ИИ-чипы Nvidia получат 12-ярусные стеки памяти HBM3E от Micron — Samsung по-прежнему отстаёт

На фоне проблем Samsung Electronics в обеспечении компании Nvidia передовой памятью типа HBM3E, успехи американской Micron Technology в этой сфере позволяют ей претендовать на статус второго по величине поставщика Nvidia. В ближайшее время Micron начнёт снабжать этого клиента 12-ярусными стеками HBM3E, которые разработала к сентябрю прошлого года.

Источник изображения: Micron Technology

Естественно, SK hynix в этой сфере обгоняет обоих конкурентов, но в наличии нескольких поставщиков HBM3E заинтересована сама Nvidia, поскольку это позволяет ей повысить надёжность цепочек поставок и получить некоторые рычаги для торга с поставщиками. На мероприятии Wolfe Research, как сообщает Business Korea, финансовый директор Micron Technology Марк Мёрфи (Mark Murphy) рассказал о преимуществах 12-ярысных стеков HBM3E, предлагаемых компанией. По сравнению с 8-ярусными чипами HBM3E конкурентов, они обеспечивают увеличение ёмкости на 50 % и снижение энергопотребления на 20 %.

Напомним, Samsung в это время лишь договорилась о снабжении Nvidia своими 8-ярусными стеками HBM3E, которые будут применяться для производства ускорителей вычислений, предлагаемых на китайском рынке. Образцы 12-ярусной памяти HBM3E компания Samsung отправит Nvidia к концу текущего месяца, но не факт, что соответствующая продукция устроит клиента по своим характеристикам и качеству.

Как сообщалось ранее, SK hynix и Samsung стараются опередить друг друга в выводе на рынок микросхем памяти HBM4, намереваясь предложить их Nvidia в течение года. Micron Technology собирается начать поставки HBM4 в следующем году, поэтому конкуренция за соответствующие заказы Nvidia будет очень острой.