Samsung намерена сама выпускать 2-нм кристаллы для HBM5 — без TSMC и специально для Nvidia

Samsung Electronics уже не первый год подряд развивает площадку в южнокорейском Йонъине, создавая там кампус, сочетающий небольшие производственные мощности и исследовательский центр. По информации ZDNet, вторая очередь этого кампуса может изменить целевое назначение, став площадкой для контрактного производства 2-нм базовых кристаллов для стеков памяти HBM нового поколения, которые востребованы Nvidia.

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Топ-10 смартфонов до 20 тысяч рублей (2026 год)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Гид по выбору складного смартфона в 2026 году

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Источник изображения: Samsung Electronics

Как известно, ещё с переходом на HBM4 базовые кристаллы в стеке памяти начнут всё сильнее адаптироваться под нужды конкретного заказчика, и если SK hynix будет вынуждена ориентироваться на услуги TSMC, то Samsung готова выпускать их самостоятельно. Вторую очередь NRD-K кампуса в Йонъине планируется переориентировать с исследовательских задач под серийное производство заказных 2-нм чипов для памяти HBM нового поколения. Предполагается, что речь идёт о памяти типа HBM5, которую Samsung также планирует предлагать Nvidia.

Запуск новой линии кампуса в Йонъине запланирован на вторую половину 2028 года. Полный цикл обработки кремниевых пластин будет невозможен на этой площадке из-за её скромных размеров, но некоторые специфические этапы техпроцесса здесь будут реализованы. Базовые кристаллы для HBM5 компания намеревается производить по 2-нм технологии с использованием структуры транзисторов с окружающим затвором (GAA). Помимо прочего, это позволит самой памяти HBM5 добиться превосходства в быстродействии над HBM4E в размере более 50 %.

Решение о перепрофилировании второй фазы NRD-K пока носит предварительный характер, ведь за оставшиеся два года Samsung может найти этой площадке другое применение с учётом быстро меняющейся конъюнктуры рынка. Всего в Йонъине Samsung намеревается к 2030 году запустить три производственные линии, строительство одной уже было завершено в конце 2024 года. Подготовка к строительству второй началась в текущем году, сейчас компания определяется с её целевым назначением. Общие затраты на строительство кампуса достигнут $14 млрд.