|
Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Intel рискует упустить контракт с Apple из-за болтливости — компания показала, что ей нельзя доверять
03.09.2026 [15:54],
Павел Котов
В 2020 году Apple начала отказываться от процессоров Intel в компьютерах Mac в пользу чипов собственной разработки, нанеся многолетнему партнёру тяжёлый удар. Этот переход оказался выгоден не только самой Apple, но и TSMC, которая стала производителем процессоров семейства Apple Silicon.
Источник изображения: Laurenz Heymann / unsplash.com В июне президент США Дональд Трамп (Donald Trump) объявил, что Apple договорилась с Intel о сотрудничестве в области производства части своих процессоров в США. Однако многого от возобновления отношений двух компаний пока ждать не стоит. Одной из давних проблем в их сотрудничестве остаётся доверие, которое Intel, судя по всему, до конца восстановить так и не удалось. История уходит корнями ещё во времена Стива Джобса (Steve Jobs). Apple предлагала Intel разработать мобильный процессор, но та отказалась, и в итоге чипы для первых поколений iPhone выпускала Samsung. Это партнёрство тоже было неидеальным: Apple не слишком доверяла Samsung, поскольку корейская компания одновременно являлась её прямым конкурентом на рынке мобильных устройств, а с распространением Android противостояние между ними только усилилось. Тем временем TSMC развивала бизнес контрактного производства полупроводников, сотрудничая в том числе с Nvidia и Qualcomm. Тайваньская компания не выпускала собственных процессоров, конкурирующих с продукцией клиентов, что помогало ей завоёвывать их доверие. Это привлекло внимание Apple, и в конце 2010 года состоялась трёхсторонняя встреча с участием вице-президента Apple Джеффа Уильямса (Jeff Williams), председателя Foxconn Терри Гоу (Terry Gou) и основателя TSMC Морриса Чана (Morris Chang). Уильямс заявил Чану, что Apple хотела бы видеть TSMC производителем всех своих чипов. В последующие месяцы стороны обсуждали передачу тайваньскому подрядчику примерно половины заказов, однако Apple хотела большего. Затем переговоры приостановились, поскольку компания рассматривала Intel в качестве альтернативного производственного партнёра. Чан сомневался, что Intel сможет завоевать доверие Apple. По его оценке, TSMC уже тогда опережала Intel по производственным возможностям и находилась примерно на одном уровне с ней по технологиям. К марту 2011 года Тим Кук (Tim Cook) сообщил Чану, что Apple решила сотрудничать с TSMC.
Источник изображения: Brecht Corbeel / unsplash.com Недоверие Apple к Intel — непростой вопрос, но дальнейшие события показали, что подобное отношение нельзя назвать беспочвенным. В марте 2025 года Intel возглавил Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan), который приступил к масштабной перестройке бизнеса. Компания отказалась от строительства заводов в Германии и Польше и замедлила реализацию проекта в Огайо. В рамках новой финансовой дисциплины Intel решила не создавать дополнительные производственные мощности без подтверждённых заказов клиентов. В результате возник порочный круг. Intel не хотела вкладываться в расширение производства без заказов, а потенциальные крупные клиенты не могли передать ей заказы, не убедившись, что необходимые мощности действительно появятся. Компания активно искала внешних заказчиков для своего контрактного бизнеса, одновременно испытывая давление со стороны Белого дома, стремившегося увеличить объёмы производства передовых чипов в США. В итоге Intel удалось привлечь внимание Google, Tesla и Nvidia. А вот в отношениях с Apple Intel допустила грубую ошибку. Пытаясь убедить потенциального клиента в способности быстро нарастить необходимые производственные мощности, компания сообщила Apple, что уже ведёт переговоры с поставщиками оборудования. Однако в ходе этих переговоров Intel заявляла поставщикам, что Apple уже является её клиентом, и использовала имя компании как аргумент для получения приоритетных поставок оборудования. Тем самым Intel не только нарушила традиционную для Apple секретность, но и сама рассказала потенциальному клиенту о том, что разгласила конфиденциальную информацию третьим сторонам. Получилось, что, пытаясь доказать Apple свою надёжность в качестве производственного партнёра, Intel продемонстрировала ровно обратное. Для Apple, известной своей культурой секретности и требующей такой же осмотрительности от партнёров, этот эпизод стал ещё одним поводом сомневаться в Intel. TSMC, напротив, принципиально хранит молчание о своих клиентах и старается не вступать с ними в конкуренцию. Глава компании Си-Си Вэй (C.C. Wei) объясняет сохранение многолетнего партнёрства с Apple именно стремлением поддерживать доверие любой ценой. Тем не менее сложившаяся ситуация на рынке полупроводников и стремление властей США локализовать производство передовых чипов заставляют Apple вновь сотрудничать с Intel. TSMC при этом остаётся основным производителем процессоров Apple, а Intel ещё предстоит доказать, что она способна стать для компании столь же надёжным производственным партнёром. «ИКС Холдинг» наладит производство полупроводников на Дальнем Востоке
03.09.2026 [13:23],
Павел Котов
К 2030 году «ИКС Холдинг» намерен запустить в Приморском крае два полупроводниковых проекта — компания вложит более 35 млрд руб. в производство микросхем и другой продукции. Выбор региона представляется удачным из-за выгодных экономических условий и близости к Китаю.
Источник изображения: x-holding.ru «ИКС Холдинг» планирует создать на Дальнем Востоке производство СВЧ-компонентов и фотоэлектрических преобразователей. Два проекта начнут работать к 2030 году — производительность составит 5 млн микросхем и 500 тыс. фотоэлектрических преобразователей в год. Продукция будет использоваться в телекоммникационном и космическом оборудовании дочерних компаний Yadro и «Бюро 1440», сообщил «Коммерсанту» глава холдинга Алексей Шелобков. В класс СВЧ-компонентов входят диоды, транзисторы, и прочие полупроводниковые приборы и микросхемы, которые используется в обработке данных, передаче сигналов и в других целях. Фотоэлектрические преобразователи работают в системах обеспечения энергией космических аппаратов, датчиков и переносных устройств. На предприятиях будут производиться полупроводники на основе арсенида и нитрида галлия — проекты помогут задать основу для формирования национального кластера. В 2021 году компания Yadro намеревалась вложить 6 млрд руб. в производство процессоров на открытой архитектуре RISC-V и выйти на техпроцесс 12 нм; к 2028–2031 гг. компания хочет создать свой чип для отечественных базовых станций — при равномерном финансировании до 2030 года инвестиции в размере менее 3 % от выручки представляются реалистичной стратегией, говорят эксперты. По итогам 2025 года объём российского рынка контрактного производства сократился на 9,4 % до 30,46 млрд руб., гласят данные Ассоциации российских разработчиков и производителей электроники; общий объём российского тынка радиоэлектроники в Минпромторге оценивают в 3–4 трлн руб. Указанный размер инвестиций в 35 млрд руб. представляется оправданным, считают эксперты. Полупроводниковое производство требует существенных затрат на инженерную инфраструктуру, чистые помещения, необходимо технологическое оборудование, измерительная и метрологическая база, а также материалы и компетенции. Дальний Восток представляется оправданным вариантом для такого проекта: зарплаты здесь ниже, чем в столицах, а неподалёку находится Китай — мировой центр материалов и комплектующих, что поможет сэкономить на логистике. Из недостатков выделяются сейсмическая активность, влажный климат и удалённость от российских заказчиков. Услуги Intel по передовой упаковке чипов привлекли внимание Broadcom, MediaTek и Meta✴
03.09.2026 [08:01],
Алексей Разин
Представители Intel не раз говорили о том, что в сфере контрактного производства её услуги по упаковке чипов способны гораздо быстрее начать приносить прибыль, чем в случае с обработкой кремниевых пластин. В этом свете важно отметить, что количество интересующихся профильными услугами Intel заказчиков неуклонно растёт, к ним уже можно отнести Broadcom, MediaTek и Meta✴✴ Platforms.
Источник изображения: Intel По крайней мере, на таком перечне настаивают южнокорейские СМИ в лице ресурса Chosun Biz. Мощности конкурирующей TSMC загружены до предела и зарезервированы на годы вперёд, что позволяет Intel активнее заявлять о себе в этом сегменте рынка. Технология упаковки чипов EMIB в её исполнении по многим параметрам может считаться заменой востребованной на рынке CoWoS в исполнении TSMC. С помощью профильной технологии Intel может комбинировать в одном чипе компоненты, чей совокупный размер в девять раз превосходит габариты визирной сетки, применяемой при изготовлении монолитных кристаллов. Площадь комбинированных чипов, обладающих упаковкой EMIB, может достигать 120 × 120 мм. Версия упаковки EMIB-T добавляет межслойные соединения, которые позволяют оптимизировать силовую разводку внутри чипов и сократить расстояния, преодолеваемые сигналами, что должно пригодиться разработчикам сложных ИИ-чипов. По некоторым данным, упаковкой EMIB-T уже заинтересовались Google и помогающая ей разрабатывать чипы TPU компания Broadcom. Присматриваются к технологическим возможностям Intel в этой сфере и компании MediaTek и Meta✴✴. Со второй половины следующего года профильные услуги начнут приносить Intel весомую часть выручки в контрактном бизнесе, как ожидают представители компании. TSMC почти вдвое нарастила закупки оборудования — и всё равно не успевает за спросом на чипы
02.09.2026 [14:31],
Алексей Разин
Крупнейший контрактный производитель чипов — тайваньская компания TSMC, была вынуждена в последние пару лет увеличить количество возводимых предприятий, даже без учёта «настойчивых приглашений» со стороны американских властей. По словам операционного директора Клиффа Хоу (Cliff Hou), с конца прошлого года потребности TSMC в оборудовании для производства чипов фактически почти удвоились от плановых значений.
Источник изображения: ASML Как отметил представитель компании, объёмы ежеквартльных закупок в этой сфере TSMC была вынуждена увеличить примерно в 1,9 раза по сравнению с теми величинами, на которые рассчитывала в декабре прошлого года. Своими откровениями операционный директор компании поделился с трибуны отраслевого мероприятия Semicon Taiwan 2026, которое на этой неделе проходит на одноимённом острове. Сейчас компания одновременно строит и пытается оснастить оборудованием 20 новых предприятий как на Тайване, так и за его пределами. Исторически подобные темпы были в четыре или пять раз ниже, по оценкам Клиффа Хоу, но даже нынешний рекордный уровень экспансии производственных мощностей не позволяет компании претендовать на удовлетворение спроса на свою продукцию. Работать над устранением дефицита в краткосрочной перспективе придётся и в следующем году, но клиенты типа Nvidia и AMD затрудняют решение этой задачи, поскольку постоянной увеличивают объёмы заказов. Та же Nvidia недавно оценила потенциал роста собственной выручки на следующий год в 70 % от нынешнего уровня. Острота проблемы подтверждается и злободневным комментарием со стороны генерального директора MediaTek Рика Цая (Rick Tsai), который прозвучал в адрес операционного директора TSMC: «Клифф, могу ли я получить больше мощностей?» Американские техногиганты в этом году готовы потратить на расширение своей вычислительной инфраструктуры уже около $800 млрд, а поскольку её развитие подразумевает активную закупку чипов, отставание TSMC от реальных потребностей рынка становится всё более выраженным. Сама компания готова в этом году направить на капитальные расходы от $60 до $64 млрд. Китай отстаёт от ASML на 15 лет — и страна вряд ли освоит EUV-литографию раньше 2040 года
02.09.2026 [13:33],
Алексей Разин
С 2019 года нидерландская ASML лишена права поставлять передовое EUV-оборудование для производства чипов в Китай, и она фактически не поставила туда ни одного литографического сканера такого класса, которые позволяют с разумными затратами выпускать 7-нм и более совершенные чипы. Аналитики UBS убеждены, что китайские производители не смогут самостоятельно освоить EUV-технологии до конца следующего десятилетия.
Источник изображения: ASML Сейчас, по словам экспертов UBS, китайские производители оборудования для производства чипов находятся на том этапе развития, который был присущ ASML в далёком уже 2004 году. При этом активность в сфере разработок и патентного права, проявляемая китайскими производителями, позволяет UBS сделать вывод, что они находятся на том этапе подготовки к массовому производству EUV-оборудования, который ASML отделял от нужного рубежа на 15 лет. Даже если китайским компаниям удастся наладить выпуск EUV-оборудования в отдалённой перспективе, вряд ли оно будет востребовано за пределами самого Китая, как предполагают представители UBS. Этому будут препятствовать как технологическое отставание от ASML, так и возможные регуляторные барьеры. При этом китайским компаниям вполне по плечу освоить массовый выпуск оборудования для погружной литографии с глубоким ультрафиолетовым излучением (DUV immersion lithography) в ближайшие два или пять лет, как считают в UBS. В позапрошлом месяце агентство Reuters сообщило, что одна из китайских компаний уже приступила к производству подобных литографических систем. В этом году их объёмы выпуска достигнут пяти штук, а по итогам следующего приблизятся к двадцати. Прототип EUV-системы китайские разработчики якобы собрали уже в начале прошлого года, по версии Reuters. Правда, с её помощью пока не удалось изготовить ни одного чипа, поскольку установка в её нынешнем виде позволяет только формировать лазерное излучение нужной мощности и с подходящей длиной волны. ИИ разогревает чипы до предела — TSMC хочет встроить жидкостное охлаждение прямо в их «внутренности»
02.09.2026 [09:39],
Алексей Разин
Дальнейший рост производительности полупроводниковых компонентов, как не раз отмечалось, будет сопровождаться заметным увеличением тепловыделения, и разработчикам чипов необходимо самим задумываться об эффективных методах охлаждения. Представители TSMC пояснили, что без жидкостного охлаждения представить себе дальнейшее развитие отрасли невозможно, причём встраивать его придётся в сами чипы.
Источник изображения: TSMC На конференции Semicon Taiwan 2026 выступил директор по разработкам TSMC в сфере передовых методов упаковки Джеймс Чэнь (James Chen), как сообщает TrendForce со ссылкой на публикации в тайваньской прессе. Он привёл прогноз, согласно которому потребляемая вычислительной системой мощность за ближайшие пять лет вырастет почти в шесть раз. Совокупная площадь чипов, входящих в состав упаковки типа CoWoS, в период с 2024 по 2029 годы должна вырасти до размера, в 14 раз превышающего величину визирной сетки литографического оборудования. Иными словами, изготавливать подобные чипы в монолитной компоновке с использованием классических методов производства уже невозможно. Количество транзисторов в чипах многокристальной компоновки к 2029 году вырастет в 48 раз. Пропускная способность памяти HBM в удельном выражении на одну упаковку увеличится более чем в 34 раза, количество каналов передачи данных более чем удвоится, а скорость обмена информацией по ним увеличится в шесть раз. Потребляемая одним чипом в такой упаковке мощность увеличится с 600 до 4100 Вт, а потери энергии возрастут более чем в пять раз. Бороться с растущим тепловыделением, учитывая увеличивающуюся сложность компоновки чипов, позволит только интегрированное жидкостное охлаждение, по мнению представителей TSMC. Компания уже давно предлагает предусмотреть в упаковке чипа систему микроканалов для более эффективного отвода тепла с помощью охлаждающей жидкости. В цепочке теплообмена нужно сокращать количество звеньев, ведь каждое из них обладает собственным тепловым сопротивлением. Образно говоря, охлаждающая жидкость должна ближе подбираться к внутренностям чипа. На пути практической реализации этой идеи в масштабах серийного производства пока достаточно препятствий, но отрасль неизбежно придёт к подобным решениям, как считают в TSMC. Компания также призывает оптимизировать состав материалов и компоновку чипов с целью снижения теплового сопротивления компонентов. В этом смысле данное направление обеспечивает потенциал его сокращения на величину до 40 %. Потенциально горячие элементы на этапах проектирования чипа нужно размещать таким образом, чтобы их потом было проще охлаждать. Забота об этом должна сохраняться на протяжении всего цикла подготовки изделия к производству. Компании, которые производят жидкостные системы охлаждения, также будут задействованы в процессе поиска решений и наверняка неплохо на этом заработают. Samsung пустила на производство Galaxy Z Fold8 комплектующие от будущих моделей из-за ажиотажного спроса
01.09.2026 [16:47],
Павел Котов
Успех широкоэкранного складного смартфона Samsung Galaxy Z Fold8 оказался настолько громким, что Samsung пришлось позаимствовать комплектующие, предназначавшиеся для моделей 2027 года, чтобы удовлетворить спрос на актуальный смартфон. ![]() Samsung оказалось не так просто нарастить производство Galaxy Z Fold8, когда спрос на устройство превысил предложение. Сразу после выхода смартфона в продажу образовались задержки с отгрузками, хотя компания и поставила перед собой цель выпустить на миллион экземпляров больше. Производитель столкнулся с нехваткой микросхем драйвера дисплея (DDI). Их выпускает для Samsung тайваньский подрядчик UMC с использованием техпроцесса 22 нм, и в их производстве компания «достигла предела» В итоге Samsung была вынуждена перенаправить объёмы, зарезервированные для продуктов 2027 году на увеличение производства Galaxy Z Fold8. Напрямую эти компоненты использовать не получится — DDI создаётся для каждой модели смартфона индивидуально. Речь идёт перепрофилировании производства чипов, и это существенная корректировка со стороны Samsung. Корейский производитель даже запросил у подрядчика «экспресс-обслуживание», чтобы нужный объём DDI появился в кратчайшие сроки, и компания удовлетворила спрос на Galaxy Z Fold8. К 2028 году поставки складных смартфонов удвоятся и достигнут 36 млн единиц, сообщили ранее аналитики Omdia. Клиенты ASML уже используют 10 сканеров High-NA EUV, которые позволяют делать чипы «тоньше» 2 нм
01.09.2026 [16:32],
Алексей Разин
Являясь крупнейшим контрактным производителем чипов в мире, тайваньская компания TSMC довольно консервативно настроена в отношении скорого внедрения оборудования класса High-NA EUV, которое стоит по $400 млн за единицу. В любом случае, уже четыре клиента выпускающей соответствующие сканеры компании ASML эксплуатируют на своих предприятиях и в лабораториях 10 таких литографических систем.
Источник изображения: ASML Об этом старший вице-президент ASML Грит Стормс (Greet Storms), заведующая направлением данных литографических машин, заявила на конференции Semicon Taiwan 2026, которая на этой неделе проходит на Тайване. По её словам, помимо десяти уже эксплуатируемых литографических EUV-сканеров с высоким значением числовой апертуры (High-NA), в поставке и процессе монтажа находятся ещё три. Пионером внедрения подобного оборудования при производстве процессоров можно считать Intel, поскольку она уже использует его для выполнения части технологических операций при выпуске чипов семейства Panther Lake по технологии Intel 18A. Samsung и SK hynix интересуются возможностью использования такого оборудования при выпуске памяти, поэтому располагают как минимум по одному образцу литографических систем ASML TwinScan EXE:5200B. Как минимум пять поколений литографических норм, применяемых при производстве микросхем памяти DRAM, могут быть внедрены с использованием такого оборудования. Оно упрощает оснастку и сокращает сам производственный цикл, что в условиях высокого спроса на память важно для указанных южнокорейских компаний. По словам представительницы ASML, соответствующее оборудование этой марки уже приняло участие в обработке 1,35 млн кремниевых пластин. Система TwinScan EXE:5200B, например, способна обрабатывать по 135 кремниевых пластин в час, этого уже достаточно для её применения в массовом производстве чипов. К концу десятилетия показатель производительности удастся увеличить до 180 или даже 210 кремниевых пластин в час, но для этого придётся переходить на более совершенные модели оборудования, которые ASML к тому времени предложит клиентам. В этом году TSMC всё же купила несколько литографических сканеров ASML соответствующего класса, хотя пока и планирует использовать их только для лабораторных экспериментов. С учётом масштабов бизнеса этой компании, внедрение такого оборудования в массовом производстве потребует колоссальных затрат, и пока она не готова на них решиться. Samsung уже распродала до 70 % памяти, которую выпустит до 2031 года
01.09.2026 [09:46],
Алексей Разин
В условиях дефицита памяти и непрерывного роста цен к заключению долгосрочных контрактов стали чаще склоняться как поставщики, так и покупатели. Первым это позволяло брать крупные авансовые платежи и получать гарантированный сбыт продукции, а вторые пытались тем самым обеспечить себя необходимыми объёмами закупок памяти. Samsung под обслуживание долгосрочных контрактов выделила до 70 % своих мощностей по выпуску памяти.
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечает TrendForce со ссылкой на южнокорейские СМИ, на практике это будет означать, что 70 % производственных мощностей до указанного срока будут заняты в обеспечении памятью крупных заказчиков типа Nvidia, Microsoft и Google. Нужды прочих будут обслуживаться по остаточному принципу, и покупать память они будут вынуждены по более высоким ценам, чем предусматривают долгосрочные контракты. При этом уже сейчас разрыв цен может быть пятикратным, если говорить о стеке памяти типа HBM3E объёмом 36 Гбайт, который на рынке моментальных сделок оценивается во все $2100. По долгосрочным контрактам такой стек памяти обходится в четыре или пять раз дешевле. Стоимость 16-ярусного стека HBM4 на спот-рынке может достигать $3500. Перекосы рынка памяти в его нынешнем состоянии демонстрируются и официальной экспортной статистикой Южной Кореи. К июлю объёмы поставок памяти для ИИ-систем за пределы страны, включая HBM всех видов и LPDDR, сократились по сравнению с маем на 13,2 % до 591,74 млн чипов. При этом их декларируемая экспортная стоимость выросла на 18,5 % до $11,43 млрд, а средняя цена реализации выросла на 36,6 % до $22,9. Более того, бум ИИ нарушает и привычные тенденции, свойственные рынку памяти. В первом полугодии Samsung нарастила стоимость складских запасов на 32 % в последовательном сравнении, а у SK hynix этот прирост составил 26 %. Продукция, находящаяся в работе, в первом случае подорожала на 35 %, а во втором — на 20 %. В прежние годы рост складских запасов говорил о проблемах со сбытом продукции, но сейчас он демонстрирует готовность производителей активнее обеспечивать будущие поставки. Пример Nvidia, которая свои обязательства по оплате компонентов и сырья последовательно увеличила с $119 до $279 млрд в прошлом квартале, также говорит о склонности клиентов производителей памяти наращивать закупки. Впрочем, в натуральном выражении они растут скромнее, поскольку цены меняются опережающими темпами в сторону повышения. По прогнозам TrendForce, в текущем квартале контрактные цены на DRAM вырастут на 13–18 % в последовательном сравнении. CXMT запустила пробное производство памяти HBM3E
31.08.2026 [18:55],
Сергей Сурабекянц
Китайский производитель микросхем памяти CXMT начал производство небольших тестовых партий передовой высокоскоростной памяти HBM3E. Несколько китайских компания, включая T-Head (дочерняя компания Alibaba Group) и Cambricon Technologies, уже тестируют эту память со своими процессорами. Компания планирует расширить производство в 2027 году.
Источник изображения: CXMT Китайские производители памяти в настоящее время отстают на два поколения от южнокорейских компаний, которые постепенно переходят на производство памяти HBM4E. Однако это важная веха для CXMT, которая к концу года планирует достичь производственной мощности около 350 000 пластин DRAM в месяц, а в последующие годы — увеличить эту мощность. Сообщается, что производство HBM3E началось в очень небольших количествах, что свидетельствует о начале пробного производства. Аналитики полагают, что компания достаточно быстро перейдёт от тестовых партий к массовому производству. CXMT заметно превосходит конкурентов по скорости строительства чистых помещений — компания ввела в строй такое помещение всего за 12 месяцев, в то время как на это обычно уходит до двух лет. Точные технические характеристики памяти HBM3E от CXMT не раскрываются, но стандартная спецификация JEDEC подразумевает наличие 1024-битной ширины и скорости от 9,2 Гбит/с до 12,4 Гбит/с на контакт, при этом большинство стандартных конфигураций ориентированы на 9,6 Гбит/с на контакт. Общая пропускная способность составляет 1,2 Тбайт/с, а ёмкость варьируется от 24 Гбайт при использовании 8-слойных стеков до 36 Гбайт при использовании 12-слойных стеков. CXMT управляет несколькими предприятиями, включая два завода по производству 12-дюймовых пластин, один в Хэфэе и один в Пекине, каждый с производительностью около 100 000 пластин в месяц. В настоящее время производственная мощность составляет около 200 000 пластин в месяц, а после завершения строительства и ввода в полную эксплуатацию заводов в Шанхае и Хэфэе планируется утроить это число до впечатляющих 600 000 пластин в месяц. TSMC намерена в 50 раз повысить производительность ИИ-систем — помогут 3D-чипы и кремниевая фотоника
31.08.2026 [16:17],
Николай Хижняк
Компания TSMC на конференции SEMICON Taiwan 2026 рассказала о новых технологиях для производства микросхем, которые внедряются в ответ на постоянно растущие требования к вычислительной мощности со стороны экосистемы ИИ. Компания акцентирует внимание на новых технологиях упаковки и сборки чипов, а также развивает направление технологий кремниевой фотоники. Источник изображений: TSMC По словам Эйприл Ли (April Li), руководителя глобального подразделения по развитию бизнеса в области искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений в TSMC, ежегодно наблюдается пятикратный рост спроса на вычислительные ресурсы для искусственного интеллекта, что создаёт постоянно растущие требования к вычислительным мощностям. В ответ на это TSMC интегрирует передовые технологические процессы, 3D-технологии сборки и кремниевую фотонику в свои решения для высокопроизводительных вычислений. По прогнозам компании, к 2029 году интеграция передовых методов компоновки SoIC и упаковки CoWoS позволит увеличить общую производительность системы в 50 раз по сравнению с технологиями, которые начали применяться в 2024 году. По словам Ли, гетерогенная интеграция — единственный способ преодолеть существующие ограничения в области вычислений. В 2026 году TSMC планирует внедрить 3D-интеграцию N2P-on-N3P, а в 2029 году — A14-on-A14 с шагом межсоединений 4,5 мкм. Компания также продолжает развивать технологию кремниевой фотоники COUPE. Применяемый в её рамках шаг соединения в 2–4 мкм позволяет снизить потери при передаче данных на скорости 112 Гбит/с всего до 0,06 дБ по сравнению с 1,38 дБ при использовании микровыступов, что помогает снизить энергопотребление и задержку до 10–20 наносекунд. Разработанная компанией TSMC платформа COUPE (Compact Universal Photonic Engine) использует технологию соединения TSMC-SoIC для интеграции электронных интегральных схем (EIC) с фотонными интегральными схемами (PIC), поддерживая при этом как решётчатые ответвители (GC), так и краевые ответвители (EC). Для дальнейшего увеличения пропускной способности TSMC реализует два направления развития. Одно из них предполагает увеличение скорости передачи данных по каждому каналу с 200 Гбит/с до более чем 400 Гбит/с при одновременном увеличении количества каналов с 16 до более чем 128, что позволит увеличить общую пропускную способность с 3,2 до более чем 12,8 Тбит/с. Второе направление предполагает расширение мультиплексирования с разделением по длине волны (WDM) с одной длины волны до 4, 8, 16 и более. Компания также решает проблемы, связанные с тестированием и проектированием, по мере того как технология совместно упакованной оптики (Co-Packaged Optics, CPO) получает более широкое распространение. TSMC внедрила оптическое тестирование на уровне пластин для устройств с краевой связью, что позволяет отсеивать бракованные кристаллы перед дорогостоящей сборкой оптоволоконных систем. Компания также представила оптическую платформу для проектирования полупроводников, которая позволяет проводить совместное электронно-фотонное моделирование для решения ключевых задач в области кремниевой фотоники. Платформа поддерживает инструменты Cadence и Synopsys, что помогает ускорить разработку новых продуктов. Вице-президент TSMC по передовым технологиям и услугам в области корпусирования К. С. Сюй (K.C. Hsu) заявил, что в архитектуре оптических приёмопередатчиков происходят структурные изменения и ожидается, что к 2027 году на долю кремниевой фотоники будет приходиться более 50 % рынка оптических приёмопередатчиков. Производство оптических приёмопередатчиков на кремниевых подложках — это следующий шаг, и ожидается, что некоторые поставщики начнут их массовое производство во второй половине 2026 года. По словам Сюя, на фоне постоянного роста спроса на высокоскоростные каналы связи оптика станет «нервной системой» центров обработки данных. Согласно статистике, в 2025 году продажи оптических приёмопередатчиков выросли на 25 %, а в 2026 году рост их поставок ожидается ещё на 50 %. При этом в 2024 году рынок высокопроизводительных приёмопередатчиков со скоростью передачи данных от 100 Гбит/с и выше удвоился, а в 2025 году вырос ещё на 60 %. Сюй отметил, что тайваньская экосистема по производству полупроводников уже способна производить оптические модули в больших объёмах и с высокой точностью, а реальные данные и рыночная практика помогают развеять давние опасения по поводу надёжности оптических приёмопередатчиков на кремниевых подложках. По его словам, основная проблема при крупномасштабном внедрении этой технологии связана с другими звеньями цепочки поставок, включая лазеры, оптические волокна, оптоволоконные соединители и тестирование продукции. Huawei не может уменьшать чипы, поэтому будет их «складывать»: но эксперты нашли слабые места LogicFolding
31.08.2026 [12:43],
Алексей Разин
Ещё в мае этого года представители Huawei Technologies буквально провозгласили на весь мир, что компания собирается при помощи нового подхода к проектированию и производству полупроводников к 2031 году наладить выпуск чипов, которые не будут уступать зарубежным 1,4-нм. Специалисты SemiWiki утверждают, что технология LogicFolding этой китайской компании не лишена недостатков. ![]() Как поясняют авторы публикации, исторически масштабирование размеров транзисторов, которое обеспечивало рост быстродействия полупроводниковых компонентов, сводилось к повышению плотности их размещения на единице площади. После определённых физических границ изготовление чипов с нужными геометрическими параметрами требовало применения сложного литографического оборудования, поставки которого США и Нидерланды в Китай запретили. В совокупности с прочими санкциями это подтолкнуло Huawei к поиску других путей повышения производительности чипов. По мнению источника, подход Huawei в рамках LogicFolding сводится к созданию «многослойных» чипов, которые в проекции сверху размещают больше транзисторов на единице площади. Классический подход к производству чипов на имеющемся в Китае оборудовании технически позволяет той же SMIC наладить выпуск компонентов, по своим качествам сопоставимых с 5-нм чипами, но они бы обходились бы в производстве на 40–50 % дороже, чем аналогичные изделия TSMC. Компания Huawei предлагает «сложить пополам» подложку с транзисторами, а затем соединить их по вертикали для обмена информацией по кратчайшему пути. Плотность размещения транзисторов возрастает на 55 %, а энергетическая эффективность возрастает на 41 %. В любом случае, Huawei придётся столкнуться с двумя серьёзными проблемами. Во-первых, даже двухслойная компоновка чипа вызывает сложности с эффективным отводом тепла. Во-вторых, уровень брака на первых порах при таком подходе к производству чипов будет весьма высоким. Соответственно, низкий уровень выхода годной продукции повышает её себестоимость. Наконец, для проектирования чипов с такой компоновкой потребуется оптимизированное программное обеспечение, которое способно учитывать те же проблемы с отводом тепла, например. Пекинский университет такой программный инструментарий разработал на уровне эксперимента, но для превращения его в серийное ПО потребуется несколько лет. Кроме того, для выпуска чипов по новым технологиям Huawei потребуются новые материалы и оборудование, и тут компания будет сильно зависеть от партнёров и поставщиков. Первый чип Huawei (HiSilicon Kirin 9050), который будет изготовлен по методу LogicFolding, появится на рынке уже этой осенью в составе смартфона Mate 90. Лишь к 2030 году компания отважится начать применение аналогичной технологии для производства более крупных ИИ-чипов Ascend, на которых базируются ускорители вычислений. Intel может приобщиться к выпуску памяти HBM4E — она будет делать базовые кристаллы для SK hynix
31.08.2026 [09:44],
Алексей Разин
Многопрофильность бизнеса Samsung Electronics играет для компании как хорошую роль, так и плохую. Она, например, может самостоятельно производить для себя все кристаллы для стеков памяти класса HBM, тогда как конкурирующая SK hynix базовые кристаллы вынуждена заказывать у TSMC. В рамках производства HBM4E схема сотрудничества может измениться, поскольку выпускать базовые кристаллы для SK hynix начнёт и Intel.
Источник изображения: Unsplash, Brecht Corbeel По крайней мере, на этом сценарии настаивает южнокорейское издание Korea Herald. При этом взаимодействие с TSMC со стороны SK hynix не прекратится, просто у последней появится второй поставщик базовых кристаллов для стеков HBM4E. В условиях дефицита и геополитических рисков для каналов поставок подобная диверсификация должна позволить SK hynix повысить надёжность снабжения своей продукцией клиентов. В рамках изготовления кристаллов для стеков HBM4 компания SK hynix обращается за базовыми к TSMC, которая производит их по 12-нм технологии. По некоторым оценкам, базовый кристалл памяти этого поколения оказывается в три или четыре раза дороже, чем кристалл DRAM, из которых формируется основная часть стека. Помимо прочего, появление двух подрядчиков в данной сфере позволит SK hynix немного улучшить ценовые условия на услуги по производству базовых кристаллов — тем более, что Intel заинтересована в развитии своего контрактного бизнеса и привлечении новых клиентов. К технологиям упаковки EMIB компании Intel производитель памяти SK hynix также присматривается наравне с предложениями CoWoS-S и CoWoS-L компании TSMC. Не будет лишним напомнить, что в Intel перешёл на работу и бывший генеральный директор SK hynix. Он наверняка будет способствовать укреплению деловых связей настоящего и бывшего работодателей. Ещё в июне SK hynix приступила к поставкам образцов 12-ярусных стеков HBM4E. План сотрудничества с Intel ещё не утверждён и пока рассматривается только гипотетически. Intel всё же не вернётся к выпуску микросхем памяти
31.08.2026 [07:53],
Алексей Разин
В уходящем месяце генеральный директор Intel Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan) довольно двусмысленно обратился к теме инвестиций в технологии, связанные с производством и интеграцией памяти, попутно напомнив, что нанял на работу бывшего главу SK hynix. Финансовому директору Intel Дэвиду Зинснеру (David Zinsner) пришлось пояснять, что у компании нет планов по возвращению к самостоятельному изготовлению микросхем памяти.
Источник изображения: Intel Напомним, что с 1968 года Intel примерно до середины восьмидесятых годов производила микросхемы DRAM, а уже в этом веке пыталась предложить собственную версию NAND, но после продала профильный бизнес южнокорейской компании SK hynix. На недавней технологической конференции Deutsche Bank Зинснер прокомментировал слухи о возвращении Intel на рынок памяти следующим образом: «Я бы предпочёл избегать рынка памяти. Поэтому я надеялся, что вы не будете говорить о том, что мы возвращаемся на рынок DRAM». Далее он пояснил, что генеральный директор Лип-Бу Тан в своих недавних комментариях имел в виду углубление сотрудничества с партнёрами и клиентами в сфере устранения «узких мест», которые мешают масштабированию быстродействия памяти. «Думаю, что он видит нас в роли ключевого игрока, занимающегося этой работой, которая включает взаимодействие с тремя основными производителями памяти, и у него налажены хорошие отношения с ними…, и мы регулярно обсуждаем вещи, которые могли бы делать вместе. Кроме того, есть способы разработать продукт, его архитектуру, наши продукты, которые лучше себя проявят при взаимодействии с памятью», — попытался пояснить позицию главы компании Intel её финансовый директор. Переход на технологию упаковки EMIB-T, помимо прочего, тоже будет служить достижению этой цели, поскольку повысит эффективность интеграции компонентов. SK hynix присматривает площадку в Японии для организации совместного производства памяти
31.08.2026 [05:01],
Алексей Разин
Представители SK Group оказались в этом месяце на редкость словоохотливыми. Если генеральный директор SK hynix только намекал на сближение с японскими производителями вроде Kioxia, то председатель совета директоров Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) заявил Bloomberg, что компания присматривает участок земли в Японии для строительства совместного предприятия.
Источник изображения: SK hynix «Мы ищем по всей Японии — везде, где есть энергия и вода», — пояснил председатель совета директоров SK hynix, отказавшись комментировать вопрос о возможных партнёрах с японской стороны. Напомним, что недавно компания запустила строительство предприятия в американской Индиане, которое будет заниматься тестированием и упаковкой HBM4E, и в целом не отметает идею организации полного цикла производства памяти в США. Конкурирующая Micron Technology владеет предприятием по производству DRAM на западе Японии, которое досталось ей от местной компании Elpida. В Японии есть как производители памяти типа Kioxia, которая сотрудничает с Sandisk, так и крупные её потребители типа Sony, Nintendo и целого набора автопроизводителей. С учётом заинтересованности японских властей в возрождении местной полупроводниковой промышленности, у SK hynix есть шанс частично покрыть свои расходы на строительство будущего японского предприятия правительственными субсидиями. Имея местного партнёра, получить их будет значительно проще. «Пришло время для Кореи и Японии сформировать экономический блок», — подчеркнул глава совета директоров SK Group. |
|
✴ Входит в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности»; |