Акции ASML взлетели до 52-недельного максимума после того, как Intel объявила о переходе усовершенствованного техпроцесса 18A-P к этапу опытного производства — серийный выпуск продукции с использованием этой технологии стартует в срок от шести до двенадцати месяцев. Акции ASML торгуются с ростом на 6,2 % до $1915 (при пиковом значении $1917,63); в предыдущую сессию акции Intel падали на 8,45 %, но теперь подорожали на 2,65 % до $120,15.

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Технологический процесс Intel 18A-P представляет собой усовершенствованный вариант флагманского 18A, предлагающий рост производительности на 9 % при том же потреблении энергии, либо уменьшенное на 18 % энергопотребление при эквивалентной производительности; а также улучшенную на величину 20–40 % теплоотдачу. Два техпроцесса совместимы, отмечает Intel, то есть существующие проекты чипов можно переводить с 18A на 18A-P без изменений.

По итогам I квартала 2026 года производственный отдел Intel зафиксировал операционный убыток в размере $2,4 млрд; инвестиционная стратегия компании в значительной степени зависит от того, сможет ли она привлечь клиентов на производство в больших масштабах. Сейчас компания демонстрирует стабильность техпроцесса потенциальным клиентам, выпуская образцы пластин и подтверждая показатели выхода годной продукции. Заявлений о заключении соглашений с клиентами на выпуск продукции на основе технологии Intel 18A-P компания пока не делала.

ASML единственная в мире выпускает производственное оборудование на основе EUV-литографии и служит прямым индикатором темпов развития передовых технологических процессов в мире. Когда Intel наращивает производство чипов, увеличивается спрос на оборудование для EUV-литографии. Обе компании демонстрируют успехи на фондовом рынке: Intel за последний год показала рост на 456 % с 52-недельного минимума в $18,97; ASML — на 151 % с собственного минимума в $638,48. По итогам I квартала Intel показала прибыль на акцию в размере $0,02 при выручке $13,58 млрд при прогнозах аналитиков соответственно $0,02 и $12,41 млрд — финансовый отчёт спровоцировал рост её акций на 26,46 % за одну торговую сессию.

15 июля ASML опубликует результаты за II квартал; аналитики ожидают прибыли на акцию в $8,06 при выручке около $10,45 млрд. За последние 90 дней девять раз прогнозы по прибыли на акции повышались, и ни разу не понижались. Intel опубликует отчёт по итогам II квартала 23 июля — на его основе аналитики сделают вывод, начнёт ли запуск производства по технологии 18A-P приносить доход, и когда у производственного подразделения станут сокращаться убытки.

Apple согласилась на сотрудничество с Intel в разработке и производстве процессоров в США, заявил президент страны Дональд Трамп (Donald Trump). «Глупые президенты <..> дали Тайваню и другим украсть наши полупроводниковые заводы», — пожаловался он на своей платформе Truth Social.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

«Когда меня избрали на второй (на самом деле на третий!) срок, стало ясно что Америке надлежит вернуть полупроводниковую промышленность в США. Мы разрабатываем всё, но нам нужно производить это здесь, немедленно! Так что я решил помочь Intel, потому что нам требуется проектировать и производить наши чипы прямо здесь, в Америке», — сообщил глава государства.

Чуть более месяца назад стало известно, что Apple и Intel готовятся заключить соглашение по производству чипов — переговоры велись более года, и теперь, по словам Трампа, две компании заключили договор. Сотрудничество с TSMC даётся Apple всё труднее, потому что за передовые производственные мощности тайваньского подрядчика теперь сражаются преимущественно AMD и Nvidia. Партнёрство с Intel помогло бы Apple увеличить имеющиеся у неё в распоряжении мощности по выпуску чипов и диверсифицировать производственную базу.

Если Трамп не опередил события, сделка станет крупной победой для отдела Intel Foundry. Компания потратила несколько лет в попытках убедить потенциальных партнёров, что она снова может конкурировать в верхнем сегменте производства полупроводников. И соглашение с Apple значительно укрепит эту программу. В 2020 году Apple отказалась от процессоров Intel, начав устанавливать на компьютеры Mac собственные чипы серии M, — теперь же «синие» будут выступать исключительно как полупроводниковый подрядчик.

Трамп сделал вопрос возобновления полупроводникового производства в США одним из ключевых в свой второй срок. Под давлением пошлин Apple обязалась инвестировать в отрасль $500 млрд, а затем представила ещё один план с бюджетом в $100 млрд. Президент также упомянул инвестиции правительства в Intel — власти получили 10 % компании. Правительство также поддержало пошлины в размере 100 % на ввоз полупроводников — исключение предоставили компаниям, которые производят продукцию в США или собираются это делать.

Samsung Electronics начала поставлять клиентам образцы HBM4E ещё в конце мая, поэтому для конкурирующей SK hynix сокращение отставания от неё было делом первостепенной важности. Как и ожидалось, о начале поставок своих образцов HBM4E вторая из компаний объявила в текущем месяце, а именно — в четверг.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Источник изображения: SK hynix

Из пресс-релиза на сайте SK hynix становится понятно, что её крупные клиенты начали получить от неё образцы 12-ярусных микросхем памяти HBM4E, которые достигают скорости передачи информации 16 Гбит/с в пересчёте на один контакт. При их изготовлении используется технология MR-MUF, повышающая тепловое сопротивление на 17 % при одновременном улучшении стабильности. Энергетическая эффективность HBM4E в исполнении SK hynix возросла более чем на 20 % по сравнению с микросхемами предыдущего поколения. В одном стеке с 12 ярусами располагается 48 Гбайт памяти HBM4E.

Когда появятся серийные экземпляры HBM4E, компания не уточняет, также пока нет ясности, есть ли среди получающих первые образцы её клиентов Nvidia. Впрочем, поскольку последняя является одним из крупнейших потребителей памяти класса HBM, в сотрудничестве двух компаний в данной сфере сомневаться почти не приходится.

Учёный из Окинавского института науки и технологий (OIST) предложил радикально упростить оптическую схему EUV-литографии — ключевой технологии, с помощью которой сегодня производят самые передовые микросхемы. Профессор Цумору Синтакэ (Tsumoru Shintake) разработал вариант high-NA EUV-системы с линейной геометрией, где фотомаска, проекционная оптика и кремниевая пластина расположены на одной оси в отличие от нынешних промышленных сканеров.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображений: OIST

По расчётам автора, предложенная им оптическая архитектура может помочь печатать элементы размером 2–3 нм и в 3–4 раза снизить стоимость оборудования, которое сегодня оценивается в сотни миллионов евро за машину. Это также обещает снизить стоимость производства чипов даже более передового уровня, чем сегодня, и в конечном итоге повлечёт сокращение расходов на поддержку самых совершенных ИИ-моделей и дата-центров.

Как известно, EUV-литография использует экстремальное ультрафиолетовое излучение с длиной волны 13,5 нм. Такой свет нельзя пропускать через обычные линзы: он просто поглощается ими, поэтому вся оптическая система строится на отражении от многослойных зеркал и работает в вакууме. В стандартной схеме литографического сканера ASML луч попадает на зеркальную фотомаску с рисунком будущей схемы, затем проекционная оптика уменьшает и фокусирует изображение на кремниевой пластине. Увеличение числовой апертуры, или NA, позволяет захватывать более широкий диапазон углов, что повышает разрешение, но одновременно усложняет оптику (см. рисунок ниже) и усиливает искажения.

Источник изображения: ASML

При разработке новой оптической архитектуры EUV-сканеров профессор Синтакэ прежде всего стремился снизить так называемые «3D-эффекты маски» — искажения, возникающие из-за трёхмерной структуры зеркальной EUV-маски и падения света на неё под углом. Эту проблему исследователи не смогли решить в 90-х годах прошлого века, когда начали проектировать EUV-сканеры, поэтому коммерчески жизнеспособным вариантом оказалась чрезвычайно сложная внеосевая оптическая схема, реализованная во всех современных EUV-сканерах ASML.

Учёный предложил линейную фокусирующую систему из двух оптических компонентов, каждый из которых содержит пару вогнутого и выпуклого зеркал. Моделирование показало, что многократные отражения между зеркалами с точно рассчитанным профилем и строго определённым расстоянием между ними могут взаимно компенсировать часть искажений, сохраняя при этом высокую числовую апертуру и качество изображения. В отличие от нынешних сложных high-NA-решений, эта схема должна быть существенно проще в производстве и настройке.

Впрочем, до промышленного применения ещё далеко. Расчёты предполагают идеальные зеркала — со 100-процентным отражением и без дефектов, тогда как реальная EUV-оптика теряет часть энергии при каждом отражении и требует предельно точной обработки поверхности. Следующим шагом станет сборка физического прототипа: команда уже начала разработку соответствующего EUV-оборудования. Если подход подтвердится экспериментально, он может удешевить выпуск высокоплотной памяти и логических микросхем, сократить число технологических операций и снизить энергопотребление вычислений, что особенно важно на фоне роста нагрузки от ИИ и центров обработки данных.

Исследователи из Корейского передового института науки и технологий (KAIST) представили методику расчёта квантового предела уменьшения транзисторов. С определённого момента квантовый эффект туннелирования приводит к неконтролируемому росту утечек тока. Методика даёт количественное представление о методах противодействия этим процессам, чтобы производители чипов двигались к наименее возможному транзистору не на ощупь, а осознанно.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Источник изображения: ИИ-генерация ChatGPT/3DNews

Методика основана на широко используемой в квантовой физике теории функционала плотности. Научный мир с успехом использует её для моделирования электронных структур молекул материалов. При правильном подходе теория полностью годится для предварительной и довольно точной оценки предела масштабирования будущих полупроводниковых устройств. Эта задача становится особенно важной на фоне перехода индустрии к так называемым 2-нм техпроцессам, когда маркетинговое название функционального элемента уже не совпадает с реальными физическими размерами транзисторных структур, а сами элементы всё ближе подходят к квантово-механическим ограничениям.

Главная проблема миниатюризации состоит в том, что при слишком малых размерах элементов электроны начинают проходить через энергетические барьеры, которые в классической физике должны были бы их остановить. Это явление известно как квантовое туннелирование. Для транзистора оно означает рост паразитных токов утечки и ухудшение управления током между истоком и стоком. Экспериментально нащупать такие пределы крайне сложно: область контакта между металлическим электродом и полупроводниковым каналом имеет атомарно ничтожные размеры, а её геометрию и электронную структуру трудно контролировать с достаточной точностью.

В качестве модели для доказательства работы своей методики исследователи использовали однослойный дисульфид молибдена MoS₂ — двумерный полупроводник, который рассматривается как один из кандидатов в базовые материалы для транзисторов следующего поколения. Для MoS₂ были рассчитаны контакты с разными металлами, включая скандий, серебро, золото и палладий. Расчёты проводились для двух вариантов архитектуры: с верхним контактом и с краевым контактом.

Моделирование показало, что критическая длина туннелирования не является постоянной величиной: она зависит от работы выхода металла (того, насколько легко электрон покидает металл) и геометрии контактной структуры. Иными словами, предел миниатюризации можно сдвигать подбором материала электрода и способом соединения металла с двумерным каналом. И это хорошая новость, которая даёт надежду на дальнейшее уменьшение размеров транзисторов.

По расчётам KAIST, при оптимальном выборе металла и структуры контакта критическую длину туннелирования можно снизить до уровня менее 4 нм — настоящих, а не маркетинговых. Для транзисторов n-типа перспективной оказалась схема верхнего контакта с металлами с малой работой выхода, а для p-типа — краевой контакт с металлами с высокой работой выхода. Это не означает немедленного появления массовых транзисторов с такими размерами, но даёт инженерам новый инструмент проектирования: вместо дорогостоящего перебора опытных образцов можно заранее оценивать контактное сопротивление, режим туннельной утечки и предельную масштабируемость 2D-транзисторов на атомном уровне.

К 2030 году, как отмечают южнокорейские СМИ, компания Samsung Electronics рассчитывает внедрить ИИ на всех своих предприятиях как в Южной Корее, так и за её пределами. Технология «цифровых двойников» уже сейчас демонстрирует очевидные выгоды. В частности, время тестирования электронной продукции удалось сократить с 15 до 2 дней.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Источник изображения: Samsung Electronics

В своём ЦОД в Сеуле Samsung недавно установила 517 серверов, которые будут использоваться для внедрения ИИ в производственной инфраструктуре компании. Мощности этой площадки будут использованы для внедрения технологии цифровых двойников. По сравнению с прежними серверами, новые обеспечивают увеличение производительности в 5,8 раза, а объёмы обрабатываемых в виртуальной среде данных выросли в шесть раз. В этой среде Samsung собирается симулировать тестирование электронных устройств и применять технологию цифровых двойников при их производстве.

Помимо сокращения затрат времени на тестирование бытовой техники и электроники, цифровые двойники позволяют свести к минимуму использование физических прототипов. Ронять реальные телевизоры или наблюдать за последствиями перегрева микроволновых печей будет не нужно — испытания будут перенесены в виртуальную среду. Например, при испытании смартфонов на устойчивость к падениям их нужно ронять до 700 раз подряд из разных положений, в виртуальной среде все эти симуляции заметно ускоряются.

К 2030 году Samsung постарается превратить основную часть своих предприятий по выпуску электронных устройств в полностью автономные. Искусственный интеллект будет внедряться на всех этапах работы таких предприятий. Помимо промышленных роботов, для использования на предприятиях будут активно внедряться человекоподобные.

При освоении новой литографической технологии годные полупроводниковые кристаллы начинают сходить с конвейера в нужной пропорции не сразу. На первых этапах уровень брака довольно высок, и значительную часть чипов просто приходится выбрасывать. При освоении перспективной технологии 14A компании Intel удалось поднять выход годной продукции до 50 % ещё до начала опытного производства.

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Источник изображения: Intel

Об этом сообщает TechPowerUp со ссылкой на комментарии аналитиков Morgan Stanley. Напомним, техпроцесс 14A в производственных планах Intel придёт на смену семейству 18A ориентировочно в 2028 году, если говорить об опытном производстве, и не ранее 2029 года, если рассматривать массовый выпуск чипов с его использованием. Если Intel уже сейчас достигла уровня выхода годных чипов в 50 %, то это неплохой показатель для ранней стадии освоения новой технологии. К первому кварталу следующего года уровень брака вообще может опуститься до 10 или 20 %, как рассчитывают эксперты Morgan Stanley. К тому времени компания уже сможет изготавливать первые прототипы реальных чипов с помощью технологии 14A.

Если бы компании пришлось изготавливать кристаллы с вычислительными ядрами для процессоров Panther Lake по новому техпроцессу 14A вместо нынешнего 18A, то при неизменных размерах кристалла около 114 мм² и возросшей плотности размещения транзисторов уровень выхода годной продукции составил бы около 56,45 %. Тестовые чипы, которые Intel будет изготавливать по технологии 14A, будут заметно крупнее, и для них уровень выхода годной продукции составит 40 %. Если вероятность проявления дефектов снизится до 10–20 % для кристалла площадью около 100 мм², то до 80–90 % кристаллов на пластине будут годными для дальнейшего использования по назначению. Впрочем, часть годных кристаллов всё равно не будет достигать необходимых технических характеристик, поэтому на практике уровень брака будет несколько выше.

Сейчас программный инструментарий для разработчиков чипов, которые будут выпускаться по технологии Intel 14A, существует в версии 0.5. Она должна вырасти до 0.9 к осени текущего года, и только тогда эти средства получат клиенты Intel, желающие получать от неё чипы, изготовленные по технологии 14A. В рамках этого техпроцесса Intel будет внедрять использование оборудования ASML, обладающего высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV). Она уже располагает наиболее совершенной системой семейства Twinscan EXE:5200B, которая обладает довольно высокой по меркам класса производительностью.

Намерение Tesla поручить Samsung выпуск чипов AI6 и некоторой части AI5 не является секретом, но издание Nikkei Asian Review утверждает, что соответствующими услугами южнокорейской компании интересуется неуклонно растущий круг потенциальных клиентов, среди которых упоминаются AMD, Google и даже китайский автопроизводитель BYD.

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Источник изображения: Samsung Electronics

По словам источника, BYD заинтересована в изготовлении на мощностях Samsung чипов для автопилота будущих поколений. В случае с Google переговоры ведутся по поводу возможности выпуска процессоров Axion, которые выйдут примерно в 2028 году. Кроме того, Google хочет поручить Samsung выпуск некоторой части серверных процессоров TPU с 2028 года. По некоторым данным, Samsung не может предложить столь же низкий уровень брака, как и TSMC, но у неё хотя бы имеются доступные производственные мощности, в отличие от второй из компаний.

Разработчики чипов для автомобильного сегмента в Китае целенаправленно стараются сотрудничать как минимум с двумя контрактными производителями, чтобы снизить риски перебоев в поставках готовой продукции. Помимо TSMC, они охотно обращаются за соответствующими услугами к Samsung. Если Qualcomm исторически старалась привлекать как можно большее количество контрактных производителей, то для Google усилия по диверсификации источников исходят от MediaTek, которая помогает ей разрабатывать чипы. В сфере передовых технологий по упаковке чипов Google готова обращаться за услугами не только к TSMC, но и к Intel.

При этом адаптация дизайна чипа и техпроцессов к особенностям конкретных производителей требует дополнительных затрат, поэтому позволить себе подобную диверсификацию могут только крупные разработчики чипов. Впрочем, если всё упирается в высокую загруженность TSMC, то сомнения заказчиков по поводу необходимости обращения к Samsung улетучиваются быстрее.

Tesla, как известно, недавно продемонстрировала стремление задействовать технологии Intel для производства чипов на будущем предприятии Terafab, хотя при этом у неё заключено соглашение о многолетнем сотрудничестве с компанией Samsung. Японские источники утверждают, что AMD ведёт с Samsung переговоры о возможности выпуска некоторых центральных процессоров с 2028 года. Nvidia хоть и получает основную часть своих чипов от TSMC, имеет опыт работы с Samsung, а чипы стартапа Groq (LPU), который был ею куплен недавно, выпускаются именно этим южнокорейским подрядчиком. Будет ли Nvidia отказываться от услуг Samsung на данном направлении в будущем, пока не определено.

На симпозиуме VLSI в Гонолулу компания Intel призналась, что приступила к опытному производству чипов с использованием новой технологии 18A-P, которая является разновидностью уже знакомой многим 18A. Эксперты считают, что именно техпроцесс 18A-P позволит компании привлечь внешних заказчиков к производству чипов с его использованием.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: Intel

По данным Intel, техпроцесс 18A-P способен поднять быстродействие на 9 % или снизить потребление энергии на 18 % по сравнению с 18A. Тепловые характеристики кристаллов, изготавливаемых по технологии 18A-P, улучшены как минимум на 20 %. Глава компании Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan) в мае заявил CNBC, что Intel ожидает во втором полугодии появления нескольких заказчиков у своего контрактного подразделения. Не исключено, что среди них появится и Apple, техпроцесс 18A-P может иметь решающее значение для её привлечения. Кроме того, с учётом ограниченных возможностей TSMC по расширению объёмов услуг, связанных с упаковкой чипов, Intel может быстро привлечь клиентов на данное направление.

На уровне инструментария для разработки 18A-P обеспечивает полную совместимость с 18A, упрощая переход с одного техпроцесса на другой. Как скоро Intel сможет довести уровень выхода годных чипов до приемлемого уровня, станет понятно позже, поскольку в вопросе привлечения сторонних заказчиков к новому техпроцессу этот фактор тоже имеет серьёзное значение.

Бельгийский исследовательский центр IMEC показал на ITF World 2026 прототип квантового чипа, выпущенного с применением High-NA EUV-литографии — экстремальной ультрафиолетовой литографии с высокой числовой апертурой. Это первое созданное таким методом устройство с кубитами на квантовых точках. Только развитая система производства кремниевых чипов способна породить масштабируемые и полезные квантовые компьютеры, а классике придётся потесниться.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: ИИ-генерация ChatGPT/3DNews

В демонстрационном образце были использованы кремниевые спиновые кубиты, в которых квантовая информация кодируется в спиновом состоянии электрона, удерживаемого в квантовой точке. Подобной архитектурой также занимается компания Intel, для которой кремний и электроны привычнее и понятнее, чем сверхпроводящие кубиты, кубиты на нейтральных атомах или в ионных ловушках.

Акцент в разработке IMEC сделан на сокращении расстояния между квантовыми точками и, как следствие, между управляющими их состояниями затворами. Сканер High-NA EUV позволил создать кремниевые структуры с зазором всего 6 нм — это несколько десятков атомов кремния. Такие плотные структуры нужны для более сильной и управляемой связи между соседними квантовыми точками (читай — кубитами): при уменьшении зазоров взаимодействие между ними резко возрастает. Для квантовых чипов это важно не меньше, чем для обычных транзисторов: требуется не просто создать отдельный кубит, а формировать массивы с высокой плотностью и повторяемостью, малым разбросом параметров и контролируемой геометрией затворов.

До сих пор подобные структуры часто изготавливались с использованием электронно-лучевой литографии: она точна, но плохо подходит для массового и экономически масштабируемого производства. Сканеры High-NA EUV, напротив, создавались для производства передовой логики, процессоров и ускорителей ИИ, поэтому IMEC рассматривает их как наиболее простой путь к переносу квантовых устройств из лаборатории на полупроводниковые производственные линии. Ставка делается на то, что кремниевые спиновые кубиты можно будет совместить с уже существующей экосистемой КМОП-производства: литографией, контролем процессов, корпусированием, гибридной разводкой и 3D-интеграцией.

Источник изображения: IMEC

Однако сама миниатюризация кубитов решает только часть задачи. Для отказоустойчивого квантового компьютера потребуются не сотни, а, вероятно, миллионы физических кубитов, потому что коррекция ошибок резко увеличивает их число. Поэтому IMEC параллельно работает над криогенной CMOS-электроникой управления (наподобие SoC Intel Horse Ridge), соединением управляющих и квантовых модулей при сверхнизких температурах, снижением теплопереноса и электрического шума.

Все эти проблемы уходят корнями в необходимость сопрягать классические компьютеры с квантовыми платформами, что ведёт к неизбежному появлению толстенных пучков «лиан» — кабелей, соединяющих одну платформу с другой, при необходимости создания температурного барьера между ними. Поэтому чем больше классической электроники удастся перенести в холодильник, тем проще будут будущие системы.

Кстати, необходимость значительно большего количества взаимных связей между спиновыми кубитами по сравнению с транзисторами создаёт проблему разводки и соединений внутри квантовых чипов. Это подводит к необходимости решать сложнейшие задачи системной инженерии. Это снова роднит производство классических и квантовых чипов, но уже на уровне проектирования. Тем самым IMEC находит много общего между производством классического кремния и квантовых устройств, утверждая (но это пока далеко не факт), что развитая экосистема производства полупроводников — идеальная и естественная база для скачка в эру квантовых компьютеров. Это радует, но производственная база не резиновая, и с разделением «имущественных прав» могут возникнуть… неудобства.

Прогресс в технологиях производства твердотельной памяти важен, поскольку он позволяет увеличивать плотность хранения информации. Южнокорейская SK hynix, как сообщает The Elec, к концу текущего года планирует начать массовое производство передовой 375-слойной памяти типа 3D NAND.

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: SK hynix

Верификация соответствующих технологий компанией уже завершена, началась подготовка к их масштабированию в условиях массового производства. Для освоения выпуска 375-слойной 3D NAND этот производитель не собирается строить новое предприятие, вместо этого модернизации будут подвергнуты имеющиеся на территории комплекса M15 в Чхонджу производственные линии, которые сейчас используются для изготовления памяти 3D NAND с 176, 238 и 321 слоями соответственно.

В планах SK hynix память с 375 слоями фигурировала, как относящаяся к 400-слойному классу. Количество слоёв по мере приближения к моменту фактической реализации планов было сокращено из-за производственных сложностей, которые неизбежно возникают в этой сфере по мере увеличения количества слоёв в микросхемах памяти. Тем не менее, в дальнейшем SK hynix рассчитывает увеличить количество слоёв до 480 и 604 штук соответственно.

Одним из новшеств при производстве 375-слойной памяти станет использование молибденовой плёнки вместо вольфрамовой в электродах металлических затворов. По мере увеличения слоёв возрастает электрическое сопротивление вольфрама, что замедляет передачу сигнала. В подобных условиях молибден демонстрирует более низкое сопротивление, позволяя ускорить передачу сигнала и поднять скорость записи и удаления данных. При нанесении вольфрамового покрытия, к тому же, требуется вспомогательный слой, который увеличивает толщину структуры, тогда как молибден позволяет обойтись без этого и увеличить плотность чипа.

Использование молибдена представляет определённые технологические трудности, поскольку в твёрдой форме он существует в качестве сырья при комнатной температуре, а наносить его придётся при нагреве. Конкурирующая Samsung Electronics на использование молибдена перешла ещё в апреле 2024 года при выпуске 286-слойной памяти 3D NAND. Во второй половине текущего года Samsung планирует начать массовый выпуск памяти с более чем 400 слоями. Молибден при этом будет использоваться более активно, чем предусматривалось изначально.

Samsung для нанесения молибдена отдаёт предпочтение оборудованию американской Lam Research, а SK hynix собирается применять оборудование японской Tokyo Electron. В первом случае за один подход обрабатывается только одна кремниевая пластина, а японское оборудование позволяет в специальной печи обрабатывать по 100 пластин одновременно. Оно не только более компактное и дешёвое, но позволяет более экономично расходовать молибден. Поставлять сырьё для нужд SK hynix планируют компании Air Liquide, Entegris и Merck KGaA, в числе корейских кандидатов фигурирует SK Specialty.

Спрос на молибден в этой сфере будет увеличиваться. SK hynix на первых порах планирует потреблять до 4 тонн сырья в год, тогда как Samsung только в этом году потребуются 10 тонн молибдена. В следующем году потребность второй из компаний увеличится до 25 тонн, а к 2030 году достигнет 80 тонн. Производителям 3D NAND выгоднее наращивать производство более дорогой и ёмкой памяти, чем просто расширять мощности, стратегия SK hynix в этой сфере соответствует данному принципу.

В конце мая Samsung Electronics объявила о начале поставок образцов памяти типа HBM4E, опередив тем самым основного конкурента в лице SK hynix, с которым была не в силах справиться в рамках жизненного цикла HBM3E. Вторую из компаний это явно не устраивает, поэтому свои образцы HBM4E она намеревается начать поставлять с опережением графика.

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Источник изображения: SK hynix

По информации южнокорейских СМИ, первоначально SK hynix рассчитывала начать поставки образцов HBM4E во втором полугодии, но теперь она прилагает усилия к началу поставок либо в текущем месяце, либо в июле самое позднее. Формально, это подразумевает некоторое ускорение поставок относительно изначального графика. Если учесть, что HBM4E сама по себе подразумевает глубокую адаптацию памяти под нужды конкретных заказчиков, снабжать их образцами памяти нужно начинать заранее, чтобы быстрее выйти на серийные поставки в будущем.

Скорее всего, HBM4E будет использоваться в ускорителях Nvidia семейства Rubin Ultra, которые выйдут на рынок в следующем году. На каждый графический процессор будет приходиться до 384 Гбайт памяти HBM4E, поэтому общая потребность в таких чипах увеличится. При производстве своей HBM4E компания SK hynix собирается применять техпроцесс 1c для кристаллов DRAM и 3-нм техпроцесс TSMC для базовых кристаллов. Для сравнения, Samsung Electronics способна выпускать HBM4E исключительно собственными силами, но базовые кристаллы собирается выпускать по более зрелому 4-нм техпроцессу. Обе компании готовы предлагать HBM4E в 12-ярусном исполнении со скоростями передачи данных от 14 до 16 Гбит/с в пересчёте на один контакт. В одном стеке HBM4E может содержаться до 48 Гбайт памяти.

Infineon сообщила о предстоящем открытии 2 июля в Дрездене завода Smart Power Fab по производству силовых микросхем. Стоимость этого объекта составила €5 млрд, причём на его строительство ЕС выделил субсидии в размере €1 млрд в рамках «Закона о чипах» (European Chips Act).

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Источник изображения: Infineon Technologies

Это первый успех в реализации этого закона, призванного обеспечить к 2030 году ЕС 20-процентную долю на мировом рынке полупроводников, поскольку проект Intel по строительству завода в Магдебурге закончился провалом. Завод Smart Power Fab будет производить силовые полупроводники для ИИ ЦОД, а также для электромобилей и систем возобновляемой энергии.

Открытие завода состоится на три месяца раньше графика. «ИИ ЦОД, которые сейчас строятся и планируются по всему миру, к 2030 году будут потреблять вдвое больше электроэнергии, чем сегодня, — заявил главный операционный директор Александр Горски (Alexander Gorski). — Это столько же, сколько потребляет вся Федеративная Республика Германия».

Горски сообщил, что производство микросхем на заводе, который находится в том же кампусе, что и первый европейский завод TSMC, будет постепенно наращиваться в зависимости от спроса, потенциально принося до €5 млрд дохода в год. Вместе с тем он отказался назвать сроки, когда завод выйдет на полную мощность.

По словам Горски, компания инвестировала в строительство около €2 млрд, а оставшиеся €3 млрд будут в дальнейшем израсходованы на пополнение парка оборудования завода по мере роста спроса. Ожидается, что работа завода обеспечит до 1000 рабочих мест в Дрездене.

Завод Smart Power Fab будет производить чипы как из кремния, так и из карбида кремния. На последние уже есть крупный клиент — Siemens, с которой 8 июня компания Infineon заключила соглашение о партнёрстве по поставке силовых модулей CoolSiC MOSFET для твердотельных автоматических выключателей Siemens SENTRON 3QD2, которые обеспечивают защиту ИИ ЦОД и ИИ-фабрик от электрических сбоев.

«ИИ ЦОД и ИИ-фабрики становятся всё более электрифицированными и сложными, — отметил Андреас Вайсл (Andreas Weisl), директор по продажам Infineon в промышленном и инфраструктурном сегменте. — Это повышает уязвимость к электрическим сбоям».

Бум искусственного интеллекта выявляет неожиданные «узкие места» в самых разных отраслях, и человеческий фактор не становится исключением. Samsung Electronics удалось избежать крупнейшей забастовки рабочих, но планы южнокорейских производителей чипов по расширению мощностей рискуют пострадать от забастовки водителей бетономешалок, которые участвуют в строительстве.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Источник изображения: Unspalsh, meow suk

У представителей данной сферы деятельности в Южной Корее есть свой профсоюз, и он с понедельника инициировал приостановку доставки готового бетона в Сеуле и окрестностях. В забастовке приняли участие 8000 членов этого профессионального объединения водителей строительной техники. По данным южнокорейских СМИ, с четверга прекратилась поставка бетона на строительную площадку в Пхёнтхэке, где Samsung расширяет комплекс по производству микросхем памяти. У конкурирующей SK hynix возникли аналогичные проблемы в Йонъине, где она тоже расширяет свои производственные мощности. Компания попыталась минимизировать краткосрочный ущерб, пересмотрев последовательность возведения своих строительных объектов.

Как и в случае с несостоявшейся забастовкой сотрудников Samsung, водители бетономешалок требуют повышения зарплат и пересмотра условий труда. Руководство профсоюза уже провело переговоры с работодателями, достигнув предварительного соглашения, но по итогам голосования в среду оно не было принято членами профсоюза. В этих условиях забастовка продолжилась. Строители успели немного ускорить поставки бетона в ожидании этой акции, поэтому в краткосрочной перспективе ущерб от забастовки не будет серьёзным. Если же поставки бетона на строительные площадки не будут возобновлены позднее, это окажет серьёзное негативное влияние на сроки реализации проектов местных производителей чипов.

На ежегодном собрании акционеров председатель совета директоров TSMC Си-Си Вэй (C.C. Wei) уже признавался, что не уверен в способности компании удовлетворить спрос на чипы в перспективе нескольких ближайших лет. На этой неделе он добавил, что крупнейшему контрактному производителю чипов больше всего не хватает квалифицированного персонала и водных ресурсов.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Источник изображения: TSMC

Как известно, основная часть предприятий TSMC сосредоточена на Тайване, а этот остров не только подвержен воздействию природных бедствий типа тайфунов и землетрясений, но и испытывает нехватку энергетических и водных ресурсов. Кроме того, потребность в активной экспансии производственных мощностей приводит к дефициту кадров на предприятиях TSMC. На это как раз и пожаловался глава компании, выступая на церемонии открытия нового технопарка на юге Тайваня.

Зато проливной дождь, сопровождавший мероприятие, очень обрадовал руководителя TSMC: «Ещё в прошлом месяце я задавался вопросом — а что нам делать с водой? Нужно ли начинать возить её при помощи автоцистерн?» Дефицит пресной воды, которая нужна для выпуска чипов, уже не первый раз мешает TSMC следовать своему производственному плану. Во многом запасы воды в тайваньских водохранилищах определяются погодой в конкретные периоды. В прошлом властям даже приходилось ограничивать потребление воды для нужд сельского хозяйства, отдавая приоритет производству чипов.

Как признался Вэй, присутствовавший на церемонии президент острова Лай Циндэ (Lai Ching-te), поделился с ним правительственными планами по соединению всех островных водохранилищ между собой системой каналов. В случае реализации такого плана, по мнению главы TSMC, ему уже не придётся говорить о дефиците земли, воды или электричества. На юге Тайваня климат более засушлив, к концу зимы местные водохранилища почти обмеливают, и восполнение запасов воды во многом определяется весенним климатом.

При этом главным дефицитом для TSMC остаются людские ресурсы, как подчеркнул Си-Си Вэй. Он призвал готовить больше кадров в тех регионах острова, где компания развивает своё производство. Власти Тайваня в этом смысле готовы способствовать решению проблемы нехватки кадров, привлекая их из-за рубежа и упрощая трудовую иммиграцию. По словам главы TSMC, даже с учётом планов компании по расширению присутствия за пределами острова, Тайвань в качестве поставщика полупроводниковых компонентов будет оставаться главным источником.