Samsung ускорит выпуск HBM4 на полгода, потому что Nvidia представит ИИ-чипы Rubin в третьем квартале

Недавние откровения руководства SK hynix позволили понять, что компания якобы по собственной инициативе ускорила разработку HBM4, но южнокорейские СМИ сегодня пояснили, что Nvidia как минимум не возражала против этого, поскольку собирается представить ускорители Rubin с памятью данного типа уже в третьем квартале. Samsung также ускорилась, и теперь готовится завершить подготовку HBM4 к массовому производству в текущем полугодии.

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Источник изображения: Samsung Electronics

Первоначально планировалось, что в первой половине текущего года Samsung наконец-то приступит к отгрузке микросхем HBM3E для нужд Nvidia, а во втором полугодии представит HBM4, но теперь последний этап планируется ускорить почти на шесть месяцев. По меньшей мере, это позволит в случае необходимости обеспечить Nvidia вторым источником поставок памяти типа HBM4 к моменту анонса ускорителей семейства Rubin в третьем квартале. Изначально Nvidia рассчитывала представить Rubin в 2026 году, но теперь при наличии доступа к памяти типа HBM4 может ускориться.

Как отмечалось ранее, одной из особенностей памяти типа HBM4 является наличие базового кристалла, чьи функциональные особенности подгоняются под нужды конкретного заказчика. Samsung такие кристаллы для HBM4 рассчитывает выпускать собственными силами по 4-нм технологии, тогда как SK hynix будет зависеть в этой сфере от TSMC. Впрочем, это даёт SK hynix возможность получить от TSMC сразу 3-нм базовые кристаллы, тогда как Samsung будет зависеть от успехов своего контрактного подразделения в освоении передовых техпроцессов.