Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Samsung пустила на производство Galaxy Z Fold8 комплектующие от будущих моделей из-за ажиотажного спроса
01.09.2026 [16:47],
Павел Котов
Успех широкоэкранного складного смартфона Samsung Galaxy Z Fold8 оказался настолько громким, что Samsung пришлось позаимствовать комплектующие, предназначавшиеся для моделей 2027 года, чтобы удовлетворить спрос на актуальный смартфон.  Samsung оказалось не так просто нарастить производство Galaxy Z Fold8, когда спрос на устройство превысил предложение. Сразу после выхода смартфона в продажу образовались задержки с отгрузками, хотя компания и поставила перед собой цель выпустить на миллион экземпляров больше. Производитель столкнулся с нехваткой микросхем драйвера дисплея (DDI). Их выпускает для Samsung тайваньский подрядчик UMC с использованием техпроцесса 22 нм, и в их производстве компания «достигла предела» В итоге Samsung была вынуждена перенаправить объёмы, зарезервированные для продуктов 2027 году на увеличение производства Galaxy Z Fold8. Напрямую эти компоненты использовать не получится — DDI создаётся для каждой модели смартфона индивидуально. Речь идёт перепрофилировании производства чипов, и это существенная корректировка со стороны Samsung. Корейский производитель даже запросил у подрядчика «экспресс-обслуживание», чтобы нужный объём DDI появился в кратчайшие сроки, и компания удовлетворила спрос на Galaxy Z Fold8. К 2028 году поставки складных смартфонов удвоятся и достигнут 36 млн единиц, сообщили ранее аналитики Omdia. Клиенты ASML уже используют 10 сканеров High-NA EUV, позволяющие делать чипы «тоньше» 2 нм
01.09.2026 [16:32],
Алексей Разин
Являясь крупнейшим контрактным производителем чипов в мире, тайваньская компания TSMC довольно консервативно настроена в отношении скорого внедрения оборудования класса High-NA EUV, которое стоит по $400 млн за единицу. В любом случае, уже четыре клиента выпускающей соответствующие сканеры компании ASML эксплуатируют на своих предприятиях и в лабораториях 10 таких литографических систем. 
Источник изображения: ASML Об этом старший вице-президент ASML Грит Стормс (Greet Storms), заведующая направлением данных литографических машин, заявила на конференции Semicon Taiwan 2026, которая на этой неделе проходит на Тайване. По её словам, помимо десяти уже эксплуатируемых литографических EUV-сканеров с высоким значением числовой апертуры (High-NA), в поставке и процессе монтажа находятся ещё три. Пионером внедрения подобного оборудования при производстве процессоров можно считать Intel, поскольку она уже использует его для выполнения части технологических операций при выпуске чипов семейства Panther Lake по технологии Intel 18A. Samsung и SK hynix интересуются возможностью использования такого оборудования при выпуске памяти, поэтому располагают как минимум по одному образцу литографических систем ASML TwinScan EXE:5200B. Как минимум пять поколений литографических норм, применяемых при производстве микросхем памяти DRAM, могут быть внедрены с использованием такого оборудования. Оно упрощает оснастку и сокращает сам производственный цикл, что в условиях высокого спроса на память важно для указанных южнокорейских компаний. По словам представительницы ASML, соответствующее оборудование этой марки уже приняло участие в обработке 1,35 млн кремниевых пластин. Система TwinScan EXE:5200B, например, способна обрабатывать по 135 кремниевых пластин в час, этого уже достаточно для её применения в массовом производстве чипов. К концу десятилетия показатель производительности удастся увеличить до 180 или даже 210 кремниевых пластин в час, но для этого придётся переходить на более совершенные модели оборудования, которые ASML к тому времени предложит клиентам. В этом году TSMC всё же купила несколько литографических сканеров ASML соответствующего класса, хотя пока и планирует использовать их только для лабораторных экспериментов. С учётом масштабов бизнеса этой компании, внедрение такого оборудования в массовом производстве потребует колоссальных затрат, и пока она не готова на них решиться. Samsung уже распродала до 70 % памяти, которую выпустит до 2031 года
01.09.2026 [09:46],
Алексей Разин
В условиях дефицита памяти и непрерывного роста цен к заключению долгосрочных контрактов стали чаще склоняться как поставщики, так и покупатели. Первым это позволяло брать крупные авансовые платежи и получать гарантированный сбыт продукции, а вторые пытались тем самым обеспечить себя необходимыми объёмами закупок памяти. Samsung под обслуживание долгосрочных контрактов выделила до 70 % своих мощностей по выпуску памяти. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечает TrendForce со ссылкой на южнокорейские СМИ, на практике это будет означать, что 70 % производственных мощностей до указанного срока будут заняты в обеспечении памятью крупных заказчиков типа Nvidia, Microsoft и Google. Нужды прочих будут обслуживаться по остаточному принципу, и покупать память они будут вынуждены по более высоким ценам, чем предусматривают долгосрочные контракты. При этом уже сейчас разрыв цен может быть пятикратным, если говорить о стеке памяти типа HBM3E объёмом 36 Гбайт, который на рынке моментальных сделок оценивается во все $2100. По долгосрочным контрактам такой стек памяти обходится в четыре или пять раз дешевле. Стоимость 16-ярусного стека HBM4 на спот-рынке может достигать $3500. Перекосы рынка памяти в его нынешнем состоянии демонстрируются и официальной экспортной статистикой Южной Кореи. К июлю объёмы поставок памяти для ИИ-систем за пределы страны, включая HBM всех видов и LPDDR, сократились по сравнению с маем на 13,2 % до 591,74 млн чипов. При этом их декларируемая экспортная стоимость выросла на 18,5 % до $11,43 млрд, а средняя цена реализации выросла на 36,6 % до $22,9. Более того, бум ИИ нарушает и привычные тенденции, свойственные рынку памяти. В первом полугодии Samsung нарастила стоимость складских запасов на 32 % в последовательном сравнении, а у SK hynix этот прирост составил 26 %. Продукция, находящаяся в работе, в первом случае подорожала на 35 %, а во втором — на 20 %. В прежние годы рост складских запасов говорил о проблемах со сбытом продукции, но сейчас он демонстрирует готовность производителей активнее обеспечивать будущие поставки. Пример Nvidia, которая свои обязательства по оплате компонентов и сырья последовательно увеличила с $119 до $279 млрд в прошлом квартале, также говорит о склонности клиентов производителей памяти наращивать закупки. Впрочем, в натуральном выражении они растут скромнее, поскольку цены меняются опережающими темпами в сторону повышения. По прогнозам TrendForce, в текущем квартале контрактные цены на DRAM вырастут на 13–18 % в последовательном сравнении. CXMT запустила пробное производство памяти HBM3E
31.08.2026 [18:55],
Сергей Сурабекянц
Китайский производитель микросхем памяти CXMT начал производство небольших тестовых партий передовой высокоскоростной памяти HBM3E. Несколько китайских компания, включая T-Head (дочерняя компания Alibaba Group) и Cambricon Technologies, уже тестируют эту память со своими процессорами. Компания планирует расширить производство в 2027 году. 
Источник изображения: CXMT Китайские производители памяти в настоящее время отстают на два поколения от южнокорейских компаний, которые постепенно переходят на производство памяти HBM4E. Однако это важная веха для CXMT, которая к концу года планирует достичь производственной мощности около 350 000 пластин DRAM в месяц, а в последующие годы — увеличить эту мощность. Сообщается, что производство HBM3E началось в очень небольших количествах, что свидетельствует о начале пробного производства. Аналитики полагают, что компания достаточно быстро перейдёт от тестовых партий к массовому производству. CXMT заметно превосходит конкурентов по скорости строительства чистых помещений — компания ввела в строй такое помещение всего за 12 месяцев, в то время как на это обычно уходит до двух лет. Точные технические характеристики памяти HBM3E от CXMT не раскрываются, но стандартная спецификация JEDEC подразумевает наличие 1024-битной ширины и скорости от 9,2 Гбит/с до 12,4 Гбит/с на контакт, при этом большинство стандартных конфигураций ориентированы на 9,6 Гбит/с на контакт. Общая пропускная способность составляет 1,2 Тбайт/с, а ёмкость варьируется от 24 Гбайт при использовании 8-слойных стеков до 36 Гбайт при использовании 12-слойных стеков. CXMT управляет несколькими предприятиями, включая два завода по производству 12-дюймовых пластин, один в Хэфэе и один в Пекине, каждый с производительностью около 100 000 пластин в месяц. В настоящее время производственная мощность составляет около 200 000 пластин в месяц, а после завершения строительства и ввода в полную эксплуатацию заводов в Шанхае и Хэфэе планируется утроить это число до впечатляющих 600 000 пластин в месяц. TSMC намерена в 50 раз повысить производительность ИИ-систем — помогут 3D-чипы и кремниевая фотоника
31.08.2026 [16:17],
Николай Хижняк
Компания TSMC на конференции SEMICON Taiwan 2026 рассказала о новых технологиях для производства микросхем, которые внедряются в ответ на постоянно растущие требования к вычислительной мощности со стороны экосистемы ИИ. Компания акцентирует внимание на новых технологиях упаковки и сборки чипов, а также развивает направление технологий кремниевой фотоники. 
Источник изображений: TSMC По словам Эйприл Ли (April Li), руководителя глобального подразделения по развитию бизнеса в области искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений в TSMC, ежегодно наблюдается пятикратный рост спроса на вычислительные ресурсы для искусственного интеллекта, что создаёт постоянно растущие требования к вычислительным мощностям. В ответ на это TSMC интегрирует передовые технологические процессы, 3D-технологии сборки и кремниевую фотонику в свои решения для высокопроизводительных вычислений. По прогнозам компании, к 2029 году интеграция передовых методов компоновки SoIC и упаковки CoWoS позволит увеличить общую производительность системы в 50 раз по сравнению с технологиями, которые начали применяться в 2024 году. По словам Ли, гетерогенная интеграция — единственный способ преодолеть существующие ограничения в области вычислений. В 2026 году TSMC планирует внедрить 3D-интеграцию N2P-on-N3P, а в 2029 году — A14-on-A14 с шагом межсоединений 4,5 мкм. Компания также продолжает развивать технологию кремниевой фотоники COUPE. Применяемый в её рамках шаг соединения в 2–4 мкм позволяет снизить потери при передаче данных на скорости 112 Гбит/с всего до 0,06 дБ по сравнению с 1,38 дБ при использовании микровыступов, что помогает снизить энергопотребление и задержку до 10–20 наносекунд. Разработанная компанией TSMC платформа COUPE (Compact Universal Photonic Engine) использует технологию соединения TSMC-SoIC для интеграции электронных интегральных схем (EIC) с фотонными интегральными схемами (PIC), поддерживая при этом как решётчатые ответвители (GC), так и краевые ответвители (EC). Для дальнейшего увеличения пропускной способности TSMC реализует два направления развития. Одно из них предполагает увеличение скорости передачи данных по каждому каналу с 200 Гбит/с до более чем 400 Гбит/с при одновременном увеличении количества каналов с 16 до более чем 128, что позволит увеличить общую пропускную способность с 3,2 до более чем 12,8 Тбит/с. Второе направление предполагает расширение мультиплексирования с разделением по длине волны (WDM) с одной длины волны до 4, 8, 16 и более. Компания также решает проблемы, связанные с тестированием и проектированием, по мере того как технология совместно упакованной оптики (Co-Packaged Optics, CPO) получает более широкое распространение. TSMC внедрила оптическое тестирование на уровне пластин для устройств с краевой связью, что позволяет отсеивать бракованные кристаллы перед дорогостоящей сборкой оптоволоконных систем. Компания также представила оптическую платформу для проектирования полупроводников, которая позволяет проводить совместное электронно-фотонное моделирование для решения ключевых задач в области кремниевой фотоники. Платформа поддерживает инструменты Cadence и Synopsys, что помогает ускорить разработку новых продуктов. Вице-президент TSMC по передовым технологиям и услугам в области корпусирования К. С. Сюй (K.C. Hsu) заявил, что в архитектуре оптических приёмопередатчиков происходят структурные изменения и ожидается, что к 2027 году на долю кремниевой фотоники будет приходиться более 50 % рынка оптических приёмопередатчиков. Производство оптических приёмопередатчиков на кремниевых подложках — это следующий шаг, и ожидается, что некоторые поставщики начнут их массовое производство во второй половине 2026 года. По словам Сюя, на фоне постоянного роста спроса на высокоскоростные каналы связи оптика станет «нервной системой» центров обработки данных. Согласно статистике, в 2025 году продажи оптических приёмопередатчиков выросли на 25 %, а в 2026 году рост их поставок ожидается ещё на 50 %. При этом в 2024 году рынок высокопроизводительных приёмопередатчиков со скоростью передачи данных от 100 Гбит/с и выше удвоился, а в 2025 году вырос ещё на 60 %. Сюй отметил, что тайваньская экосистема по производству полупроводников уже способна производить оптические модули в больших объёмах и с высокой точностью, а реальные данные и рыночная практика помогают развеять давние опасения по поводу надёжности оптических приёмопередатчиков на кремниевых подложках. По его словам, основная проблема при крупномасштабном внедрении этой технологии связана с другими звеньями цепочки поставок, включая лазеры, оптические волокна, оптоволоконные соединители и тестирование продукции. Huawei не может уменьшать чипы, поэтому будет их «складывать»: но эксперты нашли слабые места LogicFolding
31.08.2026 [12:43],
Алексей Разин
Ещё в мае этого года представители Huawei Technologies буквально провозгласили на весь мир, что компания собирается при помощи нового подхода к проектированию и производству полупроводников к 2031 году наладить выпуск чипов, которые не будут уступать зарубежным 1,4-нм. Специалисты SemiWiki утверждают, что технология LogicFolding этой китайской компании не лишена недостатков.  Как поясняют авторы публикации, исторически масштабирование размеров транзисторов, которое обеспечивало рост быстродействия полупроводниковых компонентов, сводилось к повышению плотности их размещения на единице площади. После определённых физических границ изготовление чипов с нужными геометрическими параметрами требовало применения сложного литографического оборудования, поставки которого США и Нидерланды в Китай запретили. В совокупности с прочими санкциями это подтолкнуло Huawei к поиску других путей повышения производительности чипов. По мнению источника, подход Huawei в рамках LogicFolding сводится к созданию «многослойных» чипов, которые в проекции сверху размещают больше транзисторов на единице площади. Классический подход к производству чипов на имеющемся в Китае оборудовании технически позволяет той же SMIC наладить выпуск компонентов, по своим качествам сопоставимых с 5-нм чипами, но они бы обходились бы в производстве на 40–50 % дороже, чем аналогичные изделия TSMC. Компания Huawei предлагает «сложить пополам» подложку с транзисторами, а затем соединить их по вертикали для обмена информацией по кратчайшему пути. Плотность размещения транзисторов возрастает на 55 %, а энергетическая эффективность возрастает на 41 %. В любом случае, Huawei придётся столкнуться с двумя серьёзными проблемами. Во-первых, даже двухслойная компоновка чипа вызывает сложности с эффективным отводом тепла. Во-вторых, уровень брака на первых порах при таком подходе к производству чипов будет весьма высоким. Соответственно, низкий уровень выхода годной продукции повышает её себестоимость. Наконец, для проектирования чипов с такой компоновкой потребуется оптимизированное программное обеспечение, которое способно учитывать те же проблемы с отводом тепла, например. Пекинский университет такой программный инструментарий разработал на уровне эксперимента, но для превращения его в серийное ПО потребуется несколько лет. Кроме того, для выпуска чипов по новым технологиям Huawei потребуются новые материалы и оборудование, и тут компания будет сильно зависеть от партнёров и поставщиков. Первый чип Huawei (HiSilicon Kirin 9050), который будет изготовлен по методу LogicFolding, появится на рынке уже этой осенью в составе смартфона Mate 90. Лишь к 2030 году компания отважится начать применение аналогичной технологии для производства более крупных ИИ-чипов Ascend, на которых базируются ускорители вычислений. Intel может приобщиться к выпуску памяти HBM4E — она будет делать базовые кристаллы для SK hynix
31.08.2026 [09:44],
Алексей Разин
Многопрофильность бизнеса Samsung Electronics играет для компании как хорошую роль, так и плохую. Она, например, может самостоятельно производить для себя все кристаллы для стеков памяти класса HBM, тогда как конкурирующая SK hynix базовые кристаллы вынуждена заказывать у TSMC. В рамках производства HBM4E схема сотрудничества может измениться, поскольку выпускать базовые кристаллы для SK hynix начнёт и Intel. 
Источник изображения: Unsplash, Brecht Corbeel По крайней мере, на этом сценарии настаивает южнокорейское издание Korea Herald. При этом взаимодействие с TSMC со стороны SK hynix не прекратится, просто у последней появится второй поставщик базовых кристаллов для стеков HBM4E. В условиях дефицита и геополитических рисков для каналов поставок подобная диверсификация должна позволить SK hynix повысить надёжность снабжения своей продукцией клиентов. В рамках изготовления кристаллов для стеков HBM4 компания SK hynix обращается за базовыми к TSMC, которая производит их по 12-нм технологии. По некоторым оценкам, базовый кристалл памяти этого поколения оказывается в три или четыре раза дороже, чем кристалл DRAM, из которых формируется основная часть стека. Помимо прочего, появление двух подрядчиков в данной сфере позволит SK hynix немного улучшить ценовые условия на услуги по производству базовых кристаллов — тем более, что Intel заинтересована в развитии своего контрактного бизнеса и привлечении новых клиентов. К технологиям упаковки EMIB компании Intel производитель памяти SK hynix также присматривается наравне с предложениями CoWoS-S и CoWoS-L компании TSMC. Не будет лишним напомнить, что в Intel перешёл на работу и бывший генеральный директор SK hynix. Он наверняка будет способствовать укреплению деловых связей настоящего и бывшего работодателей. Ещё в июне SK hynix приступила к поставкам образцов 12-ярусных стеков HBM4E. План сотрудничества с Intel ещё не утверждён и пока рассматривается только гипотетически. Intel всё же не вернётся к выпуску микросхем памяти
31.08.2026 [07:53],
Алексей Разин
В уходящем месяце генеральный директор Intel Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan) довольно двусмысленно обратился к теме инвестиций в технологии, связанные с производством и интеграцией памяти, попутно напомнив, что нанял на работу бывшего главу SK hynix. Финансовому директору Intel Дэвиду Зинснеру (David Zinsner) пришлось пояснять, что у компании нет планов по возвращению к самостоятельному изготовлению микросхем памяти. 
Источник изображения: Intel Напомним, что с 1968 года Intel примерно до середины восьмидесятых годов производила микросхемы DRAM, а уже в этом веке пыталась предложить собственную версию NAND, но после продала профильный бизнес южнокорейской компании SK hynix. На недавней технологической конференции Deutsche Bank Зинснер прокомментировал слухи о возвращении Intel на рынок памяти следующим образом: «Я бы предпочёл избегать рынка памяти. Поэтому я надеялся, что вы не будете говорить о том, что мы возвращаемся на рынок DRAM». Далее он пояснил, что генеральный директор Лип-Бу Тан в своих недавних комментариях имел в виду углубление сотрудничества с партнёрами и клиентами в сфере устранения «узких мест», которые мешают масштабированию быстродействия памяти. «Думаю, что он видит нас в роли ключевого игрока, занимающегося этой работой, которая включает взаимодействие с тремя основными производителями памяти, и у него налажены хорошие отношения с ними…, и мы регулярно обсуждаем вещи, которые могли бы делать вместе. Кроме того, есть способы разработать продукт, его архитектуру, наши продукты, которые лучше себя проявят при взаимодействии с памятью», — попытался пояснить позицию главы компании Intel её финансовый директор. Переход на технологию упаковки EMIB-T, помимо прочего, тоже будет служить достижению этой цели, поскольку повысит эффективность интеграции компонентов. SK hynix присматривает площадку в Японии для организации совместного производства памяти
31.08.2026 [05:01],
Алексей Разин
Представители SK Group оказались в этом месяце на редкость словоохотливыми. Если генеральный директор SK hynix только намекал на сближение с японскими производителями вроде Kioxia, то председатель совета директоров Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) заявил Bloomberg, что компания присматривает участок земли в Японии для строительства совместного предприятия. 
Источник изображения: SK hynix «Мы ищем по всей Японии — везде, где есть энергия и вода», — пояснил председатель совета директоров SK hynix, отказавшись комментировать вопрос о возможных партнёрах с японской стороны. Напомним, что недавно компания запустила строительство предприятия в американской Индиане, которое будет заниматься тестированием и упаковкой HBM4E, и в целом не отметает идею организации полного цикла производства памяти в США. Конкурирующая Micron Technology владеет предприятием по производству DRAM на западе Японии, которое досталось ей от местной компании Elpida. В Японии есть как производители памяти типа Kioxia, которая сотрудничает с Sandisk, так и крупные её потребители типа Sony, Nintendo и целого набора автопроизводителей. С учётом заинтересованности японских властей в возрождении местной полупроводниковой промышленности, у SK hynix есть шанс частично покрыть свои расходы на строительство будущего японского предприятия правительственными субсидиями. Имея местного партнёра, получить их будет значительно проще. «Пришло время для Кореи и Японии сформировать экономический блок», — подчеркнул глава совета директоров SK Group. Выручка контрактных производителей чипов во втором квартале подскочила на 29 %
29.08.2026 [07:46],
Алексей Разин
На рынке полупроводниковых компонентов ряд компаний уже давно обрели специализацию, которая позволяет им производить их по заказу сторонних разработчиков. Поскольку в свете бума ИИ клиентов у них становится всё больше, а спрос на чипы в целом растёт, нет ничего удивительного в повышении выручки этих участников рынка на 29 % по итогам второго квартала 2026 года. 
Источник изображения: Samsung Electronics Данную статистику приводит Counterpoint Research без указания конкретных сумм выручки. Лидером на рынке услуг по контрактному производству чипов остаётся тайваньская TSMC, которая за предыдущие 12 месяцев нарастила свою долю на нём с 71 до 73 %. Южнокорейская Samsung, которая к тому же выпускает чипы и для собственных нужд, уже на протяжении четырёх кварталов довольствуется долей в 7 %, хотя ещё во втором квартале прошлого года занимала 8 %, а за квартал до этого — все 9 %. Поскольку TSMC основное укрепление своих позиций обеспечила наращиванием объёмов выпуска передовых 3-нм и 2-нм чипов, Samsung пытается следовать её примеру. Впрочем, в прошлом полугодии последняя сильнее наращивала свою выручку благодаря увеличению объёмов поставок 5-нм и 4-нм продукции, а также повышению цен на свои услуги. Китайская SMIC на протяжении предыдущих 12 месяцев удерживала 5 % мирового рынка услуг по контрактному производству чипов и занимала на нём третье место, хотя сама по себе во втором квартале получила рекордную выручку и демонстрировала хорошую динамику финансовых показателей. Выгоду компании принесли и зарубежные заказы, так что она обслуживает не только внутренний рынок КНР. 
Источник изображения: Counterpoint Research Тайваньская UMC хоть и сохраняет статус второго по величине контрактного производителя чипов на соответствующем острове, не только сильно отстаёт от TSMC, но в мировом зачёте уступает и китайской SMIC, занимая лишь 4 % рынка в показателях выручки. Кстати, ещё год назад она шла на равных со SMIC, но теперь уступает ей. Замыкает пятёрку крупнейших контрактных производителей американская GlobalFoundries, подпитываемая деньгами арабских инвесторов. Её позиции за год ослабли с 4 до 3 %. В общей сложности, пять крупнейших игроков рынка контролируют 93 % выручки, а на долю прочих приходятся оставшиеся 7 %, причём консолидация продолжается, ибо во втором квартале прошлого года они делили между собой 8 % мировой выручки в этой сфере. Intel научилась обходить грабли — 14A осваивается лучше всех техпроцессов компании за десятилетие
28.08.2026 [14:20],
Алексей Разин
Буквально чуть более года назад Intel была не до конца уверена в целесообразности освоения ангстремного техпроцесса 14A, но в прошлом месяце сменила риторику. Теперь компания даже утверждает, что динамика снижения плотности дефектов в случае с Intel 14A превосходит показатели всех техпроцессов, освоенных ею со времён 22-нм технологии. 
Источник изображения: Intel По крайней мере, подобные заявления сделал финансовый директор Intel Дэвид Зинснер (David Zinsner) на недавней технологической конференции Deutsche Bank. Ресурс ComputerBase.de взял на себя труд напомнить, что в своё время 22-нм техпроцесс имел для компании большое значение и был труден в освоении хотя бы из-за внедрения в его рамках структуры транзисторов FinFET. Впрочем, данная веха в истории Intel характеризуется ещё и серьёзными последующими неудачами. Поскольку 10-нм техпроцесс провалился на старте, Intel пришлось всеми силами «продлевать молодость» более зрелому 14-нм техпроцессу. Даже в случае с относительно удачным 22-нм техпроцессом Intel пришлось довести процессоры Ivy Bridge на его основе до степпинга E1, прежде чем они достигли удовлетворительного для поставок на рынок качества. Для сравнения, 32-нм процессоры Lynnfield стартовали на рынке со степпинга B1, а Nehalem и вовсе было достаточно дойти по алфавиту до степпинга C0. Чем «тоньше» технологические нормы производства чипов, тем сложнее они в освоении, и в этом смысле Intel 14A представляет собой сочетание высоких рисков, иначе компания не задумалась бы об отказе от его освоения в прошлом году. Инструментарий для разработчиков чипов, которые хотели бы поручить Intel их производство по технологии 14A, в октябре этого года мигрирует на версию 0.9, которая фактически пригодна для создания первых физических образцов. Опытное производство чипов по технологии Intel 14A компания планирует начать в следующем году, а массовое — только в 2028 году. Как признался Зинснер, компания уже вовсю готовит мощности для освоения массового выпуска таких чипов. Во-первых, этим займётся новая Fab 62 в Аризоне. Во-вторых, под выпуск чипов по технологии 14A будет переоборудована экспериментальная линия в Орегоне, где сейчас производятся чипы по технологии Intel 18A-P. После перевооружения этой линии Intel будет выпускать в Орегоне продукцию по технологии 14A в серийных масштабах. Более того, под выпуск подобных чипов будет выделена первая очередь нового комплекса в штате Огайо, строительство которого компания ранее была вынуждена заморозить. С конца 2027 года клиентам Intel будут доступны и услуги по упаковке чипов с использованием передовой компоновки EMIB-T. Примерно в это же время они смогут рассчитывать и на получение от Intel чипов, выпускаемых по их заказу с применением технологии 14A. Эпидемия забастовок добралась до Micron — сотрудники требуют долю сверхприбылей от ИИ-бума
28.08.2026 [13:23],
Алексей Разин
Первой среди крупнейших производителей памяти к более справедливой, по мнению сотрудников, модели распределения прибыли в условиях бума ИИ перешла компания SK hynix. Работники конкурирующей Samsung Electronics под угрозой забастовки быстро добились сопоставимых улучшений условий оплаты труда, и вот теперь их примеру готовы последовать сотрудники тайваньских предприятий Micron Technology. 
Источник изображения: Micron Technology Добавим, что в самой Южной Корее «эпидемия забастовок» распространилась далеко за пределы полупроводникового сектора, охватив и другие отрасли экономики. Теперь, как сообщает Commercial Times, крупнейшие профсоюзы сотрудников MicronTechnology на Тайване подталкивают руководство местного представительства компании к проведению переговоров об аналогичных изменениях в системе оплаты труда. Рассмотрение трудового спора намечено на два этапа: в конце августа и середине сентября. Если оно не приведёт к удовлетворительному для профсоюзов результату, то забастовка на тайваньских предприятиях Micron состоится уже в сентябре. По имеющимся данным, Samsung Electronics и SK hynix направляют на выплату премий работникам 10,5 % и 10 % прибыли соответственно. Тайваньское законодательство ограничивает размер премиальных выплат примерно пятью месячными окладами, но на практике они не превышают 2,6 месячного оклада. Стремление добиться улучшения условий оплаты труда уже привлекло в профессиональные объединения около 10 000 сотрудников Micron на Тайване. Примерно 80 % членов двух профсоюзов поддержали идею забастовки. Между тем южнокорейские работники предприятий по выпуску памяти не собираются останавливаться на достигнутом. Представители трудовых коллективов SK hynix во вторник отвергли предложение работодателя о повышении базовой ставки оплаты труда на 6,3 % и пересмотре системы премирования. Компания уже распределяет между работниками до 10 % своей годовой операционной прибыли, но некоторых из них не устраивает схема выплаты до 60 % премии в виде акций компании. Ситуация грозит новыми забастовками. В случае с Samsung своё недовольство всё активнее выражают сотрудники, которые не заняты в производстве микросхем памяти, поскольку проведённые реформы не учли их интересов. В результате внутри компании возник стократный разрыв в размерах премиальных выплат сотрудникам. Обвала на рынке памяти не ждите — глава SK Hynix рассказал, почему дефицит продлится до 2031 года
28.08.2026 [13:16],
Алексей Разин
Приехавший на церемонию закладки фундамента предприятия в Индиане генеральный директор SK hynix Квак Но Чжун (Kwak Noh-jung) воспользовался мероприятием, чтобы поделиться своим видением дальнейшего развития рынка памяти. По его словам, дефицит на нём сохранится до конца 2030 года, а опасаться перепроизводства больше не стоит, поскольку ситуация в отрасли принципиально изменилась. 
Источник изображения: SK hynix Свой прогноз по срокам сохранения дефицита глава SK hynix дал на пресс-конференции, которая последовала за церемонией закладки фундамента нового предприятия в штате Индиана, где тестирование и упаковка передовой памяти HBM начнутся во второй половине 2029 года. Генеральный директор SK hynix подчеркнул, что до начала 2031 года дефицит памяти будет сохраняться на мировом рынке. Никаких сигналов, которые могли бы свидетельствовать о потенциальном обвале спроса, SK hynix в настоящий момент не видит. К моменту ввода в строй предприятия в Индиане оно будет снабжать американских клиентов, включая Nvidia, микросхемами памяти HBM4E, хотя начальные стадии их обработки всё равно будут осуществляться в Южной Корее. При этом Квак Но Чжун признаёт, что отрасль может столкнуться с трудностями, если сегмент ИИ минует свой пик, но даже цикл снижения окажется отличным от тех, что наблюдались на рынке памяти за прошедшие два десятилетия. Современная память для систем ИИ является высокотехнологичным видом продукции, который существенно адаптирован к нуждам конкретных заказчиков. Это позволяет производителю более достоверно прогнозировать спрос со стороны клиентов и избегать ситуаций с перепроизводством. Если спрос на память со стороны сегмента ИИ вдруг и снизится, то это снижение не будет резким, а более вероятно оно вообще получит форму плато, как считает глава SK hynix. По его словам, компания готова строить новые предприятия «где угодно», но пока соответствующих решений в этой сфере не принято. Связи с японскими производителями памяти SK hynix тоже будет поддерживать, но главным образом через сохранение своего пакета акций Kioxia. Одновременно SK hynix хотела бы напрямую участвовать в разработке новых типов NAND при поддержке японских клиентов и поставщиков. Напомним, недавно Kioxia объявила о намерениях построить на севере Японии крупное предприятие по выпуску памяти типа NAND для серверного сегмента. SK hynix на правах крупного акционера Kioxia (14,19 %) сможет опосредованно участвовать в финансировании подобных проектов. Дочернюю компанию Solidigm, которая унаследовала бизнес Intel по производству твердотельной памяти, SK hynix может вывести на биржу, как признался глава последней. По неофициальным данным, перед выходом на IPO компания Solidigm может привлечь до $3,6 млрд финансирования. Подробности о планах в этой сфере могут проясниться в ближайшие недели. TSMC изучает необычные диэлектрики для транзисторов атомарного размера — появилась надежда на прорыв
28.08.2026 [10:54],
Геннадий Детинич
Уменьшение размеров транзисторов и цепей в целом всегда было простым путём к повышению производительности чипов. Всё это работало ровно до того момента, как размеры элементов вплотную приблизились к масштабу атомов. На дыбы встала сама физика материалов, электрические и физические свойства которых перестали выполнять свои задачи — точно и под полным контролем передавать электрические сигналы. Диэлектрики не стали исключением и тоже пошли в разнос. 
Источник изображения: NUS Проблему диэлектриков и изоляционных материалов для чипов атомарного масштаба среди прочих изучают учёные из Сингапура. Так, исследователи из Национального университета Сингапура (NUS) создали сверхтонкую углеродную плёнку толщиной всего 0,8 нм, которая может помочь продолжить уменьшение размеров компьютерных чипов. И что самое обнадёживающее — они ещё весной передали эти знания инженерам из тайваньской компании TSMC, которые занялись вопросами адаптации разработки к запуску в промышленное производство. На удивление, аморфный углерод проявил необычное сочетание сверхнизкой диэлектрической проницаемости, высокой механической прочности и способности блокировать диффузию атомов металлов — это фактически базовый набор свойств, которые становятся критически важными по мере дальнейшей миниатюризации микросхем. Этакое комбо, способное разом пробить проход в будущее производства чипов. Одна из проблем современных процессоров заключается не только в уменьшении транзисторов, но и в усложнении системы проводников — металлических соединений между ними. Внутри передовых чипов миллиарды транзисторов соединены тончайшими медными проводниками, расстояние между которыми постоянно сокращается. При слишком плотной упаковке возникает паразитная ёмкость: соседние линии начинают влиять друг на друга, увеличивая энергопотребление и замедляя передачу сигналов. Для решения этой проблемы нужны изоляторы с очень низкой диэлектрической постоянной (low-k материалы), однако обычные пористые диэлектрики теряют механическую стабильность при толщине в несколько нанометров и не могут быть использованы в дальнейшем. Предложенный учёными материал представляет собой аморфный углерод с преобладанием связей типа sp2. Даже при толщине всего 0,8 нм он сохраняет диэлектрическую постоянную около 1,35 — значение, близкое к вакууму (1,0). При этом плёнка выдерживает электрическое поле напряжённостью 28–31 МВ/см, что значительно превышает показатели некоторых перспективных ультратонких изоляторов, например аморфного нитрида бора. Дополнительным преимуществом стала высокая твёрдость — около 100 ГПа, что примерно на порядок выше, чем у традиционного диоксида кремния. Кроме изоляции соседних проводников, углеродная плёнка способна выполнять роль барьерного слоя против миграции металлов. В современных чипах для предотвращения проникновения меди в окружающие материалы обычно требуется отдельный слой нитрида тантала, но он занимает ценное пространство. Новый углеродный материал совмещает обе функции: он снижает паразитную ёмкость и одновременно препятствует движению ионов металла. Испытания показали, что даже слой толщиной 0,8 нм в 100 раз превосходит барьерные свойства нитрида тантала, широко применяющегося в современном производстве чипов. Также неплохо, что углеродную плёнку можно создавать при относительно невысокой температуре 300 °C методом химического осаждения из газовой фазы и не только на ровную подложку, но на все неровности и углубления, что создаёт перспективы для 3D-компоновки элементов чипа. Не исключено, что компания TSMC первой применит эту технологию на практике как лидер мирового производства полупроводников, но пока это только лабораторные исследования с пластинами малого диаметра и как эта технология проявит себя при масштабировании — это пока открытый вопрос. SK hynix собирается превратить строящуюся в Индиане фабрику в крупнейшее предприятие по упаковке HBM в США
28.08.2026 [06:50],
Алексей Разин
До недавних пор присутствие южнокорейских производителей памяти в США с точки зрения локализации ограничивалось предприятиями Samsung Electronics по контрактному производству логических компонентов. SK hynix решила организовать в Индиане упаковку чипов памяти HBM, рассчитывая к 2030 году превратить эту площадку в крупнейшую в США базу этого профиля, превзойдя местную Micron Technology. 
Источник изображения: SK hynix На торжественной церемонии закладки фундамента предприятия по упаковке чипов памяти в Индиане на этой неделе лично присутствовал генеральный директор SK hynix Квак Но Чжун (Kwak Noh-jung), он предсказуемо говорил о важности памяти типа HBM в условиях бума искусственного интеллекта: «Мы предоставим нашим клиентам новый источник изготавливаемой в США памяти HBM, одновременно укрепляя цепочки поставок полупроводниковых компонентов в США и делая вклад в национальную и экономическую безопасность». В строительство и оснащение фабрики в Индиане компания вложит $4 млрд, но здесь микросхемы HBM будут только тестироваться и упаковываться, а подготовленные для этих операций кристаллы памяти будут поставляться из Южной Кореи. Первая «чистая комната» нового комплекса в Индиане будет открыта в октябре 2028 года, а к серийной упаковке памяти HBM нового поколения предприятие приступит во второй половине 2029 года. SK hynix в прошлом месяце вышла на американский фондовый рынок, ей удалось привлечь $26,5 млрд, что стало рекордом для IPO, проводимых иностранными компаниями. В течение прошлого года капитализация SK hynix выросла почти в семь раз, превысив $1 трлн. SK hynix собирается активно расширять производство памяти у себя на родине в Южной Корее, но с поиском новых площадок для организации её выпуска за пределами страны у компании возникают инфраструктурные проблемы. В Индиане строительство новой фабрики формально началось ещё в апреле, но торжественную церемонию провели только сейчас. Предприятие обеспечит работой около 1000 сотрудников, в процессе строительства и снабжения нового производства будут созданы ещё 6000 новых рабочих мест. На первых порах сотрудников для фабрики в Индиане будут отправлять вахтовым методом из Южной Кореи, но позже их заменят местными жителями. Готовить кадры для предприятия будет и местный Университет Пердью, а ещё на него будет возложена миссия проведения совместных научно-исследовательских работ. К 2030 году SK hynix рассчитывает в общей сложности инвестировать в американскую промышленность более $45 млрд. Помимо предприятия в Индиане, средства будут вкладываться в дочернюю AI Company и подразделение Solidigm, которое унаследовало от Intel бизнес по производству NAND-памяти в 2020 году. Реализация проекта в Индиане будет субсидироваться не только федеральными ($458 млн), но и властями штата ($712 млн), в последнем случае субсидии станут вторыми по величине в истории региона. Помимо мощностей по тестированию и упаковки памяти, здесь расположатся и исследовательские лаборатории, которые помогут лучше адаптировать выпускаемую память к потребностям местных клиентов. Та же Nvidia в июле заключила сделку с SK hynix на сумму $500 млрд, и компании будут сотрудничать в сфере разработки новых типов памяти. Сейчас SK hynix является мировым лидером в сегменте HBM, хотя уступает традиционному лидеру Samsung на рынке памяти в целом. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
