MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
GlobalFoundries, третий по величине контрактный производитель микросхем в мире, построит новый завод по производству полупроводников в штате Нью-Йорк и расширит существующие производственные мощности в штате Нью-Йорк и штате Вермонт. Для этих целей правительство США выделяет компании $1,5 млрд в рамках «Закона о чипах». Грант будет сопровождаться доступными кредитами на сумму $1,6 млрд, а общий объём инвестиций может достигнуть $12,5 млрд.
Источник изображения: Reuters
По словам представителей администрации США, проекты, финансируемые в соответствии с «Законом о чипах», создадут в течение десяти лет более 10 000 рабочих мест с высокой заработной платой и социальными льготами. «Нам, как отрасли, необходимо обратить внимание на увеличение спроса на чипы, произведённые в США, а также на увеличение численности высокопрофессиональных работников в сфере полупроводников в США», — считает президент и генеральный директор GlobalFoundries Томас Колфилд (Thomas Caulfield).
«Чипы, которые GlobalFoundries будет производить на этих новых предприятиях, важны для нашей национальной безопасности», — заявила министр торговли Джина Раймондо (Gina Raimondo). Она отметила, что это уже третье решение правительства по исполнению «Закона о чипах», и её ведомство планирует в ближайшее время выделить ещё несколько грантов на финансирование правительственной программы стоимостью $39 млрд для стимулирования производства полупроводников.
GlobalFoundries и General Motors 9 февраля объявили о долгосрочном соглашении на поставку чипов американского производства, чтобы избежать дефицита, вызвавшего остановку производства, из-за которой не были выпущены миллионы автомобилей во время пандемии COVID-19. «Сегодняшнее решение гарантирует, что подобное не повторится», — заявила Раймондо.
По её словам, новый завод в штате Нью-Йорк будет выпускать дорогостоящие чипы, которые в настоящее время не производятся в США. А обновлённое предприятие в штате Вермонт станет первым в США крупномасштабным производителем полупроводников нового поколения на основе нитрида галлия.
Источник:
