Сегодня 02 ноября 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Kioxia и WD представили 218-слойную 3D NAND и утверждают, что это самая плотная флеш-память в мире

Компании Kioxia и Western Digital анонсировали микросхемы флеш-памяти 3D NAND с 218 слоями ёмкостью 1 Тбит. Чипы будут выпускаться как на трёхбитовых ячейках (TLC), так и на четырёхбитовых (QLC). По словам разработчиков, чипы имеют самую высокую в отрасли битовую плотность. Образцы новинок уже поступили ограниченному кругу клиентов компаний для изучения. Новая память попадёт в смартфоны, интернет-устройства и SSD.

 Источник изображения: Kioxia

Источник изображения: Kioxia

Новая память относится к восьмому поколению BiCS FLASH Kioxia и Western Digital. Девятое поколение откроют микросхемы с более чем 300 слоями. Партнёры используют «склейку» кристаллов для увеличения количества слоёв. Более того, в случае новинок, как можно сделать вывод из контекста пресс-релиза, массив ячеек и контроллер изготавливаются отдельно и тоже собираются в вертикальный стек в процессе «склейки».

Ранее Kioxia и Western Digital изготавливала контроллеры в составе массивов ячеек. Первой изготавливать управляющую микросхему отдельно начала китайская компания YMTC в виде технологии Xtacking. В случае 218-слойной памяти BiCS FLASH Kioxia и Western Digital речь идёт о «новаторской технологии» CBA (CMOS directly Bonded to Array), в которой контроллеры и массивы ячеек выпускаются на отдельных пластинах с оптимизацией каждого процесса, и совмещаются только после полной обработки (либо кристаллы контроллеров и массивов совмещаются уже после нарезки). В официальном документе этот момент не прояснён.

Массив ячеек по-прежнему используется «четырёхплановый» — из четырёх отдельных плоскостей массивов, что позволяет ускорить работу памяти за счёт параллелизма. Также при производстве 218-слойных сборок массивы были «ужаты» по вертикали и горизонтали. Именно это (точнее — боковая усадка ячеек) позволило увеличить плотность битов на 50 %. Дополнительно увеличена производительность работы памяти — на 60 % по сравнению с предыдущим поколением чипов. Это означает, что скорость работы по каждому контакту шины данных выросла до 3,2 Гбит/с.

Скорость записи также стала выше — на 20 % или около того. Также снизились задержки чтения, что тоже окажет положительное воздействие на производительность новых чипов 3D NAND Kioxia и Western Digital. В целом эта память станет новой ступенькой к более производительным устройствам и приложениям, ожидать которые можно к концу текущего года.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Созданы сверхтонкие солнечные панели для дирижаблей — их масса меньше 700 г на квадратный метр 60 мин.
OnePlus 13 возглавил рейтинг самых мощных Android-смартфонов по итогам октября 2 ч.
В США задумались о санкциях против китайских производителей дисплеев — они вытесняют всех конкурентов 2 ч.
Спутники мобильной связи AST SpaceMobile стали ярчайшими объектами на ночном небе — астрономы в шоке 2 ч.
Власти США готовят «план спасения Intel» на случай дальнейшего ухудшения её финансового положения 2 ч.
Samsung в 2025 году выпустит собственную гарнитуру смешанной реальности по цене до $1500 2 ч.
Австралия взялась заменить Китай на рынке редкоземельных металлов в случае обострения санкционной войны 2 ч.
Intel катастрофически отстала от NVIDIA и AMD по объёмам продаж ИИ-ускорителей, не продав Gaudi даже на $500 млн 3 ч.
Arm-процессоры Google Axion прописались в инстансах C4A: до 72 vCPU и 576 Гбайт RAM 3 ч.
Microsoft не хватает ресурсов для обслуживания ИИ, но компания готова и далее вкладываться в ЦОД, хотя инвесторам это не по нраву 4 ч.