Huawei научилась делать почти 5-нм чипы на китайском оборудовании и готовит 3-нм техпроцессы

Принято считать, что из китайских компаний потребность в освоении передовых литографических технологий острее всего испытывает Huawei Technologies. Её подрядчик SMIC уже способен выпускать 7-нм чипы в условиях санкций, но сама Huawei продвинулась дальше, предложив изделия, по своим характеристикам не уступающие зарубежным 5-нм. В следующем году Huawei даже может освоить 3-нм техпроцесс.

Источник изображения: Naura Technology

Интересными сведениями на эту тему поделился тайваньский ресурс United Daily News, который начал с обсуждения происхождения представленных в этом месяце процессоров HiSilicon Kirin X90. Вопреки ожиданиям, они не выпускаются с использованием 5-нм техпроцесса в его исходном понимании. Применяется всё тот же 7-нм техпроцесс SMIC, но улучшить плотность размещения транзисторов Huawei удалось за счёт перехода на более совершенную упаковку с использованием чиплетов. Уровень выхода годных чипов при этом не превышает 50 %, так что подобные полупроводниковые изделия всё равно остаются достаточно дорогими в производстве.

Huawei также преуспела в создании производственных линий, лишённых зарубежного литографического оборудования. Для экспозиции дизайна разработанных чипов компания использует оборудование Shanghai Micro Electronics серии SSA800, которое за счёт использования нескольких проходов и множества фотошаблонов позволяет получить необходимые физические параметры создаваемых чипов. Для травления кремниевых пластин используется оборудование AMEC, технически пригодное для работы с 5-нм техпроцессом, а контрольно-измерительное оборудование подходящего класса точности поставляет китайская компания Naura Technology. Подобная экосистема должна позволить и другим китайским производителям чипов добиться прогресса в литографии при сохранении американских санкций, поддерживаемых Японией и Нидерландами.

Подготовку к освоению 3-нм технологии Huawei также ведёт полным ходом, по данным тайваньских СМИ. В следующем году у неё должен быть готов к внедрению техпроцесс с использованием планарных структур и транзисторов с окружающим затвором (GAA). Альтернативой может стать вариант 3-нм техпроцесса, подразумевающий использование углеродных нанотрубок, и он уже прошёл стадию лабораторных испытаний и начал тестироваться на производственных линиях компании SMIC.