Сегодня 22 июня 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Учёные научились изменять проводимость транзисторов с электронной на дырочную и обратно «на лету»

Исследователи из Венского технологического университета (TU Wien) представили набор базовых логических схем на реконфигурируемых транзисторах (RFET). Проводимость транзисторов RFET можно менять в любое время, что открывает путь к адаптивной логике вплоть до тонкой подстройки самообучающихся процессоров.

 Источник изображения: TU Wien

Источник изображения: TU Wien

Учёные из Австрии разработали базовый подход к созданию RFET ещё три года назад. Сегодня они впервые показали, что транзисторы с изменяемой проводимостью могут работать в составе базовых логических схем, и их логика может меняться по команде.

Сегодня проводимость транзисторов — электронная или дырочная — закладывается в процессе обработки кремниевых пластин на этапе легирования. Это химико-физическое внесение тех или иных примесей в транзисторные каналы, которые делают их либо избыточно насыщенными электронами, либо электронными вакансиями — дырками. Тем самым в канале транзистора будет движение электронов или дырок, что предопределит его работу в составе электронной схемы. Представьте на минуту, что мы получаем возможность на лету поменять проводимость транзисторов. Очевидно, что схема начнёт работать по-иному.

Исследователи из Венского технологического университета предложили метод электростатического легирования. Изначально транзисторные каналы создаются нейтральными, но затем к ним может быть приложено электромагнитное поле, которое в зависимости от полярности насытит канал либо электронами, либо дырками. Для этого достаточно разместить над каналом транзисторов RFET один дополнительный электрод — его учёные назвали «программным вентилем». Правильная команда на все программные вентили перестроит транзисторы и всю логику чипа, если каждый из её транзисторов будет реконфигурируемым.

«В наших реконфигурируемых устройствах [с нелегированными полупроводниковыми каналами] мы добавляем дополнительные электроды, так называемый ”программный вентиль" поверх каждого перехода металл-полупроводник, чтобы отфильтровывать нежелательный тип носителей заряда, — поясняют разработчики из TU Wien. — При помощи второго электрода поверх полупроводникового канала, так называемого "управляющего затвора", протеканием тока через устройство управляют для включения и выключения транзистора (как в классических МОП-транзисторах)».

Учёные отдают себе отчёт, что транзистор RFET не может быть таким же маленьким, как обычный полевой транзистор. Как минимум этого не позволит дополнительный электрод в его составе. В то же время с учётом оптимизации работы логики за счёт RFET общее количество транзисторов в микросхеме может быть меньше, чем в случае универсального решения на обычных транзисторах. Наконец, реконфигурировать можно не весь процессор, а только отдельные его элементы, ответственные за какие-то специфические и непостоянные функции. В любом случае, оптимизированный чип будет меньше греться и быстрее считать.

«Наши реконфигурируемые транзисторы позволяют реконфигурировать блоки передачи информации на фундаментальном уровне, а не заниматься её передачей в стационарные функциональные блоки, — пояснил профессор факультета твердотельной электроники в Венском техническом университете Уолтер М. Вебер (Walter M. Weber). — Это означает, что природа нашего подхода является весьма перспективной для реконфигурируемых вычислений и приложений искусственного интеллекта».

Очевидно, что RFET не заменят обычные транзисторы в подавляющем большинстве решений, но в отдельных случаях изобретение может помочь в создании более передовых и функционально насыщенных чипов. В конечном итоге можно выпускать базовые «обезличенные» наборы логических схем, цепи которых будут создаваться потом по мере необходимости и в соответствии с решаемыми задачами.

Реконфигурируемые транзисторы открывают возможности для решений аппаратной безопасности, новых приложений в аналоговых схемах и достижений в области нейроморфных вычислений, делая возможным даже производство самообучающихся и адаптивных решений.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
AMD выпустила драйвер с поддержкой масштабирования FSR 4.1 на видеокартах Radeon RX 7000 43 мин.
Глобальный интернет столкнулся с масштабным сбоем из-за проблем в инфраструктуре Cloudflare 45 мин.
Эксперт Digital Foundry прояснил тайну «вампирского» колеса обозрения из GTA VI 48 мин.
Календарь релизов 22–28 июня: Star Fox, Empulse, Dark Scrolls и Dead or Alive 6 Last Round 2 ч.
«Всё в одном месте»: лаунчер Owlcat появился в Warhammer 40,000: Rogue Trader, но игра продолжит запускаться и без него 3 ч.
Ставка на ретро: Instagram запускает горизонтальное видео на телевизорах Samsung 3 ч.
Продажи инди-хита Meccha Chameleon превысили 7 миллионов копий менее чем за две недели — даже Resident Evil Requiem покупают не так быстро 4 ч.
Законопроект о регулировании ИИ в России кардинально сократили и упростили 4 ч.
AMD добавила официальную поддержку апскейлера FSR 4.1 видеокартам Radeon RX 7000 4 ч.
Регулирование российского ИИ сделают не таким строгим, как хотели вначале 5 ч.
Компактный игровой ПК Steam Machine от Valve поступит в продажу 29 июня по цене от $1049 2 ч.
Asus и Acer урегулировали патентный спор с Nokia о технологиях аппаратного ускорения H.265 3 ч.
Квартальные продажи СХД подскочили почти на четверть, а доля All-Flash хранилищ впервые перевалила за 50 % 4 ч.
SpaceX запустила больше спутников, чем всё остальное человечество с 1957 года 6 ч.
Samsung ускорила достройку крупнейшего комплекса по производству памяти — мощности компании удвоятся 8 ч.
TSMC ускорила отказ от зрелых технологий ради миграции на передовые 9 ч.
Critical Energy привлекла $22 млн на строительство модульных геотермальных электростанций для ИИ ЦОД 9 ч.
Саудовская DataVolt строит в Узбекистане 12-МВт дата-центр стоимостью $150 млн 10 ч.
Intersect360: годовой объём мирового рынка ИИ-инфраструктур превысил $300 млрд 10 ч.
SK hynix стала самой дорогой южнокорейской компанией, обойдя Samsung Electronics 12 ч.