Сегодня 31 июля 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Бельгийцы представили транзисторы нового поколения — быстрые, эффективные и доступные в производстве

Около шести лет назад бельгийский центр Imec представил совершенно новую архитектуру транзисторов — CFET (комплементарные FET). Она должна была помочь с производством транзисторов с нормами производства менее 2 нм. Особенностью архитектуры стали раздельные наностраничные каналы (forksheet). Но технология оказалась сложна для производства, поэтому в Imec создали видоизменённый промежуточный вариант будущей архитектуры, представленный на днях.

 Источник изображений: Imec

Источник изображений: Imec

Суть архитектуры forksheet заключается в разделении диэлектрической перегородкой транзисторов n- и p-типа с общим круговым затвором (GAA). Перегородка или стена призвана минимизировать влияние соседних транзисторов друг на друга. В таком случае пару транзисторов с разной проводимостью можно изготовить на меньшей площади чипа, что, в итоге, приведёт к существенному снижению площади кристалла — до 20 %. Более того, Imec предложил располагать транзисторы друг над другом для реализации архитектуры CFET, что ещё сильнее уменьшило бы площадь чипов. Однако последующая работа над транзисторами с раздельными страницами показала, что идея с диэлектрической перегородкой крайне сложна при воплощении в производство.

Тончайшую перегородку из диэлектрика толщиной от 8 до 10 нм необходимо было изготавливать первой ещё до всех манипуляций с кристаллом и травлением транзисторов. Такие «издевательства» над собой выдержит далеко не каждый материал, что вело бы к высокому уровню брака. Тогда в Imec придумали гениальное решение — перегородки должны быть внешними. Они уже не отдаляли разнополярные транзисторы друг от друга, но они как бы изолировали пары транзисторов от соседних пар. Фактически это была изоляция транзисторов с одинаковой проводимостью.

 Варианты внутренней и внешней диэлектрической перегородки

Варианты внутренней и внешней диэлектрической перегородки

При таком техпроцессе перегородки изготавливались одними из последних на кристалле. Такое решение позволяло использовать известные материалы. За счёт более толстых стен могла незначительно пострадать площадь размещения пар транзисторов, но зато все остальные выгоды в виде увеличения скорости работы (токов) и снижения утечек сохранялись. Более тонкий переход между наностраницами и внешней стенкой позволял затвору охватывать увеличенную площадь ребра каждого наностраничного канала, что существенно улучшало контроль над токами в транзисторных каналах.

Наконец, финальное изготовление внешних стенок вокруг транзисторных каналов повышало механическую напряжённость в наностраницах (в каналах транзисторов). Термин «напряжённый кремний» знаком всем, кто как минимум четверть века в теме производства чипов. В таких условиях повышается проводимость электронов и дырок в полупроводнике, что ведёт к повышению общей производительности чипов.

Разработчики признают, что за счёт повышения толщины внешних изолирующих перегородок forksheet-транзисторов до 15 нм общая площадь чипа может оказаться несколько больше, чем в случае использования внутренних перегородок, но это небольшая и вынужденная жертва. Моделирование в CAD ячеек SRAM и генераторов с использованием транзисторов с раздельными наностраницами и внешними перегородками показало, что в ячейках статической памяти новая схема для техпроцесса A10 (10 ангстрем) позволила сократить площадь на 22 % по сравнению с нанолистами A14 без изоляции за счёт более плотной упаковки однотипных устройств и уменьшения шага затворов.

Для схемы генератора под полной нагрузкой новая компоновка соответствует или превосходит производительность генераторов для техпроцессов A14 и 2 нм. Без нагрузки ток питания снижается примерно на 33 % (снижение утечек).

Опыт производства транзисторов с раздельными наностраницами будет иметь большое значение для разработки CFET, поскольку многие этапы процесса, материалы и концепции проектирования будут пересекаться. В forksheet-транзисторах устройства p-типа и n-типа располагаются рядом друг с другом. В отличие от них, в CFET нового поколения два разных типа транзисторов будут располагаться вертикально, хотя базовые технологии останутся прежними. Но это история середины 30-х годов, к которой мы ещё не раз вернёмся в будущем.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Создатели «Чёрной книги» рассказали об идеях для продолжения и вспомнили о «позабытом DLC» про деда Егора 2 мин.
Ежемесячная выручка OpenAI достигла $1 млрд — расходы тоже выросли 2 ч.
Российские бизнесмены стали чаще нанимать хакеров, чтобы напакостить конкурентам 2 ч.
Dropbox предупредила о закрытии своего менеджера паролей 3 ч.
ИИ увеличил времяпрепровождение пользователей в Facebook и Instagram, похвалился Цукерберг 4 ч.
Telegram готовится запустить глобальный поиск во всех публичных каналах сразу 5 ч.
Утечка подтвердила дату выхода Battlefield 6 — Electronic Arts раньше времени показала тизер нового трейлера 5 ч.
Инсайдер раскрыл планы Electronic Arts на открытую «бету» Battlefield 6 — когда тестирование и как получить ранний доступ 16 ч.
«Абсолютно нормальное» обновление на радость фанатам добавило в инди-хит Peak каннибализм 17 ч.
Google выпустила экстренное обновление для Chrome, закрывшее опасную уязвимость 19 ч.
Китай заподозрил ИИ-чипы Nvidia H20 в наличии встроенных «шпионских функций» 22 мин.
Microsoft отчиталась о подскочившей выручке от облачных услуг — Windows и игры тоже на подъёме 29 мин.
Google рассчитывает построить ЦОД Vizag мощностью 1 ГВт за $6 млрд в Индии 35 мин.
Квартальный отчёт Meta с акцентом на ИИ превзошёл прогнозы — акции выросли на 10 % 41 мин.
Tesla прекратила принимать заказы на Model S и Model X в Европе — как ни странно, из-за дефицита 2 ч.
США и Индия запустили самый совершенный спутник наблюдения за поверхностью Земли — он разглядит всё крупнее сантиметра 2 ч.
Uptime Institute: лишь треть владельцев и операторов ЦОД занимаются обучением ИИ-моделей или инференсом 2 ч.
Разработчик оптического интерконнекта Teramount привлёк на развитие $50 млн 2 ч.
Рыночная стоимость Microsoft впервые превысила $4 трлн — дороже только Nvidia 3 ч.
Беспилотные грузовики Aurora научились ездить по ночам — впереди испытания в дождь 3 ч.