IBM представила первую в отрасли технологию производства кремниевых чипов субнанометрового класса с нормами 0,7 нм, или 7 ангстрем. Технология стала развитием идеи нанопроводных каналов, полностью окружённых затворами (GAA, Gate-All-Around). Практическая реализация техпроцесса должна состояться не позднее 2031 года, обещая принести с собой значительное сокращение энергопотребления чипов при росте производительности.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Источник изображения: IBM

В настоящий момент IBM вместе с японской компанией Rapidus находится на этапе внедрения массового производства 2-нм чипов с нанопроводными транзисторными GAA-каналами. Технология родилась около 15 лет назад в содружестве с компанией Samsung, пути с которой у IBM позже разошлись. Несмотря на переход от FinFET к GAA, массивы транзисторов на кристалле продолжают оставаться, по сути, планарными. «Настоящее 3D» всё ещё впереди, когда транзисторы будут размещаться друг над другом в два, а то и более слоёв. Работы в этом направлении ведутся со всё возрастающей интенсивностью, и компания IBM также участвует в этой игре.

Как стало известно, следующим шагом IBM после «наностраничной» транзисторной архитектуры станет «наностековая» архитектура (NanoStack). Вместо дальнейшего «плоского» ужатия транзисторов на поверхности пластины IBM предлагает вертикально и со смещением укладывать транзисторы друг относительно друга наподобие технологии CFET, предложенной бельгийским исследовательским центром IMEC. За неимением иллюстрации от IBM для наглядности поместим иллюстрацию IMEC, как это может выглядеть.

Источник изображения: IMEC

По мнению IBM, у наностраничных транзисторов лучше контроль канала и меньше утечки, но для дальнейшего роста плотности масштабирование следует перенести в «третье измерение». Это обеспечит развязку с помощью сверхтонких диэлектриков, возможность раздельного проектирования верхнего и нижнего каналов и электрические характеристики, сопоставимые с характеристиками наностраничных транзисторов или превосходящие их. Тем самым на кристалле размером примерно с ноготь, как на заглавной иллюстрации, IBM обещает разместить почти 100 млрд транзисторов, что примерно вдвое плотнее её 2-нм технологии Gate-All-Around, представленной в 2021 году.

Каналы транзисторов IBM шириной 15 атомов кремния

По расчётам IBM, новый техпроцесс может дать до 50 % прироста производительности либо до 70 % повышения энергоэффективности по сравнению с 2-нм техпроцессом. Отдельно подчёркивается возможность на 40 % улучшить масштабирование SRAM, что важно для ИИ-ускорителей: чем больше быстрой памяти можно держать рядом с вычислительными блоками, тем меньше энергии тратится на перемещение данных между процессором и внешней памятью. Именно энергопотребление и охлаждение становятся главным ограничителем роста дата-центров для искусственного интеллекта, с чем компания обещает, так или иначе, справиться.

Квартальный отчёт Micron Technology стал вторым после статистики Qualcomm мощным катализатором роста курса акций американских производителей чипов. Особенно впечатлил инвесторов рост нормы прибыли Micron с 39 до 84,9 % в годовом сравнении, на фоне бума ИИ и сопутствующего роста цен на память. По сути, Micron становится самой прибыльной среди американских компаний технологического сектора.

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Источник изображения: Micron Technology

По динамике изменения прочих финансовых показателей Micron также отличилась. Её квартальная выручка в годовом сравнении выросла более чем в четыре раза до $41,46 млрд, а последовательно она увеличилась на 74 %. Операционная прибыль взлетела в 13,5 раза до $33,7 млрд по методике Non-GAAP, чистая прибыль увеличилась в 13,2 раза до $28,9 млрд. Норма прибыли по этой же методике в годовом сравнении выросла с 39 до рекордных 84,9 %. Среди американских компаний технологического сектора именно Micron становится новым «королём прибыльности», поскольку Nvidia довольствуется нормой прибыли 75 %, а Meta✴✴ Platforms демонстрирует аналогичный показатель на уровне 82 %.

Капитальные затраты Micron в прошлом квартале составили $7,1 млрд, скорректированный свободный денежный поток достиг $18,3 млрд, к концу периода компания подошла с запасом наличности и высоколиквидных активов на сумму $30,2 млрд. В текущем квартале Micron рассчитывает выручить $50 млрд, что заметно превышает ожидания аналитиков ($43,2 млрд). Норма прибыли в текущем квартале должна составить 86 %, при этом капитальные затраты увеличатся до $10 млрд. Количество стратегических соглашений с клиентами достигло 16 штук, они в среднем рассчитаны на три года, но некоторые охватывают и пятилетний срок. К моменту исполнения обязательств по этим контрактам они будут формировать более половины всей выручки Micron. Предварительные платежи по долгосрочным контрактам могут составить сумму около $22 млрд.

Аналитики Bloomberg Intelligence считают, что подобный подход позволит ценам на память расти вплоть до конца 2027 года, пусть и не так быстро, как ранее. Предложение и спрос на рынке памяти достигнут баланса примерно к 2029 году, как ожидают эксперты. Публикация квартального отчёта Micron вызвала рост курса акций компании на 14 %, а с начала текущего года они подорожали более чем в три раза.

Генеральный директор Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) заявил, что спрос будет превышать предложение на рынке памяти до самого конца 2027 года, как минимум, и только в 2028 году начнётся некоторое улучшение с точки зрения доступности чипов памяти. Выручка Micron в прошлом квартале активнее всего росла на серверном направлении, она увеличилась в годовом сравнении в семь раз до $11,5 млрд. Кроме того, на поставках SSD для серверных систем Micron в прошлом квартале выручила более $5 млрд. В сегменте облачной инфраструктуры выручка от реализации памяти выросла более чем на 300 % до $13,77 млрд. Мобильный и клиентский сектор нарастил выручку на 250 % до $11,52 млрд, автомобильный и встраиваемый обеспечил её увеличение более чем в четыре раза до $4,63 млрд.

Публикации квартального отчёта Qualcomm на этот раз сопутствовал анонс серверных процессоров Dragonfly C1000, которые будут использоваться гиперскейлерами в агентских задачах и ускорителей Dragonfly AI300 для инференса. Руководство компании выразило надежду, что в серверном сегменте к 2029 году Qualcomm будет ежегодно получать по $15 млрд выручки.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: Qualcomm Technologies

В следующем фискальном году, который начинается в октябре, Qualcomm надеется в серверном сегменте выручить $5 млрд. То есть за три года компания намерена её утроить. Для сравнения, серверная выручка AMD в первом квартале текущего года достигла $5,8 млрд, тогда как Intel в том же сегменте заработала $5,1 млрд.

В целом, за пределами рынка смартфонов годовая выручка Qualcomm к тому времени достигнет $40 млрд, из них $10 млрд придутся на сегмент автомобильной электроники. Всё это способствовало росту курса акций Qualcomm на 16 % после закрытия торгов и более обширному ралли в секторе американских компаний технологического сектора. Ёмкость рынка автомобильных полупроводниковых компонентов, который Qualcomm готова охватить своей деятельностью, компания оценивает в $65 млрд.

Большой опыт Qualcomm в разработке мобильных процессоров пригодится компании при создании серверных, поскольку экономичность последних становится важным фактором в условиях дефицита источников энергии. Поставками серверных процессоров Dragonfly C1000 компания начнёт заниматься с 2028 года, Meta✴✴ Platforms окажется в числе первых клиентов на этом направлении. По словам представителей Qualcomm, сейчас на рынке центральных процессоров наблюдается дефицит, а потому требуются новые поставщики. Qualcomm также удалось заключить сделку с двумя гиперскейлерами по разработке полузаказных процессоров для их нужд. Руководство не считает, что компания вышла на серверный рынок слишком поздно, поскольку для его освоения нужны соответствующие масштабы поставок и производства, а также инженерные компетенции.

Ещё в апреле этого года, в дни проведения корпоративного технологического симпозиума в Калифорнии, как отмечает ресурс Culpium, представители TSMC дали понять клиентам, что компания поднимает расценки на услуги изготовления полупроводниковых компонентов с использованием передовых литографических норм, которые охватывают до 75 % всей её выручки.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Источник изображения: TSMC

Стремление обосновать повышение цен на услуги компании прослеживалось в общении руководства TSMC с подчинёнными с начала этого года, как поясняет источник. Динамика цен на микросхемы памяти, которые дорожали на десятки процентов ежеквартально, вызывала у руководства TSMC неподдельную зависть, и оно также пыталось найти повод поднять цены на свои услуги и увеличить получаемую прибыль. Специалистам TSMC по продажам рекомендовалось привязывать возросшие цены к преимуществам новых техпроцессов в общении с клиентами.

Первоначально считалось, что повышения цен коснутся 3-нм техпроцесса, но в действительности клиентам TSMC придётся больше платить за все чипы, которые изготавливаются по 7-нм технологии и более «тонким». На этот спектр услуг приходится 75 % всей выручки TSMC, поэтому компания явно почувствует выгоду от повышения цен. Официальные представители компании в подобных случаях всегда ограничиваются заявлениями для прессы, в которых настаивают, что её ценовая политика носит стратегически выверенный характер, а не оппортунистический. Высшее руководство TSMC в своих свежих интервью не пытается скрывать, что идея повышения цен на услуги компании ему крайне импонирует, хотя это само по себе ещё не гарантирует реализации этих намерений на практике.

Некоторые клиенты предполагают, что TSMC поднимет цены и на более зрелые техпроцессы, которые «толще» упоминаемых 7 нм. По меркам компании, последний уже достаточно стар, поэтому многих заказчиков удивило стремление TSMC поднять цены на эту технологию. В настоящее время клиенты TSMC уже ощущают на себе повышение цен, поскольку оно не осуществлялось моментально, сразу после декларации таких намерений в апреле. В большинстве случаев речь идёт о повышении цен на 5–10 %, но его конкретная величина определяется для каждого клиента в отдельности.

TSMC в этом году рассчитывает увеличить выручку на 30 % до $160 млрд как минимум, причём $85 млрд из них придутся на вторую половину года, когда новые цены уже вступят в силу. К тому времени до 80 % всей выручки компания будет получать от передовых техпроцессов. Рост цен повлияет на долю выручки TSMC, достигающую $70 млрд. При условии поднятия цен на 5 %, чистая прибыль компании может вырасти на пару процентных пунктов по итогам всего текущего года. Клиенты TSMC уже начали готовиться к повышению цен на собственную продукцию. По крайней мере, об этом заявил генеральный директор Apple Тим Кук (Tim Cook), хотя он и имел в виду преимущественно влияние роста цен на память.

Samsung Electronics сообщила о начале поставок памяти типа HBM4 в феврале этого года, снабдив сопутствующий пресс-релиз фотографиями грузовика ради большей убедительности. Как отмечают южнокорейские СМИ, всего за четыре года компания смогла выручить на поставках HBM4 более $1 млрд. Конкурирующая SK hynix при этом задумалась, а стоит ли так гнаться за объёмами поставок HBM4…

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Источник изображения: Samsung Electronics

Издание TrendForce традиционно проанализировало ситуацию с экспансией производства HBM4 по публикациям южнокорейских источников. Samsung Electronics настолько исполнена решимостью превзойти SK hynix в сегменте HBM4, что уже к концу текущего месяца рассчитывает выручить в данной сфере более $1,2 млрд. Ни один вид продукции Samsung до этого не переваливал рубеж в $1 млрд выручки всего за четыре месяца после начала массовых поставок. Годовой объём производства HBM4 в исполнении Samsung представители TrendForce теперь оценивают в 4 млрд гигабит против изначальных 3,5 млрд.

Важным преимуществом HBM4 в исполнении Samsung является базовый кристалл, который компания выпускает с использованием 4-нм технологии и структуры транзисторов FinFET. Чипы DRAM для стека HBM4 эта компания будет выпускать по техпроцессу 1c. Конкурирующая SK hynix ограничится техпроцессом 1b для чипов DRAM в стеке, а базовый кристалл для неё будет изготавливать TSMC по куда более зрелому 12-нм техпроцессу. Третий участник рынка — американская Micron Technology, будет сочетать собственные технологии производства базового кристалла с техпроцессом 1β для выпуска чипов DRAM в стеке.

Все три производителя HBM4 уже получили одобрение своей продукции компанией Nvidia, но осваивать рынок они будут по-разному. Samsung настроена на захват максимальной доли рынка, ради этого она начала массовый выпуск HBM4 со значительным опережением конкурентов. Для Micron более привлекательным сейчас выглядит сегмент HBM3E в силу оптимального сочетания прибыльности и затрат. SK hynix планы по объёмам выпуска HBM4 решила урезать, поскольку предпочитает параллельно увеличить объёмы производства DDR5 и LPDDR5. Такой подход позволит увеличить и выручку, и прибыль SK hynix, как поясняет источник. Выпуск HBM всех актуальных поколений уже обеспечивает 40 % выручки SK hynix, а компания хотела бы сосредоточиться на увеличении прибыли. В краткосрочной перспективе она сможет больше заработать на обычной DDR5, поскольку норма прибыли в сегменте достигнет 90 % в ближайшие 12 месяцев. Тем более, что SK hynix связана условиями долгосрочных соглашений на поставку DRAM с крупными клиентами типа Microsoft. Перевооружение производственных линий под выпуск HBM4 из-за этого SK hynix даже несколько замедлила. Ранее третьего квартала SK hynix производить HBM4 в значимых количествах не начнёт.

В прежние годы планирование расширения производственных мощностей для компаний, выпускающих память, было делом рискованным и непредсказуемым. Начав строительство крупного комплекса в Пхёнтхэке несколько лет назад, Samsung была вынуждена ввести в строй только три корпуса из шести. Четвёртый появился с задержкой, но к строительству шестого она приступает даже с опережением графика.

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: Samsung Electronics

По данным южнокорейских СМИ, так называемый корпус P5 Fab 2, который дополнит уже возводимый P5 Fab 1 и станет последним из этапов реализации масштабного проекта, вот-вот начнёт строиться — хотя бы на уровне монтажа фундамента. Как отмечают южнокорейские издания, на свободном участке по соседству с P5 Fab 1 недавно были замечены строительные машины для забивания свай. Предполагается, что они приступят к строительству фундамента для корпуса P5 Fab 2 уже в следующем месяце. По строительной площадке начали передвигать контейнеры с материалами и оборудованием. Геодезические работы на участке уже проведены. Samsung и её строительный подрядчик начали формировать команду управленцев и специалистов, которые будут курировать строительство P5 Fab 2.

Под этот корпус отведена площадка размерами 661 на 194 метра, что позволяет приблизительно рассчитать площадь объекта — около 130 000 м². Подобная территория способна вместить 18 футбольных полей. При условии обработки кремниевых пластин типоразмера 300 мм, данный корпус после ввода в строй позволит ежемесячно выпускать от 200 до 300 тысяч кремниевых пластин с микросхемами памяти. Помимо чипов памяти HBM, DRAM и NAND, здесь могут производиться и логические компоненты по заказу сторонних клиентов Samsung Electronics. Как ожидается, к работе P5 Fab 2 приступит в 2029 году. Первоначально его строительство планировалось начать в первой половине следующего года, но судя по активности на площадке, сроки сдвинуты примерно на полгода в сторону ускорения.

Как и соседнее P5 Fab 1, новое предприятие Samsung получит трёхэтажную компоновку. Строительство первого началось в конце прошлого года, в строй оно будет введено в 2028 году. Каждое из этих предприятий обойдётся Samsung примерно в $39 млрд. Вместе оба предприятия смогут ежемесячно обрабатывать по 600 000 кремниевых пластин в месяц. Если учесть, что сейчас все предприятия Samsung сообща способны выдавать по 650 000 кремниевых пластин с памятью DRAM в месяц, то можно говорить о предстоящем удвоении производственных мощностей Samsung к 2029 году.

Параллельно Samsung продолжает наращивать объёмы выпуска памяти на уже действующих предприятиях комплекса в Пхёнтхэке. Например, в корпусе P4 монтируется дополнительная линия по выпуску DRAM с использованием 6-го поколения 10-нм техпроцесса (1c) для HBM4. Эта линия сможет ежемесячно выдавать от 100 до 200 тысяч кремниевых пластин с профильной продукцией. В Китае Samsung на своём местном предприятии осваивает выпуск 286-слойной памяти типа NAND. Предприятие в техасском Тейлоре готовится освоить выпуск 2-нм чипов для компании Tesla и прочих заказчиков. Расширяются и возможности Samsung в сфере тестирования и упаковки чипов. В этом году компания пообещала существенно увеличить капитальные затраты, хотя и не стала конкретизировать суммы, направляемые на строительство новых предприятий и производственных линий.

Примерно три четверти выручки в современных условиях тайваньская TSMC получает от выпуска чипов по передовым технологиям от 7 нм и «тоньше», и процесс концентрации только ускоряется. Источники сообщают, что объёмы выпуска той же 28-нм продукции с начала года резко сократились.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Источник изображения: TSMC

В частности, как отмечает Commercial Times, на основном в этой части ассортимента услуг предприятии Fab 15A количество обрабатываемых пластин с 28-нм чипами с начала текущего года сократилось более чем на 25 %. Следует учитывать, что данная фабрика переводится на выпуск 4-нм продукции, поэтому отказ от 28-нм и 22-нм изделий вполне закономерен с этой точки зрения. Поскольку выпускать более совершенные 4-нм чипы на прежнем оборудовании нельзя, оно на Fab 15A заменяется на более новое. По соседству расположено предприятие Fab 15B, которое является основной площадкой TSMC по выпуску 7-нм продукции.

Если в начале года на всех подходящих для этого предприятиях TSMC выпускала по 200 000 кремниевых пластин с 28-нм чипами, то к июню она сократила объёмы до 150 000 кремниевых пластин в месяц. Попутно отмечается, что возведение комплекса Fab 25 на Тайване, где будет налажено производство чипов по передовому техпроцессу A14, идёт высокими темпами, часть строительных работ на территории корпуса P1 уже выполнена. TSMC старается перевести клиентов с 28-нм на 12-нм техпроцесс, одновременно увеличивая инвестиции в передовые техпроцессы типа A14 и 2-нм, а также более совершенные технологии упаковки чипов и кремниевую фотонику. Концентрация на этих направлениях позволяет компании поднять прибыльность и больше средств инвестировать в развитие производства.

Внутри 28-нм производства TSMC тоже наблюдается определённая концентрация и выбор приоритетов с точки зрения прибыльности. Сейчас этот техпроцесс в основном используется компанией для выпуска подложек для многокристальных чипов. Дискретные логические компоненты по 28-нм технологии эта компания выпускает во всё меньших количествах, открывая нишу для заработка другим участникам рынка. Клиенты TSMC в этом случае нередко обращаются за выпуском 28-нм чипов к UMC и VIS. При сохранении имеющихся тенденций UMC вообще может стать крупнейшим в мире производителем 28-нм изделий. Компания также расширяет объёмы выпуска 22-нм продукции.

VIS, которая связана капиталом с TSMC, одновременно концентрируется на обработке кремниевых пластин типоразмера 200 мм, но её новое предприятие в Сингапуре уже опирается на инфраструктуру для обработки кремниевых пластин диаметром 300 мм. Это позволяет VIS рассчитывать на постепенный перевод заказов с конвейера TSMC, который отказывается от типоразмера 200 мм. До 80 % профильных мощностей TSMC будет передано VIS в течение ближайших пяти лет. Сейчас первая из компаний способна обрабатывать по 5 млн кремниевых пластин типоразмера 200 мм в год.

Американские поставщики оборудования для выпуска чипов давно следуют экспортным ограничениям родного правительства в отношении китайского рынка, тогда как поставщикам из Нидерландов и Японии судьба дала больше возможностей для заработка на китайском рынке. Статистика минувшего фискального года показывает, что для японских производителей доля китайской выручки неумолимо сокращается.

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Источник изображения: Tokyo Electron

Для понимания, доля Китая в общей выручке японской компании Tokyo Electron ещё во втором календарном квартале 2024 года достигала 50 %, но по итогам 2025 фискального года, который в Японии завершился в конце марта текущего, почти все сотрудничающие с китайскими клиентами японские производители продемонстрировали спад выручки на данном географическом направлении.

По информации Nikkei Asian Review, совокупная выручка пяти крупнейших японских поставщиков оборудования для выпуска чипов в минувшем фискальном году на китайском рынке сократилась на 12 % до $9,11 млрд. В случае с Tokyo Electron доля китайского рынка в общей выручки компании в прошлом квартале сократилась в годовом сравнении с 34 до 27 %. Наиболее резким падение доходов на китайском направлении стало для компаний, которые специализируются на начальном этапе производства чипов, связанном с обработкой кремниевых пластин. Считается, что именно в этой сфере китайские производители оборудования подтянули свои возможности, а потому потребность в импортном оборудовании снижается.

Собственно говоря, бизнес нидерландской ASML тоже страдает от этой тенденции, доля Китая в структуре её выручки в первом квартале текущего года снизилась с 27 до 19 %. При этом ёмкость китайского рынка оборудования для производства чипов в прошлом году оставалась на уровне 2024 года, в денежном выражении составляя $49,3 млрд или 37 % от мирового. Тенденция к импортозамещению на китайском рынке такого оборудования стала прослеживаться всё более отчётливо. Власти КНР стимулируют её и принудительными мерами, хотя у участников рынка имеется и собственная мотивация в этой сфере.

По оценкам MIR, уровень импортозамещения по оборудованию в Китае в прошлом году вырос с 2021 года с 10 до 21 % в сегменте начальных этапов обработки, а в сегменте окончательной обработки подтянулся с 19 до 36 %. Серьёзное влияние на местный рынок оказывает Huawei Technologies — крупная компания, которая стала мишенью американских санкций ещё в 2019 году. Она кровно заинтересована в скорейшем импортозамещении, а потому активно помогает партнёрам отказаться от импортного оборудования при производстве чипов.

При этом нельзя сказать, что китайские покупатели отказываются от всего японского оборудования. В сфере конечной обработки чипов продажи японской продукции на территории Китая даже растут. Производитель контрольно-измерительных систем Advantest, например, увеличил по итогам прошлого года свою выручку на китайском рынке почти на 20 %, тогда как Disco прибавил около 10 %. Китайские производители чипов не ограничиваются потребностями внутреннего рынка и активно наращивают экспорт, поэтому потенциал импортозамещения в сфере оборудования остаётся высоким.

Учёные из США впервые измерили отклик у прототипа транзистора, работающего на эффекте волны зарядовой плотности. Сила ответного сигнала оказалась в 10–100 раз выше, чем можно было ожидать исходя из напряжения на управляющем электроде. Это открывает перспективы создания крайне маломощных транзисторов с высокими выходными токами. При этом существующие технологии производства чипов, вероятно, не потребуют радикальной перестройки.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Источник изображения: UCLA

В некоторых материалах и при определённых условиях электроны начинают двигаться согласованно, проявляя свою волновую природу. Это явление известно как волна зарядовой плотности (ВЗП). Команда исследователей из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (UCLA) под руководством профессора Александра Баландина впервые смогла количественно оценить отклик электронного прибора, использующего этот эффект.

В работе использовался трисульфид тантала (o-TaS₃) — квазиодномерный материал, в котором электроны и кристаллическая решётка образуют согласованное состояние, известное как электронно-решёточный конденсат. Именно он служит средой для распространения волн зарядовой плотности. В отличие от обычной проводимости, где носители заряда рассматриваются как отдельные частицы, здесь они реагируют на внешнее воздействие коллективно.

Для эксперимента учёные изготовили наномасштабные прототипы полевых транзисторов на основе кристаллов TaS₃ толщиной всего несколько нанометров. Электрическое поле создавалось затвором, а радиочастотные измерения позволяли отслеживать изменения плотности заряда в состоянии волны зарядовой плотности. Ключевой результат оказался неожиданным: изменения плотности заряда в конденсате на один-два порядка превосходили значения, которые можно было бы ожидать, исходя только из геометрии затвора. Иными словами, материал реагировал на управляющее поле намного сильнее, чем обычные полупроводники.

Даже слабое внешнее воздействие оказалось способным перестраивать весь конденсат, создавая отклик, значительно превосходящий обычную полевую модуляцию в традиционном полупроводниковом канале. Авторы также впервые смогли разделить вклад отдельных электронов и коллективного состояния волны зарядовой плотности, определить его квантовую ёмкость и построить зонную диаграмму такого транзистора.

Практический интерес работы заключается в том, что архитектура экспериментальных устройств напоминает структуры, уже используемые в кремниевой микроэлектронике: канал, затвор и управление электрическим полем. Пока речь идёт лишь о демонстрации концепции, а не о готовом транзисторе. Тем не менее результаты указывают на альтернативный способ управления током при меньших напряжениях и энергозатратах. Если этот подход удастся масштабировать, материалы с волнами зарядовой плотности могут найти применение в новых маломощных транзисторах, элементах памяти и других компонентах электроники будущего, где усиление сигнала обеспечивается не повышением напряжения, а коллективным поведением электронов.

Нидерландская компания ASML поставляет свои литографические сканеры большинству производителей чипов, но с 2019 года она блокирует поставки передовых EUV-систем в Китай. Технически, ни один такой сканер не должен был попасть в руки китайских специалистов, но у властей США вдруг появились основания утверждать, что это не так.

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Источник изображений: ASML

Как отмечает Bloomberg, руководство Министерства торговли США в общении с представителями ASML настаивает, что один экземпляр EUV-сканера этой марки попал в Китай в обход американских экспортных ограничений. ASML хоть и является европейской компанией, вынуждена подчиняться правилам экспортного контроля США, поскольку её оборудование использует технологии и компоненты американского происхождения.

ASML в своё оправдание, помимо отрицания факта поставки EUV-систем в Китай, указывает на ограниченность объёмов выпуска такого оборудования и необходимость постоянно находиться в контакте с её штатными специалистами в процессе эксплуатации. Поставка такого оборудования в Китай не могла пройти незамеченной, а его использование без официального одобрения ASML было бы затруднительным. Какими доказательствами наличия EUV-сканера западного производства в Китае располагает американское правительство, не уточняется.

Источники Bloomberg на условиях анонимности согласились заявить, что американские чиновники имеют основания подозревать ASML в сокрытии информации о поставке EUV-сканера в Китай. Видел ли кто-либо доказательства подобной поставки, источники уточнять отказались. Потенциальные претензии властей США к ASML грозят обострением политических противоречий между президентом Дональдом Трампом (Donald Trump) и Евросоюзом. В свою очередь, в официальных заявлениях ASML продолжает настаивать на своём неукоснительном соблюдении всех требований американского законодательства в части экспортного контроля. Компании уже удалось опровергнуть необоснованные подозрения в поставках санкционного оборудования в Китай в нескольких предыдущих случаях.

Представители нидерландского МИД заверили Bloomberg, что страна остаётся уникальным игроком на мировом рынке полупроводниковой продукции, а потому относится к своей миссии со всей ответственностью в части международных обязательств. Власти Нидерландов со всей строгостью относятся к соблюдению этих правил и вмешиваются во внешнеторговую деятельность в случае необходимости. Министр торговли США Говард Лютник (Howard Lutnick) и генеральный директор ASML Кристоф Фуке (Christophe Fouquet) встречались недавно для переговоров, но затрагивали ли они ситуацию с вероятной поставкой EUV-сканера в Китай, официально не уточняется.

Вопрос всплыл ещё в апреле после аналогичной встречи, как поясняет Bloomberg. Компании ASML пришлось в экстренном порядке готовить документ, призванный убедить американские власти в отсутствии EUV-сканеров её производства на территории Китая. В нём упоминалось, что сейчас по всему миру эксплуатируются 314 систем класса EUV, а ещё 26 выведены из работы, но ни одна из них не находится в Китае. Клиенты, по словам производителя, не могут перемещать её оборудование без участия и согласия специалистов ASML. Кроме того, в случае несанкционированного отключения оборудования от служебной сети компания получит тревожное уведомление.

По данным Bloomberg, американские власти располагают данными о поставках ASML в Китай специализированного оборудования, используемого для транспортировки EUV-сканеров, а также сопутствующих компонентов, которые могут использоваться в составе таких сканеров. Раскрыть доказательства публично власти США пока не готовы. ASML все подобные подозрения отвергает.

При этом американские чиновники считают очевидное ускорение поставок в Китай другого оборудования ASML, которое не попадает под ограничения, одним из доказательств заинтересованности компании в получении дополнительной прибыли в ущерб интересам национальной безопасности США. История последних нескольких лет показала, что Нидерланды и Япония нередко отставали от США в ограничении поставок литографического оборудования в Китай, и местный рынок для соответствующих производителей за пределами США стал весьма крупным источником выручки. Заподозрив китайскую компанию SwaySure в содействии находящейся под санкциями США компании Huawei, американские власти добавили первую в санкционный список в 2024 году. Предполагается, что ASML после этого продолжила предоставлять техническую поддержку SwaySure.

Американский президент Трамп в начале своего второго срока был полон решимости полностью отсечь поставки оборудования ASML в Китай, но позже переговоры с Японией и Нидерландами свелись к попыткам ограничить техническое обслуживание находящегося в Китае оборудования, поставленного из этих стран. Американские законодатели потом выступили с инициативой по дальнейшему сокращению ассортимента литографического оборудования, которое ASML может поставлять в Китай. Эта компания в текущем году всё ещё рассчитывает до 20 % всей выручки получать на китайском рынке, хотя в прошлом эта доля была значительно выше.

В отличие от Samsung Electronics, конкурирующий южнокорейский производитель памяти SK hynix контрактным подразделением не обладает, но в поисках нового исполнительного вице-президента для Intel Foundry американский процессорный гигант обратился именно к нему. Выходец из SK hynix поможет контрактному подразделению Intel усовершенствовать технологии упаковки чипов, помимо прочего.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Источник изображения: Intel

В пресс-релизе по случаю назначения Сок Хи Ли (Seok-Hee Lee) на должность исполнительного вице-президента Intel сообщается, что он будет курировать не только все технологии передовой упаковки чипов, но и системную интеграцию в широком смысле, а также завершающие стадии обработки чипов. По мнению Intel, под его руководством компания сможет предложить «инновации на системном уровне для клиентов, которые учитывали бы их индивидуальные потребности».

«Продвинутые технологии упаковки и системной интеграции становятся определяющими способностями для вычислительных систем следующего поколения», — пояснил генеральный директор Intel Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan), в чьё прямое подчинение поступает Сок Хи Ли. Опыт последнего, по мнению главы Intel, поможет компании лучше удовлетворять потребности клиентов контрактного подразделения по интеграции разнородных компонентов в высокопроизводительных системах. Intel Foundry при непосредственном участии Сок Хи Ли будет наращивать объём выполнения услуг по передовой упаковке чипов, включая EMIB-T и HBI.

До того, как стать генеральным директором и президентом SK On, Сок Хи Ли успел поработать на аналогичных должностях в SK hynix. Последняя из компаний является лидирующим производителем памяти типа HBM3E, занимающим около половины мирового рынка. Более того, Сок Хи Ли имеет опыт работы в Intel, так что для него это назначение является своего рода возвращением, о чём он и сообщил в своём приветственном обращении: «Intel занимает уникальное положение, чтобы лидировать в области технологий передовой упаковки чипов в период, когда спрос на интеграцию на системном уровне ускоряется в сегменте ИИ и высокопроизводительных вычислений».

Данное назначение ничего особо не меняет для Наги Чандрасекарана (Naga Chandrasekaran), исполнительного вице-президента Intel Foundry, который продолжит отвечать за начальные этапы производства чипов, имеющие отношение к литографическим процессам типа 18A, 14A и более современным. Общее развитие бизнеса Intel Foundry также останется в ведении Чандрасекарана. Попутно сообщается, что после 37 лет работы в Intel её покинет исполнительный вице-президент Навид Шахриари (Navid Shahriari).

Акции ASML взлетели до 52-недельного максимума после того, как Intel объявила о переходе усовершенствованного техпроцесса 18A-P к этапу опытного производства — серийный выпуск продукции с использованием этой технологии стартует в срок от шести до двенадцати месяцев. Акции ASML торгуются с ростом на 6,2 % до $1915 (при пиковом значении $1917,63); в предыдущую сессию акции Intel падали на 8,45 %, но теперь подорожали на 2,65 % до $120,15.

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Технологический процесс Intel 18A-P представляет собой усовершенствованный вариант флагманского 18A, предлагающий рост производительности на 9 % при том же потреблении энергии, либо уменьшенное на 18 % энергопотребление при эквивалентной производительности; а также улучшенную на величину 20–40 % теплоотдачу. Два техпроцесса совместимы, отмечает Intel, то есть существующие проекты чипов можно переводить с 18A на 18A-P без изменений.

По итогам I квартала 2026 года производственный отдел Intel зафиксировал операционный убыток в размере $2,4 млрд; инвестиционная стратегия компании в значительной степени зависит от того, сможет ли она привлечь клиентов на производство в больших масштабах. Сейчас компания демонстрирует стабильность техпроцесса потенциальным клиентам, выпуская образцы пластин и подтверждая показатели выхода годной продукции. Заявлений о заключении соглашений с клиентами на выпуск продукции на основе технологии Intel 18A-P компания пока не делала.

ASML единственная в мире выпускает производственное оборудование на основе EUV-литографии и служит прямым индикатором темпов развития передовых технологических процессов в мире. Когда Intel наращивает производство чипов, увеличивается спрос на оборудование для EUV-литографии. Обе компании демонстрируют успехи на фондовом рынке: Intel за последний год показала рост на 456 % с 52-недельного минимума в $18,97; ASML — на 151 % с собственного минимума в $638,48. По итогам I квартала Intel показала прибыль на акцию в размере $0,02 при выручке $13,58 млрд при прогнозах аналитиков соответственно $0,02 и $12,41 млрд — финансовый отчёт спровоцировал рост её акций на 26,46 % за одну торговую сессию.

15 июля ASML опубликует результаты за II квартал; аналитики ожидают прибыли на акцию в $8,06 при выручке около $10,45 млрд. За последние 90 дней девять раз прогнозы по прибыли на акции повышались, и ни разу не понижались. Intel опубликует отчёт по итогам II квартала 23 июля — на его основе аналитики сделают вывод, начнёт ли запуск производства по технологии 18A-P приносить доход, и когда у производственного подразделения станут сокращаться убытки.

Apple согласилась на сотрудничество с Intel в разработке и производстве процессоров в США, заявил президент страны Дональд Трамп (Donald Trump). «Глупые президенты <..> дали Тайваню и другим украсть наши полупроводниковые заводы», — пожаловался он на своей платформе Truth Social.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

«Когда меня избрали на второй (на самом деле на третий!) срок, стало ясно что Америке надлежит вернуть полупроводниковую промышленность в США. Мы разрабатываем всё, но нам нужно производить это здесь, немедленно! Так что я решил помочь Intel, потому что нам требуется проектировать и производить наши чипы прямо здесь, в Америке», — сообщил глава государства.

Чуть более месяца назад стало известно, что Apple и Intel готовятся заключить соглашение по производству чипов — переговоры велись более года, и теперь, по словам Трампа, две компании заключили договор. Сотрудничество с TSMC даётся Apple всё труднее, потому что за передовые производственные мощности тайваньского подрядчика теперь сражаются преимущественно AMD и Nvidia. Партнёрство с Intel помогло бы Apple увеличить имеющиеся у неё в распоряжении мощности по выпуску чипов и диверсифицировать производственную базу.

Если Трамп не опередил события, сделка станет крупной победой для отдела Intel Foundry. Компания потратила несколько лет в попытках убедить потенциальных партнёров, что она снова может конкурировать в верхнем сегменте производства полупроводников. И соглашение с Apple значительно укрепит эту программу. В 2020 году Apple отказалась от процессоров Intel, начав устанавливать на компьютеры Mac собственные чипы серии M, — теперь же «синие» будут выступать исключительно как полупроводниковый подрядчик.

Трамп сделал вопрос возобновления полупроводникового производства в США одним из ключевых в свой второй срок. Под давлением пошлин Apple обязалась инвестировать в отрасль $500 млрд, а затем представила ещё один план с бюджетом в $100 млрд. Президент также упомянул инвестиции правительства в Intel — власти получили 10 % компании. Правительство также поддержало пошлины в размере 100 % на ввоз полупроводников — исключение предоставили компаниям, которые производят продукцию в США или собираются это делать.

Samsung Electronics начала поставлять клиентам образцы HBM4E ещё в конце мая, поэтому для конкурирующей SK hynix сокращение отставания от неё было делом первостепенной важности. Как и ожидалось, о начале поставок своих образцов HBM4E вторая из компаний объявила в текущем месяце, а именно — в четверг.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Источник изображения: SK hynix

Из пресс-релиза на сайте SK hynix становится понятно, что её крупные клиенты начали получить от неё образцы 12-ярусных микросхем памяти HBM4E, которые достигают скорости передачи информации 16 Гбит/с в пересчёте на один контакт. При их изготовлении используется технология MR-MUF, повышающая тепловое сопротивление на 17 % при одновременном улучшении стабильности. Энергетическая эффективность HBM4E в исполнении SK hynix возросла более чем на 20 % по сравнению с микросхемами предыдущего поколения. В одном стеке с 12 ярусами располагается 48 Гбайт памяти HBM4E.

Когда появятся серийные экземпляры HBM4E, компания не уточняет, также пока нет ясности, есть ли среди получающих первые образцы её клиентов Nvidia. Впрочем, поскольку последняя является одним из крупнейших потребителей памяти класса HBM, в сотрудничестве двух компаний в данной сфере сомневаться почти не приходится.

Учёный из Окинавского института науки и технологий (OIST) предложил радикально упростить оптическую схему EUV-литографии — ключевой технологии, с помощью которой сегодня производят самые передовые микросхемы. Профессор Цумору Синтакэ (Tsumoru Shintake) разработал вариант high-NA EUV-системы с линейной геометрией, где фотомаска, проекционная оптика и кремниевая пластина расположены на одной оси в отличие от нынешних промышленных сканеров.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Источник изображений: OIST

По расчётам автора, предложенная им оптическая архитектура может помочь печатать элементы размером 2–3 нм и в 3–4 раза снизить стоимость оборудования, которое сегодня оценивается в сотни миллионов евро за машину. Это также обещает снизить стоимость производства чипов даже более передового уровня, чем сегодня, и в конечном итоге повлечёт сокращение расходов на поддержку самых совершенных ИИ-моделей и дата-центров.

Как известно, EUV-литография использует экстремальное ультрафиолетовое излучение с длиной волны 13,5 нм. Такой свет нельзя пропускать через обычные линзы: он просто поглощается ими, поэтому вся оптическая система строится на отражении от многослойных зеркал и работает в вакууме. В стандартной схеме литографического сканера ASML луч попадает на зеркальную фотомаску с рисунком будущей схемы, затем проекционная оптика уменьшает и фокусирует изображение на кремниевой пластине. Увеличение числовой апертуры, или NA, позволяет захватывать более широкий диапазон углов, что повышает разрешение, но одновременно усложняет оптику (см. рисунок ниже) и усиливает искажения.

Источник изображения: ASML

При разработке новой оптической архитектуры EUV-сканеров профессор Синтакэ прежде всего стремился снизить так называемые «3D-эффекты маски» — искажения, возникающие из-за трёхмерной структуры зеркальной EUV-маски и падения света на неё под углом. Эту проблему исследователи не смогли решить в 90-х годах прошлого века, когда начали проектировать EUV-сканеры, поэтому коммерчески жизнеспособным вариантом оказалась чрезвычайно сложная внеосевая оптическая схема, реализованная во всех современных EUV-сканерах ASML.

Учёный предложил линейную фокусирующую систему из двух оптических компонентов, каждый из которых содержит пару вогнутого и выпуклого зеркал. Моделирование показало, что многократные отражения между зеркалами с точно рассчитанным профилем и строго определённым расстоянием между ними могут взаимно компенсировать часть искажений, сохраняя при этом высокую числовую апертуру и качество изображения. В отличие от нынешних сложных high-NA-решений, эта схема должна быть существенно проще в производстве и настройке.

Впрочем, до промышленного применения ещё далеко. Расчёты предполагают идеальные зеркала — со 100-процентным отражением и без дефектов, тогда как реальная EUV-оптика теряет часть энергии при каждом отражении и требует предельно точной обработки поверхности. Следующим шагом станет сборка физического прототипа: команда уже начала разработку соответствующего EUV-оборудования. Если подход подтвердится экспериментально, он может удешевить выпуск высокоплотной памяти и логических микросхем, сократить число технологических операций и снизить энергопотребление вычислений, что особенно важно на фоне роста нагрузки от ИИ и центров обработки данных.