Asustor анонсировала два новых сетевых хранилища Flashstor 6 Gen2 и Flashstor 12 Pro Gen2, предназначенных для установки твердотельных накопителей формата M.2. Устройства могут похвастаться производительными чипами AMD Ryzen Embedded, портами USB4 с поддержкой Thunderbolt и сетевыми интерфейсами 10GbE.

Источник изображений: asustor.com

По сравнению с системами первого поколения, свежие NAS Asustor Flashstor Gen2 предлагают радикальное обновление комплектующих, способное удовлетворить запросы профессиональных и взыскательных домашних пользователей. Новые сетевые хранилища комплектуются четырёхъядерными чипами AMD Ryzen Embedded V3C14, которые производятся по технологии 6 нм и работают на тактовой частоте до 3,8 ГГц. Устройства получили сетевые интерфейсы и по два порта USB4 с поддержкой Thunderbolt, которые способны раскрыть высокие скорости накопителей M.2.

Модель Asustor Flashstor 6 Gen2 оснащается шестью слотами M.2 для твердотельных NVMe-накопителей до PCIe 4.0 x4, 8 Гбайт оперативной памяти DDR5-4800 и портом 10GbE; у варианта Flashstor 12 Pro Gen2 уже 12 слотов для накопителей, также до PCIe 4.0 x4, 16 Гбайт оперативной памяти и два порта 10GbE. Устройства поддерживают до 64 Гбайт памяти с ECC — она отвечает за обнаружение и исправление ошибок, повышая стабильность и надёжность системы.

Здесь стоит отметить, что использованный в новинках процессор располагает лишь 20 линиями PCIe, так что заставить все шесть или двенадцать накопителей работать одновременно с максимально возможной скоростью не получится. Производитель отмечает, что оба сетевых хранилища поддерживают также протокол SMB Multichannel, обеспечивая скорость чтения до 2331 Мбайт/с и записи — до 2358 Мбайт/с. Есть возможность подключить устройство расширения Xpanstor 4 USB и добавить к Flashstor Gen2 жёсткие диски.

Новые NAS оборудуются модернизированной системой охлаждения с двумя тихими вентиляторами и эффективными тепловыми трубками для рассеивания тепла от процессора, накопителей и сетевых портов. Asustor Flashstor Gen2 Работают под управлением ADM OS 5.0 на базе ядра Linux 6.6. Рекомендованная розничная цена модели Asustor Flashstor 6 Gen2 составляет £979 ($1244), а старшая Flashstor 12 Pro Gen2 обойдётся в £1339 ($1702).

D-Link не планирует исправлять критическую уязвимость, которая была обнаружена в её старых сетевых хранилищах (NAS) и позволяет внедрять команды с помощью соответствующего эксплойта. Вместо этого производитель рекомендует владельцам затронутых устройств перейти на использование более новых моделей, которые данная проблема не затрагивает.

Источник изображения: D-Link

Речь идёт об уязвимости CVE-2024-10914, которая получила критическую оценку серьёзности 9,2 балла и была обнаружена специалистами компании Netsecfish. Уязвимость присутствует в скрипте account_mgr.cgi, где злоумышленник может особым образом скорректировать параметр имени для выполнения эксплойта. Другими словами, неаутентифицированный пользователь имеет возможность внедрения произвольных команд оболочки посредством отправки на уязвимое устройство запросов HTTP GET.

В сообщении сказано, что проблема затрагивает несколько моделей сетевых хранилищ D-Link: DNS-320 версии 1.00, DNS-320LW версии 1.01.0914.2012, DNS-325 версии 1.01 и DNS-340L версии 1.08. Для пользователей этих устройств плохая новость заключается в том, что D-Link не намерена выпускать патч для исправления упомянутой уязвимости. Это объясняется тем, что период поддержки всех проблемных NAS-устройств завершён, поэтому для них больше не выпускаются обновления программного обеспечения.

Производитель рекомендует владельцам затронутых проблемой NAS-устройств оперативно перейти на использование более актуальных моделей. Тем, кто не может сделать это быстро, следует изолировать устройства от интернета или же настроить для них более строгие правила доступа. Можно также попытаться найти альтернативную прошивку от сторонних разработчиков, но в этом случае до её загрузки следует убедиться в надёжности и безопасности прошивки.

Неоднократные заявления представителей TSMC об отсутствии необходимости переходить на более дорогое оборудование High-NA EUV при производстве чипов по технологии A16 вовсе не означают, что компания им не интересуется в принципе. По данным Nikkei Asian Review, в лаборатории TSMC первая подобная система ASML появится до конца текущего года.

Источник изображения: ASML

Напомним, послойное внедрение EUV-литографии с высоким значением числовой апертуры (High-NA) большинством ведущих производителей чипов запланировано на рубеже литографических норм ниже 2 нм, и пока компания Intel претендует на основного получателя первых образцов такого оборудования от ASML. Между тем, японские источники сообщают, что до конца текущего года соответствующий литографический сканер данной марки будет доставлен на Тайвань и установлен в исследовательском центре TSMC в городе Синьчжу. По крайней мере, речь может идти о первом образце оборудования, поскольку даже Intel оба своих сканера такого типа с конца прошлого года получала поэтапно. Сколько всего сканеров High-NA EUV потребуется TSMC для экспериментов в своей лаборатории, не уточняется.

Сейчас ASML способна ежегодно выпускать от пяти до шести таких литографических систем, и первоначально предполагалось, что Intel уже забронировала весь их тираж на следующий год. Попутно Nikkei удалось получить информацию о подготовке ASML к отгрузке третьего по счёту литографического сканера такого класса для нужд компании Intel. Принято считать, что поставляемые на Тайвань компанией ASML литографические сканеры последнего поколения оснащаются механизмом дистанционного управления, который позволяет безвозвратно выводить машину из строя в случае опасности захвата острова китайскими войсками.

Для серийного выпуска чипов по технологии Intel 14A одноимённой компании потребуется несколько литографических сканеров ASML с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV), и вторая из полученных ею систем этого класса недавно была успешно собрана и установлена в Орегоне, как стало известно на днях.

Источник изображения: ASML

По сути, о начале монтажа второго литографического сканера ASML такого класса стало известно ещё в начале августа, но процесс удалось завершить только недавно. По данным TrendForce, директор Intel по литографическому оборудованию Марк Филипс (Mark Phillips) даже заявил, что первые итоги испытаний данного оборудования превосходят ожидания компании. Вторую систему класса High-NA EUV производитель процессоров собрал и установил быстрее, чем первую.

По словам Филипса, почти вся необходимая для начала выпуска чипов с использованием данного оборудования инфраструктура готова, и сейчас компания приступила к инспекции фотомасок, которые будут применяться совместно с этим оборудованием. К выпуску чипов Intel сможет приступить с минимальными усилиями. Понятно, что в ближайшие месяцы это будет опытное производство, которое масштабируется до серийного не ранее 2026 года.

Как добавил представитель Intel, для освоения массового производства чипов по технологии 14A компании могут потребоваться новые типы фоторезистивных составов, но к 2026–2027 году они появятся в достаточных количествах.

Тайваньская компания TSMC, которая до сих пор публично демонстрировала отсутствие у неё стремления в сжатые сроки освоить литографию класса High-NA, свой первый литографический сканер такого типа получила ещё в прошлом месяце. Южнокорейская Samsung Electronics хоть и заинтересована в покупке у ASML такого оборудования, после недавних кадровых изменений готовится уменьшить объёмы закупок по сравнению с изначальными планами. По всей видимости, роль такого оборудования в технологическом развитии Samsung была пересмотрена в сторону ослабления.

TSMC удалось опередить Intel в запуске массового производства на EUV-оборудовании, но в более продвинутом сегменте High-NA EUV компания отстала от своего американского конкурента. Intel уже пользуется машиной High-NA EUV от ASML для проведения исследований и разработки, а TSMC начнёт установку первого такого сканера лишь в этом месяце, узнали DigiTimes и United Daily News.

Источник изображения: asml.com

Первая установка со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением и высокой числовой апертурой (High-NA EUV) ASML Twinscan EXE:5000, построенная специально для применения в целях исследования и разработки, будет устанавливаться в центре TSMC в тайваньском Синьчжу. В сентябре крупнейший в мире полупроводниковый подрядчик начнёт получать компоненты машины, после чего несколько месяцев потребуются на сборку и калибровку оборудования, прежде чем на нём станет тестироваться технология производства полупроводников нового поколения.

Перспективные технологические процессы TSMC N2 (класс 2 нм) и A16 (класс 1,6 нм) будут работать исключительно на EUV-оборудовании с низкой числовой апертурой 0,33. Сканер High-NA EUV (числовая апертура 0,55) будет использоваться для техпроцесса A14 (класс 1,4 нм) ориентировочно в 2028 году, хотя официальных заявлений компании по этому поводу пока не последовало. Но его внедрение вызовет дополнительные сложности как у производителей, так и у разработчиков, поэтому TSMC не спешит с развёртыванием таких сканеров.

Ещё один аргумент не в пользу машин нового поколения — их цена, которая, как заявил ответственный за разработку новых технологических процессов в TSMC Кевин Чжан (Kevin Zhang), понравилась ему меньше, чем производительность. Каждая машина High-NA стоит около $400 млн, хотя президенту компании Си-Си Вэю (C.C. Wei) и удалось договориться о скидке в размере почти 20 % при покупке нескольких единиц оборудования сразу. Учитывая, что TSMC является ведущим производителем, использующим EUV-литографию, и в её распоряжении находятся 65 % мировых EUV-мощностей ASML, нидерландский производитель, конечно, склонен идти на сделки с заводом, который является одним из его крупнейших клиентов.

Компания Toshiba представила обновлённую серию 3,5-дюймовых жёстких дисков N300 с интерфейсом SATA III для использования в составе сетевых хранилищ (NAS). Новинки предлагаются в объёмах на 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20 и 22 Тбайт.

Источник изображений: Toshiba

Модели HDD Toshiba N300 объёмом от 12 Тбайт и выше заполонены гелием для снижения уровня шума при работе. При этом все новинки используют традиционную технологию магнитной записи (CMR).

Для накопителей заявляется скорость работы шпинделя 7200 об/мин. В зависимости от модели они получили буфер объёмом от 64 до 512 Мбайт.

Новинки используют интерфейс подключения SATA III (6 Гбит/с) и обеспечивают последовательную скорость чтения до 281 Мбайт/с и скорость записи до 268 Мбайт/с. Время работы на отказ у жёстких дисков HDD Toshiba N300 составляет от 1 до 1,2 млн часов.

В декабре прошлого года делегация руководителей Samsung Electronics в Нидерландах договорилась с коллегами из ASML о строительстве исследовательского центра в Южной Корее, а также расписала график закупки передового оборудования на десять лет вперёд. С тех пор в отвечающем за электронные устройства подразделении Samsung сменилось руководство, и оно уже не так оптимистично смотрит на программу закупки сканеров у ASML.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как поясняет издание Business Korea, первоначальные договорённости с ASML подразумевали, что Samsung в течение десяти лет закупит не менее трёх литографических сканеров ASML в каждой из линеек Twinscan EXE:5200, EXE:5400 и EXE:5600. Теперь же, как стало известно корейским источникам, Samsung в этом месяце уведомила ASML о намерениях ограничить ассортимент закупаемых литографических систем некоторым количеством Twinscan EXE:5200, и не торопиться с приобретением последующих моделей.

Более того, Samsung приостановила подготовку к строительству исследовательского центра в корейском Хвасоне, который должен был принять всё это оборудование. Официальные представители Samsung Electronics подтвердить информацию не пожелали, отметив, что в планах компании по приобретению оборудования класса High-NA EUV компании ASML ничего не изменилось. «Совместный исследовательский центр двух компаний будет расположен в оптимальном месте», — добавили они.

Неофициальные источники связывают подобные назревающие изменения в курсе Samsung с майским назначением на должность главы подразделения Device Solutions Чон Ён Хёна (Jun Young-hyun), поскольку первоначальные договорённости с ASML были достигнуты ещё его предшественником. Возможно, как только новое руководство подразделения определится с долгосрочными планами, сотрудничество с ASML будет возобновлено на новых условиях, если это потребуется.

Южнокорейская компания Samsung Electronics не только остаётся крупнейшим производителем памяти, но и не оставляет амбиций в сфере контрактного производства логических компонентов. Ради движения в ногу с прогрессом она собирается вслед за Intel получить к концу этого года литографический сканер ASML TwinScan EXE:5000, который позволяет работать с высоким значением числовой апертуры (High-NA).

Источник изображения: ASML

Intel является крупнейшим клиентом ASML на этом направлении и пытается выкупить все доступные для заказа на этот год подобные системы, но намерения Samsung показывают, что при определённой настойчивости корейская компания тоже может получить свою первую литографическую систему класса High-NA EUV к концу текущего года или в первом квартале следующего. Подобное оборудование должно позволить Samsung не только наладить выпуск чипов по технологиям «тоньше» 2 нм, но и делать это с более низкой себестоимостью. Правда, сам литографический сканер такого класса стоит не менее $380 млн, а ещё он занимает больше места, поэтому внедрение такого оборудования потребует не только высоких первоначальных затрат, но и смены подхода к планировке цехов.

Попутно южнокорейские СМИ сообщают, что Samsung призналась в наличии у неё средств инспекции фотомасок японской марки Lasertec, которые адаптированы к технологии High-NA EUV. Если всё пойдёт по плану, Samsung сможет наладить выпуск первых прототипов продукции на оборудовании такого класса к середине следующего года. Впрочем, в массовом производстве технология High-NA EUV будет освоена компанией ближе к 2027 году.

Samsung в сотрудничестве с Synopsys также внедряет иной «рисунок» элементов полупроводниковых чипов, который предполагает переход от прямых линий к кривым. Это позволит создавать более плотные структуры на чипах и продвинуться в освоении более «тонких» техпроцессов. Компания TSMC также рассчитывает получить до конца года от ASML свой первый литографический сканер класса High-NA EUV, но внедрить подобное оборудование в массовом производстве чипов по технологии A14 планирует не ранее 2028 года.

Первый литографический сканер ASML с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV) был отгружен для нужд компании Intel ещё в декабре прошлого года, к апрелю завершился его монтаж в исследовательском центре в Орегоне, а на минувшей квартальной конференции глава Intel подтвердил, что компания готовится получить от ASML второй экземпляр такого оборудования.

Источник изображения: Intel

Данное высказывание генерального директора Патрика Гелсингера (Patrick Gelsinger), как отмечает Reuters, осталось незамеченным на фоне провального квартального отчёта, но упоминание данного факта из его уст всё же прозвучало. «Второй инструмент High-NA отправлен на наше предприятие в Орегоне», — лаконично пояснил глава Intel, добавив, что вложения компании в передовые технологии на ранних этапах демонстрируют хорошие показатели. Как известно, подобное оборудование потребуется Intel для выпуска чипов по перспективной технологии Intel 14A с 2027 года, но на уровне экспериментов она намеревается применять его в рамках более зрелого техпроцесса Intel 18A.

В середине июля представители ASML также признались, что компания начала отгрузку второй литографической машины для работы с High-NA EUV некоему клиенту, и если сопоставить это заявление с признаниями руководителя Intel, то можно понять, что речь идёт именно об этой компании. Деньги за первый литографический сканер такого класса Intel успеет получить до конца текущего года, а выплата за второй может выпасть уже на следующий. Каждая такая литографическая машина стоит около 350 млн евро.

ASML уже располагает заказами на поставку более десятка таких систем, среди клиентов числятся Intel, TSMC, Samsung, SK hynix и Micron. При этом TSMC утверждает, что ей не потребуются подобные сканеры для выпуска чипов по технологии A16, но от экспериментов с таким оборудованием она всё же не отказывается. Перечисленные выше производители памяти рассчитывают начать применение EUV-литографов с высоким значением числовой апертуры с период с 2025 по 2026 годы.

ASML доложила на конференции Imec ITF World 2024, что ей удалось побить собственный рекорд плотности размещения транзисторов с помощью своего первого литографического сканера с высокой числовой апертурой (High-NA), установленный немногим более месяца назад. Компания также сообщила о перспективной разработке более совершенного оборудования класса Hyper-NA и изложила план по двухкратному повышению производительности, сообщает Tom’s Hardware.

Источник изображения: ASML

Бывший президент и технический директор ASML Мартин ван ден Бринк (Martin van den Brink), сейчас работающий в компании консультантом, сообщил, что ASML разработает сканер Hyper-NA, более совершенный, чем существующий High-NA. Он также изложил план по снижению затрат на производство чипов на оборудовании со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) за счёт увеличения скорости обработки до 400–500 кремниевых пластин в час — это более чем вдвое превышает актуальный показатель в 200 пластин в час. И предложил модульную унифицированную конструкцию перспективных линеек EUV-оборудования ASML.

Источник изображения: tomshardware.com

Осуществив дополнительную настройку оборудования, сообщил Мартин ван ден Бринк, ASML удалось напечатать на оборудовании High-NA EUV линии плотностью 8 нм — это рекорд для производственного сканера. Предыдущий рекорд компания установила в апреле, напечатав линии плотностью 10 нм на машине в совместной с Imec лаборатории в нидерландском Вельдховене. Для сравнения, стандартные машины ASML Low-NA EUV способны печатать элементы размером до 13,5 нм (критический размер — critical dimensions или CD), а новый сканер EXE:5200 High-NA позволяет создавать транзисторы с элементами до 8 нм, и ASML продемонстрировала, что он соответствует заявленным характеристикам.

Теперь компании предстоит провести работу по оптимизации системы и её подготовке к массовому производству. Эта работа уже ведётся в Нидерландах, а Intel, единственный производитель чипов, располагающий полностью собранной системой High-NA, повторяет шаги разработчика по мере её ввода в эксплуатацию на заводе D1X в Орегоне. На начальном этапе Intel будет использовать её в исследованиях и разработке, после чего запустит на EXE:5200 производство продукции класса 14A. Ван дер Бринк ещё раз упомянул машину Hyper-NA EUV, но окончательное решение по ней ещё не принято — ASML, вероятно, пока оценивает интерес отрасли.

Источник изображения: tomshardware.com

Современная стандартная машина EUV работает со светом длиной волны 13,5 нм и числовой апертурой 0,33 (это мера способности оборудования фокусировать свет). Оборудование с высокой числовой апертурой 0,55 использует ту же длину волны, но позволяет печатать более мелкие элементы. Система Hyper-NA, о которой говорит Мартин ван дер Бринк, сохранит ту же длину волны света, но числовая апертура увеличится до 0,75, позволив печатать ещё более мелкие элементы. Критический размер элементов для такого оборудования компания не указала, но привела соответствующий Hyper-NA шаг металлизации (metal pitch), то есть минимальное расстояние между металлическими элементами на чипе — этот показатель варьируется от 16 нм на узлах A3 до 10 нм на узлах менее A2 и датируется второй половиной следующего десятилетия.

В этом месяце стало известно, что Intel могла выкупить все литографические сканеры ASML новейшего поколения (High-NA EUV), которые последняя намерена выпустить в текущем году. TSMC при этом настаивает, что при освоении технологии A16 сможет обойтись без такого дорогостоящего оборудования. Эксперты считают, что Intel может столкнуться с убытками, если такая стратегия окажется ошибочной.

Источник изображения: ASML

Напомним, что генеральный директор Intel Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger), который является идейным вдохновителем скорейшего перехода на использование сканеров класса High-NA EUV, как раз считает их применение залогом снижения себестоимости продукции в диапазоне техпроцессов тоньше 2 нм до уровня, недостижимого для конкурентов. Проблема заключается в том, что каждый литографический сканер ASML с высоким значением числовой апертуры (High-NA) стоит около $380 млн против почти вдвое меньшей суммы в случае с обычным EUV-сканером. Даже если Intel будет внедрять технологию High-NA EUV поэтапно, слой за слоем, ей понадобится внушительное количество весьма дорогого оборудования. По мнению опрошенных TrendForce аналитиков ITRI, это создаёт для компании риски получения серьёзных убытков.

По их словам, осторожное отношение TSMC к вопросу внедрения High-NA EUV само по себе должно быть предостережением для прочих участников рынка услуг по контрактному производству передовых чипов. Являясь лидером рынка с огромной клиентской базой, TSMC явно поняла, что торопиться с внедрением нового класса оборудования не надо, поскольку получаемые за его счёт технологические преимущества пока не могут оправдать высоких затрат на приобретение этих литографических сканеров. Несомненно, когда в этом возникнет бесспорная потребность, TSMC тоже перейдёт на использование литографических сканеров ASML с высоким значением числовой апертуры, но пока тайваньский производитель предпочитает воздержаться от такого шага.

По мнению экспертов ITRI, компания Intel сейчас недооценивает важность технологий компоновки и упаковки чипов, и делает не совсем взвешенную ставку на литографию как таковую. Тем не менее, решение руководством Intel уже принято, и остаётся только наблюдать, как подобная стратегия скажется на бизнесе процессорного гиганта, который сейчас остро нуждается как в серьёзных реформах, так и в существенных капиталовложениях.

В конце апреля старший вице-президент TSMC Кевин Чжан (Kevin Zhang) уже признавался, что не считает целесообразным внедрять литографическое оборудование ASML с высоким значением числовой апертуры (High-NA) при производстве чипов по технологии A16, которая будет освоена во второй половине 2026 года. На этой неделе он повторил данный тезис, назвав соответствующее оборудование слишком дорогим.

Источник изображения: ASML

«Мне нравятся возможности High-NA EUV, но не нравится ценник», — пояснил Кевин Чжан на технологическом симпозиуме в Нидерландах. Оборудование ASML нового поколения, о котором идёт речь, способно изготовить полупроводниковые элементы толщиной всего 8 нм, что в 1,7 раза меньше, чем получается при использовании литографических сканеров предыдущего поколения, но стоимость одной такой системы достигает $380 млн против примерно $216 млн у обычной.

Напомним, что ASML сейчас тестирует один из таких литографических сканеров для работы с High-NA EUV, второй установлен в исследовательском центре Intel в штате Орегон, а третий должна получить бельгийская Imec, которая является одним из партнёров японского консорциума Rapidus, рассчитывающего к 2027 году начать выпуск 2-нм продукции на территории Японии. Корпорация Intel будет экспериментировать с таким оборудованием в рамках технологии 18A, но в серийном производстве внедрит не ранее 2027 года, когда начнёт осваивать технологию Intel 14A. По слухам, Intel даже выкупила весь тираж литографических сканеров ASML нового поколения на этот год, чтобы обеспечить себя необходимым оборудованием.

Как уже отмечал ранее представитель TSMC, этот крупнейший тайваньский контрактный производитель чипов рассчитывает обойтись возможностями имеющегося оборудования. Кевин Чжан пояснил, что предприятия TSMC, на которых будет использоваться техпроцесс A16, могут быть приспособлены для дальнейшей установки оборудования с High-NA EUV, но когда оно потребуется в действительности, компания сказать не может. Сроки внедрения данной технологии на предприятиях TSMC будут определяться балансом технических характеристик выпускаемых чипов и экономическими факторами. Вся отрасль, по его словам, сталкивается с ростом затрат на строительство, оснащение и эксплуатацию предприятий по выпуску чипов.

Нидерландская компания ASML недавно уже осуществила пробную печать на кремниевой пластине с использованием созданного ею литографического сканера с высоким значением числовой апертуры (High-NA), и скоро подобный эксперимент повторит компания Intel, которая завершила монтаж первой системы Twinscan EXE:5000 в своём исследовательском центре в штате Орегон.

Источник изображения: Intel

Напомним, этот передовой литографический сканер в демонтированном состоянии ASML начала переправлять в США ещё в декабре, и только сейчас Intel получила все необходимые его составные части и завершила монтаж оборудования. Ещё какое-то время уйдёт на настройку, после чего Intel тоже сможет осуществить пробную печать токопроводящих линий на поверхности кремниевой пластины. Предполагается, что новый класс оборудования позволит печатать в 1,7 раза более компактные элементы на кремниевой пластине, и достигаемая плотность печати за один проход вырастет в 2,9 раза по сравнению с обычными EUV-сканерами. Напомним, что ASML на своём экземпляре аналогичной системы смогла напечатать линии с плотностью размещения 10 нм. Сочетание источника света с длиной волны 13,5 нм и оптики с высокой числовой апертурой теоретически позволяет Intel создавать элементы размером не более 8 нм.

Новый сканер Twinscan EXE:5000 будет использоваться компанией Intel для экспериментов с использованием техпроцесса Intel 18A, но в серийном производстве начнёт применяться только после перехода на техпроцесс Intel 14A в 2026 году или позже, причём для обработки лишь нескольких слоёв чипов, поскольку это определяется экономической целесообразностью. Intel собирается применять оборудование ASML с высоким значением числовой апертуры при выпуске чипов как минимум по трём поколениям техпроцессов.

Один сканер Twinscan EXE:5000 способен обрабатывать по 185 кремниевых пластин в час, а в будущем Intel рассчитывает получить от ASML сканер Twinscan EXE:5200B, который позволяет обрабатывать более 200 кремниевых пластин в час. Производительность подобного оборудования на практике, как поясняет Tom’s Hardware, будет ограничиваться уменьшенной площадью проекции, которую обеспечивает сканер с высоким значением числовой апертуры. Это одновременно ограничивает и размеры кристалла чипа, который можно получить за один проход. Intel собирается компенсировать это программно за счёт возможности «склейки» проекции кристалла из двух частей, а ASML попутно увеличивает скорость перемещения платформ, на которых закреплены кремниевые пластины и проекционное оборудование соответственно.

В любом случае, при стоимости около $400 млн за штуку литографическое оборудование с высоким значением числовой апертуры не может быть массовым, хотя ASML и уже располагает заказами на 10 или 20 таких систем, и недавно начала отгружать одну из них некоему второму клиенту, которым может оказаться бельгийская Imec. Компания Intel считает, что внедрение так называемой High-NA EUV технологии оправдывает себя с учётом необходимости освоения более совершенных структур транзисторов. Среди них упоминаются чипы с подводом питания с оборотной стороны кремниевой пластины, вертикально компонуемые транзисторы CFET и «самособирающиеся» на молекулярном уровне структуры. Следующий год Intel собирается посвятить подготовке оборудования High-NA EUV к условиям массового производства чипов по технологии Intel 14A. В рамках технологии Intel 18A оно будет применяться только в лабораторных условиях, но не на основном конвейере.

Нидерландская компания ASML сообщила о создании первых образцов полупроводниковых изделий с помощью своего первого литографического сканера со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением и проекционной оптикой с высокой числовой апертурой со значением 0,55 (High-NA EUV). Событие является важной вехой не только для ASML, но и для технологии High-NA EUV в целом.

Источник изображения: ASML

«Наша High-NA EUV-система в Вельдховене напечатала первые в мире линии плотностью 10 нанометров. Визуализация была сделана после того, как оптика, датчики и стадии прошли процесс грубой калибровки. Далее планируется доведение системы до полной производительности и получение тех же результатов в полевых условиях», — говорится в заявлении ASML.

В настоящее время ASML создала всего три литографические системы High-NA EUV. Одна собрана в штаб-квартире компании ASML в Вельдховене (Нидерланды), другую собирают на американском заводе Intel D1X недалеко от Хиллсборо, штат Орегон. Третья будет собрана в Imec, ведущем научно-исследовательском институте полупроводников в Бельгии.

Похоже, ASML стала первой компанией, объявившей об успешном создании образцов с использованием системы литографии High-NA EUV, что является важной вехой для всей полупроводниковой промышленности. ASML собирается использовать свой сканер Twinscan EXE:5000 только для исследования и совершенствования технологии.

В свою очередь, Intel планирует использовать Twinscan EXE:5000, чтобы научиться применять EUV-литографию с высокой числовой апертурой для массового производства чипов. Сканер будет применяться для R&D-проектов с использованием её фирменного техпроцесса Intel 18A (класс 1,8 нм). А вот сканер следующего поколения, Twinscan EXE:5200, планируется задействовать для производства чипов согласно техпроцессу 14A (класс 1,4 нм).

Сканер ASML Twinscan EXE:5200, оснащённый оптикой с числовой апертурой 0,55, предназначен для нанесения элементов чипов с разрешением 8 нм, что является значительным улучшением по сравнению с текущими EUV-системами, обеспечивающими разрешение 13 нм. Новая технология позволяет сократить размеры транзисторов в 1,7 раза и обеспечить увеличение их плотности в 2,9 раза за одну экспозицию по сравнению с инструментами с низкой числовой апертурой (Low-NA EUV).

Сканеры с низкой числовой апертурой тоже позволяют добиться такого уровня разрешения, однако в таком случае требуется использование более дорогостоящего метода двойного шаблона. Переход на системы с литографией High-NA EUV необходим для выпуска чипов согласно нормам ниже 3 нм, массовое производство которых планируется начать в 2025–2026 годах. Применение High-NA EUV-литографии позволяет исключить необходимость в использовании двух проходов с двумя шаблонами, тем самым оптимизировать производственные процессы, потенциально повысив производительность и сократив производственные расходы. С другой стороны, инструменты с высокой числовой апертурой стоят до 400 миллионов долларов каждый и имеют свои недостатки, которые усложняют переход к более совершенным технологическим процессам.

Компания Intel недавно дала понять, какие новшества планирует использовать после освоения выпуска чипов по техпроцессу Intel 18A в следующем полугодии. К 2026 году ей предстоит внедрить в массовом производстве оборудование с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV), и монтаж первого литографического сканера ASML такого класса уже начался на площадке в Орегоне.

Источник изображения: Intel

Напомним, что в качестве эксперимента Intel будет использовать сканер с поддержкой High-NA EUV ещё в рамках технологии Intel 18A, но исключительно в своём исследовательском центре в Орегоне, где он сейчас проходит процедуру монтажа и наладки после доставки из Нидерландов. В серийном варианте технологию начнут использовать только после освоения техпроцесса Intel 14A в 2026 году, она же поможет освоить техпроцесс Intel 10A в 2027 году.

Недавно Intel опубликовала короткий видеоролик с кадрами доставки первого литографического сканера ASML Twinscan EXE:5000, который обладает высоким значением числовой апертуры и позволит выпускать чипы по технологиям от Intel 14A и ниже, если брать исключительно серийную продукцию. Поставка компонентов этого сканера, который в разобранном состоянии занимает 250 контейнеров, началась ещё в прошлом году, но только сейчас Intel опубликовала видео с процессом разгрузки оборудования и его монтажа в своём исследовательском центре в Орегоне. Как правило, коллективу из 250 инженеров на монтаж и настройку одного сканера требуется до шести месяцев. Как можно судить по видео, из Нидерландов в США компоненты сканера доставляются по воздуху, что позволяет рассчитывать на сокращение сроков доставки по сравнению с морским путём.

Напомним, что недавно аналогичный сканер был в тестовом режиме запущен компанией ASML в Нидерландах, поэтому у специалистов компании, которые будут помогать Intel в движении к соответствующему рубежу, уже будет опыт в этой сфере. Оборудование нового поколения позволяет сократить размеры транзисторов в 1,7 раза и увеличить плотность их размещения в три раза по сравнению с существующими техпроцессами. Предполагается, что один литографический сканер нового поколения стоит около $380 млн, поэтому компании Intel придётся серьёзно вложиться в закупку профильного оборудования, прежде чем начать серийный выпуск продукции по технологии Intel 14A.