MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Применение литографических EUV-сканеров с высоким значением числовой апертуры (High-NA) активнее всего освещается в контексте выпуска интегральных микросхем в целом, а для сферы производства чипов памяти считается не столь актуальным, но это не значит, что подобная миграция оборудования не происходит. SK hynix, например, недавно отчиталась об установке первого сканера ASML TwinScan EXE:5200B, который поможет ей выпускать передовые чипы памяти в будущем.
![Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»](https://cdn.3dnews.ru/assets/external/illustrations/2025/11/21/1132762/02.jpg?resize=w400)
Источник изображения: ASML
Первый экземпляр этой дорогостоящей литографической системы ASML был установлен на предприятии M16 в южнокорейском Ичхоне. По заявлениям SK hynix, такой сканер способен уменьшить размеры воспроизводимых на кремниевых пластинах транзисторов в 1,7 раза, а плотность их размещения увеличить в 2,9 раза по сравнению с существующими EUV-системами. Применение EUV-оборудования в целом SK hynix начала в 2021 году, но когда она собирается начать применение сканеров класса High-NA EUV в массовом производстве, не уточняется. Значение числовой апертуры при переходе от одного поколения оборудования к другому может измениться с 0,33 до 0,55.
Как попутно отмечает The Financial News, конкурирующая Samsung Electronics тоже не упускает из виду соответствующее оборудование, и сканер ASML TwinScan EXE:5000 установила н своём предприятии в Хвасоне ещё в марте текущего года. Эта модель находится на ступень ниже той, что была установлена SK hynix, и чаще всего используется производителями чипов для исследовательских целей и экспериментов. Для Samsung применение оборудования класса High-NA EUV имеет особое значение и при контрактном производстве чипов. Освоить выпуск 1,4-нм продукции компания собирается к 2027 году, но пока не принято решение, потребуются ли для этого сканеры нового поколения. При производстве микросхем памяти Samsung торопиться с их внедрением не будет.
Источники:
