Сегодня 02 ноября 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Intel намерена выпустить чип с 1 трлн транзисторов после 2030 года, но для этого нужны новые материалы и упаковка

Intel в рамках мероприятия IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2022 поделилась достижениями в области разработки и производства чипов, которые нужны для «поддержания закона Мура на пути к созданию чипа с триллионом транзисторов в следующем десятилетии». В частности, Intel рассказала о разработке новой 3D-упаковки, инновационных материалах для увеличения плотности транзисторов и свежих решениях для улучшения энергоэффективности и памяти в высокопроизводительных вычислениях.

«Спустя 75 лет с момента изобретения транзистора заложенные в основу закона Мура инновации продолжают удовлетворять экспоненциально растущий мировой спрос на компьютеры. На выставке IEDM 2022 Intel демонстрирует как перспективные, так и конкретные исследовательские достижения, необходимые для того, чтобы преодолеть существующие и будущие барьеры, удовлетворить ненасытный спрос и сохранить закон Мура в силе на долгие годы», — сказал Гэри Паттон (Gary Patton), вице-президент Intel и генеральный менеджер по исследованиям и проектированию компонентов.

На выставке IEDM 2022 исследовательская группа Intel по компонентам продемонстрировала свою приверженность инновациям в трех ключевых областях для соблюдения закона Мура. Исследователи подразделения Intel Components Research Group нашли новые материалы и технологии, которые «стирают грань между упаковкой и кристаллом», что позволит компании объединить на одной подложке триллион транзисторов.

Во-первых, сделать один кристалл с триллионом транзисторов крайне сложно, поэтому куда практичнее будет объединять несколько кристаллов (чиплетов) на подложке, но для этого нужны инновационные технологии упаковки. Как отмечено в пресс-релизе, Intel готова предложить технологию 3D-упаковки чипов с «10-кратный прирост плотности», по сравнению с теми решениями, что компания представляла на IEDM 2021.

Также компания отметила, что масштабирование гибридной упаковки до уровня в 3 мкм «обеспечит такую же плотность и пропускную способность, как и в монолитных чипах вроде однокристальных платформ». Другими словами, Intel попытается сделать так, чтобы не было разницы между монолитным чипом и набором из нескольких кристаллов.

Во-вторых, Intel ищет сверхтонкие «двухмерные» материалы, чтобы разместить больше транзисторов на одном чипе. Intel продемонстрировала многослойную структуру из нанолистов с транзисторами с окружающим затвором (GAA), которые выполнены из «двумерного» материала толщиной всего 3 атома. Также Intel показала почти идеальное переключение транзисторов на структуре с двойным затвором при комнатной температуре с низким током утечки. Это два ключевых прорыва, необходимых для объединения GAA-транзисторов и преодоления фундаментальных ограничений кремниевых кристаллов.

Исследователи также представили первый всесторонний анализ топологий электрических контактов для 2D-материалов, который поможет проложить путь к высокопроизводительным и масштабируемым транзисторным каналам.

В-третьих, Intel предлагает новые возможности для повышения энергоэффективности и улучшения памяти в области высокопроизводительных вычислений. Чтобы более эффективно использовать площадь чипа, Intel пересматривает масштабирование, разрабатывая память, которую можно размещать вертикально над транзисторами — чем-то напоминает AMD 3D V-Cache, но технология Intel разительно отличается, ведь она предлагает реализовать многослойность в рамках одного кристалла. Intel отметила, что впервые в отрасли продемонстрировала многослойные сегнетоэлектрические конденсаторы, которые соответствуют производительности обычных сегнетоэлектрическим конденсаторам и могут использоваться для построения FeRAM над логическим кристаллом.

Ещё Intel показала «первую в отрасли модель уровня устройства, которая фиксирует смешанные фазы и дефекты для улучшенных ферроэлектрических устройств на основе гафния», и это указывает на «значительный прогресс Intel в поддержке отраслевых инструментов для разработки новых запоминающих устройств и ферроэлектрических транзисторов».

Ещё Intel рассказала, что прокладывает путь к массовому производству силовой электроники на основе GaN-транзисторов на базе 300-мм пластин (GaN-на-кремнии). Сообщается, что это «обеспечит 20-кратный выигрыш по сравнению с уже применяемыми GaN-технологиями и устанавливает отраслевой рекорд качества для высокопроизводительной подачи энергии».

Ещё Intel похвасталась прорывами в сфере сверхэнергоэффективных технологий. В частности, компания рассказала, что создала транзисторы, которые «ничего не забывают, сохраняя данные даже при отключении питания». «Исследователи Intel уже преодолели два из трех барьеров, мешающих технологии стать полностью жизнеспособной и работоспособной при комнатной температуре», — говорит пресс-релиз.

Наконец, то есть, в-четвёртых, Intel отметила, что продолжает внедрять новые концепции, предлагая лучшие кубиты для квантовых вычислений. Исследователи Intel работают над поиском лучших способов хранения квантовой информации, собирая различные данные о том, как окружающая среда влияет на квантовые данные, хранимые тем или иным способом.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Google представила Learn About — инструмент интерактивного обучения на базе искусственного интеллекта 2 ч.
Аудитория Threads превысила 275 млн пользователей за год с момента её запуска 5 ч.
У VK Cloud появился ИИ-консультант по облачным сервисам 8 ч.
На «Госуслугах» появилась форма для регистрации блогеров с аудиторией более 10 тыс. подписчиков 8 ч.
Правительство запретило незарегистрированным майнерам расходовать более 6000 кВт·ч электроэнергии в месяц 9 ч.
Apple объявила о покупке популярного редактора изображений Pixelmator литовской разработки 15 ч.
Новая статья: Neva — белый Бим Черные рога. Рецензия 20 ч.
Авторы «Мора» объяснили, зачем превратили кампанию Бакалавра в Pathologic 3, и вспомнили про Самозванку 20 ч.
Google начал внедрять генеративный ИИ в «Карты» и другие геосервисы 21 ч.
Создатель DayZ анонсировал «убийцу Kerbal Space Program» — Kitten Space Agency 22 ч.
Тесты Qualcomm Snapdragon 8 Elite показали, что смартфоны на нём склонны к перегреву 2 ч.
В гонке за передовым ИИ техногиганты потратят в 2024 году более $200 млрд 3 ч.
Intel до сих пор не начала зарабатывать на контрактном производстве чипов — заказов очень мало 3 ч.
Созданы сверхтонкие солнечные панели для дирижаблей — их масса меньше 700 г на квадратный метр 4 ч.
OnePlus 13 возглавил рейтинг самых мощных Android-смартфонов по итогам октября 5 ч.
В США задумались о санкциях против китайских производителей дисплеев — они вытесняют всех конкурентов 5 ч.
Спутники мобильной связи AST SpaceMobile стали ярчайшими объектами на ночном небе — астрономы в шоке 5 ч.
Власти США готовят «план спасения Intel» на случай дальнейшего ухудшения её финансового положения 5 ч.
Samsung в 2025 году выпустит собственную гарнитуру смешанной реальности по цене до $1500 5 ч.
Австралия взялась заменить Китай на рынке редкоземельных металлов в случае обострения санкционной войны 5 ч.