К выходу процессоров Intel Core-X девятого поколения компания G.Skill подготовила новые комплекты модулей оперативной памяти Trident Z и Trident Z RGB большого объёма с высокой рабочей частотой.

Новый комплект серии Trident Z RGB включает восемь модулей DDR4 DIMM объёмом 16 Гбайт каждый (128 Гбайт в сумме), которые способны работать с частотой 4000 МГц. Задержки модулей составляют CL19-19-19-39, а рабочее напряжение не превышает 1,35 В. Для подтверждения того, что новые модули способны работать с заявленными задержками и частотой, производитель опубликовал скриншот стресс-теста памяти в системе на базе платы ASUS Prime X299-Deluxe II и процессора Intel Core i7-9800X.

В свою очередь новый комплект семейства Trident Z включает восемь модулей по 8 Гбайт каждый, что в сумме даёт объём 64 Гбайт. Комплект способен работать с частотой 4266 МГц, при этом задержки составляют CL19-19-19-39, а рабочее напряжение равно 1,45 В. Здесь также производитель опубликовал скриншот со стресс-тестом в системе на той же плате, но с процессором Core i9-9920X.

Модули обоих комплектов построены на высокопроизводительных микросхемах памяти Samsung B-die. Имеется поддержка профилей Intel XMP 2.0. Производитель позиционирует новинки в качестве решения для бескомпромиссных, с точки зрения производительности, систем для работы с 3D-графикой, рендеринга и прочих профессиональных задач, требующих большого объёма скоростной памяти.

Комплекты модулей памяти Trident Z DDR4-4266 64 Гбайт и Trident Z RGB DDR4-4000 128 Гбайт поступят в продажу только в первом квартале будущего года. Стоимость их пока что не сообщается, но явно она будет совсем не маленькой, ведь даже комплект Trident Z на 128 Гбайт с частотой 3866 МГц сейчас стоит $2300.

На один год позже компании Samsung второй в мире по величине производитель памяти типа DRAM компания SK Hynix сообщила о завершении разработки микросхем DDR4 для производства с использованием второго поколения техпроцесса класса 10 нм. Как и её конкуренты, компания SK Hynix не приводит точную цифру технологических норм, с помощью которых она предполагает выпускать новую память. Техпроцесс скрывается под кодовым именем «1Ynm» и может быть как 18-нм, так и 17-нм, и 16-нм.

Для нас главное не «шашечки», а «ехать». Переход от техпроцесса класса 10 нм первого поколения ко второму обеспечивает возросший на 20 % выход продукции — кристаллов DRAM DDR4. Проще говоря, себестоимость производства DDR4 ещё немного снизится, а модули памяти могут стать немного дешевле. Не на 20 %, но на единицы процентов — это вполне реальный сценарий. Но произойдёт это уже в новом году. Массовые поставки чипов DRAM с использованием второго поколения 10-нм техпроцесса компания начнёт в первом квартале календарного 2019 года.

Первыми в производство попадут 8-Гбит чипы DDR4-3200. По словам производителя, это самая быстрая в настоящий момент память. Потребление памяти, тем не менее, за счёт уменьшения масштаба технологических норм последовательно снижено более чем на 15 %. Первыми новую память получат производители модулей памяти для серверов и персональных компьютеров. Впоследствии второе поколение производства 10-нм класса осчастливит другие области применения памяти, в частности — область мобильных устройств.

Уменьшение масштаба технологических норм заставило разработчика внести ощутимые изменения как в схемотехнику цепей питания и управления памятью, так и в структуру «помельчавших» транзисторов. Это неудивительно, каналы транзисторов становятся меньше, что снижает токовые характеристики этих полупроводниковых приборов.

Для снижения вероятности появления ошибок чтения и для поддержки стабильной работы памяти инженеры SK Hynix предложили 4-фазную схему тактового генератора и разработали новые и более чувствительные усилители для сигнальных цепей памяти. Собственно, эти улучшения позволили поднять скорость по одному контакту до 3200 Мбит/с с одновременным снижением потребления до 15 % и более.

Аналитики подразделения DRAMeXchange торговой площадки TrendForce отметили начало падения контрактных (оптовых) цен на микросхемы памяти типа DRAM и модули памяти DDR4. Рост контрактных цен на память наблюдался девять кварталов подряд, что привело к росту цен на оперативную память всех типов и, в конечном итоге, увеличило стоимость продукции с использованием памяти. Признаки улучшения ситуации начали проявляться с начала текущего года. Это выразилось в том, что спотовые цены — продажа памяти в виде мгновенных сделок — начали снижаться в первом квартале 2018 года. В сентябре эти тенденции также себя проявили, а уже в октябре снижаться начали контрактные цены, что открывает тенденцию к повсеместному снижению цен на память и продукцию.

Согласно наблюдению DRAMeXchange, в четвёртом квартале снижение средней цены продажи памяти по контрактам составит 10,14 % по сравнению с третьим кварталом этого же года. Говорить о таком снижении можно уверенно по той причине, что большинство договоров на поставку уже заключено. Это означает, что оптовая цена на 4-Гбайт модули DDR4 в среднем уменьшится с $34,5 до $31. Модули памяти объёмом 8 Гбайт упадут за квартал в цене на 10,29 % или с $68 до $61. Поскольку рынок памяти вошёл в состояние перепроизводства, аналитики не исключают, что в ноябре и декабре память станет ещё дешевле. Также специалисты ожидают более сильного падения цен на 8-Гбайт модули, чем на 4-Гбайт. Кстати, в 2019 году 8-Гбайт модули DDR4 станут для DRAMeXchange базовыми для оценки рыночных тенденций. Это отражает курс производителей на выпуск более плотных 8-Гбит микросхем DRAM.

Отчасти в перепроизводстве DRAM виновна компания Intel. Дефицит процессоров не позволяет производителям модулей памяти увеличить выпуск и продажу модулей. На них банально нет должного спроса — некуда ставить. Эта тенденция затронет всю вторую половину 2018 года и будет усугублена традиционно вялым спросом на комплектующие в первом квартале 2019 года. Иными словами, кризис перепроизводства памяти со всеми негативными для производителя последствиями только усилится. Эти же тенденции будут наблюдаться как в сегменте памяти для смартфонов, так и в серверном сегменте. В целом в 2019 году снижение цен на память в годовом сравнении обещает составить до 20 %. Чтобы этот сценарий не воплотился в жизнь или закончился «мягкой посадкой», производители памяти намерены сократить расходы на расширение производства для выпуска DRAM.

Samsung Electronics ранее в этом месяце продемонстрировала свой первый модуль памяти ёмкостью 256 Гбайт для серверов следующего поколения. Новый регистровый модуль памяти (Registered DIMM, RDIMM) базируется на 16-гигабитных микросхемах DDR4, представленных в начале этого года. Представленный RDIMM предложит более высокую производительность и низкое энергопотребление по сравнению с двумя 128- Гбайт модулями LRDIMM, которые применяются сегодня.

Регистровый модуль памяти DDR4 объёмом 256 Гбайт с поддержкой контроля чётности (error-correcting code, ECC) несёт 36 многослойных микросхем памяти ёмкостью 8 Гбайт (64 Гбит), а также микросхему-регистр IDT 4RCD0229K, которая буферизирует Add/Cmd сигналы для увеличения количества поддерживаемых каналом памяти рангов. Каждая из 36 микросхем базируется на четырёх 16-Гбит кристаллах, соединённых вертикальными сквозными соединениями типа TSV (through silicon via, TSV). С точки зрения архитектуры модуль Samsung объёмом 256 Гбайт является восьмиранговым, поскольку использует два физических и четыре логических ранга (с некоторой натяжкой можно сказать, что он представляет собой два четырёхранговых модуля). 

256-Гбайт модуль памяти Samsung. Фото сайта AnandTech

Интересно отметить, что Samsung предлагает восьмиранговый модуль в конструктивном исполнении RDIMM, а не LRDIMM. Последний тип модулей использует микросхему Isolation Memory Buffer (iMB) для буферизации как сигналов Cmd/Add, так и сигналов передачи данных (data), по сути, изолируя микросхемы памяти от контроллера, который «видит» исключительно iMB и переключается в режим последовательной/пакетной передачи данных для указанных сигналов. Таким образом LRDIMM обеспечивает возможность установки нескольких четырёх- или восьмиранговых модулей DRAM на один канал памяти. Разумеется, сама микросхема iMB потребляет энергию, а последовательный режим работы отрицательным образом сказывается на производительности.

Сервер на базе процессоров Cascade Lake. Фото сайта ServeTheHome

Следует помнить, что новейшие серверные платформы (AMD EPYC, Intel Xeon Scalable и другие) поддерживают до двух восьмиранговых модулей памяти на канал — при этом не поддерживая более двух модулей на канал в принципе — и не требуют использования LRDIMM для максимизации объёма памяти в сервере. Принимая во внимание, что 256-Гбайт модули едва ли будут использоваться в серверах предыдущих поколений, в Samsung приняли решение использовать более простую конструкцию RDIMM.

Серверы Dell

Что же можно сделать с модулями памяти ёмкостью 256 Гбайт? Выходящие вскоре процессоры Intel Xeon Scalable «Cascade Lake» поддерживают до 3,84 Тбайт памяти в 12 слотах DIMM, поэтому, установив 12 модулей объёмом 256-Гбайт каждый, сервер с двумя процессорными гнёздами может получить 3 Тбайт оперативной памяти. Существующие процессоры AMD EPYC официально поддерживают LRDIMM ёмкостью 128 Гбайт и до 2 Тбайт DRAM на одно гнездо, что логично, поскольку AMD пока не имела возможности проверить работоспособность 256-Гбайт модулей на своей платформе. Если в AMD ратифицируют поддержку указанных RDIMM для процессоров EPYC, то компания может обеспечить их работу в имеющихся машинах обновлением микрокода CPU, или же оставив их поддержку прерогативой выходящих в следующем году процессоров EPYC поколения Rome. В любом случае, модули объёмом 256 Гбайт дадут возможность установить до 8 Тбайт оперативной памяти в двухпроцессорный сервер на базе AMD EPYC.

Помимо более высокой производительности и низких задержек по сравнению с LRDIMM, один RDIMM ёмкостью 256 Гбайт будет потреблять значительно меньше энергии, чем пара 128-Гбайт модулей типа LRDIMM как вследствие того, что RDIMM не используют iMB, так и по причине использования 16-Гбит кристаллов, произведённых по технологии класса 10-нм (скорее всего, речь о 18 нм).

Серверы TYAN на базе процессоров AMD EPYC

Samsung не раскрывает точные спецификации своего модуля памяти объёмом 256 Гбайт, но не стоит ожидать, что его скорость передачи данных будет значительно выше, чем у применяемых сегодня модулей DDR4-2400 и DDR4-2667. Что касается времени доступности новых RDIMM на рынке, то всё будет зависеть от ратификации данного устройства разработчиками процессоров и производителями серверов, что займёт некоторое время. Кроме того, не стоит ожидать от Samsung публикации официального ценника на 256-Гбайт модули, поскольку они будут нацелены в первую очередь на производителей машин и операторов центров обработки данных. Впрочем, принимая во внимание, что Crucial продаёт свои модули объёмом 128 Гбайт по $3300 за одну штуку, можно легко предположить, что RDIMM вдвое большей ёмкости будет стоить значительно дороже.

В продуктовом семействе XPG компании ADATA Technology появились модули оперативной памяти Gammix D30, предназначенные для установки в игровые настольные компьютеры.

Утверждается, что решения производятся с применением исключительно качественных микрочипов, прошедших тщательный отбор. Это обеспечивает стабильность работы в условиях высоких нагрузок и долговечность.

В семействе XPG Gammix D30 представлены модули с частотой от 2666 до 4600 МГц. Напряжение питания в зависимости от модификации варьируется от 1,2 до 1,5 В. Тайминги не уточняются.

Новинки получили охлаждающий радиатор серого цвета с полупрозрачной красной или чёрной верхней частью. Агрессивный дизайн изделий подчёркивает их игровую направленность.

Говорится о совместимости с платформами Intel X299 и AMD AM4 / Ryzen. Реализована поддержка оверклокерских профилей XMP 2.0, что облегчит подбор настроек подсистемы оперативной памяти в UEFI.

В продажу модули поступят в ноябре в различных вариантах ёмкости. Цена пока, увы, не раскрывается. 

Гонконгский оверклокер с псевдонимом Hocayu установил новый рекорд разгона оперативной памяти DDR4, заставив её работать с частотой 5566 МГц. Данный результат уже был проверен и возглавил рейтинг HWBot.

В эксперименте использовался одиночный модуль оперативной памяти Trident Z RGB, который охлаждался с помощью жидкого азота. Тайминги памяти при разгоне составили CL24-31-31-63. Компанию модулю составил процессор Core i7-8700K, у которого для стабильной работы остались активными только два ядра, а его тактовая частота была понижена до 1,6 ГГц.

В основу стенда для разгона легла новая материнская плата ASUS ROG Maximux XI Gene на чипсете Intel Z390. Новые платформы нередко позволяют установить новые рекорды разгона за счёт различных оптимизаций и улучшений, внесённых разработчиками. Поэтому, возможно, в скором времени мы увидим и новые рекорды разгона памяти, достигнутые уже с помощью новых процессоров Coffee Lake Refresh.

В конце отметим, что частоты модулей оперативной памяти неуклонно повышаются. Модули DDR4 с частотой 3200 МГц уже можно считать минимумом для игровых систем. А в ближайшие годы на рынке должна появиться память стандарта DDR5, которая принесёт ещё больший частотный потенциал.

Компания Silicon Power (SP) анонсировала модули оперативной памяти Xpower AirCool и Xpower Turbine, рассчитанные на использование в составе игровых настольных компьютеров.

В обоих семействах представлены решения ёмкостью 8 Гбайт и 16 Гбайт. Новинки будут предлагаться в комплектах из двух штук суммарным объёмом соответственно 16 Гбайт и 32 Гбайт.

Silicon Power предложит покупателям модули с частотой 2666, 3200, 3600 и 4133 МГц. Тайминги — CL16(2666)/CL16(3200)/CL19(3600)/CL19(4133). Напряжение питания варьируется от 1,2 до 1,4 В.

Особенностью решений Xpower Turbine является наличие радиатора синего цвета с ребристой верхней частью и агрессивным дизайном.

Отмечается, что изделия выполнены с применением высококачественных чипов памяти. Все новинки обеспечиваются пожизненной гарантией.

Продажи модулей и комплектов Xpower AirCool и Xpower Turbine начнутся в ближайшее время. Цену разработчик пока, к сожалению, не уточняет. 

Данные берутся из публикации Обзор комплекта оперативной памяти Gigabyte AORUS RGB Memory DDR4-3200 16GB

Как мы знаем, основные инвестиционные усилия компания Tsinghua Unigroup тратит на создание в Китае мощного кластера по разработке и производству флеш-памяти 3D NAND. Тем не менее, о развитии производства памяти DRAM она тоже не забывает. Например, она является крупнейшим владельцем акций компании UniIC Semiconductors (дочка другого подразделения Tsinghua — компании Guoxin Micro). Компания UniIC Semi, как мы сообщали, в начале этого года приступила к выпуску на собственных мощностях чипов и модулей DDR4.

Приступить приступили, но денег и мощностей для налаживания массового производства у UniIC Semiconductors нет и не предвидится. Дело в том, что эта компания создана на базе опытного производства памяти в Китае обанкротившейся компании Qimonda. Это срочно надо исправить, решили в Tsinghua и поспособствовали передаче активов UniIC Semi в руки другого своего подразделения — компании Beijing Ziguang Storage Technology Co.

Активы и разработки UniIC Semiconductors перешли в собственность Beijing Ziguang Storage Technology за сумму в 220 млн юаней ($31,8 млн). Поскольку передача состоялась фактически в рамках одной компании, в UniIC Semi практически влили дополнительные деньги, которые пойдут на развитие национального производства памяти DRAM. Кроме UniIC память DRAM в Китае начинают выпускать или расширять производства компании Fujian Jinhua Integrated Circuit и Innotron Memory. Все они поспособствуют уменьшению зависимости Китая от иностранных производителей памяти.

Компания GIGABYTE анонсировала новый комплект оперативной памяти стандарта DDR4 для настольных компьютеров.

Набор включает два модуля ёмкостью 8 Гбайт каждый. Таким образом, суммарный объём составляет 16 Гбайт.

Память функционирует на частоте 2666 МГц при напряжении питания 1,2 В. Тайминги — 16-16-16-35. Габариты модулей составляют 133 × 32 × 7 мм.

Для отвода тепла от чипов памяти служит радиатор чёрного цвета. Говорится о совместимости с платформами Intel X299, 300, 200 Series и AMD X399, AM4 Series.

Реализована поддержка оверклокерских профилей Intel XMP 2.0, что облегчит подбор настроек подсистемы оперативной памяти в UEFI. Производитель обеспечивает изделия пожизненной гарантией.

Разработчик отмечает, что все модули оперативной памяти проходят тщательное тестирование. При этом представленные изделия не имеют бренда Aorus, под которым GIGABYTE выпускает продукты игрового класса. 

Бренд KLEVV официально представил комплекты оперативной памяти Cras X RGB и отдельные модули Bolt X, рассчитанные на использование в игровых настольных системах.

Марка KLEVV принадлежит компании Essencore, которая, в свою очередь, является дочерним предприятием SK Group. Весной этого года бренд KLEVV вышел на российский рынок.

Итак, сообщается, что в семейство Cras X RGB вошли наборы ёмкостью 16 Гбайт (2 × 8 Гбайт) и 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Частота может составлять 3200 МГц и 3466 МГц. Тайминги в первом случае — 16-18-18-38, во втором — 17-19-19-39. Память работает при напряжении 1,35 В.

Решения Cras X RGB, впервые показанные на выставке Computex 2018, снабжены многоцветной RGB-подсветкой. Говорится о совместимости с системами ASUS Aura Sync, ASRock Polychrome RGB, GIGABYTE RGB Fusion и MSI Mystic Light Sync.

Что касается модулей Bolt X, то они представлены в вариантах ёмкостью 4, 8 и 16 Гбайт. Частота составляет 2666 или 3200 МГц. Тайминги — 16-18-18-36 и 16-18-18-38 соответственно, напряжение питания — 1,2 и 1,35 В.

На все изделия предоставляется пожизненная гарантия. 

Компания G.SKILL International Enterprise продемонстрировала высокопроизводительные комплекты оперативной памяти DDR4, предназначенные для использования в системах с материнскими платами на наборе логики Intel Z390.

Представлены наборы DDR4-4800 CL19 и DDR4-4500 CL19. В первом случае суммарная ёмкость составляет 16 Гбайт (2 × 8 Гбайт), во втором — 32 Гбайт (4 × 8 Гбайт).

Отмечается, что в составе модулей применены качественные микрочипы Samsung. Изделия созданы для обеспечения максимальной производительности.

Новинки относятся к семейству Trident Z RGB. В верхней части модулей предусмотрена многоцветная RGB-подсветка. Для отвода тепла служит радиатор, выполненный в чёрном цвете.

Нажмите для увеличения

Комплекты памяти протестированы в составе систем на основе материнских плат ASUS ROG Maximus XI Gene и ASUS ROG Maximus XI Extreme.

О том, когда и по какой цене наборы DDR4-4800 CL19 и DDR4-4500 CL19 поступят в продажу, к сожалению, ничего не сообщается. 

Ещё до официального анонса материнских плат ASUS из утечек стало известно, что некоторые из них будут поддерживать необычные «двухэтажные» модули оперативной памяти Double Capacity (DC). Теперь же компания G.Skill официально представила такие модели, которые получили название Trident Z RGB DC.

Стандартный модуль оперативной памяти DDR4 UDIMM способен вместить до 16 микросхем памяти. Чтобы обойти это ограничение компания G.Skill совместно с ASUS разработала специальную печатную плату, которая способна уместить 32 микросхемы памяти. За счёт этого модули Trident Z RGB DC обладают объёмом 32 Гбайт, вместо стандартных 16 Гбайт.

Данные модули памяти совместимы только с материнскими платами ASUS ROG Z390 Maximus XI Apex, ROG Maximus XI Gene и ROG Strix Z390-I Gaming. Такое решение выглядит весьма логично, ведь эти платы обладают только двумя слотами DDR4 DIMM, но за счёт новых модулей Double Capacity они способны нести те же 64 Гбайт, что и платы с четырьмя слотами. Для того чтобы обеспечить поддержку новых модулей, на вышеуказанных материнских платах был переработан дизайн дорожек, ведущих к слотам памяти.

Компания G.Skill представила три комплекта Trident Z RGB DC, каждый из которых состоит из двух модулей объёмом по 32 Гбайт. Один из комплектов предлагает частоту 3000 МГц и задержки CL14-14-14-34. Два других обладают частотой 3200 МГц и задержками CL14-14-14-34 и CL14-15-15-35. Во всех случаях рабочее напряжение составляет 1,35 В. Модули поддерживают профили Intel XMP 2.0. Как нетрудно догадаться по названию, модули Trident Z RGB DC оснащены настраиваемой RGB-подсветкой.

Стоимость необычных комплектов оперативной памяти Trident Z RGB DC пока что не раскрывается, равно как и дата начала их продаж.

Компания Galax выпустила комплект оперативной памяти HOF Extreme OC Lab Edition стандарта DDR4 для мощных настольных компьютеров и систем игрового класса.

Память функционирует на частоте 4600 МГц при напряжении питания 1,5 В. Тайминги — CL 19-26-26-46. Поддерживается технология XMP 2.0, что облегчает разгон.

В набор включены два модуля ёмкостью 8 Гбайт каждый. Таким образом, суммарный объём входящих в комплект изделий равен 16 Гбайт.

Модули снабжены эффектным радиатором золотистого цвета. В верхней части этого охладителя красуются расположенные под углом рёбра, которые придадут системе более агрессивный вид. Понятно, что увидеть необычное исполнение модулей можно будет только в том случае, если компьютер выполнен в корпусе с окном или на основе шасси открытого типа.

Комплект Galax HOF Extreme OC Lab Edition DDR4-4600 (продуктовый код P-HOF4KXL1BST4600S19TC081CZGG) уже доступен для заказа по ориентировочной цене 500 долларов США. 

Компания Team Group представила под маркой T-Force новые модули оперативной памяти Xtreem стандарта DDR4, рассчитанные на использование в мощных игровых системах.

Анонсированы изделия с частотой 4300 МГц и 4500 МГц. Тайминги в первом случае — CL18-20-20-44, во втором — CL18-20-20-44. Напряжение питания в обоих случаях составляет 1,45 В.

Сообщается, что модули изготавливаются с применением высококачественных чипов Samsung. Новинки обеспечиваются пожизненной гарантией.

Реализована поддержка оверклокерских профилей Intel XMP 2.0, что облегчит подбор настроек подсистемы оперативной памяти в UEFI.

Предусмотрен алюминиевый радиатор чёрного цвета для улучшения отвода тепла при работе в условиях высоких нагрузок. Изделия имеют размеры 133,8 × 47,7 × 8,4 мм.

Память T-Force Xtreem DDR4-4300 и DDR4-4500 будет предлагаться в комплектах из двух модулей ёмкостью 8 Гбайт каждый. Цена — 325 и 390 долларов США соответственно.