Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Рынок ИИ-серверов к 2030 году вырастет в шесть раз до $850 млрд, сопутствующие сегменты будут развиваться гармонично
10.12.2025 [07:53],
Алексей Разин
Аналитики Creative Strategies пришли к выводу, что наблюдаемый на фоне бума ИИ подъём рынка полупроводниковых компонентов сформирует своего рода «гигацикл», который растянется на несколько лет и охватит многие сегменты. Выручка на многих направлениях вырастет кратно и будет измеряться сотнями миллиардов долларов США. 
Источник изображения: Nvidia Например, как поясняет Tom’s Hardware со ссылкой на указанный источник, в ближайшие пять лет выручка от реализации ИИ-ускорителей вырастет с прошлогодних $100 млрд до диапазона от $300 до $350 млрд. Оборот рынка ИИ-серверов в целом на этом же интервале вырастет с $140 до $850 млрд. В принципе, подобные оценки можно назвать достаточно консервативными, поскольку то же руководство Nvidia прогнозирует, что затраты на развитие мировой ИИ-инфраструктуры в течение ближайших пяти лет достигнут суммы от $3 до $4 трлн. Глава AMD Лиза Су (Lisa Su) считает, что рынок ИИ-компонентов вырастет до $1 трлн к 2030 году, и до этого момента серверная выручка компании будет в среднем расти на 60 % в год. В сегменте HBM выручка в период с 2024 по 2030 годы вырастет с $16 до $100 млрд. Развитие этого бизнеса будет сильно влиять на производство планарной памяти DRAM, поскольку HBM требует большого количества кремниевых пластин и продвинутых технологий упаковки чипов. На направлении CoWoS только в ближайшие 12 месяцев рост мощностей по упаковке чипов составит 60 %. Не факт при этом, что проблему дефицита производственных линий нужного профиля удастся решить. По словам представителей Creative Strategies, особенностью наблюдаемого гигацикла в полупроводниковой отрасли является формирование возможностей для расширения в каждом сегменте цепочки поставок. Сверхконцентрации роста в одном из сегментов при этом не возникают, и все прочие растут более или менее синхронно. Google с помощью TPU сможет отщипнуть десятки миллиардов от ИИ-пирога, который почти единолично «поедает» Nvidia
09.12.2025 [10:17],
Алексей Разин
На фоне недавнего успеха Google Gemini на передний план вышли ускорители TPU собственной разработки, которые она уже много лет использует в собственной вычислительной инфраструктуре. Аналитики Morgan Stanley прогнозируют, что в следующем году для нужд Google компания TSMC выпустит 3,2 млн ускорителей TPU. 
Источник изображения: Google В дальнейшем это количество будет расти, по данным источника, до 5 млн штук в 2027 году и 7 млн штук в 2028 году. Аналитики утверждают, что Google могла бы продавать свои TPU сторонним заказчикам с большой выгодой. Каждые 500 000 реализованных по такой схеме TPU могли бы принести Google до $13 млрд дополнительной выручки. В разработке TPU интернет-гиганту помогают Broadcom и MediaTek, а первые эксперименты в этой сфере начались ещё в 2013 году. По слухам, заинтересованность в приобретении TPU у Google уже проявила Meta✴✴ Platforms, хотя последняя от комментариев на эту тему отказалась. Около 1 млн ускорителей TPU будут предоставлены ИИ-стартапу Anthropic, сумма сделки измеряется десятками миллиардов долларов США. Как ожидают эксперты, если Google сможет заключить контракты на поставку TPU с OpenAI, xAI и Safe Superintelligence, это позволит её увеличить свою выручку более чем на $100 млрд в ближайшие годы. Наличие систем так называемого вайб-кодинга позволяет специалистам проще адаптировать свои программные ИИ-платформы под новое аппаратное обеспечение, и в этом контексте привязка большинства отраслевых решений к экосистеме Nvidia уже не имеет прежнего значения. Руководство последней данная тенденция уже насторожила, оно поспешило заявить, что компания находится на целое поколение впереди всей отрасли. Представители Nvidia и Google при этом подтвердили сохранение сотрудничества между компаниями в сфере использования аппаратных компонентов первой. Если ранее Google старалась выпускать новое поколение TPU каждые два года, то теперь компания старается обновлять их ежегодно. Samsung перехватила инициативу и станет ключевым поставщиком памяти SOCAMM2 для Nvidia
08.12.2025 [10:16],
Алексей Разин
Отставание от SK hynix в сфере поставок HBM3E для нужд Nvidia не только уязвляет самолюбие Samsung Electronics — компания банально упускает выгоду, поэтому на этапе обеспечения поставок памяти в исполнении SOCAMM2 она решила создать условия для равноправного с конкурентом участия. Сообщается, что более половины всей такой памяти для нужд Nvidia будет поставлять именно Samsung. 
Источник изображения: LinkedIn Об этом на прошлой неделе сообщили южнокорейские издания, которые даже получили подтверждение информации от представителей Samsung Electronics. По имеющимся данным, южнокорейский гигант поставит в следующем году более половины всего необходимого Nvidia объёма памяти типа SOCAMM2. Она будет применяться в северных системах семейства Vera Rubin. Примечательно, что американская компания Micron Technologies первой начала поставки модулей памяти SOCAMM первого поколения и закрепила за собой статус лидера в текущем году, но в следующем году вызов ей готова бросить не только Samsung, но и SK hynix. В частности, первая из южнокорейских компаний намеревается использовать для производства модулей SOCAMM2 свои микросхемы DRAM, выпускаемые по технологии 1c пятого поколения. Ранее вместо модулей SOCAMM в серверном сегменте использовались чипы LPDDR, но переход на новую компоновку позволяет объединить на подложке четыре модуля LPDDR. Модернизация памяти также упрощается при использовании SOCAMM. По слухам, Nvidia запросила у поставщиков 20 млрд гигабайтов памяти в исполнении SOCAMM, половину из этого объёма готова обеспечить Samsung. Для производства 10 млрд гигабайт памяти в исполнении SOCAMM2 потребуется примерно 830 млн чипов LPDDR5X на 24 Гбит. По некоторым оценкам, Samsung нужно будет направить на эти нужды до 5 % ежемесячного объёма выпуска DRAM, что соответствует 30 или 40 тысячам кремниевых пластин в месяц. Оставшийся объём поставок обеспечат SK hynix и Micron. TSMC застопорилась при масштабировании памяти SRAM — переход на 2-нм техпроцесс не даст улучшений
08.12.2025 [10:13],
Алексей Разин
Так называемый «закон Мура», который предписывает удвоение плотности размещения транзисторов на полупроводниковых кристаллах каждые полтора или два года, обеспечивает прогресс далеко не во всех сферах. В частности, улучшить масштабирование при производстве ячеек памяти типа SRAM новый 2-нм техпроцесс не поможет. 
Источник изображения: TSMC Об этом со ссылкой на полученные от TSMC данные сообщил ресурс ComputerBase.de. Проблема замедления масштабирования геометрии полупроводниковых элементов давно известна в отрасли, и на передовой 2-нм техпроцесс возлагались определённые надежды, но TSMC дала понять, что в случае с SRAM на улучшение рассчитывать не придётся. По крайней мере, здесь всё осталось на одном уровне с техпроцессами N3 и N5. В рамках 3-нм и 5-нм техпроцессов площадь одной ячейки памяти SRAM составляла идентичные 0,021 квадратных микрометра. Для сравнения, более зрелый техпроцесс N7 обеспечивал площадь одной ячейки на уровне 0,026 квадратных микрометра. Ячейки SRAM остаются важным строительным элементом современных чипов. Они используются для формирования кеш-памяти различных уровней, и порой занимают существенную часть площади кристалла. Чем плотнее их можно размещать, тем лучше для производительности чипа. С учётом слабого прогресса в масштабировании SRAM, в также появлением новых крупных функциональных блоков, нередко связанных с ИИ, тенденция к увеличению площади современных процессоров никуда не денется, как резюмируют источники. Если говорить о техпроцессе N3P в исполнении TSMC, который будет использоваться и для производства ускорителей Nvidia Vera Rubin, то его освоение идёт не так гладко, как рассчитывала компания. Имеются проблемы с уровнем брака, поэтому N3P наверняка перейдёт на новую ревизию, прежде чем с его использованием можно будет массово выпускать чипы. Впрочем, и при освоении N3 первого поколения TSMC потратила почти год на устранение всех дефектов, и это не особо ей навредило в условиях почти полного отсутствия конкурентов в сегменте. Крупные чипы со сложной структурой обычно мигрируют на передовые техпроцессы с некоторой задержкой относительно более простой продукции, поэтому некоторые заказчики в таких условиях предпочтут подождать. ИИ накалил рынок памяти — счета на поставки DRAM выросли на 90 % за год
06.12.2025 [08:01],
Алексей Разин
Уже не раз отмечалось, что на фоне растущего дефицита поставщики DRAM начали заключать контракты с клиентами на более выгодных для себя условиях. Они стараются увеличить периодичность согласования цен, а клиенты заинтересованы в заключении долгосрочных контрактов. В любом случае, счета на поставку DRAM в октябре выросли на 90 % в годовом сравнении до $12,82 млрд. 
Источник изображения: Micron Technology Об этом сообщают аналитики Wells Fargo со ссылкой на данные отраслевой ассоциации SIA. В сегменте NAND счета на поставку памяти по итогам октября увеличились только на 13 % до $5,13 млрд. В целом, если учитывать счета на поставку полупроводниковых компонентов всех типов, по итогам октября они выросли на 33 % до $71,3 млрд. Сегмент DRAM продемонстрировал максимальный рост в этом случае. Что характерно, аналитики Wells Fargo ставят под сомнение правдоподобность статистики SIA, согласно которой цены на NAND по итогам октября сократились на 16 % по сравнению с сентябрём, поскольку это противоречит общей тенденции. Счета на поставку микропроцессорных компонентов по итогам октября выросли на 16 % до $5,98 млрд. Характерно, что в количественном выражении объёмы поставок чипов такого типа сократились в годовом сравнении на 4 %. В сегменте аналоговых компонентов динамика выручки оказалась даже выше. Счета выросли на 18 % год к году до $7,93 млрд, а объёмы поставок в натуральном выражении увеличились на 11 %. Микроконтроллеры прибавили в деньгах 18 % до $1,88 млрд и 21 % в штуках. Силовые транзисторы MOSFET увеличили сумму счетов на 19 % до $1,02 млрд. Бум ИИ тянет за собой спрос на полупроводниковые компоненты самых разных типов. Гегемония SK hynix нарушена: впервые в истории Samsung стала №1 по выпуску HBM
06.12.2025 [07:34],
Алексей Разин
Долгое время способность в приличных количествах выпускать память типа HBM для нужд Nvidia обеспечивала компании SK hynix статус лидера в этом перспективном и доходном сегменте, и в определённый момент последняя обошла Samsung не только по прибыли, но и выручке. Как сообщают южнокорейские СМИ, в натуральном выражении Samsung недавно обошла SK hynix по объёмам выпуска HBM. 
Источник изображения: Samsung Electronics По информации Business Korea, недавно Samsung Electronics удалось выйти на ежемесячную обработку 170 000 кремниевых пластин с чипами HBM, тогда как до этого данное количество не превышало 150 000 кремниевых пластин в месяц. На новом рубеже Samsung оставляет позади компанию SK hynix, которая сейчас способна ежемесячно выпускать 160 000 кремниевых пластин с микросхемами памяти типа HBM. По оценкам аналитиков, реванш Samsung стал возможен благодаря переориентации производственных линий с выпуска DRAM на производство HBM, а также совершенствованию техпроцессов, причём этим курсом корейский гигант двигался со второй половины прошлого года, во многом благодаря смене руководства подразделения DS, которая состоялась в мае 2024 года. К сентябрю этого года HBM3E производства Samsung наконец-то смогла пройти сертификацию Nvidia, хотя до этого страдала от перегрева и не могла удовлетворять всем требованиям этого заказчика. Samsung также начала снабжать подобной памятью Google, а разработанная не так давно HBM4 уже поставляется компанией своим клиентам в виде образцов. Производственные линии P3 и P4 в Пхёнтхэке компания Samsung расширяет и переводит под выпуск кристаллов DRAM по передовому техпроцессу 1c шестого поколения, чтобы одновременно удовлетворить спрос на HBM. Было ускорено строительство линии P5, которая в будущем позволит увеличить объёмы производства памяти. Если Samsung делает упор на перевооружение существующих производств под нужды выпуска HBM, то SK hynix старается быстрее вводить в строй специализированные производственные мощности. В следующем году, как ожидают эксперты, ежемесячные объёмы обработки 200 000 кремниевых пластин с HBM будут освоены как Samsung, так и SK hynix. До середины 2026 года преимущество будет сохраняться за первой из компаний, но если летом SK hynix введёт в строй предприятие M15X, то сможет перехватить инициативу. В сегменте HBM4 успех обеих компаний будет зависеть от разных факторов. Если Samsung способна сама изготавливать адаптированные под нужды клиентов базовые кристаллы, то SK hynix будет вынуждена полагаться на услуги TSMC в этой сфере. В этом году доля HBM на рынке DRAM должна превысить 20 %, хотя ещё в прошлом году она составляла 8 %. При этом HBM выпускать выгоднее в 3–5 раз при нынешнем уровне цен, чем обычную DDR. Вертикальная интеграция бизнеса Samsung, по мнению некоторых экспертов, обеспечит ей определённые преимущества на рынке HBM. Мировой рынок чипов рвётся к $1 трлн — ИИ разогнал рост выручки до рекордных темпов
06.12.2025 [06:56],
Алексей Разин
Бум систем искусственного интеллекта продолжает толкать выручку поставщиков полупроводниковой продукции, втягивая в эту гонку всё новые категории продукции с точки зрения роста цен. В октябре, по данным SIA, выручка мирового рынка полупроводниковых компонентов последовательно выросла на 4,7 % до $69,5 млрд, а по итогам следующего года в целом может приблизиться к $1 трлн. 
Источник изображения: Intel В годовом сравнении рост октябрьской выручки достиг 27,2 %. Представители WSTS ранее считали, что по итогам 2026 года мировой рынок полупроводниковых компонентов в денежном выражении вырастет до $760,7 млрд, но теперь прогноз увеличен сразу до $975,4 млрд. От этого уровня рукой подать до важной психологической отметки в $1 трлн. Если вернуться к результатам октября, то в географическом срезе локомотивами выручки в годовом сравнении выступили обе Америки (24,8 %) и Азиатско-Тихоокеанский регион (59,6 %), хотя к последнему также примыкают все страны, не входящие в набор из Китая (18,5 %), Европы (8,3 %) и Японии (-10 %). Последовательно выручка сильнее всего выросла в октябре в Азиатско-Тихоокеанском регионе и прочих странах (7,2 %), на втором месте оказался Китай (4,4 %), а вот обе Америки продемонстрировали рост в размере всего 3,5 %, поделив позицию с Европой. Япония в данном случае показала скромный прирост выручки на 0,8 %. 
Источник изображения: SIA По итогам текущего года выручка от реализации чипов на мировом рынке должна вырасти на 22,5 % до $772,2 млрд, как считают представители WSTS. Таким образом, следующий год при условии роста выручки до $975,4 млрд ещё будет способен продемонстрировать увеличение темпов роста до 26,3 %. «Стоящее дело»: Intel впечатлила клиентов разрабатываемым 14-ангстремным техпроцессом
03.12.2025 [19:39],
Сергей Сурабекянц
Техпроцесс Intel 14A — критически важный продукт для производственного подразделения Intel Foundry. Он в настоящее время находится в стадии разработки и запланирован к внедрению в массовое производство в 2027 году. Потенциальные клиенты, с которыми Intel Foundry сотрудничает в процессе разработки, высоко оценивают конкурентоспособность техпроцесса 14A не только на рынках центров обработки данных и ПК, но и мобильных чипов.  По словам Патрика Мурхеда (Patrick Moorhead) из Moor Insights & Strategy, который часто взаимодействует с руководителями отрасли, как минимум два клиента Intel очень довольны ходом разработки нового техпроцесса. «Клиенты Intel, с которыми я общался и которые видели этот узел, говорят, что 14A — это действительно стоящее дело. — сообщил Мурхед. — Он должен быть весьма конкурентоспособным не только на рынках центров обработки данных и ПК, но и мобильных чипов, что знаменует собой важный шаг для компании». «Я с нетерпением жду, когда Intel выпустит свой PDK 14A 0.5 и начнёт собирать отзывы. Однако даже без PDK я уже слышу очень позитивные отзывы, особенно учитывая прогресс с 18A, поскольку каждый новый техпроцесс основывается на предыдущих», — заявил Мурхед. 
Источник изображений: Intel Техпроцесс Intel 14A будет использовать литографическое оборудование ASML для литографии в сверхжёстком ультрафиолете с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV). При помощи этой технологии компании за один квартал удалось обработать 30 000 кремниевых пластин в рамках тестового мелкосерийного производства. Продолжительность производственного цикла при переходе на оборудование с высокой числовой апертурой существенно сократилась. Например, если ранее на обработку кремниевой пластины тратилось три экспозиции и 40 технологических операций, то теперь их количество удалось сократить до десяти, а экспозиция требуется всего одна. Как ожидает руководство Intel, новый техпроцесс 14A обеспечит улучшение соотношения производительности и энергопотребления на 15–20 % по сравнению с 18A, либо снижение энергопотребления на 25–35 %. Кроме того, в рамках 14A будет внедрена структура транзисторов с окружающим затвором RibbonFET второго поколения и подвод питания с обратной стороны кремниевой пластины. Отдельным новшеством станет внедрение так называемых «турбо-ячеек».  «Потенциальные клиенты, с которыми я общаюсь, — а я недавно поговорил практически со всеми руководителями потенциальных ключевых клиентов Intel Foundry, — хотят быть уверенными в том, что распределение пластин будет абсолютно справедливым», — рассказал Мурхед. По его словам, каждая литографическая система ASML Twinscan EXE:5200B обрабатывает 200 пластин в час на фабриках Intel, что говорит о том, что производительности должно быть достаточно для удовлетворения всех потребностей клиентов. Intel расширит мощности для упаковки и тестирования чипов в Малайзии за $208 млн
02.12.2025 [12:22],
Алексей Разин
Исторически компания Intel распределяла операции по тестированию и упаковке своих процессоров между Филиппинами, Малайзией, Китаем и Коста-Рикой, но в 2008 году прекратила профильную деятельность в первой из стран, а также делала перерыв в работе своего профильного предприятия в Коста-Рике. В Малайзии она теперь готова расширить имеющуюся базу, направив на это $208 млн дополнительных инвестиций. 
Источник изображения: Intel В последние месяцы чаще приходится слышать о готовности Intel сокращать расходы и избавляться от активов, но агентство Bloomberg со ссылкой на заявления премьер-министра Малайзии Анвара Ибрагима (Anwar Ibrahim) сообщило, что корпорация вложит указанную сумму в расширение своих операций на территории страны. Соответствующие договорённости между премьер-министром Малайзии и генеральным директором Intel Лип-Бу Таном (Lip-Bu Tan) были достигнуты их встречи в минувший понедельник. По словам чиновника, Intel сделала выбор в пользу Малайзии благодаря стабильности долгосрочного планирования в этой стране. С 2021 года Intel приступила к строительству передового предприятия по упаковке чипов в штате Пенанг, и теперь оно на 99 % готово к началу деятельности. Даже без учёта присутствия Intel, страна является крупнейшим хабом по упаковке и тестированию микросхем, отвечающим за 13 % мирового рынка соответствующих услуг. Полупроводниковый сектор обеспечивает 40 % малазийской выручки. Данное решение Intel интересно ещё и тем, что власти США вовсю пытаются развивать на территории своей страны полный цикл услуг по производству чипов, и на этом фоне действия процессорного гиганта выглядят некоторым отступлением от политического курса действующей администрации, но масштабы инвестиций в экономику Малайзии не столь велики, чтобы говорить об угрозе появления серьёзного раздражителя для того же президента Трампа. TeamGroup предупредила: дефицит DRAM и NAND только начинается — цены будут расти весь 2026 год
01.12.2025 [23:19],
Николай Хижняк
Продолжающиеся структурные изменения рынка DRAM, вызванные перераспределением производственных мощностей на выпуск высокоскоростной памяти HBM для ускорителей ИИ, уже привели к значительному росту цен на массовую память DDR и LPDDR. Однако худшее ещё впереди, пишет DigiTimes со ссылкой на генерального директора компании TeamGroup. 
Источник изображения: Samsung По словам Джерри Чена (Gerry Chen), генерального директора TeamGroup, известного производителя модулей памяти и твердотельных накопителей, контрактные цены на некоторые категории памяти DRAM и 3D NAND в декабре выросли на 80–100 % по сравнению с предыдущим месяцем. Спотовые цены демонстрируют схожую картину. Если 20 сентября средняя спотовая цена 16-гигабитного чипа DDR5 на бирже DRAMeXchange составляла $6,84, то к 19 ноября — уже $24,83. А к 1 декабря средняя спотовая цена на 16-гигабитную микросхему DDR5 выросла до $27,2 (минимум сессии составил $19, максимум — $37). По сути, стоимость только чипов памяти для модуля ОЗУ ёмкостью 16 Гбайт составляет $217,6. Печатная плата, сборка и тестирование, а также дополнительные компоненты, такие как PMIC, добавят $8–10 к стоимости. Таким образом, модуль памяти на 16 Гбайт сейчас стоит $225–228 без учёта премии производителя, логистики и налогов. Чен ожидает, что доступность DRAM и NAND ухудшится в первом и втором кварталах 2026 года, когда складские запасы чипов памяти будут исчерпаны. Он предупреждает, что к этому моменту получение квот может стать затруднительным независимо от готовности заказчиков платить. По его мнению, облегчение наступит не скоро: текущий дефицит сохранится до конца 2027 года и, возможно, продлится дольше. Причина дефицита массовой памяти хорошо известна: производители DRAM перераспределяют свои производственные мощности в сторону HBM, которая используется в ускорителях ИИ, таких как Nvidia B300, или в специализированных ускорителях крупных поставщиков облачных услуг, таких как AWS, Google и Microsoft. Эти компании, как правило, резервируют поставки на годы вперёд, поэтому в какой-то момент у производителей DRAM не хватит мощностей для удовлетворения спроса на массовую память. Строительство нового завода с нуля занимает не менее трёх лет, поэтому даже если такие компании, как Micron, Samsung или SK hynix, примут решение построить завод памяти сегодня, он начнёт работать не раньше конца 2028 года и будет полностью загружен только в 2029-м. Что касается NAND, то поставщики этой памяти отдают приоритет крупным клиентам, которыми чаще всего оказываются производители ИИ-серверов. Чен не ожидает, что производственные мощности будут переориентированы на выпуск массовой памяти для ПК, смартфонов и других потребительских устройств в 2026 году, что повлияет на цены этих устройств. Последствия уже очевидны. Потребители наблюдают, как цены на оперативную память для ПК, собранных на заказ, растут чуть ли не в режиме реального времени. В некоторых случаях комплект оперативной памяти общим объёмом 64 Гбайт стоит дороже игровой приставки PS5. Распродажи оперативной памяти в рамках акций «Чёрная пятница» и «Киберпонедельник» на этой неделе могут стать последней возможностью купить оперативную память перед дальнейшим взлётом цен. Акции Intel подскочили на 10 % после слухов о производстве процессоров для Apple MacBook
01.12.2025 [20:11],
Сергей Сурабекянц
Сегодня акции Intel в основном удержали позиции, завоёванные в результате 10-процентного роста, который они продемонстрировали после сообщений о возможной сделке между производителем чипов и компанией Apple. 28 ноября авторитетный аналитик TF International Securities Минг-Чи Куо (Ming-Chi Kuo) опубликовал в X сообщение о том, что, по его ожиданиям, Intel начнёт поставки младших процессоров M для Apple уже во втором или третьем квартале 2027 года.  Apple готовится диверсифицировать свою стратегию производства чипов, привлекая Intel для производства процессоров M-серии начального уровня, начиная с середины 2027 года, что знаменует воссоединение технологических гигантов спустя пять лет после их разрыва. Куо утверждает, что его исследования показывают, что «вероятность того, что Intel станет поставщиком передовых узлов для Apple, в последнее время значительно улучшилась». По его словам, сроки заключения партнёрства зависят от хода разработки компанией Intel комплекта технологического проектирования, что должно произойти в начале 2026 года. По мнению отраслевых экспертов, сделка с Intel представляет собой продуманную попытку Apple снизить свою зависимость от TSMC, которая в настоящее время производит все чипы Apple серий M и A. В то же время TSMC продолжит производство высокопроизводительных вариантов чипов Apple Pro, Max и Ultra, а также процессоров для iPhone. «Apple — потенциальный крупный референтный клиент […], — считает инвестиционный директор GAM Global Equities Пол Маркхэм (Paul Markham). — Если Intel удастся это сделать, есть потенциал для получения более крупных и ценных заказов от Apple, например, на производство процессоров для iPhone, а также для других крупных разработчиков микросхем». Однако Куо полагает, что сделка с Intel не окажет заметного влияния на партнёрство Apple и TSMC: «В абсолютном выражении объёмы заказов на процессоры начального уровня M относительно невелики и практически не окажут существенного влияния на фундаментальные показатели TSMC или её технологическое лидерство в ближайшие несколько лет». По словам Куо, решение Apple использовать Intel для производства своих младших чипов серии M удовлетворит стремление администрации США к продукции с маркировкой «Сделано в США», а также поможет Apple диверсифицировать свою цепочку поставок для производства. Apple начала последовательный отказ от процессоров Intel в компьютерах Mac ещё в 2020 году. На сегодняшний день абсолютно все «Маки» используют чипы, разработанные Apple. На момент подготовки данного материала цена акций Intel снизилась на 1,76 %. SK hynix запустит тотальное расширение фабрик памяти DRAM, чтобы победить дефицит
30.11.2025 [07:48],
Алексей Разин
Признание руководства SK hynix о распределении всей квоты на производство памяти в 2026 году по предварительным заказам лишь могло звучать, как приговор для отрасли, но по факту адекватные меры для устранения дефицита этим производителем будут предприниматься, как поясняет издание The Chosun Daily. 
Источник изображения: SK hynix В следующем году, как отмечает источник, SK hynix будет модернизировать линии по выпуску памяти на всех своих предприятиях, а также искать дополнительные площади для выпуска DRAM. Передовое предприятие M15x сосредоточится на выпуске HBM, его мощности расширяются в первую очередь. На предприятии M14 будут модернизированы линии по выпуску DDR, а на фабриках M16, M8 и M10 компания займётся оптимизацией использования доступных площадей для размещения дополнительного оборудования по выпуску памяти. По оценкам аналитиков, в следующем году спрос на DRAM (включая HBM) вырастет на 18 %. По этой причине SK hynix ускоряет план по увеличению объёмов выпуска микросхем этого типа, который изначально предполагал прирост с 70 000 ежемесячно обрабатываемых кремниевых пластин до 100 000 штук. Более того, некоторые источники ожидают, что на предприятиях SK hynix по производству NAND будет произведено перевооружение, позволяющее выделить часть мощностей под выпуск DRAM. Шестое поколение 10-нм техпроцесса также сыграет в этой экспансии определённую роль. Micron инвестирует $9,6 млрд в завод по производству памяти HBM в Японии
30.11.2025 [00:31],
Николай Хижняк
Компания Micron инвестирует 1,5 трлн иен ($9,6 млрд) на строительство завода на западе Японии по производству микросхем памяти для приложений искусственного интеллекта. Об этом сообщает Bloomberg со ссылкой на отчёт газеты Asia Nikkei. 
Источник изображения: Micron Technology Micron стремится диверсифицировать производство передовых микросхем за пределами Тайваня, сообщает Nikkei со ссылкой на источники, знакомые с ситуацией. Новый завод будет производить микросхемы памяти с высокой пропускной способностью (HBM) — ключевой компонент в составе специализированных ИИ-ускорителей, таких как те, что выпускает Nvidia. Строительство начнётся в мае 2026 года на территории действующего завода Micron в Хиросиме. Поставки чипов HBM с новой площадки ожидаются в 2028 году. Министерство экономики, торговли и промышленности Японии намерено субсидировать проект на сумму до 500 млрд иен ($3,2 млрд). С 2021 года Япония направила около 5,7 трлн иен ($36,5 млрд) на восстановление и развитие полупроводниковой отрасли. В новом дополнительном бюджете, который кабинет премьер-министра Санаэ Такаити передал на рассмотрение парламента, предусмотрено ещё 252,5 млрд иен ($1,7 млрд) для поддержки ИИ и производства микросхем. Власти ранее одобрили выделение 774,5 млрд иен ($4,9 млрд) на расширение производства Micron в Хиросиме и профинансировали другие проекты, включая фабрики TSMC и Rapidus. На рынке HBM Micron конкурирует со SK hynix и Samsung Electronics. Спрос на такие чипы резко вырос со стороны OpenAI, Meta✴✴ и других компаний, которые активно наращивают мощности для обучения и обслуживания ИИ-моделей. Tesla подсмотрела у китайских конкурентов методы производства машин, признался экс-руководитель отдела продаж
28.11.2025 [14:25],
Алексей Разин
Когда около двадцати лет назад представители китайских компаний бегали с камерами и рулетками по стендам крупных автопроизводителей на отраслевых выставках, старожилы рынка снисходительно поглядывали на попытки китайских конкурентов копировать их продукцию. С годами вектор перетока компетенций сменил направление, поскольку даже Tesla начала заимствовать опыт у китайских автопроизводителей. 
Источник изображения: Tesla По крайней мере, это утверждает бывший президент Tesla по глобальным продажам и маркетингу Джон Макнил (Jon McNeill), который занимал этот пост на протяжении трёх лет, а позже вошёл в состав совета директоров General Motors. В интервью Business Insider он заявил, что «Tesla являлась губкой, впитывающей знания» — по крайней мере, в период с 2015 по 2018 годы, когда Макнил работал в этой компании. В это время Tesla как раз в авральном порядке наращивала объёмы выпуска седана Model 3, коммерческому успеху которого компания как раз и обязана своим выживанием. Кроссовер Model Y, впоследствии ставший самым популярным электромобилем в мире, тогда существовал только на эскизах. Как утверждает Макнил, именно у китайских производителей Tesla научилась глубокой унификации не только узлов и агрегатов, но и глубоко скрытых элементов конструкции электромобилей. Такой подход позволяет снизить издержки в условиях массового производства, и по большому счёту, не является каким-то гениальным изобретением нашего века, а давно применяется в машиностроении. По словам Макнила, Model 3 и Model Y по многим элементам конструкции взаимозаменяемы. Даже Илон Маск (Elon Musk) ещё в 2019 году признавал, что Model Y на три четверти компонентов идентична Model 3, и это позволило наладить массовый выпуск кроссовера в сжатые сроки. Макнил не стал пояснять, какие модели китайских конкурентов в период его работы в компании Tesla могла разбирать на части для изучения конструкции, но признался, что специалисты GM недавно изучили образцы электромобилей китайской BYD, по итогам чего убедились в активном использовании принципа унификации. По его словам, китайские компании преуспели в этом, и такой подход позволяет им экономить приличные суммы денег. Напомним, что BYD является крупнейшим производителем электромобилей и гибридов в мире, а на китайском рынке предлагает весьма конкурентные цены при достаточно разнообразном, на первый взгляд, ассортименте моделей. Впрочем, важно понимать, что в случае с BYD снижение себестоимости достигается и серьёзной вертикальной интеграцией производства. Те же тяговые батареи компания производит самостоятельно, а это самая дорогая часть современных электромобилей. 
Источник изображения: Rivian Модели BYD, по словам Макнила, используют унифицированные электродвигатели в приводах регулировки сидений и стеклоочистителей, а также тепловые насосы в бортовой климатической системе. Эти элементы не виды пользователю во время работы, к ним предъявляются абсолютно одинаковые требования, а потому их имеет смысл унифицировать для всей линейки электромобилей. Кроме того, особенности компоновки электромобилей, которые не ограничивают проектировщиков в длине колёсной базы или пространстве внутри салона, позволяют автопроизводителям активно использовать унифицированную платформу для выпуска нескольких визуально различающихся моделей. По мнению Макнила, китайские автопроизводители в вопросах унификации достигли высочайшего мастерства. Та же Toyota, например, может в своих родственных моделях использовать совершенно разные узлы и комплектующие, чего уже не допускают китайские конкуренты. Снижение затрат, по словам Макнила, имеет критически важное значение для молодых автопроизводителей, поскольку за последние сто лет только Tesla удалось с нуля развить автомобильный бизнес до глобальных масштабов, и это было крайне сложно и очень дорого. Как считает бывший руководитель Tesla, любой американский производитель электромобилей должен «абсолютно безжалостно» бороться с затратами. Кстати, изучением продукции китайских конкурентов занимались не только Tesla и GM, но и американский стартап Rivian. Его основатель Роберт Скариндж (Robert Scaringe) некоторое время назад признался, что по итогам разборки китайского электромобиля Xiaomi SU7 по достоинству оценил высокую степень вертикальной интеграции производственной инфраструктуры этой компании. Правда, он одновременно признал, что Rivian ничему новому у китайских конкурентов научиться не может с точки зрения поиска новых способов снижения себестоимости. В Samsung разработали флеш-память будущего — сверхплотную и на крохах энергии
28.11.2025 [10:50],
Геннадий Детинич
В свежей публикации в журнале Nature исследователи из Samsung с коллегами из Австралии сообщили о разработке NAND-флеш памяти будущего, которая будет потреблять намного меньше энергии и при этом останется высокоплотной. В новой разработке они объединили лучшие полупроводниковые проекты последних 20 лет — затворы из сегнетоэлектриков и каналы из оксидных полупроводников, буквально представив флеш-память будущего. 
Источник изображения: Samsung Несмотря на высокую плотность, современная NAND-флеш память обладает серьёзным недостатком — высоким энергопотреблением из-за необходимости больших напряжений записи и стирания (15–20 В). Исследователи из Южной Кореи предложили радикальное решение: заменить традиционные плавающие затворы на сегнетоэлектрические полевые транзисторы (FeFET) с диэлектриком из легированного цирконием оксида гафния (HfZrO) и каналом из оксидного полупроводника (например, IGZO). Это позволило снизить рабочие напряжения при обращении к цепочке ячеек в строке до сверхнизких значений (4–6 В) и, тем самым, значительно понизило потребление памяти. Сегнетоэлектрики и память FeRAM в частности (в иностранной литературе они называются ферроэлектриками) давно разрабатываются и даже производятся как альтернатива NAND-флеш. Главная проблема FeRAM — сложности с уменьшением площади ячейки. Компания Samsung, к сожалению, не приводит точных данных о характеристиках новой памяти. Можно рассчитывать, что к началу производства новой памяти все основные проблемы будут решены. Что касается канала из оксидного полупроводника под затвором ячейки памяти, то та же технология IGZO компании Sharp отлично себя проявила при производстве малопотребляющих дисплеев с высочайшим разрешением. Одним словом, обе технологии способны создать прорыв на фронте энергоэффективной NAND. 
Источник изображения: Samsung, Nature Вкратце Samsung поясняет, что новая архитектура продемонстрировала выдающиеся характеристики: поддержку многоуровневого хранения данных до 5 бит на ячейку (32 уровня напряжения/заряда), сохранение данных более 10 лет, выносливость свыше 10⁵ циклов и энергопотребление на операцию записи/стирания в строке на 96 % ниже, чем у классической 3D NAND. При этом технология полностью совместима с существующими CMOS-процессами и допускает вертикальную 3D-компоновку слоёв с длиной канала всего 25 нм без ухудшения параметров. Новая память откроет путь к созданию сверхэкономичной энергонезависимой памяти нового поколения. Такая память идеально подойдёт для мобильных устройств, носимой электроники, интернета вещей, а также для энергоэффективных дата-центров и систем искусственного интеллекта, существенно снижая как стоимость владения, так и углеродный след вычислительной инфраструктуры. |
|
✴ Входит в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности»; |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
