Samsung отправит на завод 2000 инженеров, чтобы подтянуть качество памяти HBM

Технологические проблемы Samsung Electronics последних лет, как принято считать, отчасти обусловлены проблемами внутрикорпоративного взаимодействия, поэтому новым шагом по пути нормализации ситуации с выпуском памяти HBM3E под нужды Nvidia может стать отправка к местам её производства специалистов, которые отвечают за её разработку.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: Samsung Electronics

Тайваньский ресурс DigiTimes в конце рабочей недели опубликовал своеобразный дайджест новостей на эту тему, основанный на публикациях как южнокорейских, так и западных СМИ. Назначенный в мае на пост руководителя полупроводникового бизнеса Samsung Чун Ён Хён (Jun Young-hyun), как сообщается, настоял на отправке 2000 инженеров на новейшее предприятие компании в Пхёнтхэке, где выпускаются микросхемы HBM актуальных поколений. Этому «инженерному десанту» поручено повысить качество выпускаемой продукции соответствующего типа. Специалисты должны добиться того, чтобы при переносе новых технологий из лабораторий Samsung на конвейер не падало качество продукции. Официально Samsung подобные сообщения считает безосновательными.

По данным корейских СМИ, память HBM3E производства Samsung уже вряд ли сможет пройти сертификацию Nvidia в текущем году, но первая компания рассчитывает всё же сделать это в следующем. По информации Korean Economic Daily, в следующем году SK hynix освоит выпуск микросхем HBM4 с использованием 3-нм технологии, для чего уже сейчас сотрудничает с тайваньской TSMC. При этом Samsung пока рассчитывает при выпуске HBM4 ограничиться 4-нм технологией. Например, выпущенный по 3-нм техпроцессу базовый чип для HBM4 позволит поднять быстродействие на 20–30 % по сравнению с существующими 5-нм чипами. Samsung в таких условиях также интересуется возможностью сотрудничества с TSMC с целью получения доступа к 3-нм технологии. Необходимость навёрстывать отставание от конкурентов в сфере производства DRAM, по данным некоторых СМИ, вынуждает Samsung проводить реструктуризацию бизнеса и массовую чистку в рядах руководителей компании на полупроводниковом направлении.