Как поясняет Bloomberg, на мероприятии для партнёров южнокорейская компания Samsung Electronics рассказала о планах по освоению 2-нм техпроцесса к 2025 году и масштабированию производственных мощностей в Южной Корее и Техасе, задействованных в контрактном выпуске чипов.
На презентации в Калифорнии, как сообщает источник, представители Samsung Electronics заявили о готовности компании использовать 2-нм технологию для выпуска процессоров смартфонов с 2025 года, а также искать другие сферы применения этого техпроцесса. По сравнению с существующим 3-нм техпроцессом, новая ступень литографии Samsung обеспечит повышение скорости переключения транзисторов на 12 % и улучшение энергоэффективности на 25 %, при этом достигается увеличение плотности размещения транзисторов на 5 %. К 2026 году 2-нм техпроцесс будет внедрён в сфере высокопроизводительных вычислений, а к 2027 году доберётся до автомобильной электроники. Как и планировалось, массовое производство 1,4-нм чипов будет освоено компанией с 2027 года. С середины текущего десятилетия Samsung будет выпускать чипы на основе нитрида галлия, используя кремниевые пластины типоразмера 200 мм. Компания и её партнёры сформируют альянс MDI для распространения технологий пространственной компоновки разнородных чипов.
Во второй половине 2024 года должно быть введено в строй возводимое Samsung в техасском городе Тейлор предприятие, которое сосредоточится на обслуживании сторонних клиентов компании. Попутно будут расширяться контрактные мощности южнокорейского предприятия в Пхёнтхэке. В совокупности с техасским предприятием оно сможет увеличить контрактные мощности Samsung в семь раз к 2027 году по сравнению с 2021 годом. Дополнительные производственные линии будут введены в строй в Йонъине. Компания Samsung Electronics давно мечтает избавиться от чрезмерной зависимости от бизнеса по выпуску микросхем памяти за счёт развития контрактного направления. В ближайшие годы к этому будут прилагаться серьёзные усилия, как можно судить по заявлениям представителей корейского гиганта.
Источник: