Теги → память. чип
Быстрый переход

Чем хуже, тем лучше: японские санкции подняли стоимость акций SK Hynix и Samsung

Сегодня компания SK Hynix провела квартальную отчётную конференцию, что привело к неожиданному результату. В компании зафиксировали худшие за три года финансовые показатели по выручке, но это ничуть не расстроило инвесторов. Настроение финансистам немедленно подняло заявление руководства SK Hynix, что японские ограничения на поставку в Южную Корею сырья для выпуска чипов приведут к сокращению производства памяти и других полупроводников. Нетрудно сообразить, что рынок DRAM и NAND и продукции на их основе замер в предвкушении нового роста цен на эти категории товаров. Акции SK Hynix на волне этой новости поднялись в цене на 3 %, а акции Samsung ― на 1 %. Кажется мелочь, но рыночная капитализация SK Hynix сразу выросла почти на $4 млрд.

REUTERS/Lee Jae-Won

REUTERS/Lee Jae-Won

Также в SK Hynix сообщили, что ограничения на поставку сырья из Японии приведут к сокращению компанией инвестиций в действующее производство и в расширение линий по выпуску DRAM и NAND в следующем году. В частности, компания может расширить запланированное сокращение выпуска памяти NAND в четвёртом квартале с 10 % до 15 % и более. Выпуск памяти DRAM тоже может быть сокращён, но точных данных компания не приводит.

Что касается финансовых показателей SK Hynix во втором квартале 2019 календарного года, то выручка компании составила около $5,48 млрд или на 38 % меньше, чем в аналогичный квартал прошлого года. Реальные показатели SK Hynix оказались на 15 % хуже, чем предсказывали аналитики, например, компания Refinitiv. Квартальная операционная прибыль компании за год сократилась на 89 % до $541,9 млн. В поквартальном сравнении выручка и операционная прибыль снизились, соответственно, на 5 % и 53 %. В снижении показателей компания винит более сильное, чем ожидалось падение цен на память и медленное восстановление спроса.

За один квартал поставки памяти DRAM компании во втором квартале выросли на 13 % (в пересчёте на ёмкость), но за это же время средняя цена продажи памяти снизилась на 24 %. Поставки NAND-флеш SK Hynix выросли ещё сильнее ― на 40 % за квартал (также в пересчёте на ёмкость), но средняя цена реализации упала на 25 %. С целью снижения объёмов выпуска DRAM компания запланировала перевод части линия по выпуску памяти на заводе M10 на производство CMOS-датчиков изображения, что произойдёт до конца текущего года. Ожидается также коррекция производственных планов на других предприятиях по выпуску памяти. Для потребителей это может обернуться возвратом к росту цен эту важную продукцию.

В Samsung созданы первые в отрасли чипы LPDDR5 DRAM для 5G-смартфонов

Компания Samsung Electronics объявила о разработке первых в отрасли микрочипов памяти LPDDR5 DRAM ёмкостью 8 Гбит, которые будут изготавливаться по технологии 10-нанометрового класса.

Изделия предназначены для использования в смартфонах с поддержкой мобильной связи пятого поколения (5G), а также в устройствах со средствами искусственного интеллекта (AI).

Отмечается, что решения LPDDR5 обеспечивают скорость передачи данных до 6400 Мбит/с. Это приблизительно в полтора раза больше по сравнению с современными чипами LPDDR4X (4266 Мбит/с).

Изделия LPDDR5 DRAM будут предлагаться в двух модификациях: 6400 Мбит/с с рабочим напряжениям 1,1 В и 5500 Мбит/с с рабочим напряжением 1,05 В.

Samsung Electronics отмечает, что новые чипы характеризуются высокой энергетической эффективностью. По сравнению с решениями предыдущего поколения выигрыш в энергопотреблении может достигать 30 %.

Ожидается, что новые чипы памяти найдут применение в мобильных устройствах нового поколения, автомобильных медиацентрах, системах машинного обучения и пр. Массовое производство планируется организовать после получения соответствующих заказов от участников рынка. 

SK Hynix сообщила о доступности чипов памяти GDDR6

Южнокорейская компания SK Hynix сообщила о доступности 8-гигабитных микросхем памяти GDDR6 — Graphics Double Data Rate шестого поколения.

Ещё в апреле 2017 года SK Hynix представила память GDDR6 для видеокарт с объёмом чипа 8 Гбит с использованием 20-нм технологического процесса. Пропускная способность одного контакта составила 16 Гбит/с.

Теперь в обновлённом каталоге SK Hynix говорится о доступности GDDR6-изделий с обозначениями H56C8H24MJR-S2C и H56C8H24MJR-S0C. Решения первого типа обеспечивают скорость передачи данных 14 или 12 Гбит/с при напряжении соответственно 1,35 и 1,25 В. Скорость передачи данных чипов второй модификации может составлять 12 или 10 Гбит/с при напряжении 1,35 и 1,25 В.

Наиболее перспективными направлениями, где потенциал GDDR6 раскроется в полной мере, являются искусственный интеллект, виртуальная реальность, автопилотируемые автомобили и системы с дисплеями, разрешение которых превышает 4K.

Буквально на днях мы сообщали, что другой южнокорейский производитель — гигант Samsung — приступил к массовому производству первой в индустрии 16-Гбит памяти GDDR6. При изготовлении этих изделий применяется технология 10-нанометрового класса. 

Toshiba вернула часть активов по выпуску чипов, чтобы снять претензии Western Digital

Toshiba Corp перевела некоторые активы подразделения по выпуску чипов памяти назад в родительскую компанию в ответ на заявление Western Digital Corp о том, что японский конгломерат не имеет права продавать полупроводниковый бизнес без согласия американского партнёра.

REUTERS/Issei Kato

REUTERS/Issei Kato

Western Digital обвинила Toshiba в нарушении соглашения о совместном предприятии в связи с выделением производства чипов памяти в отдельное предприятие Toshiba Memory без согласия SanDisk и объявила в середине мая об инициировании арбитражных процедур в Международной торговой палате. Возврат активов должен снять претензии Western Digital из-за перевода активов совместного предприятия в компанию Toshiba Memory, созданную в рамках подготовки к продаже.

Toshiba является вторым по величине в мире производителем чипов памяти NAND, и рассчитывает закрыть с помощью продажи части полупроводникового бизнеса финансовую брешь, образовавшуюся из-за значительных убытков ядерного бизнеса дочернего предприятия Westinghouse Electric в США.

Western Digital, владеющая совместно с Toshiba заводом по выпуску чипов в Японии, надеется с помощью международного арбитража остановить продажу её полупроводникового бизнеса.

В письме, датированном 31 мая, адвокаты Toshiba сообщили Western Digital, что передача назад совместных активов материнской компании снимает все разногласия. Этот шаг, как ожидается, позволит Toshiba продолжить процесс продажи.

В этом письме, с которым ознакомилось агентство Reuters, также отмечается, что активы совместного предприятия связаны только с механизмами финансирования производственных процессов (оборудования), что непосредственно касалось каждого из участников СП. Их стоимость составляет менее 5 % общей стоимости полупроводникового бизнеса Toshiba, который оценивается как минимум в 2 трлн иен ($18 млрд).

Fasetto представила модульные накопители LINK с облачной интеграцией и объёмом до 2 Тбайт

Облачные сервисы открывают нам доступ к практически безграничному по размерам хранилищу персональных данных. Однако трудности и технические ограничения, с которыми сталкиваются пользователи при попытке выхода в Сеть, могут затруднить доступ к необходимой информации. Выходом из такой ситуации являются универсальные накопители LINK, созданные инженерами компании Fasetto.

Предельно компактное на видео устройство представляет собой гибрид переносного накопителя и беспроводной точки доступа, за счёт чего передача файлов здесь доступна не только через кабель, но и по Wi-Fi или Bluetooth. Fasetto LINK готов взять на себя роль карманного «облака» благодаря реализованной интеграции с существующими облачными ресурсами, а также выступить в роли устройства для резервного копирования — многофункционального накопителя с беспроводными интерфейсами.  

В основе моделей серии LINK лежит память V-NAND — SSD-накопитель с интерфейсом NVMe производства Samsung. Ёмкость носителя в зависимости от выбранной модификации может составлять 256 Гбайт/512 Гбайт/2 Тбайт, а скорость чтения и скорость записи достигать значения 2500 Мбайт/с и 1500 Мбайт/с. Необходимый уровень быстродействия Fasetto LINK обеспечит восьмиядерный процессор Exynos 7420 в тандеме с 4 Гбайт оперативной памяти, гарантирующие стриминг видео в 4К-формате без видимых глазу заминок. 

«Фишка» Fasetto LINK — возможность установки дополнительных модулей, в числе которых значится модем для работы с LTE-сетями, а также дополнительный блок со встроенным аккумулятором вдобавок к родной батарее на 1350 мА·ч. Использование второй батареи с ёмкостью 1120 мА·ч обеспечит прирост автономности с первоначальных пяти часов до восьми часов. В режиме ожидания аналогичный показатель обещает возрасти с двух до четырёх недель. Для быстрой зарядки разработчики оснастили устройство интерфейсом USB-C. 

Вдобавок к выше перечисленным преимуществам Fasetto LINK выделяется своей компактностью: ударопрочный в соответствии с военными стандартами корпус с размерами 5 × 5 × 2,5 см может похвастаться ещё и пыле- влагозащитой, отвечающей требованиям сертификации IP68.

Поставки моделей LINK компания Fasetto планирует начать в апреле этого года. Прайс-лист на накопители с модульной конструкцией следующий:

  • модификация на 256 Гбайт обойдётся в 349$;
  • модификация на 512 Гбайт — в 499$;
  • модификация на 2 Тбайт — в 1149$;
  • дополнительный аккумуляторный модуль — в 29$;
  • LTE-модуль — в 149$. 

SK Hynix, Samsung, Micron и многослойная память: планы и характеристики

В последние пару лет полупроводниковая промышленность совершила большой скачок в области технологий производства памяти. Классическая DRAM в том или ином виде с нами уже не один десяток лет, но выход новых устройств, нуждающихся в огромных скоростях передачи данных, вызвал появление на свет совершенно нового типа памяти — HBM. Впервые она была опробована компанией AMD в графическом процессоре Fiji, который стал основой видеокарт Radeon R9 Fury X, Fury и Nano, а также Radeon Pro Duo.

Даже в самой первой инкарнации четыре сборки HBM смогли обеспечить пропускную способность на уровне 512 Гбайт/с, чего сегодня не может даже новейший NVIDIA TITAN X с 384-битной памятью GDDR5X (480 Гбайт/с). Спустя год Samsung удалось в достаточной мере нарастить объёмы производства новой версии многослойной высокоскоростной памяти HBM2, которая нашла своё применение в вычислительных ускорителях NVIDIA Tesla P100. Они уже поставляются на рынок супервычислений и облачных систем начиная со второго квартала текущего года.

Уже становится очевидным, что обычная DRAM хотя и просуществует на рынке достаточно долго, будущее принадлежит многослойной памяти — HBM и другим аналогичным технологиям. К тому же HBM располагается на упаковке рядом с ЦП или ГП и не требует много места, что позволяет сделать системы с её использованием более компактными. Но HBM2 пока новый, дорогой продукт, выпускающийся в недостаточно массовых количествах. Мы знаем, что производство HBM2 Samsung начала в первом квартале этого года, а SK Hynix запаздывает и только собирается начать выпуск своего варианта HBM2 в этом квартале.

На мероприятии Hot Chips 28 обе компании продемонстрировали свои каталоги выпускаемых продуктов и планы на будущее относительно многослойной памяти. Согласно опубликованным слайдам, у HBM2 есть как минимум две альтернативы или ответвления — HBM3 и low cost HBM. Последняя представляет особенный интерес. Эта удешевлённая версия HBM была представлена Samsung как выгодное по цене решение, опережающее HBM1, но несколько уступающее в производительности HBM2. Удешевление достигнуто за счёт уменьшения с 1024 до 512 количества пронизывающих сборку кристаллов TSV — соединений, с помощью которых кристаллы HBM и общаются с внешним миром.

В результате получается память, способная обеспечивать скорость 3 Гбайт/с на контакт и 200 Гбайт/с на сборку против 256 Гбайт/с на сборку у полноценной HBM2. 512-битный интерфейс доступа с двумя или четырьмя сборками означает 1024 или 2048 Мбайт. Samsung утверждает, что она может легко производить такие чипы в массовых количествах и наводнить ими рынок. В то же время, когда HBM2 ещё не успела завоевать рынка, обе компании — Samsung и SK Hynix — уже готовятся к разработке и выпуску следующего поколения многослойной памяти, так называемой xHBM или HBM3. Первое название характерно для Samsung, второе используется SK Hynix.

Характеристики нового стандарта ещё далеки от финализации, но ключевые моменты новой технологии были оглашены. HBM3 обеспечит вдвое более высокую пропускную способность и будет обладать привлекательной ценой. Речь идёт о скоростях порядка 512 Гбайт/с на сборку против 256 Гбайт/с у HBM2. Четыре таких кристалла легко смогут обеспечить пропускную способность на уровне 2 Тбайт/с. Но в работе такие цифры мы увидим нескоро; коллеги с WCCFTech полагают, что речь идёт о видеокартах, которые появятся как минимум после NVIDIA Volta.

Производители памяти продолжают обсуждать такие параметры HBM3, как себестоимость, форм-факторы, энергопотребление и плотность упаковки. Сейчас HBM2 может обеспечить ёмкость до 48 Гбайт, так что с внедрением HBM3 следует ожидать цифр от 64 Гбайт. Но не одной HBM жива индустрия памяти. Как уже было сказано, DRAM ещё долго будет присутствовать на рынке, и компания Micron огласила свои планы в отношении этого типа памяти.

Планируется, что опытные поставки чипов DDR5 DRAM начнутся в 2018 году, а массовое производство таких микросхем (и модулей памяти) развернётся годом позже, в 2019 г. Ключевой особенностью DDR5 в сравнении с DDR4 является вдвое более высокая пропускная способность и напряжение питания, составляющее всего 1,1 вольта. Это означает повышение тактовых частот, а ёмкость будет варьироваться в пределах от 8 до 32 Гбайт. Эквивалентные частоты для DDR5 составят 3200 МГц в начале производства и достигнут значения 6400 МГц по мере того, как выход годных кристаллов будет увеличиваться, а новый стандарт — завоевывать рынок оперативной памяти.

Micron также рассказала о своей альтернативе HBM, многослойной памяти HMC (Hybrid Memory Cube). Компания называет HBM «плохой копией» HMC, поскольку последняя обладает рядом возможностей, недоступных HBM и может состязаться с ней только в пропускной способности. Помимо всего прочего, Micron продолжает активно сотрудничать с Intel в разработке и продвижении энергонезависимой памяти нового поколения 3D XPoint. Подводя итоги, скажем, что ключевыми годами для рынка памяти, основываясь на имеющихся данных, можно назвать 2018-й и 2019-й.

Начато массовое производство GDDR5X

Выстрел NVIDIA в виде анонса новых графических карт GeForce GTX 1080 и GeForce GTX 1070 оказался немного преждевременным, прежде всего из-за дефицита памяти GDDR5X, которой комплектуется старшая модель. Но похоже, что основные проблемы уже позади. Как сообщают зарубежные источники, Micron Technology вышла на проектные мощности производства чипов видеопамяти нового типа и их дефицит вскоре исчезнет. А значит не будет и недостатка в самих картах GeForce GTX 1080 в розничной продаже.

Особенности и преимущества GDDR5X

Особенности и преимущества GDDR5X

Память GDDR5X интересна тем, что не требует существенной переработки архитектуры графического процессора и, в частности, его контроллера памяти, зато обеспечивает вдвое большую пропускную способность в сравнении с обычной GDDR5. Так, в GeForce GTX 1080, работая на эквивалентной частоте 5 ГГц с 256-битной шиной доступа, память такого типа легко обеспечивает пропускную способность на уровне 320 Гбайт/с, что уступает только показателю AMD Fiji XT, в котором используется многослойная память первого поколения, интегрированная на подложку кристалла.

Схема работы контроллера GDDR5X

Схема работы контроллера GDDR5X

Тем не менее, сама технология GDDR5, пусть и с суффиксом Х, уже прошла дни своей молодости. Да, удвоенная пропускная способность —  неплохой способ продлить технологии жизнь, но с учётом того, что объёмы производства HBM2 также постепенно наращиваются, нас ждёт переход на многослойную высокоскоростную память, для которой цифра 320 Гбайт/с является смехотворно низкой. К тому же, вопреки ранее опубликованным планам, графический процессор AMD Vega 10 может увидеть свет не в 2017 году, а уже в октябре этого года. Он же, как известно, будет оснащаться именно памятью HBM2, что даст ему серьёзное преимущество над GeForce GTX 1080 в высоких разрешениях.

Китай готовит конкурента Samsung на рынке памяти

Samsung является одним из крупнейших производителей чипов в мире. В числе её клиентов такие именитые компании, как Qualcomm и Apple, и многие фирмы используют её чипы памяти и накопители в своих устройствах. Однако в ближайшем будущем ей придётся столкнуться с серьёзной конкуренцией со стороны Tsinghua Unigroup Ltd., контролируемой государством китайской фирмы, поставившей цель стать крупнейшим производителем чипов в стране.

Председатель совета директоров и президент Tsinghua Unigroup миллиардер Жао Вейгуо (Zhao Weiguo) сообщил в интервью ресурсу Bloomberg, что компания планирует инвестировать в ближайшие несколько лет в развитие полупроводникового бизнеса громадную сумму в размере $30 млрд. Эта сумма более чем вдвое превышает инвестиционный бюджет компании Samsung на текущий год, составляющий $11,5 млрд. Эксперты считают, что инвестиции усилят и без того жёсткую конкуренцию в отрасли.

За минувшие несколько лет Tsinghua Unigroup приобрела производителей чипов Spreadtrum и TRA Microelectronics. Также китайская компания рассматривала возможность приобретения Western Digital и Micron Technology.

В прошлом квартале сообщалось, что китайские производители дисплеев и чипов пытались приобрести партнёров компании Samsung, что может негативно отразиться на южнокорейском гиганте.

Агрессивное движение Китая по укреплению своих позиций в глобальном бизнесе по производству чипов является угрозой для южнокорейских компаний, таких как Samsung и SK Hynix. Эти две компании вместе владеют 74 % рынка чипов памяти DRAM и 43,7 % флеш-памяти NAND.

Samsung начала массовые поставки модулей DDR4 ёмкостью 128 Гбайт

До недавних пор максимальная ёмкость любого модуля памяти, даже самого современного серверного DDR4 RDIMM была ограничена цифрой 64 Гбайт. Но компания Samsung Electronics, один из крупнейших производителей микроэлектроники официально объявила о начале массового производства модулей DDR4 RDIMM объёмом 128 Гбайт. Речь, разумеется, идёт о регистровых модулях, не предназначенных для использования в обычных настольных ПК.

Создание таких модулей-монстров стало возможным благодаря наработкам Samsung в области многослойных технологий; в частности, в новых модулях используется вертикальная компоновка из нескольких кристаллов DRAM, соединённых при помощи технологии TSV (Through Silicon Via). Похожие технологии Samsung применяла и ранее, при создании модулей DDR3 RDIMM ёмкостью 32 Гбайт. Они сложны в реализации, но позволяют упростить упаковку и сделать многослойные чипы более надёжными.

Преимущества TSV перед традиционной многослойной упаковкой

Преимущества TSV перед традиционной многослойной упаковкой

В новых модулях использованы кристаллы ёмкостью 8 Гбит, они способны работать на частоте 2 400 МГц. В течение ближайших нескольких недель Samsung Electronics планирует также начать производство модулей LRDIMM аналогичной ёмкости. Столь ёмкие модули позволят сравнительно безболезненно нарастить объём оперативной памяти серверных систем, для которых этот параметр критичен. В дальнейшем компания намеревается выпустить и более высокочастотные версии модулей, с частотой вплоть до 3 200 МГц. Она также ведёт работы по созданию модулей памяти на базе технологии HBM.

Micron выпустит третье поколение Hybrid Memory Cube в следующем году

Компания Micron Technology, по сообщениям из зарубежных источников, ведёт активные работы над третьим поколением перспективной технологии многослойной памяти, в терминах разработчика — Hybrid Memory Cube (HMC). Ожидается, что она будет представлена миру уже в 2016 году. Если у Micron получится нарастить пропускную способность вдвое по сравнению с теперешними 15 Гбит/с на вывод, то новое поколение HMC станет самой быстрой многослойной памятью в индустрии.

Технология Micron HMC использует систему специальных вертикальных соединений под названием TSV (Through-Silicon Via). Она служит для электрического соединения отдельных кристаллов DRAM между собой и с базовой логикой. В настоящее время компания предлагает своим клиентам «кубы» ёмкостью 2 и 4 Гбайт, в основе которых лежат кристаллы ёмкостью 4 Гбит. Пропускная способность целого чипа может достигать 160 Гбайт/с. Технология HMC конкурирует с HBM, но вместо сверхширокого интерфейса использует 16-битный последовательный канал, работающий на очень высокой частоте.  К сожалению, деталей о третьем поколении Micron HMC крайне мало. Известно только то, что компания-разработчик намеревается повысить как плотность упаковки, так и производительность этого типа памяти.

В настоящее время память HMC поддерживается рядом специализированных микропроцессоров, а кроме того, именно этот тип памяти будет использоваться в новом поколении сопроцессоров Intel Xeon Phi под кодовым именем «Knights Landing». HMC очень важна для Micron, поскольку, будучи единственным производителем такой памяти, компания сможет контролировать цены на неё. Но в случае ценовых разногласий многие разработчики систем, требующих высокой пропускной способности подсистемы памяти, могут обратиться к конкурирующей технологии — HBM, несмотря на ряд преимуществ, предлагаемых HMC. Похоже, на рынке высокоскоростной памяти в 2016 году будет весьма горячо.

Samsung войдёт на рынок памяти HBM в первом квартале 2016 года

Многослойная высокопроизводительная память HBM пока ещё очень молода — она выпускается всего одним производителем, SK Hynix, и пока успела дебютировать лишь в графическом процессоре AMD Fiji, где, впрочем, показала себя очень неплохо, несмотря на то, что речь идёт о первом поколении данной технологии. Но на конференции IDF 2015 компания Samsung заявила о своём намерении присоединиться к освоению столь перспективного сегмента рынка DRAM.

Планов громадье

Планов громадье

Решение мудрое, поскольку потенциал HBM в области скоростных характеристик обеспечивает этому типу памяти большое будущее. Уже в первом варианте, воплощённом в кремнии, такая память показала пропускную способность на уровне 512 Гбайт/с, а ведь речь идёт о новом поколении многослойных чипов HBM. Samsung планирует выпуск первых продуктов на основе новой технологии уже в первом квартале 2016 года. Причём компания не ограничивает себя рамками дискретной графики, а намеревается откусить по куску от рынков высокопроизводительных вычислений (HPC) и сетевых устройств.

Пора думать о том, что заменит DDR4

Пора думать о том, что заменит DDR4

Уже запланирован ряд конфигураций HBM на основе 8-гигабитных компонентов, начиная с чипов начального уровня 2-Hi для недорогих графических карт с 2 Гбайт видеопамяти (256 Гбайт/с) и 4-Hi для более производительной дискретной графики (512 Гбайт/с). Две сборки позволят выпускать видеокарты с 8 Гбайт памяти, а четыре обеспечат 16 Гбайт с пропускной способностью 1 Тбайт/с. Для рынка HPC планируются четырёхчиповые сборки 4-Hi (32 Гбайт, 1 Тбайт/с) и шестичиповые сборки 8-Hi (24/48 Гбайт, 1,5 Тбайт/с). HBM для сетевых устройств на базе чипов 8-Hi должны увидеть свет в 2017 году. А в 2018 компания планирует дальнейшее укрепление своих позиций путём внедрения HBM в различные сферы приложений, помимо уже упомянутых.

HBM: внутреннее устройство сборки

HBM: внутреннее устройство сборки

Надо сказать, что изначальный создатель HBM, компания SK Hynix, как считают некоторые источники, обещала отдать приоритет в области поставок и использования HBM2 компании Advanced Micro Devices, но, как мы знаем, данным типом памяти очень активно интересуется и NVIDIA, намеревающаяся внедрить его в будущие решения на базе архитектуры Pascal. Таким образом, новый производитель многослойной памяти на рынке сыграет одному из графических гигантов лишь на руку, поскольку это позволит избежать гипотетического дефицита чипов HBM.

Кеш Toshiba на основе STT-MRAM на 80 % экономичнее SRAM

Несмотря на то, что конференция ISSCC 2015 закончилась ещё на прошлой неделе, компания Toshiba только сейчас опубликовала сообщение о разработке новой схемы STT-MRAM, которая была представлена в ходе одного из докладов.

House of Japan

House of Japan

Как утверждается, предложенная технология по энергопотреблению на 80 % экономичнее традиционной SRAM-памяти. При этом время доступа составляет всего 3,3 нс. STT-MRAM Toshiba является самой энергоэффективной среди всех типов встраиваемой памяти.

House of Japan

House of Japan

В последние годы рынок SoC развивается бурными темпами. Двигателем отрасли является растущий спрос на чипы для Интернета вещей, носимой электроники, смартфонов, облачных дата-центров. В этих приложениях ёмкость SRAM-памяти ощутимо увеличилась, соответственно возросли и требования к энергоэффективности. Одной из проблем SRAM являются токи утечки, которые неизбежно возникают и приводят к сравнительно большим потерям энергии. На днях мы уже упоминали об уникальном чипе для Интернета вещей с мощностью утечки всего 400 пиковатт. Toshiba, в свою очередь, считает перспективным решением проблемы использование в качестве кеша энергонезависимой памяти, такой как STT-MRAM. Но периферийные управляющие схемы также потребляют сравнительно большую мощность, поэтому даже при использовании экономичной памяти проблема энергоэффективности всей системы кеш-памяти в целом остаётся актуальной.

Для решения данной задачи компания разработала схему с высокоскоростным переключением между активным и выключенным состояниями (длительность перехода составляет менее 100 нс). Дальнейшие усовершенствования позволили ещё больше сократить потребляемую мощность в процессе чтения и записи данных.

Конечной целью проекта является создание таких схем, которые позволят сократить общую потребляемую мощность чипов на 90 %. Toshiba надеется завершить свою разработку уже в текущем финансовом году.

Micron поставляет образцы 8-Гбит чипов GDDR5 крупным партнёрам

Разрешения в играх, а значит и объёмы видеопамяти будут только расти. И нет ничего необычного в том, что такой крупный производитель памяти, как компания Micron, уже начала опытные поставки 8-гигабитных чипов GDDR5. Как заявил президент компании Марк Адамс (Mark Adams), компания не испытывает проблем в технологии производства чипов столь большой ёмкости и уже поставляет их двум наиболее крупным партнёрам.

Ранее считалось, что первой в этой отрасли станет Samsung, опытные поставки аналогичных микросхем которой должны были начаться в первом квартале 2015 года. Но теперь выяснилось, что Micron Technologу уже перехватила инициативу и начала поставлять своим партнёрам первые чипы GDDR5 ёмкостью 8 Гбит. Они наверняка найдут своё применение в тех устройствах, где требуется вывод на экран картинки в разрешении 4K с хорошей скоростью, то есть в старших моделях игровых видеокарт.

Традиционно этот тип памяти используется практически исключительно в видеокартах, но есть одно исключение — крупным потребителем GDDR5 также является компания Sony со своей игровой консолью PlayStation 4, в текущей версии которой устанавливается 16 чипов ёмкостью 4 Гбит. Переход на использование более ёмких кристаллов позволит удешевить конструкцию, а значит, в перспективе, и понизить цены на саму консоль, сделав её более конкурентоспособной. Хотя Micron сейчас и упоминает двух крупных партнёров, не ясно, входит ли в их число Sony Corporation.

CES 2015: Samsung показала новейшие чипы TLC 3D V-NAND

Многослойная память Samsung TLC 3D V-NAND хороша во всех отношениях: благодаря использованию сравнительно грубого техпроцесса она надёжна, даже несмотря на трёхъячеечную архитектуру, а благодаря многослойности — имеет существенно большую емкость по сравнению с традиционной однослойной MLC. На выставке CES 2015 компания продемонстрировала кремниевые пластины, содержащие новейшие чипы NAND.

Показаны были как 16-гигабитные кристаллы классической флеш-памяти MLC, произведённой с использованием нового 10-нанометрового техпроцесса, так и 32-слойные кристаллы TLC 3D V-NAND ёмкостью 128 гигабит. Как уже было упомянуто, трёхмерная память типа TLC существенно надёжнее обычной планарной того же типа, поэтому неудивительно, что Samsung планирует массово поставлять новые чипы корпоративному сектору рынка, в котором велики требования как к надёжности, так и к ёмкости твердотельных накопителей.

Пока 128 гигабит является максимумом для одного 32-слойного кристалла 3D V-NAND, хотя Intel и заявляет, что движется прямиком к созданию кристаллов вдвое большей ёмкости, 256 гигабит. Работает над их созданием и Samsung, но, к сожалению, деталей компания-разработчик не разглашает. Предполагается, что к 2017 году ёмкость многослойной флеш-памяти достигнет одного терабита на кристалл. Похоже, совсем скоро на этом рынке разгорится настоящая война, поскольку к Samsung и Intel намеревается присоединиться и Toshiba.

MRAM-кеш поможет снизить энергопотребление процессоров на 60 процентов

Корпорация Toshiba предлагает использовать в качестве кеша в компьютерных процессорах магниторезистивную память с произвольным доступом (MRAM). Ожидается, что это позволит существенно уменьшить энергопотребление чипов.

Информация в MRAM хранится при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Магнитные элементы сформированы из двух ферромагнитных слоёв, разделённых тонким слоем диэлектрика. Один из слоёв представляет собой постоянный магнит, намагниченный в определённом направлении, а намагниченность другого слоя изменяется под действием внешнего поля. Устройство памяти организовано по принципу сетки, состоящей из отдельных «ячеек», содержащих элемент памяти и транзистор. Считывание информации осуществляется измерением электрического сопротивления ячейки.

Toshiba предлагает применять в процессорах MRAM-память, базирующуюся на технологии переключения с помощью переноса спина (Spin-Transfer Torque, STT). Такая память, по задумке японской корпорации, будет использоваться в качестве кеша второго уровня (L2).

Отмечается, что в L2-кеше до 80 % затрачиваемой энергии приходится на утечки. Предложенная корпорацией Toshiba структура MRAM-памяти совмещает элементы DRAM (Dynamic Random Access Memory) и SRAM (Static Random Access Memory), сводя утечки практически к нолю. В результате энергопотребление всего процессора может быть снижено на 60 %.

Важно отметить, что MRAM является энергонезависимой памятью, то есть может сохранять записанную информацию при отсутствии внешнего питания. При использовании MRAM в качестве кеша L2 время считывания данных составит 4,1 наносекунды, время записи — 2,1 наносекунды. 

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥