MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Вчерашний дебют складного смартфона Xiaomi 18 Fold формально развязал CXMT руки — эта китайская компания получила полное право заявить, что приступила к массовому производству памяти типа LPDDR6, которая впервые нашла применение во флагманской модели смартфона. С точки зрения демонстрации успехов китайской полупроводниковой промышленности это очень важный шаг.
Источник изображения: CXMT
Микросхемы объёмом 16 Гбайт предлагают максимальную скорость передачи информации 12 800 Мбит/с, в случае взаимодействия с чипом внутри смартфона она составляет 10 667 Мбит/с. Выпускаемые CXMT микросхемы LPDDR6 имеют конструктивное исполнение FBGA с 1295 контактами и соответствуют стандарту JEDEC. С учётом возможности LPDDR6 работать со скоростью передачи 12 800 Мбит/с, данный вид памяти обеспечивает увеличение пропускной способности на 60 % по сравнению с LPDDR5X, работающей на скорости 10 667 Мбит/с. При этом уровень энергопотребления снижается на 20 %, обеспечивая увеличение времени работы устройства от батареи. Более гибкое управление напряжением отдельных блоков в составе чипа LPDDR6 позволяет добиваться оптимального расхода энергии при разных типах вычислительной нагрузки. Этому также способствует интеллектуальное управление стратегическим планированием распределения ресурсов и задач.
Подчёркивается, что более сложная в упаковке LPDDR6 по сравнению с LPDDR5 позволяет снизить тепловое сопротивление кристалла на 40 %. Под нагрузкой это способствует более эффективному отводу тепла от микросхем памяти LPDDR6. Помимо смартфонов, память этого типа найдёт применение в ПК, носимых устройствах, автомобилях, серверах для периферийных вычислений и робототехнике. По данным TrendForce, доля CXMT на мировом рынке DRAM в денежном выражении по итогам второго квартала последовательно выросла с 7,6 до 9,5 %. Это позволяет ей занимать четвёртое место среди крупнейших мировых производителей микросхем оперативной памяти.
Для сравнения, конкурирующая южнокорейская SK hynix уже завершила разработку своей LPDDR6, которую будет выпускать по техпроцессу 10-нм класса, приступив к её поставкам на рынок в текущем полугодии. Samsung Electronics образцы LPDDR6 демонстрировала ещё в январе текущего года на CES 2026 в Лас-Вегасе, но пока не сообщила о сроках начала её массового производства. В серийном исполнении такая память должна будет работать со скоростью до 12 800 Мбит/с, а SK hynix замахивается даже на уровень 14 400 Мбит/с. Американская Micron образцы своей LPDDR6 уже отгружает клиентам, но о сроках начала коммерческих поставок предпочитает не говорить открыто.
Источник:
