Сегодня 22 августа 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

TSMC будет выпускать основания для стеков HBM4 по 12- и 5-нм техпроцессам

Компания TSMC на конференции European Technology Symposium 2024 поделилась свежими деталями о ходе разработки чипов-оснований для высокопроизводительной памяти HBM4. Одной из ключевых особенностей новой технологии памяти станет переход с 1024-битного на 2048-битный интерфейс. Однако реализация этого потребует применения более передовых технологий упаковки, по сравнению с теми, что используются сейчас для производства и интеграции памяти HBM.

 Источник изображения: TSMC

Источник изображения: TSMC

В рамках своей презентации TSMC поделилась свежими деталями о чипах, которые лягут в основание стеков памяти HBM4. Компания собирается использовать для выпуска базовых чипов сразу два своих техпроцесса — N12FFC+ (12 нм) и N5 (5 нм). Каждый обладает своими достоинствами, но оба будут служить одной цели — интеграции высокоскоростной памяти HBM четвёртого поколения в состав будущих ИИ- и HPC-процессоров.

«Мы сотрудничаем с ключевыми партнёрами в разработке HBM-памяти (Micron, Samsung, SK Hynix) над передовыми узлами для полной интеграции стека HBM4. Базовый кристалл на основе экономичного техпроцесса N12FFC+ обеспечит прирост производительности HBM4, а базовый кристалл на основе N5 позволит размещать больше логических компонентов на чипе и снизить энергопотребление памяти», — отмечает компания.

Базовый кристалл памяти HBM4, изготовленный по технологии TSMC N12FFC+ (12-нм FinFet Compact Plus), будет использоваться для установки стеков памяти HBM4 на кремниевый переходник рядом с SoC. В TSMC отмечают, что N12FFC+ позволяет создавать стеки памяти в конфигурациях 12-Hi (двенадцать ярусов, 48 Гбайт) и 16-Hi (шестнадцать ярусов, 64 Гбайт) с пропускной способностью каждого стека более 2 Тбайт/с.

Базовые кристаллы HBM4 на техпроцессе N12FFC+ будут применяться для производства «систем в корпусе» (system-in-package, SiP) с использованием передовых технологий упаковки TSMC CoWoS-L или CoWoS-R. По данным TSMC, в настоящее время HBM4 может достигать скорости передачи данных до 6 ГТ/с при токе 14 мА.

«Мы также оптимизируем свои технологии упаковки CoWoS-L и CoWoS-R для HBM4. Они подразумевают использование более восьми уровней интерконнекта, чтобы обеспечить маршрутизацию более чем 2000 соединений в составе HBM4 с должной целостностью сигнала», — сообщила TSMC

Компания TSMC сотрудничает с EDA-партнёрами Cadence, Synopsys и Ansys над вопросами обеспечения целостности передачи сигналов, тепловой точности и снижения электромагнитных помех (EMI) в новых базовых кристаллах HBM4.

В качестве более продвинутой альтернативы TSMC сможет предложить для своих клиентов техпроцесс N5 для производства оснований для стеков памяти HBM4. Этот узел позволит размещать в составе стека HBM4 ещё больше логических компонентов, снизить энергопотребление памяти и ещё сильнее повысить её производительность. Но, возможно, самым важным преимуществом N5 является то, что он позволяет добиться очень малого шага межсоединений в составе HBM4, порядка 6–9 микрон. В свою очередь это позволит интегрировать кристаллы памяти HBM4 прямо поверх логических микросхем. Это должно увеличить производительность и пропускную способность памяти, что окажется полезным при производстве ИИ-чипов.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Инсайдер рассказал, чего ждать от ремейка Resident Evil Code: Veronica — его делают разработчики обновлённых Resident Evil 2 и Resident Evil 4 2 мин.
TikTok заменит сотни британских модераторов на искусственный интеллект 60 мин.
Новейшие ИИ-технологии помогут трансформировать обучение, сделав его полностью персонализированным 2 ч.
GTA VI от мира инди: анонс даты выхода Hollow Knight: Silksong вызвал приступ паники у независимых разработчиков игр 2 ч.
Doom запустили на зарядном устройстве Anker Prime Charger 3 ч.
Google: медианный промпт Gemini потребляет 0,24 Вт·ч энергии и 0,26 мл воды 3 ч.
Microids раскрыла дату выхода ремастера легендарного приключения Syberia и показала сравнение с классической игрой 3 ч.
«Сбербанк» начал тестировать бесконтактную оплату на iPhone, но пока только для своих 4 ч.
SSD на контроллерах Silicon Motion увернулись от проблем от последнего обновления Windows 11 4 ч.
Konami готовит новое поколение специалистов для работы над «более захватывающими играми» по Metal Gear Solid, чем ремейк MGS 3: Snake Eater 5 ч.
Инженеры Meta создали лазерный дисплей толщиной 2 мм и обещают революцию в смарт-очках 22 мин.
Razer выпустила коллекцию геймерских аксессуаров по мотивам Zenless Zone Zero 27 мин.
Российские миссии на Луну и Венеру снова отложены 60 мин.
В Европе начнут выпускать крыши c «беспроводной поддержкой» для электромобилей 2 ч.
Материнские платы на чипсете AMD B650 скоро исчезнут из магазинов по всему миру 3 ч.
Утечка раскрыла подробности о первой смарт-колонке Google с ИИ-помощником Gemini 3 ч.
«Американский» смартфон Trump Mobile превратился из пародии на iPhone в золотой Galaxy S25 Ultra 3 ч.
Трёхстворчатый смартфон Samsung Galaxy Z TriFold сможет делить экран на три равные части для разных приложений 3 ч.
Почти как у самой NVIDIA: NVLink Fusion позволит создавать кастомные ИИ-платформы 4 ч.
Google добавила в Pixel 10 переключатель для чувствительных глаз — он поднимает частоту ШИМ яркости экрана 4 ч.