Сегодня 15 апреля 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

NXP и TSMC выпустят первую в отрасли высокоскоростную 16-нм память MRAM для автомобилей

Полупроводниковая компания NXP Semiconductors сообщила о сотрудничестве с тайваньским контрактным производителем микросхем TSMC в сфере выпуска магниторезистивной оперативной памяти (MRAM) для применения в автомобилях, которая впервые в данной сфере будет построена на 16-нм техпроцессе FinFET.

 Источник изображения: NXP Semiconductors

Источник изображения: NXP Semiconductors

Поскольку автопроизводители активно наращивают выпуск программно-конфигурируемых моделей авто, существует необходимость в поддержке выпуска нескольких поколений программных обновлений для одной аппаратной платформы. В NXP Semiconductors считают, что их процессоры S32 в сочетании с быстрой высоконадёжной энергонезависимой оперативной памятью следующего поколения, производимой по 16-нм технологии FinFET, представляют собой идеальную аппаратную платформу для таких задач.

По словам NXP Semiconductors, память MRAM способна обновить 20 Мбайт программного кода примерно за 3 секунды. Для сравнения, флеш-памяти требуется порядка одной минуты для выполнения той же задачи. Таким образом, использование MRAM-памяти сводит к минимуму время простоя, связанное с обновлением программного обеспечения, и позволяет автопроизводителям устранять узкие места, возникающие из-за длительного времени программирования модулей. Кроме того, MRAM-память способна обеспечить до миллиона циклов перезаписи и её уровень надёжности в 10 раз выше, чем у флеш-памяти и других новых технологий памяти.

Программные OTA-обновления позволяют автопроизводителям расширять функциональность своих автомобильных линеек, повышая комфорт, безопасность и удобство их использования владельцами. Поскольку практика оснащения автомобилей программными функциями становится все более распространённой, частота выпуска обновлений этих функций будет только увеличиваться. На фоне этого скорость и надёжность памяти MRAM станут ещё более важными, отмечают в NXP Semiconductors.

Технология встраиваемой MRAM-памяти на основе 16-нм техпроцесса FinFET компании TSMC значительно превосходит все требования, диктуемые сферой автомобилестроения. Она поддерживает технологию пайки расплавлением дозированного припоя, выдерживает до миллиона циклов перезаписи, а также способна обеспечить сохранение записанных на неё данных в течение 20 лет при экстремальной температуре до 150 градусов Цельсия.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Broadcom вернула бесплатную версию VMware ESXi 8, но никому об этом не сказала 8 ч.
Meta начнёт обучать нейросети на данных пользователей из ЕС 9 ч.
Эпическое создание, новые квесты и механики: бесплатный аддон Stargazer для боевика Eternal Strands от студии экс-режиссёра Dragon Age готов к выходу 9 ч.
Electronic Arts анонсировала Star Wars Zero Company — тактическую стратегию по «Звёздным войнам» от бывших разработчиков XCOM 10 ч.
Лучше GPT-4o «почти по всем параметрам»: OpenAI представила флагманскую ИИ-модель GPT-4.1 10 ч.
Календарь релизов — 14–20 апреля: Mandragora: Whispers of the Witch Tree и Stygian: Outer Gods 11 ч.
Новый геймплейный трейлер подтвердил дату выхода взрывного платформера Shotgun Cop Man от создателя My Friend Pedro 11 ч.
В Steam, GOG и на консолях Xbox стартовала бесплатная раздача Metro 2033 Redux — в том числе для российских игроков 12 ч.
Google создала ИИ-модель DolphinGemma для общения с дельфинами 13 ч.
«Вы не можете спланировать фильм такого масштаба по Zoom»: режиссёр «Бордерлендс» объяснил провал экранизации 13 ч.