Сегодня 23 мая 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

SK hynix и TSMC будут сотрудничать в рамках производства HBM4

В конце этой рабочей недели южнокорейская компания SK hynix сообщила о подписании меморандума о взаимопонимании с тайваньской компанией TSMC в сфере сотрудничества в рамках производства памяти HBM следующего поколения, коей является HBM4. Корейская компания освоит её массовое производство в 2026 году, и это позволит ей сохранить лидерские позиции на этом рынке.

 Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

По данным TrendForce, в этом году SK hynix сможет сохранить за собой 52,5 % рынка микросхем типа HBM, ещё 42,4 % достанутся Samsung Electronics, а Micron Technology будет довольствоваться оставшимися 5,1 %. В настоящее время SK hynix является крупнейшим поставщиком микросхем HBM3 для нужд Nvidia и собирается в ближайшие месяцы начать поставки более совершенной памяти типа HBM3E. Следующим этапом станет выпуск HBM4, который начнётся ориентировочно в 2026 году, и сейчас SK hynix пытается заручиться поддержкой TSMC в этом вопросе.

Дело в том, что TSMC остаётся единственной компанией, способной упаковывать память HBM и ускорители вычислений Nvidia по методу CoWoS, а потому SK hynix в эволюции своей памяти зависит от тайваньского партнёра. Из выделенных на текущий год капитальных затрат в диапазоне от $28 до $32 млрд компания TSMC намеревается до десяти процентов потратить на расширение мощностей по упаковке чипов и памяти. Именно их нехватка считается одной из причин дефицита ускорителей вычислений Nvidia для систем искусственного интеллекта. В прошлом году на долю HBM приходилось не более 8,4 % выручки в сегменте DRAM, но по итогам текущего эта доля вырастет до 20,1 %.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
«Победа здравого смысла»: FTC оставила попытки отменить покупку Activision Blizzard компанией Microsoft 3 мин.
«Блокнот» в Windows 11 научился генерировать текст, а Paint — создавать стикеры 8 мин.
«Только со смертью заканчивается долг»: разработчики Warhammer 40,000: Space Marine 2 раскрыли дату выхода горячо ожидаемого режима «Осада» 2 ч.
Google вслед за Microsoft заявила о готовности поддержать клиентов из Евросоюза и представила новые решения для защиты цифрового суверенитета 3 ч.
Anthropic представила Claude 4 — ИИ научился избегать «лазеек» и точнее выполнять сложные задания 7 ч.
Sega анонсировала «вдумчивую реставрацию» оригинальной Warhammer 40,000: Space Marine для нового поколения игроков 12 ч.
Культовая стратегия Warhammer 40,000: Dawn of War в 2025 году получит новую жизнь благодаря ремастеру — трейлер и подробности 12 ч.
Warhammer 40,000: Boltgun 2 выйдет в 2026 году, а бесплатный «печатный» шутер по мотивам первой части ждать не придётся 13 ч.
Owlcat Games анонсировала ролевую игру про борьбу с ересью Warhammer 40,000: Dark Heresy и новые дополнения для Warhammer 40,000: Rogue Trader 14 ч.
Чемпионат мира по киберспорту в Саудовской Аравии остался без GeoGuessr — разработчики отказались от участия после протеста фанатов 16 ч.
Репортаж со стенда GIGABYTE на выставке Computex 2025: геймерские мониторы 12 мин.
Репортаж со стенда Formula V Line на выставке Computex 2025: корпуса, охлаждение и блоки питания для мощных ПК 21 мин.
Apple начала заманивать дополнительными скидками желающих обновить iPhone, но только в Китае 25 мин.
Девятый пуск SpaceX Starship одобрен регуляторами в США при условии расширения зоны безопасности 4 ч.
Apple рассчитывает выпустить умные очки до конца 2026 года, но передумала создавать «подглядывающие» часы Watch 6 ч.
Новая статья: Система жидкостного охлаждения ID-Cooling DX360 Max с радиатором увеличенной толщины 9 ч.
Qualcomm готовит 80-ядерный серверный Arm-процессор SD1 для ИИ-платформ 12 ч.
Xiaomi представила огромный 14-дюймовый планшет Pad 7 Ultra на фирменном процессоре Xring O1 15 ч.
Xiaomi представила часы Watch S4 на фирменном чипе Xring T1 с модемом 4G собственной разработки 15 ч.
SK hynix представила смартфонную память UFS 4.1 на основе 321-слойной 4D NAND 16 ч.