MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
⇣ Содержание
Опрос
|
реклама
Самое интересное в новостях
Обзор комплектов памяти Crucial Ballistix Sport AT и Sport LT White DDR4-3200 2×8 Гбайт: Micron против Samsung
При тестировании 16-гигабайтных DDR4-3200 комплектов памяти Crucial Ballistix Sport LT White и Ballistix Sport AT мы постарались ответить на два вопроса. В первую очередь, выяснить оверклокерский потенциал таких модулей. Режим DDR4-3200 на сегодняшний день уже не кажется хорошим вариантом для производительной системы, поэтому способность такой памяти работать частотах, превышающих заявленную, – важный аргумент. Второй вопрос касался того, какую производительность могут обеспечить модули по сравнению со «стандартным» оверклокерским выбором – памятью на чипах Samsung B-die. Поскольку в системах, основанных на процессорах AMD Ryzen и Intel Core оперативная память работает по-разному, тестирование было проведено одновременно на двух платформах. Это привело к тому, что список использованного оборудования заметно удлинился.
Сравниваемые процессоры тестировались с настройками, отменяющими ограничения по предельному энергопотреблению процессоров. Это значит, что для платформ Intel была включена функция Multi-Core Enhancements, а для процессоров AMD – функция Precision Boost Override. Стоит подчеркнуть, что в таком режиме эксплуатирует процессоры подавляющее большинство энтузиастов, поскольку материнские платы верхних ценовых диапазонов активируют эти настройки по умолчанию. Тестирование выполнялось в операционной системе Microsoft Windows 10 Pro (v1903) Build 18362.175 с использованием следующего комплекта драйверов:
Описание использовавшихся для измерения вычислительной производительности инструментов: Синтетические бенчмарки:
Приложения:
Игры:
Во всех игровых тестах в качестве результатов приводится среднее количество кадров в секунду, а также 0,01-квантиль (первая перцентиль) для значений FPS. Использование 0,01-квантиля вместо показателей минимального FPS обусловлено стремлением очистить результаты от случайных всплесков производительности, которые были спровоцированы не связанными напрямую с работой основных компонентов платформы причинами. Главной характеристикой современных комплектов памяти является их рабочая частота. Возможность её увеличения выше штатных значений – немаловажная особенность оверклокерских наборов, позволяющая энтузиастам получать дополнительный прирост быстродействия. Именно поэтому с проверки частотного потенциала комплектов памяти мы и начинаем тестирование. Испытания каждого комплекта на разгон проводилось по следующей методике. Напряжение питания DDR4 SDRAM поднималось до 1,4 В: как следует из накопленного опыта, его можно считать полностью безопасным для долговременного использования. С ним не деградирует ни процессорный контроллер памяти, ни сами модули. Схема таймингов, с которых начинался поиск максимально достижимой частоты, ослаблялась до 18-22-22-42, затем для найденного значения частоты подбирались по возможности более низкие тайминги. Проверка стабильности памяти проводилась с помощью утилиты Testmem5 0.12 Advanced 4. Финальные результаты дополнительно проверялись двухчасовым тестированием в Prime95 29.8 (Blend), а также утилитой HCI MemTest 6.4, несколько копий которой было запущено параллельно на всех логических ядрах процессора. Сразу же стоит сказать, что модули BLS2K8G4D32AESCK и BLS2K8G4D32AESTK продемонстрировали солидные возможности разгона. Несмотря на то, что формально они отнесены к классу DDR4-3200, разогнать их до частот выше 4 ГГц совсем несложно, даже если не прибегать к серьёзным оверклокерским трюкам. При тестировании по нашей методике, которая предполагает возможность использования достигнутого разгона на повседневной основе, оба набора модулей продемонстрировали стабильную работоспособность в режимах с частотой, превышающей паспортную на 25-30 %. В системе на базе процессора AMD Ryzen 9 3900X комплект Crucial Ballistix Sport AT BLS2K8G4D32AESTK смог работать в режиме DDR4-4066 при таймингах 18-21-15-40 и при напряжении 1,4 В.  Комплект Crucial Ballistix Sport LT White BLS2K8G4D32AESCK в той же системе разогнался немного сильнее, он оказался работоспособен в состоянии DDR4-4200 при таймингах 18-21-14-40 и напряжении 1,4 В.  В альтернативной системе, построенной на процессоре Intel Core i9-9900K, оверклокерские результаты рассматриваемой памяти оказались похожи. Комплект Crucial Ballistix Sport AT BLS2K8G4D32AESTK заработал в режиме DDR4-4133 18-22-22-42 при напряжении 1,4 В.  Более удачный набор памяти Crucial Ballistix Sport LT White BLS2K8G4D32AESCK, как и в случае платформы AMD, смог при напряжении 1,4 В беспроблемно взять планку DDR4-4200 с таймингами 18-22-22-42.  Полученные результаты дают возможность сформулировать некоторые общие выводы о том, как разгоняются модули памяти Crucial Ballistix Sport на базе чипов Micron Revision E. Во-первых, такая память действительно обладает весьма значительным запасом по рабочей частоте. Причём, разгоняемость заметно масштабируется с увеличением напряжения, что как раз и позволяет таким модулям памяти ставить рекорды разгона. Но даже если не злоупотреблять уровнем питания, то для модулей Crucial Ballistix Sport LT White и Ballistix Sport AT оказываются вполне доступны режимы в районе DDR4-4200. Во-вторых, обязательным условием, которое следует соблюдать при попытках увеличения частоты, выступает существенное и несимметричное ослабление задержки tRCD (tRCDRD). Даже для режима DDR4-3600 его требуется увеличивать до 19 тактов, а режим DDR4-4000 может потребовать установки этого тайминга в значение 21-22. Пришло время проверить на практике, как модули Crucial Ballistix Sport, основанные на чипах Micron Revision E, смогут противостоять «золотому стандарту» оверклокерской памяти – планкам на базе микросхем Samsung B-die. В тестах разгона память Crucial показала весьма впечатляющую масштабируемость по частоте. Однако нельзя не заметить, что эта память не даёт установить столь же низкие тайминги, как модули на базе чипов B-die. Но так ли это важно? Осуществить проверку мы решили простым тестированием, в рамках которого сравнивалась производительность одного из комплектов Crucial Ballistix Sport DDR4-3200 со скоростью постоянно используемой в наших тестах процессоров памяти G.Skill Trident Z RGB F4-3600C16D-16GTZR. Данный комплект модулей G.Skill – самый что ни на есть типичный Samsung B-die. В роли же типичного Micron Rev. E выступил комплект Crucial Ballistix Sport LT White BLS2K8G4D32AESCK, который в тестах разгона проявил себя чуть лучше, чем родственный набор Crucial Ballistix Sport AT. Измерение производительности избранного комплекта Crucial Ballistix Sport проводилось в трёх режимах: в номинальном (DDR4-3200, тайминги по XMP), максимальном (DDR4-4200 с таймингами, полученными в тестах разгона) и «оптимальном». Оптимальный режим – это специально подобранное для каждой платформы соотношение частоты и таймингов, при котором достигается наилучший уровень производительности. В случае процессоров AMD Ryzen третьего поколения такой режим, очевидно, – DDR4-3600, поскольку при дальнейшем росте частоты памяти происходит включение асинхронного режима шины Infinity Fabric, а также переключение контроллера памяти в режим половинной частоты. В итоге, увеличение частоты памяти за пределы DDR4-3600 приводит к скачкообразному увеличению её практической латентности. Кроме того, в состоянии DDR4-3600 память Crucial Ballistix Sport LT White BLS2K8G4D32AESCK позволяет без дополнительного увеличения напряжения выставить достаточно агрессивную схему таймингов 16-19-14-36. Попутно можно заметно ужать и вторичные тайминги. В целом, используемые для режима DDR4-3600 настройки показаны на скриншоте ниже.  В платформе Intel никаких искусственно введённых пределов осмысленного разгона памяти не существует, но лучшим вариантом для эксплуатации модулей семейства Crucial Ballistix Sport представляется DDR4-4000. Дело в том, что при такой частоте память на базе чипов Micron Rev. E может работать с CAS Latency 16 без необходимости наращивать напряжение питания выше 1,4 В. Например, в системе на базе процессора Core i9-9900K нам удалось подобрать очень неплохую схему таймингов 16-21-21-40, и именно с ней и были проведены тесты. Более подробно параметры режима DDR4-4000 приведены на скриншоте.  Что касается комплекта G.Skill Trident Z RGB F4-3600C16D-16GTZR, который в этом тестировании выступает в качестве «точки отсчёта», то для него использовалась номинальная схема таймингов 16-16-16-36 со сниженными по возможности вторичными задержками. ⇡#Производительность в платформе AMD Измерение практических характеристик подсистемы памяти в синтетическом тесте AIDA64 CacheMem показывает, что модули Crucial Ballistix Sport с разгоном до состояния DDR4-3600 и подобранными задержками могут работать почти с такой же производительностью, как и память на базе чипов Samsung B-die.     При этом тесты в реальных приложениях показывают, что пренебрегать подстройкой таймингов крайне неразумно. Дело в том, что подбор оптимальных параметров в некоторых приложениях, чувствительных к производительности подсистемы памяти, может дать очень заметный прирост производительности, достигающий уровня 20-25 %. Такой выигрыш, например, наблюдается в архиваторе или при майнинге криптовалют по алгоритму RandomX.       Впрочем, и другие ресурсоёмкие приложения достаточно чутко реагируют на DDR4-3600 память с низкими таймингами. Вне зависимости от того, на каких чипах основан используемый в системе комплект, влияние памяти на производительность может достигать 5-15 %. Хорошей же новостью тут является то, что память Crucial Ballistix Sport в состоянии DDR4-3600 с оптимизированной схемой задержек позволяет получать почти такое же быстродействие системы, как обеспечивают модули G.Skill с чипами Samsung B-die. Тот факт, что обладатели систем на базе процессоров Ryzen могут быть вполне удовлетворены возможностями памяти с чипами Micron Rev. E, подтверждают и игровые тесты. Да, система с памятью G.Skill выдаёт немного более высокий показатель кадровой частоты, однако разница почти незаметна. Но тем пользователям, которые решат использовать в своих системах модули вроде Crucial Ballistix Sport, мы настоятельно рекомендуем разогнать их до состояния DDR4-3600 и потратить некоторое время на подбор агрессивных таймингов. Иначе они рискуют потерять достаточно весомый процент игровой производительности. Например, разница в показателе FPS при работе комплекта Crucial Ballistix Sport LT White BLS2K8G4D32AESCK с настройками по XMP и режимом DDR4-3600, настроенным вручную, может достать 6-10 %.     ⇡#Производительность в платформе Intel Ситуация с влиянием выбора памяти на производительность платформы Intel серьёзно отличается. Дело в том, что DDR4-контроллер современных процессоров Core способен обеспечивать гораздо более низкую латентность по сравнению с контроллером памяти Ryzen, и поэтому хорошие модули с низкими задержками для него заметно важнее. Это сразу же выявляют результаты тестирования пропускной способности и латентности в AIDA64 CacheMem.     Производительность в приложениях указывает на это ещё нагляднее. Как следует из полученных результатов, память на чипах Micron Rev. E с процессорами Intel сочетается гораздо хуже, чем в случае платформы AMD. Даже если пытаться подобрать для неё максимально агрессивные тайминги, память, основанная на Samsung B-die, всё равно остаётся вне конкуренции. Преимущество, которое даёт процессору Core i9-9900K комплект G.Skill, в наиболее вопиющих случаях может доходить до 20 %.       Впрочем, существенный разрыв в результатах модулей G.Skill и Crucial Ballistix Sport прослеживается не везде, а главным образом в тех приложениях, которые интенсивно работают с большими объёмами данных. Поэтому мы бы не стали советовать гоняться за чипами Samsung B-die всем без исключения пользователям. Во многих случаях микросхем Micron Rev. E для обеспечения достойной производительности хватает. Хорошим примером приложений, для которых нет принципиальной разницы в том, на какой кремниевой основе собраны модули памяти, выступают игры. В них модули Crucial Ballistix Sport при условии разумного разгона и хотя бы минимальной подстройки задержек могут обеспечивать почти такую же производительность, как и дорогостоящие комплекты G.Skill. Иными словами, память на чипах Micron Rev. E имеет перспективу стать достойным вариантом для рядовых игровых систем, не нацеленных на обработку цифрового контента и работу с ресурсоёмкими приложениями.     Народная молва не врёт: микросхемы памяти Micron Rev. E – действительно очень неплохой вариант для современных любительских систем. Наши результаты тестов это подтверждают: DDR4-память, которую предлагает компания Micron, превосходно разгоняется по рабочей частоте и во многих случаях способна обеспечивать хороший уровень производительности, вполне сравнимый с быстродействием систем, в которых применяется память с чипами Samsung B-die. Не будем отрицать, что полупроводниковая начинка Samsung способна работать при более агрессивных таймингах, и в некоторых ситуациях это проявляется довольно выпукло. Но вариант Micron интереснее тем, что он банально дешевле, причём весьма ощутимо. Поэтому в конечном итоге мы готовы согласиться с тем, что модули DDR4 SDRAM, основанные на микросхемах Micron Rev. E, – очень интересный выбор, особенно если говорить о системах на базе процессоров Ryzen, где недостатки такой памяти видны в значительно меньшей мере. К сожалению, большинство производителей модулей памяти не раскрывает кремниевую начинку своих продуктов и более того, часто наоборот старается всячески спрятать сведения об используемых микросхемах. Поэтому найти на рынке планки, гарантированно основанные на той или иной разновидности чипов, бывает непросто. Но в случае Micron Rev. E эта задача имеет тривиальное решение, ведь компания Micron сама производит оверклокерские модули памяти и реализует их под торговой маркой Crucial. Следовательно, память Crucial – естественный выбор для тех, кому характеристики и возможности Micron Rev. E пришлись по душе. А чтобы не «промахнуться» при покупке, в виду нужно иметь лишь одно правило: брать следует модули, в окончании артикула которых фигурирует последовательность символов «AES». В рамках настоящего исследования мы познакомились с двумя такими 16-гигабайтными наборами DDR4-3200 SDRAM, состоящими из 8-гигабайтных модулей: Crucial Ballistix Sport AT BLS2K8G4D32AESTK и Crucial Ballistix Sport LT White BLS2K8G4D32AESCK. Оба комплекта оказались оснащены качественными чипами Micron Rev. E, и это сделало такую память отличным вариантом как для экспериментов, так и для повседневного использования. Безусловно, для получения от рассмотренных модулей DDR4 SDRAM полной отдачи придётся потратить некоторые время на подбор частоты и задержек, но оно того стоит: тонкая настройка комплектов Crucial Ballistix Sport AT и Ballistix Sport LT позволяет выжать из процессора дополнительные несколько процентов производительности. Зато в конечном итоге в умелых руках планки Crucial Ballistix Sport будут работать почти не хуже, чем элитные модули на чипах Samsung B-die, по крайней мере, если говорить о платформе AMD. Но что особенно приятно, цена наборов модулей BLS2K8G4D32AESTK и BLS2K8G4D32AESCK при этом очень демократична: это чуть ли не самые доступные на сегодня оверклокерские модули класса DDR4-3200 с радиаторами. А это значит, что предложение Crucial Ballistix Sport имеет все шансы стать самым настоящим «народным выбором». И мы готовы всецело его поддержать, наградив протестированные нами комплекты Crucial Ballistix Sport AT BLS2K8G4D32AESTK и Crucial Ballistix Sport LT White BLS2K8G4D32AESCK нашим знаком «Лучшая покупка». 
⇣ Содержание
Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
|
© 1997—2024 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
Подписаться