Компания ASRock анонсировала материнскую плату J4105B-ITX, выполненную на аппаратной платформе Intel Gemini Lake.

Новинка оснащена процессором Celeron J4105. Этот 14-нанометровый чип содержит четыре вычислительных ядра с частотой 1,5 ГГц (динамически повышается до 2,5 ГГц) и графический ускоритель Intel UHD Graphics 600. Для охлаждения используется пассивная система на основе довольно крупного радиатора, так что при работе не производится никакого шума.

Предусмотрены два разъёма для модулей оперативной памяти DDR4-2400/2133; максимально поддерживаемый объём ОЗУ составляет 8 Гбайт. Накопители могут быть подключены к двум стандартным портам Serial ATA 3.0.

Особенностью платы является наличие последовательного и параллельного портов. Кроме того, на планке с разъёмами можно обнаружить гнездо PS/2 для мыши/клавиатуры, интерфейсы D-Sub и HDMI для подключения дисплеев, порт USB 2.0, три порта USB 3.0, гнездо для сетевого кабеля и набор аудиогнёзд.

На плате присутствует разъём PCI Express 2.0 x16. Оснащение включает сетевой контроллер Realtek RTL8111H (Gigabit LAN) и многоканальный звуковой кодек Realtek ALC887. Формат — Mini-ITX: габариты составляют 170 × 170 мм. 

Принадлежащая корпорации Western Digital компания SanDisk анонсировала дебют на рынке новой серии твердотельных накопителей с лаконичным названием X600. Устройства объёмом 128, 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт, имеют два варианта исполнения — 2,5 дюйма/7 мм и M.2 2280. Несмотря на внешние различия, прикладные характеристики моделей одного объёма совпадают. В новых накопителях SanDisk X-серии используются интерфейс SATA 6 Гбит/с, неназванный контроллер (предположительно, производства Marvell) и 64-слойная флеш-память Western Digital 3D TLC NAND.

По сравнению с предшественниками семейства X400, модели 2018 года характеризуются более высоким уровнем быстродействия и, в среднем, бóльшим ресурсом. Кроме того, стоит отметить, что среди устройств SanDisk X400 не было и, очевидно, уже не будет двухтерабайтного SSD.

Как и в предыдущей серии, младшие накопители SanDisk X600 уступают в производительности старшим. В то же время у «загрузочного» 128-Гбайт SSD увеличены скорость последовательной записи и количество IOPS при записи (с 340 до 490 Мбайт/с и с 60 000 до 74 000 соответственно). Ресурс самой доступной модели семейства X600 остался таким же — 72 Тбайт, а вот у остальных накопителей он вырос.

Среди прочего, производитель отмечает снижение энергопотребления SSD в рабочем режиме на величину до 25 % (относительно X400). Средний показатель теперь составляет всего 52–60 мВт, а пиковые значения — от 2,05 до 3,8 Вт. Режим сна (DEVSLP) помогает минимизировать энергопотребление. Также для SanDisk X600 заявлена поддержка технологии кеширования данных nCache 2.0 и алгоритм коррекции ошибок DataGuard Client.

Новые накопители SanDisk уже предлагаются в США и странах Западной Европы. В отсутствие рекомендованных цен приведём фактические:

• SanDisk X600 128 Гбайт, 2,5 дюйма: $70,90 (newegg.com)/€61,14 (geizhals.eu);
• SanDisk X600 256 Гбайт, 2,5 дюйма: $105,38/€95,42;
• SanDisk X600 512 Гбайт, 2,5 дюйма: $180,79/€169,22;
• SanDisk X600 1 Тбайт, 2,5 дюйма: $312,59/€324,80;
• SanDisk X600 2 Тбайт, 2,5 дюйма: $681,13/€651,97;
• SanDisk X600 128 Гбайт, M.2 2280: $70,90/€63,56;
• SanDisk X600 256 Гбайт, M.2 2280: $107,14/€94,19;
• SanDisk X600 512 Гбайт, M.2 2280: $177,09/€167,05;
• SanDisk X600 1 Тбайт, M.2 2280: $323,99/€330,99;
• SanDisk X600 2 Тбайт, M.2 2280: $776,56/€691,99.

С начала 2000-х годов для изготовления корпусов ноутбуков стал часто использоваться сплав магния и алюминия. Это лёгкая, прочная и хорошо поддающаяся обработке субстанция, массовое распространение которой в качестве материала для корпусов ноутбуков сдерживалось только сравнительно высокой ценой.

Примерно с 2005 по 2011 год активность использования магниевых сплавов для изготовления корпусов мобильных ПК несколько снизилась. Хотя появление такого направления, как ультрабуки, несколько оживило отрасль. К сожалению для производителей, рынок ПК вошёл в стадию стагнации и ноутбуки выпускаются всё в меньшем количестве, что не добавляет оптимизма производителям корпусов. Например, в 2017 году на рынок было поставлено 150 млн ноутбуков, что на 25 % меньше по сравнению с 2016 годом.

Samsung Notebook 7 Spin (2018) с корпусом из металла (сплавов)

В настоящий момент, сообщает популярный тайваньский интернет-ресурс DigiTimes со ссылкой на местные источники, такие производители корпусов из металлических сплавов, как компании Catcher Technology, Foxconn Technology, Ju Teng International Holdings и Casetek Holdings, рассчитывают найти замену прежним заказчикам и выйти на рынок шасси из сплавов для моторной группы электромобилей.

Смартфон Sony Xperia XZ1 в металлическом корпусе

Частично производителей металлических корпусов спасают смартфоны, обычно — флагманские модели, корпуса которых принято делать из металлических сплавов. Но темпы роста рынка смартфонов также замедлились и больше не сулят радужных перспектив. Некоторые надежды производители корпусов связывали с новым флагманом Apple iPhone X, но он, во-первых, продаётся не так хорошо, как ожидалось, и, во-вторых, Apple стремится распределить заказы по нескольким производителям, изрядно сбивая цену на заказы.

Кроме изготовления шасси для электромобилей производители корпусов из сплавов рассчитывают найти заказы среди разработчиков гарнитур виртуальной и дополненной реальности, умных часов и домашней электроники. Наконец, те же бортовые компьютеры для электромобилей также  требуют прочных металлических корпусов, для чего сплавы из магния подходят идеально. В частности, тайваньская компания Waffer Technology (дочернее предприятие Getac Technology) якобы выпускает металлические корпуса для бортовых компьютеров по заказам Tesla.

Шасси Tesla

У ноутбуков уже забрали и забирают литиево-ионные аккумуляторы, дисплеи, память и теперь корпуса. Создаётся ощущение, что средние базовые цены на мобильные компьютеры дальше будут только увеличиваться.

В распоряжении сетевых источников оказались изображения нового смартфона Xiaomi, который, как ожидается, выйдет на коммерческий рынок под именем Mi 6X.

Сообщается, что аппарат получит экран Full Screen с соотношением сторон 18:9. По слухам, будет применена панель размером 5,7 или 5,9 дюйма по диагонали. Разрешение — 2160 × 1080 пикселей, что соответствует формату FHD+.

Изображения указывают на то, что в тыльной части корпуса расположится сдвоенная камера. В её состав войдут оптические блоки, установленные по вертикали.

Кроме того, в задней части корпуса будет размещён дактилоскопический сканер для биометрической идентификации пользователей по отпечаткам пальцев. Говорится о наличии порта USB Type-C и 3,5-миллиметрового гнезда для наушников.

Увы, другие технические характеристики новинки не раскрываются. Но сообщается, что анонс смартфона ожидается ближе к середине нынешнего года.

По оценкам, квартальные продажи «умных» сотовых аппаратов Xiaomi приближаются к 30 млн. В частности, в третьей четверти прошлого года компания реализовала 27,6 млн смартфонов. Рыночная доля Xiaomi достигла 7,4 % против 3,7 % годом ранее. 

Сетевые источники сообщают о том, что компания Vivo представила смартфон X20 Plus UD, который демонстрировался на недавней выставке Consumer Electronics Show (CES) 2018 в Лас-Вегасе (Невада, США).

Как мы уже рассказывали, главная особенность новинки — дактилоскопический сканер, интегрированный в область дисплея. Соответствующий модуль разработан специалистами Synaptics.

Сообщается, что основой аппарата служит процессор Snapdragon 660. Он объединяет восемь вычислительных ядер Kryo 260 с тактовой частотой до 2,2 ГГц, графический контроллер Adreno 512 и сотовый модем X12 LTE со скоростью передачи данных до 600 Мбит/с.

Дисплей имеет размер 6,43 дюйма по диагонали и обладает разрешением 2160 × 1080 точек. Таким образом, соотношение сторон экрана равно 18:9.

В тыльной части корпуса установлена сдвоенная камера. В её состав входят сенсоры с 24 и 5 млн пикселей. Фронтальная камера обладает разрешением 12 млн пикселей.

Смартфон несёт на борту 4 Гбайт оперативной памяти, флеш-модуль вместимостью 128 Гбайт с возможностью расширения за счёт карты microSD, адаптеры беспроводной связи Wi-Fi 802.11b/g/n/ac и Bluetooth. Питание обеспечивает аккумуляторная батарея ёмкостью 3800 мА·ч.

На смартфон установлена операционная система Android Nougat 7.1.2. 

Как мы уже неоднократно отмечали, в скором времени компания Intel выпустит множество новых мобильных и настольных процессоров. Если с последними всё более-менее ясно, то сведения о готовящихся CPU для ноутбуков и «2-в-1» до сих пор были отрывочными. Расширенную информацию о моделях Core и Xeon E с кодовым обозначением Coffee Lake-H привёл один из постоянных участников китайского форума Chiphell. Ему удалось выяснить характеристики пяти процессоров Core i5/i7/i9-8000 и двух Xeon E-2100M.

Большинство чипов насчитывают шесть физических ядер и могут обрабатывать данные в 12 потоков. Исключение составляют четырёхъядерные/восьмипоточные процессоры Core i5-8300H и Core i5-8400H. В их арсенале имеется 8 Мбайт разделяемой кеш-памяти третьего уровня, двухканальный контроллер оперативной памяти DDR4 и графическое ядро Intel UHD 630. Тепловой пакет Core i5-8300H/8400H равен 45 Вт, как и у их собратьев. Младший CPU функционирует на номинальной частоте 2,3 ГГц; значение boost-частоты для всех четырёх ядер составляет 3,9 ГГц, а для одного ядра — 4 ГГц. Core i5-8400H на 200 МГц быстрее во всех режимах, его частотная формула — 2,5/4,1/4,2 ГГц.

Шестиядерные Core i7-8750H и Core i7-8850H (также с поддержкой Hyper-Threading) оперируют 9 Мбайт кеша третьего уровня, двухканальным контроллером RAM и относительно скромным GPU Intel UHD 630. Частоты «8750-го» и «8850-го» сопоставимы с таковыми у вышеописанных моделей — 2,2/3,9/4,1 ГГц и 2,6/4,0/4,3 ГГц соответственно.

Прогнозы участников конференции Chiphell сбываются с завидной регулярностью

Для самых дорогих и производительных ноутбуков Intel готовит процессор Core i7-8950HK. У него предусмотрена не только поддержка разгона методом повышения множителя, но и самый большой объём кеша третьего уровня (12 Мбайт, под стать Core i7-8700K). Частоты также на высоте как для мобильного сегмента рынка CPU: номинальная 2,9 ГГц и boost-частота 4,3/4,8 ГГц. По слухам, тепловой пакет Core i7-8950HK можно будет настраивать в пределах 45–65 Вт.

Система охлаждения ноутбука MSI GT75VR 7RE Titan SLI с процессором Core i7-7820HK на борту

Мобильные рабочие станции получат аналоги Intel Core i7-8950HK без свободного множителя и «плавающего» TDP, но с поддержкой модулей оперативной памяти с функцией контроля ошибок (ECC). Эти процессоры будут носить имена Xeon E-2176M и Xeon E-2186M. Частоты «2186-го» те же, что и у Core i7-8950HK, а вот «2176-й» немного медленнее: 2,7/4,1/4,4 ГГц.

Вероятной датой официального анонса CPU Coffee Lake-H является 14 февраля.

Всемирная организация интеллектуальной собственности (World Intellectual Property Organization, WIPO) рассекретила патентную документацию LG на пару складных смартфонов.

Документ носит имя «Мобильный телефон с гибким дисплеем, который может быть сложен пополам». Речь идёт об аппарате в виде книжки. В закрытом состоянии пользователь сможет видеть информацию на внешнем дисплее, всегда остающемся в активном состоянии. Раскрыв аппарат, владелец получит доступ к большому экрану, а само устройство в этом случае превратится в аналог планшета.

Более интересен второй вариант дизайна. Речь также идёт о складном смартфоне-книжке, но в этом случае одна из половинок корпуса по размерам будет несколько меньше другой. В результате, в закрытом состоянии пользователь сможет видеть часть экрана (см. иллюстрации). В этой области могут отображаться различные уведомления, время или, скажем, пиктограмма для активации камеры.

Заявка на патент была подана летом прошлого года, но обнародована документация только сейчас. Планирует ли LG выпуск коммерческих аппаратов на основе предложенного дизайна, пока не ясно.

Нужно отметить, что разработки в области смартфонов с гибким экраном ведёт и другой южнокорейский производитель — компания Samsung. Недавно стало известно, что выпуск таких аппаратов перенесён с текущего на 2019 год. Проблемы возникли с обеспечением удобства и эффективности использования подобных устройств. Сейчас специалисты Samsung заняты их решением. 

Компания Intel не раз объясняла, что у неё самые совершенные техпроцессы, даже если в названии сравниваемых техпроцессов стоят одинаковые цифры. С этим тяжело спорить. После 90-нм технологических норм цифры в названии техпроцессов слабо отражают реальное положение дел. Что касается современной ситуации с техпроцессами, например, с использованием 10-нм техпроцесса Intel на одном квадратном мм можно создать 100,8 млн транзисторов, а с использованием 10-нм техпроцессов Samsung и TSMC — только по 50 млн. Формально масштабы технологических норм одинаковые, а результат отличается в два раза. Получается, что Samsung, GlobalFoundries и TSMC по технологичности производства смогут догнать 10-нм техпроцесс Intel только с началом производства «7-нм» продукции и, скорее всего, с внедрением второго поколения 7-нм техпроцесса.

Геометрические размеры рёбер транзисторов FinFET в 10-нм техпроцессе Intel

Высказанное выше предположение опирается на свежие данные аналитической компании IC Knowledge, специалисты которой подготовили доклад о темпах внедрения в производство сканеров диапазона EUV. Как следует из приведенной ниже иллюстрации, размеры рёбер FinFET, затворов, контактов под затворами, отверстий металлизации и проводников первого по отношению к кристаллу слоя металлизации будут примерно одинаковые как для первого поколения 10-нм техпроцесса Intel, так и для обоих поколений 7-нм техпроцессов Samsung, GlobalFoundries, TSMC. Разница появится только после перехода на технологические нормы 5 нм, которые производители начнут внедрять в конце 2019 года или в 2020 году. Вот тогда конкуренты получат шанс обогнать Intel в плане реализации наиболее технологически выполненных полупроводников.

Сводная таблица с размерами элементов в основных «слоях» современных процессоров для 7-нм, 10-нм и 5-нм техпроцессов

По таблицам поясним, что аббревиатуры в крайней правой колонке обозначают числа задействованных фотошаблонов и, соответственно, технологических циклов для изготовления тех или иных элементов на кристалле или в слоях с металлизацией. Сокращение SAQP говорит о четырёх фотошаблонах, SADP — о двух, LE3 — о трёх. В случае EUV число фотошаблонов может быть любым, но оно ощутимо меньше, чем в случае использования обычной оптической проекции для изготовления того же слоя чипа. Также следует помнить, что в микросхеме гораздо больше слоёв и элементов, чем приведено в таблице. Просто нам показали наиболее важные из них.

Надо сказать, что собранные IC Knowledge данные в первую очередь иллюстрируют темпы внедрения в производство литографической проекции с помощью EUV-сканеров с длиной волны 13,5 нм. Компания Samsung начнёт частичное использование EUV-сканеров для выпуска 7-нм продукции первого поколения, что произойдёт во второй половине текущего года, а компании TSMC и GlobalFoundries начнут частичное использование EUV-сканеров в 2019 году для выпуска продукции с использованием второго поколения 7-нм техпроцесса. Компания Intel, вероятно, в обозримом будущем тоже может попытаться использовать в производстве EUV-сканеры, но произойдёт это не раньше 2019 года с началом выпуска процессоров с помощью улучшенного 10-нм техпроцесса (10+).

Сканер EUV без защитного кожуха

С превосходством техпроцессов Intel мы разобрались, теперь посмотрим, как в ближайшие два года будут использоваться EUV-сканеры. Первой это начнёт делать компания Samsung. Она пропустит 7-нм производство с помощью одних лишь оптических DUV сканеров, на что сделали ставку компании TSMC и GlobalFoundries, и задействует EUV-сканеры для изготовления отверстий металлизации в контактной группе вне кристалла и для изготовления верхних слоёв металлизации. Аналогично поступят компании TSMC и GlobalFoundries, когда в следующем году начнут внедрять 7-нм техпроцесс второго поколения (все три техпроцесса скрыты в таблице под названием «7nm with EUV (Gen1)»). Использование EUV-проекции вместо оптической позволит уменьшить число фотошаблонов с 15 штук до 5. Это упростит подготовку проектов к выпуску, само производство, уменьшит вероятность возникновения дефектов, но не снизит себестоимость чипов, о чём аналитики сразу предупреждают.

Внедрение 7-нм техпроцесса второго поколения с использованием EUV (для TSMC и GlobalFoundries это будет уже третье поколение 7-нм техпроцесса) обещает перевести на EUV-проекцию изготовление первого металлического слоя уже в составе кристалла. Для 7-нм норм сканеры оптического диапазона для создания первого слоя металлизации требуют 23 фотошаблона, а EUV-сканеры обойдутся 9 фотошаблонами. Следует сказать, что для этого потребуется разработать защитные плёнки, спасающие кремниевые подложки от сверхжёсткого излучения. Требуется покрытие с прозрачностью 90 %, которое способно выдержать излучение от источника мощностью 250 Вт. Пока прозрачность защитных плёнок находится на уровне 83 %, и они выдерживают не более 7000 экспозиций от источника излучения мощностью 245 Вт (данные ASML). Отметим, для 7-нм техпроцесса первого поколения компании Samsung такие плёнки не нужны. Они понадобятся только при изготовлении элементов уменьшенного размера, что будет востребовано только во втором поколении 7-нм техпроцесса с EUV через год–полтора.

300-мм подложки, обработанные в производственном комплексе Fab 1 компании GlobalFoundries

Отдельно по 5-нм техпроцессу с использованием EUV-сканеров надо сказать, что не готовы не только защитные плёнки для пластин, но также нет фоторезиста с надлежащими свойствами. Созданный и опробованный для работы с EUV-излучением фоторезист показывает высокие характеристики в случае выпуска 7-нм продукции. Опытное производство 5-нм чипов ведёт к высокому уровню дефектов именно из-за недостатков фоторезиста. Новый фоторезист должен быть предложен в течение 18 месяцев, иначе компания TSMC провалит планы по переходу на 5-нм нормы производства.