Сегодня 05 ноября 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Samsung объявила о планах по выпуску памяти 3D DRAM, но произойдёт это не скоро

Компания Samsung добавила в свой план по выпуску новых продуктов память 3D DRAM. Информацией об этом производитель поделился на технологической конференции Memcom. Компания планирует представить первый технологический процесс для производства 3D DRAM в течение ближайших четырёх лет.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Крупнейший в мире производитель памяти планирует внедрить производство DRAM с транзисторами с вертикальным каналом (VCT) при переходе на техпроцессы тоньше 10 нм для выпуска памяти, следует из слайда компании, продемонстрированного на конференции Memcom.

Транзистор с вертикальным каналом (VCT) может представлять собой разновидность FinFET, в котором проводящий канал обёрнут тонким кремниевым «плавником», образующим корпус транзистора. VCT также может представлять собой транзистор с кольцевым затвором (GAA), в котором материал затвора окружает проводящий канал со всех сторон. В случае Samsung речь, судя по всему, идёт о процессе производства DRAM на основе FinFET.

От внедрения техпроцесса тоньше 10 нм для производства памяти компанию Samsung отделяет два поколения техпроцессов. Наиболее свежим сейчас является пятое поколение технологии 10-нм класса (фактически 12 нм), которая была представлена в середине 2023 года. Samsung готовит ещё две технологии 10-нм класса, а первое поколение техпроцесса тоньше 10-нм ожидается у производителя во второй половине этого десятилетия.

 Источник изображения: Tokyo Electron

Источник изображения: Tokyo Electron

Применение 3D-транзисторов для DRAM подразумевает создание и применение конструкции ячеек формата 4F2, считающегося с одной из самых эффективных схем расположения ячеек памяти с точки зрения производственных затрат. Производитель оборудования для выпуска чипов, компания Tokyo Electron, ожидает, что производство DRAM с VCT и форматом ячеек 4F2 начнётся в 2027–2028 годах. Компания полагает, что для производства DRAM на основе VCT производителям памяти придётся использовать новые материалы для конденсаторов и разрядных шин.

Из предоставленного Samsung изображения планов по выпуску будущих продуктов также становится известно, что компания планирует адаптировать технологию производства многоуровневой памяти DRAM в начале 2030-х, тем самым значительно повысив плотность своих чипов памяти в ближайшие десять лет.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
«Не очень хорошо, но очень интересно»: критики вынесли вердикт экшен-хоррору Slitterhead от создателя Silent Hill 8 ч.
«У нас всего один шанс»: Ubisoft объяснила, почему перенос Assassin's Creed Shadows был необходим 10 ч.
Игрок обнаружил в ремейке Silent Hill 2 секретное послание — разработчики боялись, что загадка будет слишком сложной 11 ч.
Baldur’s Gate 3, Stellar Blade, Star Wars Outlaws и многие другие: поддержку PS5 Pro на запуске получат более 50 игр 12 ч.
Евросоюз проверит iPadOS на соответствие требованием антимонопольного законодательства 13 ч.
Windows 11 закрепилась как самая популярная ОС в Steam 15 ч.
«Смута» получила «знаковое» обновление 2.0.0 и крупнейшую скидку с релиза, а на iOS и Android вышла визуальная новелла «Смута: Зов сердца» 18 ч.
iOS 18.2 выйдет раньше — интеграция с ChatGPT и ИИ-генератор эмодзи Genmoji появятся на iPhone уже 2 декабря 19 ч.
Энтузиаст запустил классическую Doom на умном будильнике Alarmo от Nintendo 19 ч.
Project Borealis: Prologue обзавелась страницей в Steam — новые скриншоты демоверсии фанатской Half-Life 3 на Unreal Engine 5 20 ч.