Сегодня 06 мая 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Samsung объявила о планах по выпуску памяти 3D DRAM, но произойдёт это не скоро

Компания Samsung добавила в свой план по выпуску новых продуктов память 3D DRAM. Информацией об этом производитель поделился на технологической конференции Memcom. Компания планирует представить первый технологический процесс для производства 3D DRAM в течение ближайших четырёх лет.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Крупнейший в мире производитель памяти планирует внедрить производство DRAM с транзисторами с вертикальным каналом (VCT) при переходе на техпроцессы тоньше 10 нм для выпуска памяти, следует из слайда компании, продемонстрированного на конференции Memcom.

Транзистор с вертикальным каналом (VCT) может представлять собой разновидность FinFET, в котором проводящий канал обёрнут тонким кремниевым «плавником», образующим корпус транзистора. VCT также может представлять собой транзистор с кольцевым затвором (GAA), в котором материал затвора окружает проводящий канал со всех сторон. В случае Samsung речь, судя по всему, идёт о процессе производства DRAM на основе FinFET.

От внедрения техпроцесса тоньше 10 нм для производства памяти компанию Samsung отделяет два поколения техпроцессов. Наиболее свежим сейчас является пятое поколение технологии 10-нм класса (фактически 12 нм), которая была представлена в середине 2023 года. Samsung готовит ещё две технологии 10-нм класса, а первое поколение техпроцесса тоньше 10-нм ожидается у производителя во второй половине этого десятилетия.

 Источник изображения: Tokyo Electron

Источник изображения: Tokyo Electron

Применение 3D-транзисторов для DRAM подразумевает создание и применение конструкции ячеек формата 4F2, считающегося с одной из самых эффективных схем расположения ячеек памяти с точки зрения производственных затрат. Производитель оборудования для выпуска чипов, компания Tokyo Electron, ожидает, что производство DRAM с VCT и форматом ячеек 4F2 начнётся в 2027–2028 годах. Компания полагает, что для производства DRAM на основе VCT производителям памяти придётся использовать новые материалы для конденсаторов и разрядных шин.

Из предоставленного Samsung изображения планов по выпуску будущих продуктов также становится известно, что компания планирует адаптировать технологию производства многоуровневой памяти DRAM в начале 2030-х, тем самым значительно повысив плотность своих чипов памяти в ближайшие десять лет.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Google представила план оздоровления рынка интернет-рекламы без развала своего бизнеса 11 мин.
Clair Obscur: Expedition 33 продаётся быстрее Kingdom Come: Deliverance 2 — разработчики похвастались новыми успехами игры 2 ч.
«Билайн» готовит российский сервис ИИ-инференса на отечественном оборудовании 2 ч.
Виталик Бутерин предложил сделать Ethereum «простым как биткоин», но это займёт время 4 ч.
Состоялся релиз отечественной «Ред ОС» 8 для Arm-платформ 4 ч.
В «М.Видео-Эльдорадо» рассказали, за какими играми россияне проводят майские праздники 4 ч.
Медицинские ИИ-чат-боты оказались специалистами по вредным советам 5 ч.
Ecco the Dolphin возвращается: классическая серия игр Sega о приключениях разумного дельфина спустя 25 лет получит полноценное продолжение 6 ч.
OpenAI купит разработчика ИИ-помощника для программистов Windsurf за $3 млрд 6 ч.
Google придумала, как сделать Android популярным среди молодёжи 6 ч.