Сегодня 23 мая 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Физики обнаружили аномальный эффект Холла в неожиданном месте

Явление магнетизма широко используется в электронике и запоминающих устройствах. Оба направления привлекают внимание большого круга учёных своей высочайшей практической ценностью. Очевидно, что границы возможностей и применяемых материалов постоянно нуждаются в расширении. Прорыв смогли совершить японские учёные, обнаружив уникальные магнитные свойства у материалов, которые, как считалось, не должны были их проявлять.

 Источник изображения: Ray et al 2025

Поиск взаимодействия между антиферромагнетизмом, зонной топологией и сильными электронными взаимодействиями. Источник изображения: Ray et al 2025

Магнитные материалы в лице ферромагнетиков с упорядоченными спинами электронов способны демонстрировать аномальный эффект Холла. Обычный эффект Холла возникает во внешнем магнитном поле при пропускании тока через магнитный образец. В случае аномального эффекта Холла поле в образце (разность потенциалов на его концах или напряжение) возникает в магнитном материале даже без внешнего магнитного поля.

Подобного явления никто не ожидал в случае антиферромагнетиков. Спины в таких материалах неупорядочены и компенсируют друг друга при противоположной ориентации. Однако даже в антиферромагнетиках были обнаружены признаки аномального эффекта Холла. Это означает, что в качестве магнитной памяти может использоваться новый класс материалов со своими уникальными свойствами, что потенциально обещает улучшение характеристик запоминающих устройств. Теперь необходимо тщательно разобраться в этом явлении и подвести фундаментальную научную базу — именно этим и занялись учёные из Японии.

«Ранее уже сообщалось об аномальном эффекте Холла, возникающем в определённом классе коллинеарных антиферромагнетиков, — говорят исследователи. — Однако наблюдаемые сигналы были чрезвычайно слабыми. Выявление аномального эффекта Холла без намагниченности представляло большой научный и технологический интерес».

«Одной из главных задач нашего исследовательского проекта было создание последовательной научной картины на основе наших наблюдений, — заявляют авторы новой работы. — Каждый шаг требовал тщательной интерпретации, особенно из-за структурных нарушений, характерных для систем дихалькогенидов переходных металлов (TMD)».

Учёные использовали семейство материалов под названием дихалькогениды переходных металлов в качестве двумерных строительных блоков. Вставляя магнитные ионы между атомными слоями, исследователи могли управлять движением и взаимодействием электронов. Модифицированная до трёхмерного состояния структура продемонстрировала новое поведение, невозможное в двумерной форме. Только после этого исследователям удалось измерить аномальный эффект Холла в широком диапазоне температур и магнитных полей.

Кроме того, учёные из США предоставили доказательства в виде микроскопических изображений образцов, подтверждающих коллинеарную антиферромагнитную структуру материала. Затем результаты были сопоставлены с теоретическим анализом и расчётами, выполненными группой учёных из Токийского университета.

Полученные результаты стали первым убедительным экспериментальным доказательством аномального эффекта Холла, наблюдаемого в коллинеарных антиферромагнетиках. Поскольку традиционно считается, что аномальный эффект Холла связан с намагниченностью, его обнаружение в подобных материалах указывает на явления, выходящие за рамки стандартного понимания. Исследователи предполагают, что это связано с уникальной структурой электронных зон материала, которая вызывает появление так называемого «виртуального магнитного поля» и усиливает аномальный эффект Холла в отсутствие намагниченности. Работа будет продолжена, поскольку полного понимания физики этого процесса пока не достигнуто.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
«Победа здравого смысла»: FTC оставила попытки отменить покупку Activision Blizzard компанией Microsoft 3 мин.
«Блокнот» в Windows 11 научился генерировать текст, а Paint — создавать стикеры 8 мин.
«Только со смертью заканчивается долг»: разработчики Warhammer 40,000: Space Marine 2 раскрыли дату выхода горячо ожидаемого режима «Осада» 2 ч.
Google вслед за Microsoft заявила о готовности поддержать клиентов из Евросоюза и представила новые решения для защиты цифрового суверенитета 3 ч.
Anthropic представила Claude 4 — ИИ научился избегать «лазеек» и точнее выполнять сложные задания 7 ч.
Sega анонсировала «вдумчивую реставрацию» оригинальной Warhammer 40,000: Space Marine для нового поколения игроков 12 ч.
Культовая стратегия Warhammer 40,000: Dawn of War в 2025 году получит новую жизнь благодаря ремастеру — трейлер и подробности 12 ч.
Warhammer 40,000: Boltgun 2 выйдет в 2026 году, а бесплатный «печатный» шутер по мотивам первой части ждать не придётся 13 ч.
Owlcat Games анонсировала ролевую игру про борьбу с ересью Warhammer 40,000: Dark Heresy и новые дополнения для Warhammer 40,000: Rogue Trader 14 ч.
Чемпионат мира по киберспорту в Саудовской Аравии остался без GeoGuessr — разработчики отказались от участия после протеста фанатов 16 ч.
Репортаж со стенда GIGABYTE на выставке Computex 2025: геймерские мониторы 12 мин.
Репортаж со стенда Formula V Line на выставке Computex 2025: корпуса, охлаждение и блоки питания для мощных ПК 21 мин.
Apple начала заманивать дополнительными скидками желающих обновить iPhone, но только в Китае 25 мин.
Девятый пуск SpaceX Starship одобрен регуляторами в США при условии расширения зоны безопасности 4 ч.
Apple рассчитывает выпустить умные очки до конца 2026 года, но передумала создавать «подглядывающие» часы Watch 6 ч.
Новая статья: Система жидкостного охлаждения ID-Cooling DX360 Max с радиатором увеличенной толщины 9 ч.
Qualcomm готовит 80-ядерный серверный Arm-процессор SD1 для ИИ-платформ 12 ч.
Xiaomi представила огромный 14-дюймовый планшет Pad 7 Ultra на фирменном процессоре Xring O1 15 ч.
Xiaomi представила часы Watch S4 на фирменном чипе Xring T1 с модемом 4G собственной разработки 15 ч.
SK hynix представила смартфонную память UFS 4.1 на основе 321-слойной 4D NAND 16 ч.