Samsung наконец начала массовый выпуск 12-ярусных стеков HBM3E для Nvidia

Samsung запустила массовое производство 12-ярусных стеков HBM3E. В начале года корейский производитель преобразовал линию, работавшую с низкой загрузкой, в линию массового выпуска. До конца полугодия компания надеется получить одобрение своей продукции от Nvidia и, рассчитывая на это, начала массовое производство заранее.

Источник изображения: Samsung

Samsung уверена, что получит от Nvidia одобрение своих 12-ярусных стеков памяти HBM3E, поэтому наладила их массовое производство, передаёт ZDNet Korea. При благоприятном исходе они будут использоваться в ускорителях систем искусственного интеллекта от Nvidia, которые закупают крупнейшие в мире игроки отрасли ИИ. Массовое производство компонентов стартовало в феврале; 12-слойные чипы HBM3E от Samsung основаны на архитектуре DRAM 1a — это пятое поколение техпроцессов 10-нм класса. Они могут предложить более высокую производительность, чем стеки предыдущего поколения, которые в минувшем году провалили тестирование Nvidia.

Samsung может выпускать от 120 000 до 130 000 единиц чипов HBM3E в месяц. Обычно на наладку производственного процесса уходит около шести месяцев, то есть если компания получит одобрение от Nvidia в июне или июле, то начинать наладку линий в тот момент будет уже поздно. А к концу текущего года Nvidia, вероятно, перейдёт на память HBM4 для ускорителей на новой архитектуре Rubin. Таким образом, Samsung уже начала массовый выпуск продукции в надежде сформировать достаточные запасы 12-ярусных стеков HBM3E к тому моменту, как достигнет договорённости с Nvidia.

В течение текущего года корейский электронный гигант намеревается удвоить производство чипов HBM с 4 млрд до 8 млрд гигабит. За I квартал компания выпустила 600–800 млн гигабит, поэтому для достижения цели ей придётся увеличить темпы производства.