Huawei снова улучшила 7-нм техпроцесс на старом оборудовании, но до 5-нм технологии не дотянулась

Исследователи TechInsights продолжают тщательно исследование новинки китайской компании Huawei Technologies, обнаруживая предположительные методы изготовления передовых чипов компании с использованием устаревающего оборудования нидерландской ASML. Недавние изыскания канадских экспертов позволили показали, что Huawei всё ещё далека от 5-нм технологии.

Топ-10 смартфонов до 20 тысяч рублей (2025 год)

Смартфон HUAWEI Pura 80 Pro как универсальный инструмент тревел-фотографа

Пять причин полюбить HONOR Magic 7

HUAWEI XMAGE 2025: мобильная фотография как полноценное окно в мир искусства

Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»

Процессоры за 30 тысяч рублей — большой сравнительный тест

Видеообзор смартфона Honor X9d

На 3DNews началось голосование за лучшую игру 2025 года

HUAWEI FreeBuds 7i: ставка на глубину

Источник изображения: TechInsights

Напомним, что Huawei совместно с крупнейшим китайским контрактным производителем чипов SMIC несколько лет назад освоили производство чипов по технологии, сопоставимой с 7-нм техпроцессами Samsung и TSMC. Например чипы Ascend для своих ускорителей вычислений Huawei изготавливает силами SMIC с использованием технологии N+2, которую сравнивают с 7-нм нормами зарубежных производителей.

Теперь же канадская лаборатория TechInsights провела реверс-инжиниринга нового чипа Kirin 9030 из смартфона Mate 80 Pro Max. Эксперты назвали Kirin 9030 самым передовым продуктом китайской полупроводниковой отрасли. Несмотря на то, что Huawei и SMIC внесены в санкционные списки США и отрезаны от современного оборудования ASML, им удаётся совершенствовать свои технологии.

Анализ показал, что чип изготовлен по новому техпроцессу SMIC N+3 — очередной итерации 7-нм норм, значительно улучшенной по сравнению с предшествующими версиями. По мнению авторов исследования, китайская компания SMIC по-прежнему вынуждена полагаться на имеющееся литографическое оборудование с глубоким ультрафиолетовым излучением (DUV), которое обеспечивает длину волны лазера не менее 193 нм. Более продвинутые сканеры со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) в Китай официально никогда не поставлялись, но именно они работают с длиной волны 13,5 нм, значительно упрощая масштабирование геометрии полупроводниковых компонентов в сторону уменьшения габаритов.

Плотность транзисторов у SMIC N+3 достигла примерно 110 млн/мм². Это заметный шаг вперёд по сравнению с предыдущими китайскими техпроцессами, но всё ещё ниже уровня коммерческих 5-нм технологий TSMC, которые обеспечивают 140–170 млн/мм².

По всей видимости, как предполагают представители TechInsights, компания SMIC в очередной раз достигла успеха в уменьшении геометрии транзисторов за счёт использования многократного экспонирования фотошаблонов в сочетании со старым DUV-оборудованием. Это затратный подход с высоким уровнем брака, но он в конечном итоге позволил китайской Huawei получить более продвинутые чипы по сравнению с предыдущим их поколением. По оценкам TechInsights, SMIC не может обеспечить сравнимого с TSMC уровня выхода годной продукции, из-за чего изготовление чипов на китайских предприятиях обходится на 20-50 % дороже. Пока технология N+3 глубоко убыточна не только для SMIC, но и для самой Huawei.

В сентябре появилась информация, что SMIC тестирует литографический сканер класса DUV, разработанный одним из шанхайских университетов. Он предполагает работу с иммерсионной литографией и 28-нм техпроцессом, что позволяет ему сравниться с оборудованием ASML, выпускавшимся примерно в 2008 году. Вряд ли SMIC смогла успешно применить такое оборудование при производстве чипов по технологии N+3, так что она наверняка полагается на имеющиеся литографические сканеры ASML.