Сегодня 15 июня 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Intel придумала интегрированные конденсаторы нового поколения — ключ к стабильному питанию ИИ-чипов будущего

В ходе рассказов о новых техпроцессах мы постоянно говорим о транзисторах как о ключевых элементах, которые определяют производительность и энергопотребление чипов. В то же время каждый элемент микросхемы по-своему важен и может считаться ключевым. Сегодня Intel похвалилась разработкой нового поколения конденсаторов — ключевых элементов для стабильной работы и питания чипов. Как и транзисторы, они тоже требуют масштабирования для новых техпроцессов.

 Конденсаторы Omni MIM в техпроцкссе Intel18A. Источник изображения: Intel Foundry

Конденсаторы Omni MIM в техпроцессе Intel 18A. Источник изображения: Intel Foundry

По словам разработчиков Intel Foundry — подразделения для контрактного производства чипов, интегрированные конденсаторы нового поколения могут считаться значительным прорывом в технологиях распределения питания в чипах эпохи искусственного интеллекта. Речь идёт о разработке нового поколения MIM-конденсаторов (металл-изолятор-металл), которые позволяют радикально улучшить стабильность питания в современных и будущих процессорах. Согласно публикации в блоге Intel Community, эти конденсаторы демонстрируют почти трёхкратное увеличение плотности ёмкости по сравнению с существующими решениями, не усложняя при этом производственный процесс.

По мере миниатюризации транзисторов и роста энергопотребления ИИ- и HPC-чипов проблема стабильной подачи питания становится всё острее. Резкие скачки нагрузки вызывают просадку напряжения, а в процессоре одновременно могут переключаться миллиарды транзисторов, и каждый из них «говорит»: «Дай!» Также в цепях возникает шум, и всё вместе ведёт к снижению эффективности. Традиционно эту задачу решают конденсаторы развязки, выступая как локальные «резервуары заряда»: они мгновенно отдают ток при пиковом спросе и поглощают избыток при снижении нагрузки.

Новые материалы MIM, представленные Intel, обеспечивают плотность ёмкости на уровне 60–98 фФ/мкм² (в зависимости от выбора компонентов), что в три или даже большее число раз превосходит текущие показатели, сохраняя при этом крайне низкий уровень утечек — на три порядка ниже требований в отрасли.

В работе, ранее представленной на конференции IEDM 2025, Intel выделила три перспективных материала для MIM-структур: ферроэлектрический оксид гафния-циркония (HZO), диоксид титана (TiO₂) и титанат стронция (STO). Эти материалы интегрируются в стандартные «траншейные» структуры на обратной стороне кристалла, что делает технологию совместимой с существующими процессами. Внешне это выглядит как цилиндр со стержнем внутри, между которыми размещён диэлектрик. Такая структура конденсатора фактически однослойная, что упрощает производство. В настоящий момент Intel использует технологию производства конденсаторов Omni MIM, которую иллюстрирует картинка выше.

Благодаря новым материалам Intel Foundry рассчитывает существенно повысить производительность на ватт чипов для дата-центров, мобильных устройств и ускорителей ИИ, где требования к мощности и плотности транзисторов растут экспоненциально. Каждый из трёх материалов представляет собой первое масштабное использование сегнетоэлектриков в качестве диэлектрических материалов. Такие материалы меняют значение ёмкости под воздействием внешнего поля, сохраняя стабильность заданных параметров.

Улучшенные диэлектрические свойства новых материалов позволяют конденсаторам оставаться стабильными при нагреве до 90 °C в течение 400 000 секунд, всё это время стабилизируя питание транзисторов и самого чипа. Прогнозирование обещает транзисторам с новыми конденсаторами 10 лет непрерывной работы без электрического пробоя даже с постоянным превышением рабочего напряжения, что придётся по душе оверклокерам.

Каждый из трёх материалов найдёт свою нишу: HZO представляет практичный вариант на ближайшую перспективу — с хорошей надёжностью и простой интеграцией. TiO₂ выступает как следующий шаг вперёд, предлагая более высокую ёмкость и выдающиеся возможности работы при высоком напряжении. STO же обеспечивает максимальную плотность ёмкости и предназначен для приложений, где приоритет отдаётся достижению наивысшей возможной ёмкости.

На новом этапе специалисты Intel разработают техпроцессы, которые помогут встроить изготовление конденсаторов MIM с новыми материалами в действующие техпроцессы. Чуть более подробно об этом можно прочесть в блоге Intel Foundry.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
«Кто купит Xbox и Game Pass ради Gears?»: инсайдер рассекретил «безумный» бюджет Gears of War: E-Day 27 мин.
Anthropic проведёт переговоры с властями США для разблокировки ИИ-моделей Mythos 5 и Fable 5 41 мин.
Авторитетный инсайдер подтвердил, когда выйдет God of War Laufey 2 ч.
В Steam завирусились виртуальные прятки Meccha Chameleon, где можно буквально слиться с окружением 2 ч.
Журналисты раскрыли подробности неанонсированного кооперативного ролевого боевика по «Ведьмаку» 2 ч.
Власти США заподозрили Китай в несанкционированном доступе к модели Mythos компании Anthropic 6 ч.
К сентябрю Apple подготовит ряд новых функций для iOS 27 7 ч.
Блокировщики рекламы не перестанут работать в Google Chrome после прекращения поддержки Manifest V2 20 ч.
Новая статья: Fatekeeper — наконец-то Dark Messiah 2? Предварительный обзор 14-06 00:05
Новая статья: Gamesblender № 780: RE Veronica, Stellar Blade 2, Gears of War: E-Day, Senua — главные анонсы июня 13-06 23:32