совместимости с аппаратными платформами Intel X299, 300, 200 и 100 Series, а также AMD X570. Реализована поддержка оверклокерских профилей Intel XMP 2.0.

Новые модули наделены алюминиевым радиатором охлаждения. Встроенная подсветка не предусмотрена. Говорится о применении исключительно высококачественных компонентов.

Сопутствующее программное обеспечение Toughram Software позволяет осуществлять мониторинг работы памяти: отслеживать текущую температуру модулей, частоту и другие показатели.

На изделия предоставляется пожизненная гарантия. Цену новинок компания Thermaltake, к сожалению, пока не уточняет. 

Компания ADATA Technology представила под маркой XPG модули оперативной памяти Spectrix D50 DDR4 RGB, рассчитанные на применение в настольных компьютерах игрового уровня.

В семейство входят изделия с частотой от 3000 до 4800 МГц. Напряжение питания составляет 1,35 или 1,4 В. Ёмкость варьируется от 8 Гбайт до 32 Гбайт.

Модули памяти оборудованы охлаждающим радиатором и многоцветной RGB-подсветкой. Последняя может функционировать в режимах Static, Breathing и Comet, а также синхронизироваться с воспроизводимой в текущий момент музыкой.

Разработчик говорит о совместимости с новейшими аппаратными платформами AMD и Intel. Реализована поддержка оверклокерских профилей Intel XMP 2.0, что облегчит подбор настроек подсистемы оперативной памяти в UEFI.

Продажи изделий с частотой 4800 МГц и 4600 МГц, а также модулей ёмкостью 32 Гбайт начнутся в мае. Все другие модификации станут доступны в текущем месяце.

Цена новинок пока не раскрывается. Дополнительную информацию о памяти ADATA XPG Spectrix D50 DDR4 RGB можно найти на этой странице. 

Поскольку конкуренты и партнёры всё чаще подталкивают к производству микросхем памяти типа DDR5, южнокорейская компания SK Hynix не смогла долго молчать о своих инициативах в этой сфере. Она начинает серийный выпуск DDR5 в этом году, а в перспективе рассчитывает покорить рубеж DDR5-8400.

Источник изображения: SK Hynix

SK Hynix на страницах корпоративного сайта не без гордости напомнила, что ещё в ноябре 2018 года разработала микросхему DDR5 на 16 Гбит, и её позже сертифицировал комитет JEDEC. В свежей публикации компания поведала о преимуществах и некоторых характеристиках памяти типа DDR5, которую она начнёт серийно выпускать в текущем году.

Источник изображения: SK Hynix

При проектировании SK Hynix закладывала достижение режима DDR5-4800, как минимум, но сам стандарт позволит компании создавать память до DDR5-8400 включительно. Существенное увеличение пропускной способности станет не единственным преимуществом памяти типа DDR5. Количество банков памяти будет увеличено с 16 до 32 штук. За одну передачу будет осуществляться до шестнадцати операций чтения-записи вместо прежних восьми. Функция Same Bank Refresh позволит системе сохранять доступ к остальным банкам памяти в момент, когда один из них обновляет содержимое. Наконец, будет внедрена функция коррекции ошибок непосредственно на уровне кристалла, а также функция подавления помех.

Номинальное напряжение будет снижено с 1,2 В до 1,1 В, что ожидаемо позволит снизить удельное энергопотребление на величину до 20 % в пересчёте на пропускную способность по сравнению с DDR4. Компания SK Hynix начнёт выпуск микросхем DDR5 ёмкостью 16 Гбит по литографической технологии 10-нм класса. Со временем она предложит монолитные кристаллы DDR5 на 24 Гбит. По прогнозам IDC, уже в 2021 году 22 % спроса будут приходиться на память типа DDR5, а через год показатель вырастет до 43 %.

Компания Team Group объявила о том, что теперь в сериях модулей оперативной памяти T-Force Vulcan Z и T-Force Dark Z будут доступны модули DDR4 ёмкостью 32 Гбайт. Новые модули ориентированы в первую очередь на рабочие системы, требующие большие объёмы памяти, например, для обработки видео или работы с 3D-графикой.

В серии T-Force Vulcan Z будут доступны как одиночные модули на 32 Гбайт, так и двухканальные комплекты общим объёмом 64 Гбайт. В обоих случаях будет предлагаться память с тактовыми частотами 2666 и 3000 МГц. В свою очередь в серии T-Force Dark Z будет представлен лишь комплект из двух 32-Гбайт модулей с тактовой частотой 3000 МГц.

Как и все другие модули памяти серий T-Force Vulcan Z и Dark Z, новинки оснащаются алюминиевыми радиаторами. В первом случае это относительно компактные охладители, с которыми высота модуля составляет 32 мм, а во втором — более массивные, с которыми высота модуля достигает 43,5 мм. Рабочее напряжение модулей памяти составляет 1,2 или 1,35 В в зависимости от тактовых частот.

Производитель отмечает, что модули памяти T-Force Vulcan Z и Dark Z проходят всестороннее тестирования и способны стабильно работать со всеми потребительскими платформами AMD и Intel, поддерживающими модули DDR4. Также тут есть поддержка оверклокерских профилей XMP 2.0. Производитель предоставляет на модули пожизненную гарантию.

К сожалению, ни стоимость, ни дата начала продаж комплектов и отдельных модулей памяти Team Group T-Force Vulcan Z и T-Force Dark Z на 32 Гбайт пока что не сообщаются.

Пять лет назад была обнаружена опасная уязвимость в микросхемах и модулях оперативной памяти. Это атака Rowhammer на ячейки с записанными данными, которая открывала хакерам доступ к системе. За прошедшие годы была придумана технология защиты от Rowhammer. Считалось, что память DDR4 и LPDDR4 неуязвима к данному виду атаки. Оказалось, что уязвимость осталась и её не так просто ликвидировать.

Группа VUSec по системам и сетевой безопасности в университете VU Amsterdam опубликовала исследование, в котором развенчивается миф об устойчивости памяти DDR4 а атакам вида Rowhammer. Этот вид атаки стал возможен после того, как техпроцесс производства оперативной памяти преодолел отметку 40 нм.

Чем ниже технологические нормы, тем плотнее располагаются ячейки памяти и заряды в ячейках (биты). Злоумышленник, атакуя с высокой скоростью чтения-записи определённые ячейки (ряды) памяти, вызывает переключение состояния в сопредельных ячейках, куда запись непосредственно командами не осуществляется. Тем самым происходит запись зловредного кода в память с последующим его исполнением или, что проще, вызывается отказ в обслуживании системы, а также несанкционированное повышение привилегий.

Для смягчения и устранения угрозы Rowhammer была придумана технология Target Row Refresh (TRR). Точнее, это общее название для комплексной защиты от Rowhammer. Производители памяти вольны сами выбирать подход, который защищает их память от данной уязвимости. Например, с этой уязвимостью справляется увеличение частоты обновления данных в памяти или включение ECC.

Свежая проверка 42 модулей памяти от нескольких компаний показала, что модули с включённой защитой TRR защищают от известных методов Rowhammer. Вот только исследователи VUSec создали алгоритм обхода TRR, после применения которого 13 из 42 модулей удалось успешно взломать.

Новая технология проведения атаки Rowhammer названа TRRespass (обход TRR). Найти пути обхода защиты исследователям помогли специалисты из Высшей технической школы Цюриха (ETH Zurich), которые предоставили исследователям всю инфраструктуру памяти в виде матрицы ПЛИС. После детального изучения механизмов работы памяти и интерфейсов исследователи создали программный инструмент для атаки по принципу фаззинга. Метод фаззинга используется при автоматическом тестировании программ. На вход подаются часто случайные данные, после чего анализируются выходные данные. Программа, а в данном случае модуль памяти, для исследователя остаётся «чёрным ящиком», знать о содержимом которого они не обязаны.

С помощью «guided black box fuzzer» исследователи обнаружили уязвимость к Rowhammer не только в модулях памяти, но также обнаружили возможность этой атаки на память в 5 моделях смартфонов: Google Pixel, Google Pixel 3, LG G7 ThinQ, OnePlus 7 и Samsung Galaxy S10e (G970F). Худшее время, необходимое для получения привилегий ядра, составляло три часа 15 минут, а лучшее ― 2,3 секунды. Также исследователи смогли подделать подпись доверенного ключа RSA-2048 за 39 минут (а лучшее время составило чуть больше минуты).

Компании Intel и AMD уже отреагировали на сообщение о новой технологии обхода уязвимости Rowhammer (CVE2020-10255). В Intel заявили, что эта уязвимость не относится к процессорам и является проблемой производителей модулей памяти. В AMD были менее разговорчивы и заявили, что контроллеры памяти в её процессорах выпускаются с использованием спецификаций JEDEC и они ничего знать не знают.

Данные берутся из публикации Обзор комплектов памяти Crucial Ballistix Sport AT и Sport LT DDR4-3200 2×16 Гбайт. Что лучше: 2 по 16 Гбайт или 4 по 8 Гбайт?