Опрос
|
реклама
Быстрый переход
3D X-DRAM впервые воплотили в кремнии — оперативная память будущего стала ближе
23.04.2026 [22:17],
Геннадий Детинич
Стековое размещение ячеек оперативной памяти могло бы значительно повысить плотность хранения данных и решить проблему дефицита ОЗУ. Первый шаг в этом направлении сделала память HBM, но это оказалось недёшево и не для всех. Прорыв мог бы произойти только в том случае, если бы память DRAM пошла по пути производства памяти 3D NAND. Пока этого не произошло, но первый прототип такого решения уже воплощён в кремнии и привлёк внимание именитых инвесторов. 
Источник изображений: NEO Semiconductor О создании образца 3D X-DRAM в рамках доказательства концепции сообщила молодая американская компания NEO Semiconductor. Год назад она безуспешно искала поддержки среди производителей памяти, а сегодня у неё нет отбоя от инвесторов и заказчиков. Руководство компании утверждает, что ведутся интенсивные переговоры с рядом ведущих производителей памяти и это ускорит появление стековой ОЗУ. Важным моментом в деятельности NEO Semiconductor стало привлечение на свою сторону такого инвестора, как Стэн Ши (Stan Shih). В мире электроники это человек-легенда. Сейчас ему 81 год. В своё время он основал компанию Acer и около 20 лет возглавлял компанию TSMC. Также значимым стало сотрудничество с высшими учебными заведениями Тайваня — Национальным университетом Янмин Цзяотун (NYCU) и его подразделением — Школой инноваций в сфере взаимодействия промышленности и академических кругов (Industry-Academia Innovation School, IAIS). Образец также был изготовлен на Тайване — в Тайваньском научно-исследовательском институте полупроводников (National Institutes of Applied Research — Taiwan Semiconductor Research Institute, NIAR-TSRI). Вероятно, тестирование и измерение характеристик образца также были проведены в стенах NIAR-TSRI. В компании сообщают, что задержка чтения/записи составила менее 10 нс, время регенерации при 85 °C — более 1 секунды (в 15 раз лучше, чем в стандарте JEDEC — 64 мс), устойчивость к износу достигла 10¹⁴. Помехоустойчивость также была на высоком уровне. «Я рад, что благодаря тесному партнёрству между промышленностью и научными кругами удалось подтвердить осуществимость концепции 3D DRAM от NEO в реальных условиях кремниевого производства, — сказал Джек Сан (Jack Sun), старший вице-президент Нью-Йоркского университета и декан Института прикладных исследований в области науки и технологий, а также бывший технический директор TSMC. — Успешная проверка концепции не только демонстрирует потенциал инновационных архитектур памяти, но и подтверждает возможность внедрения передовых технологий памяти с использованием отработанных процессов».  По замыслу разработчиков NEO Semiconductor, стековая компоновка памяти DRAM и чрезвычайно широкая шина данных — порядка 32 000 бит — позволят создавать оперативную память с плотностью записи 512 Гбит на кристалл и пропускной способностью в 16 раз выше, чем у современной памяти HBM. Развитие стандарта HBM не предполагает появления ничего подобного раньше середины нынешнего века, тогда как NEO Semiconductor готова представить оперативную память с такими характеристиками в обозримом будущем. Популярность Galaxy S26 не спасёт мобильное подразделение Samsung от больших убытков в этом году
23.04.2026 [15:10],
Николай Хижняк
Производители смартфонов вынуждены повышать цены на свои продукты или сокращать прибыль из-за дефицита чипов оперативной памяти. Проблемы добрались и до Samsung. Мобильное подразделение компании бьёт тревогу, предупреждая о возможных убытках по итогам года.  По данным издания Money Today, ссылающегося на отраслевые источники, глава мобильного подразделения Samsung Тэ Мун Ро (Tae-moon Roh) предупредил руководство компании, что подразделение может понести убытки по итогам года. Это стало бы крайне неприятным известием для мобильного бизнеса компании и, по всей видимости, привело бы к его первым в истории годовым убыткам. В том же отчёте говорится, что подразделение Samsung, занимающееся производством памяти, напротив, ожидает рекордно высокую прибыль. Издание также приводит отрезвляющую статистику: в грядущем процессоре для ИИ Vera от Nvidia будет использоваться 1,5 Тбайт оперативной памяти LPDDR5X, а в суперкомпьютере Vera Rubin NVL72 — 36 таких процессоров Vera. «Учитывая, что в Galaxy S26 Ultra обычно установлено 12 Гбайт оперативной памяти LPDDR5X, один суперкомпьютер с искусственным интеллектом потребляет столько же памяти, сколько 4600 таких смартфонов», — поясняется в статье. С учётом этого неудивительно, что компании, производящие потребительскую электронику, повышают цены и даже отменяют некоторые релизы, испытывая трудности с поставками оперативной памяти. Ситуация вряд ли улучшится в ближайшее время: по прогнозам Money Today, в этом квартале цены на оперативную память могут дополнительно вырасти более чем на 80 %. Как пишет Android Authority, новость о возможных годовых убытках мобильного подразделения Samsung появилась на фоне сообщений о том, что подразделение перешло на «аварийный режим управления» из-за роста цен на комплектующие и возможного дефицита. Компания пытается сократить расходы на 30 % и даже перешла на использование авиаперелётов эконом-класса вместо бизнес-класса для своих топ-менеджеров. Пока мобильному подразделению не помогают даже впечатляющие продажи смартфонов серии Galaxy S26. По данным аналитиков Counterpoint Research, первые продажи новых флагманов Galaxy оказались выше, чем у серии Galaxy S25, а в США и Западной Европе продажи выросли на двузначные проценты. Война США и Ирана ударила по рынку чипов — возник дефицит сырья для литографии
23.04.2026 [13:48],
Алексей Разин
Влияние военных действий на Ближнем Востоке на азиатскую полупроводниковую промышленность, как выясняется, не ограничивается перебоями с поставками природного газа и гелия. Японские производители и компании в Южной Корее рискуют столкнуться с нехваткой многих химикатов, необходимых для производства чипов. 
Источник изображения: Shin-Etsu Chemical Публикацию на эту тему разместил южнокорейский ресурс The Elec. В Японии крупнейшие в мире поставщики фоторезиста и других расходных материалов, применяемых в производстве чипов, столкнулись с нехваткой растворителей, необходимых для изготовления соответствующих составов. Японские поставщики, в свою очередь, начали информировать клиентов, в число которых входят южнокорейские Samsung Electronics и SK hynix, о возможных перебоях с поставками своей продукции. В дефиците оказались используемые в качестве растворителя метиловый эфир пропиленгликоля, а также пропиленгликоль ацетат монометилового эфира. Они входят в состав фоторезистивных покрытий, антибликовых подложек, наносимых в центрифуге масок и вспомогательных клеящих веществ, которые применяются при производстве той же памяти HBM, например. По словам некоторых представителей отрасли, ситуация напоминает ту, когда человек располагает сухими ингредиентами для приготовления кофе, но не имеет возможности залить их водой. Основными поставщиками упоминаемых растворителей являются японские компании Shin-Etsu Chemical, Tokyo Ohka Kogyo, JSR, Fujifilm и Nissan Chemical Corporation. Дефицит растворителей, в свою очередь, спровоцирован перебоями в поставках лигроина — продукта переработки нефти, который до начала конфликта в Иране на 40 % обеспечивал потребности японской химической промышленности именно через Ближний Восток. Из 12 заводов по переработке лигроина на территории Японии шесть уже были вынуждены сократить объёмы выпуска продукции. Окись пропилена, на основе которой изготавливаются растворители для полупроводниковой промышленности, оказалась в дефиците. Цены на сырьё в Японии практически удвоились по сравнению с началом марта. Получать растворители для своих расходных материалов японские производители теперь попытаются через Южную Корею или Китай. Проблема заключается в том, что изменения в источниках сырья вызовут необходимость повторной сертификации конечной продукции, которая может занять до года времени. Впрочем, южнокорейские поставщики растворителей наверняка воспользуются возникшей ситуацией для извлечения выгоды. В отличие от японских, корейские производители специализированных химикатов меньше зависят от ближневосточного сырья, и могут получать его как в США, так и в Китае. Светлое будущее чипов: TSMC создаст по-настоящему интегрированную кремниевую фотонику
23.04.2026 [12:35],
Геннадий Детинич
TSMC всегда была занята разработкой, внедрением и отладкой передовых процессов производства полупроводников. Относительно недавно она также вошла в бизнес по упаковке и тестированию чипов. Похоже, всё это не оставляло ей достаточно времени всерьёз развивать кремниевую фотонику, которой обещают светлое будущее. Теперь позиция компании меняется. Как специалист по выпуску чипов TSMC обещает создать по-настоящему интегрированную кремниевую фотонику. 
Источник изображений: TSMC В последние годы интеграция оптических компонентов в те или иные чипы продвигалась под термином CPO (co-packaged optics). Между тем, правильнее понимать эту технологию как сопутствующую кремниевую фотонику, поскольку интеграция непосредственно в чип или на интерпозер не производилась. Как правило, производители ограничивались установкой оптических компонентов на печатную плату модуля, соединяя их с чипами и периферией оптическими или даже медными линиями связи. Для более глубокой интеграции оптических блоков в чипы или сборки компания TSMC предлагает подход COUPE (Compact Universal Photonic Engine). Такое решение позволит тайваньскому производителю чипов догнать и даже обогнать конкурентов, среди которых, например, далеко вперёд по пути сопутствующей кремниевой оптики вырвалась компания GlobalFoundries. По сравнению с CPO, COUPE обещает больше преимуществ как в плане кратного снижения задержек, так и повышения энергоэффективности. В частности, при интеграции компонентов оптики COUPE на уровне подложки вместо схемы «плата с проводами» задержки должны снизиться в 10 раз, а энергоэффективность вырасти в четыре раза. Интеграция оптических компонентов в интерпозер снизит задержки в 20 раз, а эффективность повысит в 10 раз. Дальнейшая интеграция оптических компонентов в 3D-упаковке, решения для которой у TSMC имеются на все случаи жизни, улучшит характеристики гибридных чипов ещё сильнее.  Как уточняет источник, основой для быстрого продвижения TSMC к намеченной цели является разработанный в компании микрокольцевой модулятор (MRM) со скоростью 200 Гбит/с, серийное производство которого начнётся во второй половине года. Если компания TSMC начнёт реализовывать задуманное, то у неё есть все шансы переманить таких лидеров, как Nvidia, Broadcom и, что тоже нельзя исключать, AMD, которая сейчас плотно сотрудничает с GlobalFoundries. Конкуренцию TSMC также составляют компании Ayar Labs и, особенно, SPIL, сотрудничающая сегодня с Nvidia. Всё будет зависеть от того, насколько TSMC преуспеет в реализации планов в отношении технологии COUPE и более глубокой интеграции кремниевой фотоники в чипы. SpaceX готовит выпуск собственного GPU вместе с Tesla, но признаёт проект рискованным
23.04.2026 [12:05],
Алексей Разин
Подготовка SpaceX к публичному размещению акций подразумевает предоставление американским регуляторам отчёта о рисках, влияющих на бизнес этой пока ещё частной аэрокосмической компании. Среди прочих факторов, она относит проект по выпуску GPU собственной разработки к довольно рискованным инициативам. 
Источник изображения: Tesla Выпускать графические процессоры собственной разработки для нужд инфраструктуры ИИ, как следует из изученного Reuters документа по форме S-1, компания SpaceX собирается совместными усилиями с Tesla на мероприятии Terafab, которое будет построено и введено в строй в ближайшие годы. Помимо прочего, SpaceX осознаёт, что организация выпуска GPU собственной разработки потребует существенных капитальных вложений. Когда ранее Илон Маск (Elon Musk) рассказывал о проекте Terafab, он не уточнял, какого типа чипы будут производиться на этом совместном предприятии SpaceX и Tesla. На этой неделе он пояснил, что Tesla будет выпускать свои чипы с использованием технологии Intel 14A, но в данном случае не уточнялось, где именно это будет происходить. До сих пор Tesla занималась разработкой чипов для бортовых систем своих электромобилей типа AI5, изображённого на иллюстрации выше, но термин «GPU» в отчётности SpaceX подразумевает разработку более сложного по компоновке процессора. По замыслу Маска, на предприятии Terafab будет осуществляться не только обработка кремниевых пластин, но и упаковка готовых чипов с последующим и промежуточным тестированием. Процесс будет подразумевать и интеграцию микросхем памяти. SpaceX может использовать термин «GPU» и для общего обозначения ИИ-чипов, поэтому делать какие-то выводы об ассортименте разрабатываемых Tesla полупроводниковых компонентов преждевременно. Первая из компаний также признаётся, что до сих пор не имеет долгосрочных контрактов ни с одним из своих поставщиков чипов, и продолжит зависеть от них в значительной части своих потребностей, поэтому данный фактор тоже формирует серьёзные риски для деятельности SpaceX. Нет никакой гарантии, как подчёркивает компания, что проект по запуску Terafab удастся реализовать в заданные сроки и в нужном масштабе. Руководство TSMC в этом месяце уже отмечало, что путь Tesla к массовому выпуску собственных чипов не будет ни лёгким, ни быстрым. TSMC откладывает High-NA EUV-литографию: представлен техпроцесс A13 и раскрыты планы до конца десятилетия
23.04.2026 [08:38],
Алексей Разин
Откровения контрактных производителей чипов о своих планах на будущее звучат не только на квартальных отчётных конференциях, но и на специализированных отраслевых мероприятиях. TSMC на этой неделе использовала проводимый в США технологический симпозиум для рассказа о своих намерениях освоить к 2029 году новые передовые техпроцессы A13 и A12, приближающие компанию к 1-нм технологии. 
Источник изображений: TSMC О планах TSMC в их актуальном виде поведал ресурс Tom’s Hardware. Одним из главных откровений стало отсутствие у TSMC планов применять оборудование для сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV) до 2029 года включительно. На фоне конкурентов в лице Samsung и Intel это выглядит довольно самоуверенным заявлением, особенно с учётом наличия у TSMC предполагаемого прогресса в освоении всё более тонкой геометрии при производстве чипов. В 2028 году TSMC рассчитывает освоить техпроцесс A14, об этом было известно с прошлого года, но теперь компания рассказала о намерениях в 2029 году внедрить два производных варианта этой технологии, который получат обозначения A13 и A12 соответственно. A13 получен из A14 главным образом за счёт оптического сжатия, он обеспечивает увеличение плотности размещения транзисторов на 6 % без необходимости менять инструментарий для проектирования по сравнению с исходным A14. Напомним, в классической терминологии A14 можно считать 1,4-нм техпроцессом, тогда A13 будет уже 1,3-нм технологией. Каждый производитель чипов предлагает свою классификацию технологических норм, их разные числовые обозначения не всегда можно сопоставлять напрямую. Из откровений представителей TSMC стало понятно, что компания взяла курс на более тщательную адаптацию своих техпроцессов под нужды конкретных сегментов рынка. Исторически передовые техпроцессы TSMC первыми брали на вооружение разработчики мобильных процессоров, но теперь эту роль чаще берут на себя разработчики более крупных и сложных чипов для ИИ-ускорителей вроде Nvidia и AMD. Техпроцессы N2, N2P, N2U, A14 и A13, перечисляемые в хронологическом порядке освоения, ориентированы на выпуск чипов для смартфонов и клиентских устройств, поскольку в этом случае важна себестоимость продукции, помимо технических характеристик. Их компания готова улучшать каждый год. Техпроцессы типа A16 и A12 ориентируются на высокопроизводительные вычисления и сегмент ИИ, здесь важнее именно производительность выпускаемых чипов, поэтому в рамках данных технологий TSMC будет использовать более дорогостоящие решения вроде повода питания с обратной стороны кремниевой пластины. Такую категорию техпроцессов TSMC готова обновлять раз в два года.  Структуру транзисторов с окружающим затвором второго поколения (GAA) компания собирается внедрить в рамках технологии A14, а затем использовать и для A13, и для A12. Подвод питания с обратной стороны кремниевой пластины будет предусмотрен только для A12 и A16. Особняком будет стоять раскрытый на этой неделе техпроцесс N2U. По сути, он будет предложен на третий год жизненного цикла семейства технологий N2, позволяя поднять быстродействие на 3–4 %, либо снизить энергопотребление на 8–10 %, при этом увеличив плотность размещения транзисторов на 2–3 %. Совместимость с прежним инструментарием для разработки чипов позволит разработчикам без серьёзного увеличения затрат перейти с N2 на N2U. Новый техпроцесс подойдёт как для рынка смартфонов, так и для высокопроизводительных вычислений. Выпуск чипов с его использованием намечен на 2028 год. Техпроцесс A16 компания TSMC теперь намеревается освоить в 2027 году, хотя ранее рассчитывала сделать это в текущем. A16 будет сочетать первое поколение GAA-транзисторов с подводом питания с обратной стороны кремниевой пластины, а вот A12 уже перейдёт на GAA-транзисторы второго поколения с тем же вариантом подвода питания. Технически, TSMC будет готова к выпуску чипов по технологии A16 к концу этого года, просто серийные продукты для её клиентов перейдут на её использование лишь в следующем году. Появление A16 не отменит освоения N2X — оптимизированного варианта N2P, повышающего производительность транзисторов на 10 % при снижении энергопотребления. A12 станет эволюционным преемником A16, тогда как A13 на этом пути воздержится от использования подвода питания с оборотной стороны кремниевой пластины, но будет базироваться на GAA-транзисторах второго поколения. Все эти техпроцессы не потребуют использования более дорогого оборудования с высоким значением числовой апертуры (High-NA), которые Intel собирается внедрить в ближайшие пару лет для выпуска чипов по своей технологии 14A. Главным доводом против применения такого оборудования в TSMC считают высокую себестоимость. Эта тайваньская компания является крупнейшим контрактным производителем чипов в мире, поэтому для неё важно снижать затраты на выпуск продукции. SK hynix утроила выручку и увеличила прибыль в пять раз на фоне бума ИИ
23.04.2026 [04:54],
Алексей Разин
Микросхемы памяти сейчас очень востребованы в инфраструктуре систем искусственного интеллекта, поэтому их поставщики ожидаемо хорошо зарабатывают. В случае с южнокорейской SK hynix это утверждение наглядно иллюстрируется итогами минувшего квартала: компания в годовом сравнении увеличила выручку почти втрое, а её операционная прибыль выросла в пять раз. 
Источник изображения: SK hynix Выручка компании за период составила рекордные $35,55 млрд, а операционная прибыль достигла $25,4 млрд, последовательно увеличившись почти в два раза. Более того, норма операционной прибыли достигла рекордных 72 %. При этом и выручка, и операционная прибыль SK hynix по итогам первого квартала оказались несколько ниже ожиданий аналитиков. Первый квартал для рынка памяти в целом не является пиковым периодом с точки зрения финансовых показателей, но бум ИИ позволил опровергнуть данный стереотип. Представители компании подчеркнули, что клиенты SK hynix считают важным обеспечить себя необходимыми объёмами памяти, и не особо оглядываются на цену. «Память важна, как никогда ранее», — резюмировали они. Хотя Samsung в четвёртом квартале прошлого года вернула себе статус лидера на рынке DRAM в денежном выражении, в сегменте HBM продолжает доминировать SK hynix с долей 57 %. Рынок памяти растёт более чем на 30 % уже два квартала подряд. По оценкам руководства SK hynix, нехватка HBM будет ощущаться минимум до 2030 года, даже с учётом наличия у компании планов по расширению производственных мощностей. Даже если цены на память во втором полугодии будут расти умеренными темпами, прибыль SK hynix продолжит увеличиваться на протяжении всего текущего года. По некоторым оценкам, капитальные затраты SK hynix в этом году будут увеличены на 45 %. Средняя цена реализации DRAM в первом квартале выросла последовательно на 60,8 %, а цены на NAND увеличились на 55,3 %. Во многом это и определяет взрывную динамику финансовых показателей производителей памяти. Экс-сотрудника Samsung приговорили к семи годам тюрьмы за передачу секретов выпуска чипов в Китай
22.04.2026 [13:35],
Алексей Разин
В декабре прошлого года в Южной Корее были арестованы 10 бывших сотрудников Samsung Electronics, которые подозревались в передаче технологий производства памяти конкурирующей китайской компании CXMT. На этой неделе одного из фигурантов дела суд приговорил к семи годам тюремного заключения, признав его вину по «Закону о защите промышленных технологий». 
Источник изображения: Samsung Electronics Бывшего исследователя Samsung Electronics, который в открытых источниках упоминается только по фамилии, южнокорейский суд признал виновным в нарушении данного закона по эпизодам, касающимся взаимодействия с китайской компанией CXMT, которая у себя на родине является крупнейшим производителем памяти типа DRAM. В материалах дела отмечалось, что подозреваемые сотрудники Samsung передавали CXMT технологические секреты, касающиеся производства памяти по технологиям 10-нм класса. Суд в Южной Корее постановил, что характер переданной обвиняемым информации позволяет отнести её к охраняемым законом ключевым технологическим секретам. За шесть лет сотрудничества с CXMT, которая стала новым работодателем обвиняемого, он получил от китайской компании $1,96 млн. Судьба остальных девяти арестованных по этому делу не уточняется. Ранее сообщалось, что они действовали скрытно и осознавали неправомерность своей деятельности с точки зрения законов Южной Кореи. Для передачи информации китайской стороне использовались подставные компании, а географическое расположение своих офисов группа бывших сотрудников Samsung постоянно меняла, опасаясь слежки. SK hynix построит фабрики по упаковке памяти HBM в США и Южной Корее
22.04.2026 [11:48],
Алексей Разин
Южнокорейская компания закрепила за собой статус лидера рынка HBM3E, хотя с учётом других типов памяти мировым лидером остаётся Samsung Electronics. Чтобы не уступать конкуренту прибыльный сегмент, SK hynix намерена в ближайшее время приступить к строительству двух новых предприятий по тестированию и упаковке памяти для сегмента ИИ в США и Южной Корее. 
Источник изображения: Samsung Electronics Во-первых, как отмечает Reuters, в этом месяце SK hynix начнёт возводить предприятие такого профиля в родной Южной Корее, рассчитывая в общей сложности направить на эти цели около $12,85 млрд. Предприятие должно быть построено к концу следующего года, как ожидают источники. Во-вторых, в американском штате Индиана SK hynix приступила к формированию фундамента подобного предприятия, построить которое решила ещё в 2024 году. К полномасштабной деятельности по тестированию и упаковке памяти американское предприятие SK hynix в Индиане должно приступить во второй половине 2028 года. К тому времени оно уже сможет заниматься тестированием и упаковкой микросхем памяти типа HBM4E и HBM5. Подрядчики SK hynix уже начали забивать сваи на участке, где расположится американское предприятие компании. Местные власти были уведомлены о начале строительства ещё в конце прошлой недели. Как ожидается, на подготовку фундамента уйдёт несколько месяцев, и уже во второй половине текущего года начнут возводиться стены и кровля будущего предприятия. Общий бюджет проекта достигнет $3,87 млрд, если не возникнут дополнительные расходы или потребность в срочном расширении. Параллельно SK hynix будет расширять свои мощности по выпуску DRAM в Южной Корее. Предприятие Fab M15X недавно было расширено, и в новом корпусе уже начинается монтаж оборудования, чтобы в мае приступить к опытном производству продукции. Первое предприятие в новом комплексе в Йонъине будет построено в феврале следующего года, после чего начнётся монтаж оборудования для производства памяти. SK hynix на данном этапе развития планирует активно внедрять EUV-литографию при выпуске памяти, в обозримом будущем по всем производственным линиям в общей сложности будет распределено 20 соответствующих литографических систем. Sony и Honda почти закрыли совместное предприятие после остановки электромобильного проекта Afeela
21.04.2026 [17:34],
Сергей Сурабекянц
В начале этого десятилетия Sony совместно с Honda запланировали производство электромобилей Afeela, но теперь компании отказались от намерений развивать этот бизнес. Созданное для этой цели совместное предприятие Sony Honda Mobility заявило о неопределённости своего будущего. Хотя оно пока не будет полностью распущено, его хозяйственная деятельность будет сведена к минимуму, а сотрудники будут переведены на должности в Sony и Honda с учётом их предпочтений. 
Источник изображения: Sony Honda Mobility В конце марта с учётом приближения к концу фискального года в Японии Sony и Honda выпустили заявление, согласно которому Sony Honda Mobility отказывается от намерений выпускать и разрабатывать модели Afeela 1 и Afeela 2. Предприятие должно было пересмотреть свою бизнес-стратегию и обнародовать планы на будущее. В сегодняшнем совместном заявлении компании объявили о решении значительно сократить деятельность и перевести сотрудников с учётом их личных предпочтений на должности в Sony и Honda. Это решение пока окончательно не определяет судьбу Sony Honda Mobility, но обычная деятельность будет фактически прекращена. Решение было принято после того, как партнёры осознали, что в нынешних условиях будет сложно вывести на рынок продукцию и услуги в соответствии с первоначальными планами компании. Дальнейшие возможности сотрудничества будут обсуждаться, например, в области программного обеспечения в преддверии повсеместного распространения передовых систем помощи водителю. Причиной отказа от Afeela 1 и запланированной второй модели является существенное изменение стратегии Honda в области электромобилей. 12 марта японская компания объявила, что впервые за свою почти 70-летнюю историю ожидает чистый годовой убыток в размере до 690 миллиардов иен (€3,69 млрд). Ранее компания прогнозировала прибыль в размере €1,6 млрд. Honda отказалась от запланированных электрических моделей для рынка США: Honda 0 SUV, Honda 0 Saloon и Acura RSX. Запуск производства этих моделей ещё больше усугубил бы ситуацию Honda и привёл бы к дополнительным убыткам. По словам Honda, причинами этой сложной ситуации являются американские пошлины на автомобили с ДВС и гибридные автомобили, а также снижение конкурентоспособности в Азии из-за перераспределения ресурсов в сторону производства электрокаров. Автомобильный бизнес значительно изменился, что затрудняет прогнозирование. В США рынок электромобилей развивается медленнее из-за смягчения правил для автомобилей с двигателями внутреннего сгорания и отмены субсидий. В Китае рынок также отходит от традиционных аппаратных характеристик, таких как топливная экономичность или размер салона. Вместо этого востребованы постоянно развивающиеся программные функции. Преимущество получают новые производители с более короткими циклами разработки. Китай снова запнулся при запуске производства HBM3 — планы по ИИ-ускорителям под угрозой
21.04.2026 [14:28],
Алексей Разин
В сфере выпуска ускорителей вычислений для инфраструктуры ИИ китайские компании сильно зависят от импорта памяти HBM современных поколений, поскольку в Китае такая продукция пока не производится. Попытки наладить выпуск HBM3 в Китае, тем временем, сталкиваются с новыми проблемами, а потому планы китайских разработчиков ИИ-ускорителей по импортозамещению опять срываются. 
Источник изображения: Huawei Technologies Как поясняет ZDNet Korea, до сих пор китайские поставщики ускорителей полагались на сформированные несколько лет назад запасы памяти типа HBM2E, поскольку в условиях санкций они утратили возможность закупать её в нужных количествах. Китайская компания CXMT рассчитывала наладить выпуск HBM3 на территории Поднебесной в первой половине текущего года, но этим планам, судя по комментариям осведомлённых источников, не суждено сбыться. CXMT является крупнейшим производителем DRAM в Китае, она с некоторых пор находится под санкциями США, а потому не может закупать импортное оборудование, необходимое для выпуска HBM3. Сейчас вся активность CXMT по подготовке к массовому производству такой памяти находится на стадии экспериментов. Оборудования и материалов, к которым может получить доступ CXMT, не хватит для организации массового производства HBM3 в текущем полугодии. Более того, не факт, что выпуск памяти данного типа CXMT сможет в серийных объёмах наладить в текущем году. С другой стороны, для выпуска чипов DRAM в стеке HBM3 китайская компания готова использовать 16-нм техпроцесс, который считается достаточно прогрессивным по китайским меркам. Американские ускорители Nvidia поколения Hopper получили память HBM3 ещё в 2022 году, её поставляли южнокорейские производители и американская Micron Technology. По всей видимости, если CXMT и удастся наладить серийное производство HBM3 в следующем году, китайская полупроводниковая отрасль отстанет в этой сфере на пять лет. Проблема заключается в том, что Huawei планировала начать использование HBM3 в своих ускорителях Ascend либо в этом году, либо в следующем, а с 2028 года и вовсе перейти на HBM4. Теперь, в условиях санкций и задержкой с освоением выпуска HBM3 в Китае, компании Huawei наверняка придётся пересматривать свои планы. Землетрясение в Японии магнитудой 7,7 балла больше всего навредило производству химикатов для выпуска чипов
21.04.2026 [08:15],
Алексей Разин
Как и Тайвань, Япония находится в не самой благополучной зоне с точки зрения сейсмической активности, поэтому концентрация определённого типа производств в этой стране формирует серьёзные риски для всей мировой полупроводниковой отрасли. Вчерашнее землетрясение магнитудой 7,7 балла больше всего навредило производству фоторезиста для выпуска чипов. 
Источник изображения: Kioxia К такому предварительному выводу приходит ресурс TrendForce, занявшийся анализом всей доступной на данный момент информации. Вчера в районе пяти вечера по местному времени у северо-восточного побережья острова Хонсю были зарегистрированы толчки магнитудой до 7,7 баллов. Непосредственно на территории Японии максимальная магнитуда достигала 5 баллов в той местности, где расположены предприятия Kioxia, Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical и SUMCO. В районе, где находятся фабрики по производству памяти типа NAND компании Kioxia, магнитуда толчков не превысила 4 баллов. Структурных разрушений они не зафиксировали, но работу пришлось остановить до выяснения возможных последствий землетрясения. Инспекция займёт от одного до трёх дней, но когда производство памяти здесь будет возобновлено в полном объёме, не уточняется. Местные заводы Kioxia обеспечивают от 5 до 8 % мирового объёма выпуска NAND. Разумеется, в Японии большинство предприятий построено с учётом определённого класса сейсмоустойчивости, поэтому здания не страдают от землетрясений столь серьёзно, как это могло бы произойти без принятия соответствующих мер. Тем не менее, подземные толчки нередко приводят к необходимости повторно калибровать оборудование, на это уходят недели. На одном из предприятий Kioxia в Китаками в этом полугодии должно быть налажено массовое производство 218-слойной памяти типа 3D NAND, поэтому недавнее стихийное бедствие могло негативно повлиять на планы этой компании. На острове Хоккайдо магнитуда толчков вчера достигала 4 баллов, здесь расположено строящееся предприятие Rapidus, которое в следующем году должно начать серийный выпуск 2-нм чипов. Последствия землетрясения представителями компании пока никак не обсуждаются публично. Остров Кюсю, где сосредоточены предприятия Sony, Rohm и TSMC (JASM) по производству полупроводниковых компонентов, от землетрясения пострадал минимально, магнитуда толчков ограничилась в этом случае 1 или 2 баллами. Предприятия Tokyo Electron по выпуску литографического оборудования хоть и приостанавливали свою работу для изучения возможного ущерба, по факту его не понесли, и вскоре продолжили производственную деятельность. Shin-Etsu Chemical и SUMCO приостанавливали работу своих предприятий по выпуску кремниевых пластин в Японии, но сегодня начали её возобновлять. Зато в случае с предприятием Shin-Etsu Chemical по производству фоторезиста для обработки кремниевых пластин в Фукусиме ситуация не столь благоприятная. Оно вынуждено было остановить работу, на перенастройку оборудования уйдёт от четырёх до восьми недель. Кроме того, предприятие TOK в Фукусиме, имеющее аналогичный профиль деятельности, тоже сможет возобновить полноценную работу лишь через четыре или шесть недель. Оно при этом отвечает за 25 % мирового объёма производства специального фоторезиста. Нехватка подобных химикатов может только усугубить дефицит чипов, который сейчас наблюдается во многих сегментах рынка. SK hynix начала массовое производство модулей памяти SOCAMM2 объёмом 192 Гбайт для Nvidia Vera Rubin
20.04.2026 [14:37],
Алексей Разин
Микросхемы памяти LPDDR5X нашли применение в серверном сегменте, хотя изначально предназначались для мобильного, а по мере распространения на рынке систем поколения Vera Rubin тенденция будет выражена ещё сильнее. SK hynix сегодня сообщила о начале массового производства модулей памяти типа SOCAMM2 объёмом 192 Гбайт на чипах LPDDR5X. 
Источник изображения: SK hynix Соответствующую память SK hynix выпускает по 10-нм технологии нового поколения (1c), которая относится к шестому поколению соответствующих литографических норм. По информации SK hynix, такая память в исполнении SOCAMM2 обеспечивает вдвое более высокую пропускную способность по сравнению с обычными модулями RDIMM, а энергетическая эффективность выше на 75 %. Память в исполнении SOCAMM2 одинаково эффективна как при обучении ИИ-моделей, так и в инференсе, когда используются большие языковые модели с сотнями миллиардов параметров. Использование LPDDR5X позволяет снизить энергопотребление, что благоприятно сказывается на затратах на эксплуатацию всей вычислительной инфраструктуры. По словам SK hynix, она уже готова снабжать облачных провайдеров памятью SOCAMM2 в модулях объёмом по 192 Гбайт в серьёзных количествах. Nvidia не будет единственным провайдером платформ, поддерживающим память в исполнении SOCAMM2, поскольку AMD в следующем году должна представить платформу Verano, которая также обеспечивает совместимость с такими модулями памяти. Помимо SK hynix, модули SOCAMM2 такого объёма поставляют Micron и Samsung Electronics. Набирающий силу профсоюз Samsung намерен запустить 18-дневную забастовку в мае
20.04.2026 [13:23],
Алексей Разин
В минувшую пятницу представители профсоюза, объединяющего 75 000 сотрудников Samsung Electronics, провели перед сеульским офисом компании пресс-конференцию, поделившись своими планами на ближайшее время. В условиях, когда доходы компании на фоне роста цен на память стремительно растут, профсоюз хочет их более справедливого распределения, настаивая на росте премий и угрожая 18-дневной забастовкой. 
Источник изображения: Samsung Electronics В случае, если руководство Samsung Electronics не прислушается к требованиям сотрудников, в следующем месяце профсоюз намерен провести 18-дневную забастовку, последствия которой обойдутся компании более чем в $20 млрд потерь. С сентября прошлого года численность профсоюза Samsung выросла с 6000 до 75 000 человек. Теперь это реальная сила, способная представлять интересы работников Samsung в переговорах с руководством. Объединённая профсоюзная организация теперь имеет на это полное право, выступая от лица 128 000 сотрудников компании. Профсоюз призвал неформального главу Samsung Electronics Ли Чжэ Ёна (Lee Jae-yong) перейти к прямому диалогу с персоналом. Лидеров профессионального объединения сотрудников Samsung смущает тот факт, что Ли Чжэ Ён обещал снять запрет на участие профсоюзов в управлении компанией, но фактически этого до сих пор не сделал. Взаимоотношения работодателя и сотрудников находятся не в лучшей форме, и без прямого диалога с внуком основателя Samsung Electronics выход из кризиса представляется маловероятным, как признают представители профсоюза. В этот четверг профсоюз намерен организовать массовое шествие сотрудников в Пхёнтхэке, где расположен крупный производственный комплекс Samsung, и если руководство не прислушается к требованиям, с 21 мая на 18 дней будет объявлена забастовка. В акции готовы принять участие от 30 до 40 тысяч сотрудников Samsung, а вероятный ущерб от забастовки может превысить $20 млрд. Профсоюз требует снять ограничение на максимальную сумму премий для сотрудников. На эти нужды предлагается пустить до 15 % операционной прибыли компании. Таким образом, если в этом году Samsung получит более $202 млрд операционной прибыли, на выплату премий сотрудникам можно было бы направить более $30 млрд. По словам представителей профсоюза, переговоры на эту тему идут уже четыре месяца, но ситуация не меняется, и не оставляет иного выбора, кроме как организовать забастовку. Только за последние четыре месяца более 200 членов профсоюза перешли на работу в конкурирующую SK hynix, и это само по себе должно иллюстрировать не самые справедливые условия оплаты труда в Samsung. На полупроводниковом направлении в профсоюзе уже состоят около 80 % сотрудников Samsung Electronics. Если учесть, что предприятия по выпуску чипов должны работать 24 часа в сутки, многодневная забастовка угрожает ударить по производственной деятельности Samsung самым серьёзным образом. Даже непродолжительная остановка оборудования требует длительной и сложной процедуры перезапуска производства. Samsung сейчас прилагает условия не только к увеличению объёмов поставки дефицитной памяти, но и освоению производства её перспективных типов вроде HBM4, поэтому любые задержки негативно скажутся на бизнесе компании. Для самых мощных видеокарт: Micron начала поставки 3-Гбайт чипов GDDR7 со скоростью 32 Гбит/с
20.04.2026 [13:15],
Алексей Разин
В конце позапрошлого месяца компания Micron Technology представила микросхемы GDDR7 объёмом 3 Гбайт, способные работать на скорости до 36 Гбит/с, но к их поставкам она до сих пор не приступила. Зато в каталоге продукции на сайте производителя уже упоминаются микросхемы аналогичной ёмкости, работающие на частотах до 32 Гбит/с. 
Источник изображений: Micron Technology Как поясняет VideoCardz, наиболее быстрые чипы GDDR7 объёмом 3 Гбайт компания Micron пока только поставляет клиентам в виде инженерных образцов, а в стадии массового производства находятся чипы, работающие с более низкой скоростью 28 Гбит/с. Два других крупных производителя оперативной памяти — Samsung Electronics и SK hynix, тоже располагают микросхемами GDDR7 объёмом 3 Гбайт в ассортименте собственной продукции. Такие чипы, например, использовались графическими решениями Nvidia GeForce RTX 5090 (в исполнении для ноутбуков) и профессиональным графическим адаптером RTX 6000 поколения Blackwell.  На уровне слухов ранее обсуждалась возможность использования такой памяти видеокартой GeForce RTX 5050 с 9 Гбайт памяти, но в какие сроки она появится, не уточняется. Некоторые эксперты вообще сомневаются, что в этом году Nvidia представит новое поколение игровых видеокарт. Даже если это случится, то не ранее начала осени. Пока же остаётся только гадать, в каких количествах будет востребована память типа GDDR7 объёмом по 3 Гбайт на чип. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
