MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Производство чипов по передовым литографическим технологиям требует использования не только дорогостоящего оборудования, но и высокотехнологичной оснастки. К последней можно отнести сверхтонкие защитные мембраны, которые предохраняют фотомаски от попадания мельчайших частиц пыли. TSMC намерена сама выпускать такие мембраны для своих нужд, снижая уровень брака при использовании передовой EUV-литографии.
Источник изображения: ASML
Представляющая собой технически сверхтонкую прозрачную плёнку, защитная мембрана не так проста в изготовлении. Она должна выдерживать многократное воздействие мощного лазерного излучения, которые разогревают её поверхность до 1000 градусов Цельсия и обладают мощностью до 400 Вт. В случае с EUV-литографией всё усложняется тем, что ресурс защитной мембраны при таких условиях работы заметно сокращается, а себестоимость резко возрастает.
Например, если защитная мембрана для использования с менее мощными DUV-лазерами стоит около 600 евро, то при переходе к EUV-излучению стоимость увеличивается сразу в 50 раз до 30 000 евро. Компанию Samsung, как принято считать, это вынудило выпускать чипы с применением EUV-литографии без защитных мембран, и это могло стать одной из причин высокого уровня брака на производстве чипов с использованием той же 3-нм технологии, например.
В начале года TSMC заявила, что стоимость одной мембраны для EUV-литографии превышает $10 000, но заменять её нужно каждые три или четыре дня. Тем не менее, компания постепенно пришла к выводу, что обойтись без подобных защитных мембран в будущем не удастся, а потому надо стараться снизить себестоимость подобной оснастки. По информации DigiTimes, компания TSMC намеревается переоборудовать ряд своих старых предприятий под выпуск сверхтонких защитных мембран собственными силами. Это позволит покрыть потребности в оснастке для EUV-линий без чрезмерных затрат на её закупку на стороне. Начать применение защитных мембран собственного производства TSMC сможет в рамках 2-нм техпроцесса или более «тонкого» A16.
Источники:
