Сегодня 05 сентября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Samsung объявила о планах по выпуску памяти 3D DRAM, но произойдёт это не скоро

Компания Samsung добавила в свой план по выпуску новых продуктов память 3D DRAM. Информацией об этом производитель поделился на технологической конференции Memcom. Компания планирует представить первый технологический процесс для производства 3D DRAM в течение ближайших четырёх лет.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Крупнейший в мире производитель памяти планирует внедрить производство DRAM с транзисторами с вертикальным каналом (VCT) при переходе на техпроцессы тоньше 10 нм для выпуска памяти, следует из слайда компании, продемонстрированного на конференции Memcom.

Транзистор с вертикальным каналом (VCT) может представлять собой разновидность FinFET, в котором проводящий канал обёрнут тонким кремниевым «плавником», образующим корпус транзистора. VCT также может представлять собой транзистор с кольцевым затвором (GAA), в котором материал затвора окружает проводящий канал со всех сторон. В случае Samsung речь, судя по всему, идёт о процессе производства DRAM на основе FinFET.

От внедрения техпроцесса тоньше 10 нм для производства памяти компанию Samsung отделяет два поколения техпроцессов. Наиболее свежим сейчас является пятое поколение технологии 10-нм класса (фактически 12 нм), которая была представлена в середине 2023 года. Samsung готовит ещё две технологии 10-нм класса, а первое поколение техпроцесса тоньше 10-нм ожидается у производителя во второй половине этого десятилетия.

 Источник изображения: Tokyo Electron

Источник изображения: Tokyo Electron

Применение 3D-транзисторов для DRAM подразумевает создание и применение конструкции ячеек формата 4F2, считающегося с одной из самых эффективных схем расположения ячеек памяти с точки зрения производственных затрат. Производитель оборудования для выпуска чипов, компания Tokyo Electron, ожидает, что производство DRAM с VCT и форматом ячеек 4F2 начнётся в 2027–2028 годах. Компания полагает, что для производства DRAM на основе VCT производителям памяти придётся использовать новые материалы для конденсаторов и разрядных шин.

Из предоставленного Samsung изображения планов по выпуску будущих продуктов также становится известно, что компания планирует адаптировать технологию производства многоуровневой памяти DRAM в начале 2030-х, тем самым значительно повысив плотность своих чипов памяти в ближайшие десять лет.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Трансформаторы для трансформеров: Hitachi Energy вложит $1 млрд в выпуск энергооборудования для ИИ ЦОД в США 3 мин.
Выручка Foxconn растёт на фоне ИИ-бума и не думает останавливаться 10 мин.
AMD готовит суперускоритель Mega Pod с 256 ускорителями Instinct MI500 58 мин.
Amazfit представила смарт-часы T-Rex 3 Pro с титановым корпусом и автономностью до 26 дней за €400 2 ч.
Сети, серверы, ИИ: HPE превзошла ожидания Уолл-стрит по квартальной выручке 3 ч.
Lenovo показала концепт ноутбука ThinkBook VertiFlex с поворотным дисплеем 4 ч.
Этой осенью Waymo начнёт перевозить пассажиров на беспилотных такси в аэропорт Сан-Хосе 5 ч.
Китайским учёным удалось доказать существование у Марса твёрдого ядра 6 ч.
Intel не ранее следующего года определится с целесообразностью освоения техпроцесса 14A 7 ч.
OpenAI выпустит свой первый ИИ-чип в 2026 году при поддержке Broadcom — последней это сулит $10 млрд 8 ч.