Сегодня 06 июля 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Передовая 332-слойная флеш-память Kioxia предложит кристаллы той же ёмкости, что и 218-слойная

Компания Kioxia опубликовала обновлённый вариант своей «дорожной карты», из которой стало известно, что грядущая 332-слойная флеш-память BiCS 10-го поколения сможет предложить ёмкость всего 2 Тбит. Хотя этот показатель выглядит не слишком впечатляющим — такая же ёмкость у актуальных 218-слойных чипов, — производитель намекнул на возможность выпуска в рамках 10-го поколения чипов флэш-памяти большей ёмкости без использования технологии Penta-Level Cell (PLC).

 Источник изображений: Kioxia

Источник изображений: Kioxia

В настоящее время 332-слойная память NAND находится на этапе разработки. Он является частью того, что Kioxia называет «двухосевой стратегией» развития направления. Эта стратегия разделяет разработку на два направления: увеличение количества слоёв для повышения ёмкости и повышение производительности за счёт архитектуры Charge-Based Architecture (CBA), которая позволяет повысить пропускную способность, уменьшить задержки и снизить энергопотребление. По данным Kioxia, такой подход позволяет увеличивать ёмкость без ущерба для долговечности.

 Источник изображений: Kioxia

В дорожной карте Kioxia не говорится о планах компании в отношении PLC-решений, хотя другие вендоры уже работают в этом направлении. Вместо этого Kioxia, похоже, для удовлетворения потребностей рынка планирует удвоить усилия по совершенствованию процессов и разработке новых контроллеров.

 Источник изображений: Kioxia

В последнее время Kioxia сосредоточилась на двух семействах SSD: серии CM9, в которой особое внимание уделяется высокой производительности для ИИ-приложений, и серии LC9, которая ориентирована на большую ёмкость. Оба продукта построены на чипах BiCS FLASH 8-го поколения, в котором реализована технология CBA и поддержка энергоэффективных и высокопроизводительных рабочих нагрузок.

Kioxia также рассказала, что готовит SSD с использованием SLC-памяти XL-Flash с высоким показателем IOPS. Ожидается, что производительность этого накопителя превысит 10 млн операций ввода-вывода в секунду. Его должны представить официально во второй половине следующего года.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Космические похороны пошли не по плану: стартап TEC потерял прах 166 человек в Тихом океане 2 ч.
Глобальные выбросы углекислого газа установили новый рекорд, несмотря на все усилия и потраченные средства 13 ч.
Потеряшек не будет: зонд NASA «Новые горизонты» нашёл себя среди звёзд без помощи с Земли 20 ч.
Повальный спрос на HBM тормозит внедрение CXL- и PIM-памяти 20 ч.
Маску дали разрешение на 15 турбин для питания ИИ-суперкомпьютера xAI Colossus, но на снимках по-прежнему видны 24 турбины 21 ч.
Самые короткие дни на Земле в этом году ожидаются летом 21 ч.
Foxconn нарастила квартальную выручку благодаря заказам от Nvidia 21 ч.
Племянник изобретателя ZX Spectrum представил GamerCard — портативную консоль для ретро-игр 21 ч.
Подписанный Трампом «большой и прекрасный» закон поставил под угрозу важнейший источник прибыли Tesla 21 ч.
YADRO вложила в развитие отечественных IT-продуктов более 60 млрд руб. 22 ч.