Компания Micron сообщила, что приступила к поставкам образцов энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5X-9600, производящейся с использованием её самого передового технологического процесса 1β (1-бета).

Источник изображения: Micron

В Micron отмечают, что оперативная память LPDDR5X на техпроцессе 1β предлагает скорость до 9,6 Гбит/с на контакт (LPDDR5X-9600). Пропускная способность памяти более чем на 12 % выше, чем у LPDDR5X-8533 (8,533 Гбит/с на контакт).

Компания также сообщает, что оперативная память LPDDR5X на техпроцессе 1β почти на 30 % энергоэффективнее чипов памяти LPDDR5X на техпроцессе 1α. Micron будет выпускать память LPDDR5X на техпроцессе 1β микросхемами объёмом до 16 Гбайт.

Источник изображения: SK hynix

В свою очередь южнокорейская SK hynix будет поставлять микросхемы памяти LPDDR5T-9600 («T» от «Turbo») объёмом 16 Гбайт, которые работают с напряжением VDD от 1,01 до 1,12 и VDDQ 0,5 В. Для сравнения, максимальное напряжение VDD для памяти LPDDR5X, согласно спецификациям, составляет 1,1 В. Таким образом память LPDDR5T немного выходит за эти рамки.

Микросхемы памяти Micron LPDDR5X-9600 и SK hynix LPDDR5T-9600 совместимы с новейшими флагманскими процессорами Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 с поддержкой генеративного ИИ и будут применяться в смартфонах на их основе. Micron уже приступила к поставкам чипов LPDDR5X-9600 объёмом 16 Гбайт с пиковой пропускной способностью 76,8 Гбайт/с. SK Hynix рассказала, что её микросхемы прошли проверку компанией Qualcomm, поэтому южнокорейский производитель, вероятно, начнёт поставки этих чипов в ближайшее время.

Прошло всего два месяца после анонса самой быстрой в мире памяти LPDDR5X для мобильных устройств, а компания SK hynix уже представляет более быструю память LPDDR5T. Данная память станет последним этапом в подготовке к переходу на чипы LPDDR6, а чтобы подчеркнуть исключительно высочайшие качества новинки новая модификация LPDDR5 получила приставку «T», что означает Turbo.

Источник изображений: SK hynix

LPDDR5T будет на 13 % быстрее памяти LPDDR5X, что потребуется новым мобильным устройствам от смартфонов до AR/VR-гарнитур и других устройств, а также для приложений искусственного интеллекта и, особенно, для периферийных ИИ-решений в виде роботов и других решений.

Как известно, скорость передачи представленных в октябре прошлого года чипов LPDDR5X достигает 8,5 Гбит/с на контакт. Скорость работы памяти LPDDR5T заявлена на уровне 9,6 Гбит/с на контакт. При этом потребление чипов выросло незначительно, что позволяет говорить о росте энергоэффективности.

Массовое производство микросхем LPDDR5T компания SK hynix намерена запустить во второй половине текущего года. Продукция сразу же будет пользоваться спросом, поскольку образцы микросхем уже отправлены для изучения многочисленным клиентам компании. Вероятно, в готовых продуктах память LPDDR5T дебютирует на CES 2024, а в широкой продаже появится зимой и весной следующего года.

Микросхемы LPDDR5T производятся с использованием четвёртого поколения техпроцесса класса 10 нм (в обозначении SK hynix — 1anm). Для изготовления ключевых транзисторов ячеек памяти задействован так называемый техпроцесс HKGM (High-K Metal Gate) хорошо известный нам по производству процессоров. Для изоляции металлических затворов транзисторов используется плёнка с высокой диэлектрической проницаемостью, которая снижает токи утечек, что повышает производительность транзисторов и снижает их потребление.

Питание чипов LPDDR5T лежит в сверхнизком диапазоне напряжений, установленном комитетом JEDEC для памяти LPDDR5: от 1,01 до 1,12 В. До появления памяти LPDDR6 более быстрого продукта поколения LPDDR5 может не появиться. Тем не менее, будет интересно узнать, чем компания Samsung ответит на самодеятельность SK hynix в виде маркировки «Турбо»?

Вместо покупки готовых чипов памяти NAND у американских и японских брендов, индийская Sahasra Semiconductors решила организовать процесс сборки, тестирования и упаковки (ATMP) полупроводников своими силами — собственные готовые продукты компания намерена начать продавать к декабрю. Это будет первый в Индии завод, способный с нуля выполнять ATMP-операции.

Источник изображения: Sahasra Semiconductors

Как сообщает DigiTimes, председатель и управляющий директор Sahasra Semiconductors Амрит Манвани (Amrit Manwani) пообещал потратить на строительство завода порядка $94 млн — его построят в индийском штате Раджастхан. Половина средств будет инвестирована в 2023 фискальном году, начавшемся в апреле 2022 и заканчивающемся в марте 2023, ещё половина — в 2024 году. По мере роста доходов ожидаются новые инвестиции в предприятие. К 2026 фискальному году компания намерена занять 5-7 % местного рынка полупроводников.

По словам Манвани, первая партия оборудования для новой фабрики покинет Сингапур в ближайшие дни и поступит на завод к середине августа, следующие партии будут поступать в августе и сентябре. Тестовое производство начнётся в ноябре, а выпуск в коммерческих масштабах — к декабрю.

Изначально Sahasra Semiconductor выступала в Индии в роли агента, продававшего модули памяти для западных компаний, а теперь продаёт аналогичные продукты, включая USB-накопители, SD-карты и SSD под собственными торговыми марками. Sahasra Semiconductors была основана в 2020 году и занимается выпуском электронных компонентов различного назначения, участвуя в многочисленных государственных программах производства электроники. Компания связана с Sahasra Electronics и Infopower Technologies.

Ранее сообщалось, что помимо Sahasra Semiconductors рассматривали возможность производства модулей памяти в индийских штатах и в Micron, но компания не подтвердила слухи.