Землетрясение повредило оборудование TSMC для выпуска 2-нм чипов, но в целом последствия оказались незначительными

TrendForce предоставила свежий отчёт о динамике работы тайваньских полупроводниковых заводов после произошедшего 3 апреля землетрясения. Многие фабрики оказались расположены в районах, подвергшихся землетрясению 4-го уровня интенсивности. Поскольку на тайваньских полупроводниковых заводах приняты меры по смягчению сейсмических воздействий на 1-2 уровня, предприятия в основном смогли быстро возобновить работу после остановок и проведённых инспекций.

Источник изображения: Maxence Pira / unsplash.com

В секторе производства памяти DRAM землетрясение сильнее всего затронуло завод Fab 3A компании Nanya в городе Синьбэй (Новый Тайбэй), а также завод Micron, расположенный в районе Линькоу в Тайбэе. На фабрике Nanya в основном производятся продукты на основе 20–30 нм техпроцессов, а также ведётся разработка нового техпроцесса 1β (1-бета). Заводы Micron в Линькоу и Тайчжун, объединённые в одно предприятие, являются критически важными площадками для производства DRAM, где применяется передовой техпроцесс производителя 1β. Ожидается, что оба производства полностью восстановятся в течение нескольких дней. Другие предприятия по производству DRAM постепенно возобновили работу после инспекций. Компании PSMC и Winbond сообщили об отсутствии ущерба.

Что касается контрактного производства чипов, то фабрики TSMC по обработке 150- и 200-мм пластин, включая заводы Fab 2, Fab 3, Fab 5, Fab 8, а также Fab 12 с исследовательским центром, новейший завод Fab 20 в Баошане и Синьчжу расположены в районах, подвергшихся землетрясению 4-го уровня интенсивности. На заводе Fab 12 прорвало трубы и был нанесён некоторый ущерб оборудованию, в основном связанному с 2-нм техпроцессом, который массово не используется производителем. Ожидается, что эти повреждения окажут краткосрочное влияние на операционную деятельность компании и потенциально потребует приобретения нового оборудования, что приведёт к незначительному увеличению капитальных затрат. Другие предприятия компании возобновили производство вскоре после проведённых инспекций, указавших на отсутствие какого-либо значимого ущерба.

Заводы TSMC, где применяются передовые технологические процессы от 3 до 5 нм, отличаются более высокими коэффициентами загрузки мощностей. Они не эвакуировали персонал и сумели возобновить более 90 % своей деятельности в течение 6–8 часов после землетрясения. Заводы по упаковке чипов с использованием технологии CoWoS, в частности AP3 в Лунтане и AP6 в Чжунане, после эвакуации персонала вскоре возобновили деятельность несмотря на то, что в ходе инспекций были выявлены некоторые повреждения водой холодильных агрегатов. Благодаря резервным установкам работа быстро была восстановлена.

В Синьчжу у компании UMC находятся одно предприятие по обработке 150-мм и шесть заводов для 200-мм кремниевых пластин. Кроме того, в Тайнане расположен завод для обработки 300-мм пластин. В основном на этих фабриках массово выпускается продукция по нормам от 90 до 22 нм. У PSMC в Синьчжу и Мяоли находятся предприятия по обработке 200- и 300-мм пластин, где в основном выпускаются продукты нишевых сегментов с применением 25 и 21 нм техпроцессов. У Vanguard три завода для обработки 200-мм пластин находится в Синьчжу и один в городе Таоюань. Все они возобновили производство вскоре после кратковременного закрытия для инспекции и эвакуации персонала.