Бум систем искусственного интеллекта воодушевил производителей памяти семейства HBM, а ведущие позиции на этом рынке сейчас занимает южнокорейская SK hynix. Руководство этой компании выражает уверенность, что высокий спрос на микросхемы памяти сохранится как минимум до середины следующего года. В дальнейшем он тоже может оставаться высоким, но для подобных прогнозов у компании просто нет достаточных данных.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: SK hynix

По словам издания Korean Economic Daily, соответствующие заявления генеральный директор SK hynix Квак Но Чун (Kwak Noh-jung) на собрании с участием сотрудников компании сделал в минувшую среду. «Оживление на рынке памяти сохранится до конца первой половины следующего года. Спрос на HBM способствовал возникновению перелома в отрасли по производству памяти», — буквально заявил руководитель SK hynix. Во втором квартале операционная прибыль компании достигла шестилетнего максимума в размере $3,96 млрд, норма операционной прибыли выросла до рекордных 33 %, а выручка выросла в годовом сравнении на 124,7 % до $11,86 млрд.

Помимо активного наращивания производственных мощностей для выпуска HBM, компания SK hynix намеревается своевременно осваивать новые типы продукции. Наладить выпуск 12-слойных микросхем типа HBM4 этот южнокорейский производитель рассчитывает во второй половине следующего года. Глава SK hynix не стал торопиться с прогнозами на вторую половину следующего года с точки зрения сохранения высокой динамики спроса, но в компании это объясняют не наличием причин сомневаться в её сохранении, а просто в отдалённости этого периода для обеспечения достоверного прогнозирования.

Новейшая память HBM3E компании Samsung Electronics длительное время не могла попасть в цепочки поставок Nvidia, поскольку не проходила сертификационные тесты, и теперь осведомлённые источники сообщает, что 8-слойные микросхемы Samsung этого типа наконец-то прошли сертификацию крупнейшего разработчика чипов для систем искусственного интеллекта.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Об этом сообщило агентство Reuters со ссылкой на три независимых источника. Формально, данный этап открывает перед продукцией Samsung этого типа путь к долгожданному сотрудничеству с Nvidia, поскольку до сих пор из трёх существующих производителей HBM3E только Samsung не могла похвастать наличием необходимых сертификатов. Лидирующим поставщиком HBM3E для нужд Nvidia, как известно, является SK hynix, которая контролирует около половины рынка микросхем этого типа.

Samsung при этом только предстоит пройти сертификацию Nvidia для микросхем HBM3E с 12 ярусами, поэтому южнокорейский гигант всё равно остаётся в положении догоняющего по сравнению со своими конкурентами. В случае с 8-ярусными стеками HBM3E компания Samsung ещё только должна подписать контракт с Nvidia, чтобы приступить к их поставкам этому клиенту в четвёртом квартале текущего года. Считается, что ради соответствия требованиям Nvidia компании Samsung пришлось внести серьёзные изменения в конструкцию и технологию изготовления микросхем памяти типа HBM3E.

Недавно сообщалось, что менее современная память HBM3 марки Samsung была сертифицирована Nvidia для использования в составе ускорителей вычислений, ориентированных на китайский рынок. По оценкам TrendForce, микросхемы поколения HBM3E по итогам текущего года станут доминирующим типом HBM, основной объём их поставок придётся на второе полугодие. Непосредственно Samsung рассчитывает довести долю HBM3E до 60 % поставок в структуре чипов семейства HBM к концу этого года.

Глава полупроводникового подразделения Samsung Electronics, Чун Юн Хён (Jun Young Hyun), предупредил, что крупнейшая компания Южной Кореи рискует попасть в «порочный круг», если не изменит свою корпоративную культуру. Это заявление было сделано всего через несколько месяцев после его назначения. И на фоне попыток догнать SK Hynix в сегменте памяти для ускорителей вычислений Nvidia.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Источник изображения: Samsung Electronics

В прошлом году Samsung столкнулась с серьёзными трудностями из-за отсутствия внутренних инноваций и слабой коммуникации между отделами. В своей короткой служебной записке Чун Юн Хён отметил, что для сохранения роста компания должна устранить коммуникационные барьеры между отделами и прекратить замалчивать проблемы: «Нам нужно восстановить культуру ожесточённых споров, которая уникальна для полупроводниковой сферы. Если мы будем полагаться на рынок без восстановления фундаментальной конкурентоспособности, мы застрянем в порочном круге, который повторит прошлогоднюю ситуацию».

В заявлении Чун Юн Хёна чувствуется разочарование из-за ошибок Samsung на рынке памяти для ускорителей вычислений Nvidia. В то время как Samsung недавно сообщила о самом быстром росте чистой прибыли с 2010 года, новый глава подразделения перечислил множество проблем, которые подрывают долгосрочную конкурентоспособность южнокорейского гиганта. Важно отметить, что значительная часть этого роста была обусловлена общим восстановлением рынка, а не инновациями компании.

Тем не менее, конгломерат начал добиваться прогресса в сокращении разрыва с SK Hynix. Samsung достигла важного успеха, получив долгожданное одобрение от Nvidia своих высокоскоростных чипов памяти HBM3 и ожидает одобрения следующего поколения, HBM3E, через два-четыре месяца. Это показывает, что компания предпринимает шаги для улучшения своей позиции на рынке.

Для крупнейшей компании Южной Кореи довольно необычно играть роль догоняющего, ведь исторически Samsung всегда была лидером на рынке благодаря своему масштабу и инженерному мастерству. Однако текущие вызовы подчёркивают необходимость не только технологических, но и культурных изменений внутри компании.

«Сейчас мы находимся в сложной ситуации. Благодаря накопленному опыту исследований и ноу-хау мы уверены, что быстро восстановим свои конкурентные преимущества», — заявил Чун Юн Хён. Признание ошибок и активная работа над их устранением дают Samsung шанс вернуть лидирующие позиции на рынке полупроводников. Однако без значительных изменений в корпоративной культуре компания рискует продолжить сталкиваться с теми же проблемами, что и ранее.

На исходе первого месяца третьего квартала многие компании поспешили подвести итоги квартала предыдущего, Samsung Electronics оказалась в их числе. Если предварительные данные о величине выручки и операционной прибыли компании были известны ещё в первой половине месяца, то подробную отчётность она опубликовала только сегодня. Как выяснилось, чистая прибыль Samsung взлетела в шесть раз до $6,96 млрд.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: Samsung Electronics

Аналитики, между тем, как поясняет Bloomberg, рассчитывали только на $5,8 млрд чистой прибыли. Ранее компания заявляла об увеличении операционной прибыли в 15 раз по итогам второго квартала до $7,6 млрд, а также о росте выручки на 23 % до $53,5 млрд. Подобная динамика наблюдается впервые с 2021 года. Вполне предсказуемо, локомотивом роста оказался бизнес Samsung по выпуску полупроводниковой продукции. На этом направлении операционная прибыль достигла $4,7 млрд, поскольку рост цен на память в целом сопровождался ростом спроса на микросхемы типа HBM. Выручка от реализации последних по сравнению с первым кварталом выросла более чем на 50 %. Сейчас микросхемы HBM3E формируют не более 10 % профильной выручки Samsung. Поставки памяти этого типа компания намерена осуществлять в интересах сразу нескольких клиентов, но называть их имена она категорически отказывается.

Представители Samsung не стали комментировать недавние слухи о получении одобрения на поставку HBM3 для нужд Nvidia, сославшись на строгие контрактные взаимоотношения с клиентами, но подчеркнули, что до конца года собираются увеличить долю выручки от поставок HBM3E до 60 % от всех средств, получаемых в сегменте HBM. В следующем году компания собирается удвоить объёмы выпуска микросхем семейства HBM, а во второй половине этого увеличит их в 3,5 раза относительно первого полугодия.

Расходы на исследования и разработки Samsung по итогам прошлого квартала выросли на 11 % до рекордных $5,8 млрд. Забастовка сотрудников, которая началась несколько недель назад, на ритмичности выпуска продукции Samsung не сказалась, как подчёркивает руководство.

Южнокорейский гигант был вынужден признать, что в этом году поставки микросхем памяти для сегмента ПК и смартфонов будут ограничены, поскольку приоритет будет отдаваться серверному сегменту в целом и HBM в частности. Выручка в сегменте смартфонов, как ожидают в Samsung, будет расти, но преимущественно за счёт спроса на дорогие модели с функциями ИИ, тогда как в начальном ценовом сегменте спрос замедлится. Серия Galaxy S24 продолжает пользоваться стабильным спросом, как отметили представители Samsung. Отрицательная динамика выручки во втором квартале в сегменте смартфонов в целом обусловлена сезонными факторами, по их словам.

Во втором полугодии, как ожидается, спрос на серверные компоненты останется на высоком уровне, причём не только за счёт DDR и HBM, но и твердотельной памяти 3D NAND для накопителей. Компания готова расширять производство HBM3E во втором полугодии, а ещё в серверном сегменте высоким спросом пользуются твердотельные накопители.

Как пояснили представители Samsung на квартальном отчётном мероприятии, 8-слойные стеки HBM3E компания готова начать поставлять клиентам уже в этом квартале, поскольку данный вид продукции ими был одобрен. Массовое производство 12-слойных стеков HBM3E планируется начать до конца второго полугодия. Микросхемы типа HBM4 компания рассчитывает поставить на конвейер во второй половине 2025 года.

Тема соответствия продукции Samsung требованиям Nvidia к микросхемам памяти типов HBM3 и HBM3E не сходит с новостных лент, и новые данные говорят о том, что первый тип памяти уже получил одобрение заказчика, а второй должен сделать это в течение ближайших четырёх месяцев. Впрочем, существует риск, что это долгожданное событие произойдёт уже в 2025 году.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: Samsung Electronics

О злоключениях Samsung Electronics в этой сфере с новыми силами рассказывает агентство Bloomberg. По данным информированных источников, Samsung уже получила одобрение Nvidia на использование своих микросхем типа HBM3 в продукции данного разработчика графических процессоров, и первым изделием с таким сочетанием компонентов может стать ускоритель вычислений H20, созданный специально для китайского рынка с учётом действующих американских санкций.

Что касается более современных микросхем памяти HBM3E в исполнении Samsung, то их компания надеется сертифицировать по требованиям Nvidia либо через два, либо через четыре месяца — в зависимости от исполнительской дисциплины задействованных сотрудников и везения. К концу года Samsung хотела бы наладить поставки микросхем HBM3E для нужд Nvidia. Если же всё пойдёт не по плану, то благословенный момент может передвинуться на 2025 год.

Как известно, более мелкая компания SK hynix не только опережает Samsung по темпам вывода на рынок новых видов памяти семейства HBM, но и контролирует более половины мирового рынка таких микросхем. Аналитики Morgan Stanley полагают, что в случае успеха с сертификацией своей памяти под требования Nvidia компания Samsung уже в следующем году займёт не менее 10 % мирового рынка, и это позволит ей заметно нарастить выручку. Эксперты ожидают, что ёмкость мирового рынка HBM с прошлогодних $4 млрд к 2027 году вырастет до $71 млрд. Даже если Samsung немного отстаёт от конкурентов сейчас, имеющиеся в её распоряжении производственные мощности позволят быстро наверстать упущенное и найти себе достойное место на рынке.

Некоторые источники считают, что до сих пор Samsung подводило принятое ранее решение использовать для соединения слоёв памяти в стеке по методу TC-NCF с тепловой компрессией непроводящей плёнки. SK hynix использует другой метод, и её доля на рынке HBM не позволяет сомневаться в его эффективности. При этом Samsung не сомневается в востребованности метода TC-NCF на рынке и не демонстрирует готовности модифицировать технологию объединения слоёв памяти в стеке. И всё же, источники утверждают, что ради получения одобрения от Nvidia южнокорейский гигант пошёл на модификацию технологии выпуска HBM3. Производством памяти этого типа компания занимается со второй половины прошлого года.

HBM3E впервые начала использоваться Nvidia в этом году, причём сейчас она получает эти микросхемы только от SK hynix. В следующем году HBM3E будет пользоваться значительно большим спросом, и SK hynix оперативно удовлетворить потребности рынка просто не сможет, даже если сдержит обещание увеличить объёмы выпуска HBM3E в четыре раза. Micron Technology также успела получить одобрение на использование своих микросхем HBM3E в продукции Nvidia, поэтому на очереди осталась лишь Samsung. Компания прилагает усилия к завершению сертификации как 8-слойных, так и 12-слойных микросхем этого типа по требованиям Nvidia.