Опрос
|
реклама
Быстрый переход
ИИ-ускорители упёрлись в предел скорости HBM, и эта проблема пострашнее дефицита памяти
11.01.2026 [12:27],
Алексей Разин
По оценкам представителей отрасли, современные ИИ-ускорители в своём развитии достигли того этапа, когда пропускная способность интерфейса памяти становится узким местом на пути дальнейшего масштабирования быстродействия. Дефицит памяти или её объём в этом отношении уходят на второй план, и устранение этого барьера главным образом зависит от разработчиков GPU и больших языковых моделей. 
Источник изображения: Nvidia По словам сооснователя Majestic Labs Ша Рабии (Sha Rabii), на которого ссылается CNBC, если непосредственно ускорители вычислений в последние годы продвинулись в своём быстродействии весьма значительно, сопутствующая им память стала не особо быстрее. По сути, именно производительность памяти ограничивает сейчас дальнейший рост быстродействия больших языковых моделей. При этом переход к инференсу увеличит потребности в объёме памяти, так что спрос на неё будет расти очень быстро. В любом случае, чем больше в инфраструктуре ИИ памяти, тем большее количество клиентов она способна обслуживать в единицу времени. О необходимости наращивать объёмы выпуска памяти на CES 2026 говорил и основатель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang). Он даже отметил, что покупатели игровых решений компании типа видеокарт и консолей «обижены» на отрасль ИИ, поскольку дефицит памяти толкает цены вверх даже в указанных смежных сегментах рынка. Даже запланированный AMD и Nvidia переход на использование памяти типа HBM4 не позволит полностью решить проблему пропускной способности. Память этого семейства всё равно ограничена в количестве задействованных каналов и высоте стека микросхем, не говоря уже о ширине интерфейса. Пропускная способность вычислительных систем могла бы масштабироваться гораздо эффективнее, если бы не свойственные HBM ограничения. Наращивать количество вычислительных блоков в составе GPU в таких условиях не имеет особого смысла, ибо память не будет успевать передавать все данные при вычислительных нагрузках, имеющих отношение как к обучению больших языковых моделей, так и инференсу. Доступные разработчикам компонентов методы упаковки чипов также выступают в роли специфического ограничивающего фактора, в условиях высокого спроса профильные мощности сильно загружены, усиливая дефицит скоростной памяти и повышая расходы производителей. На архитектурном уровне разработчики пытаются изучать альтернативы типа осуществления вычислений прямо внутри микросхем памяти (PIM), увеличения плотности компоновки микросхем в составе стека памяти, а также применения в многокристальных решениях прогрессивных интерфейсов типа UCIe, которые позволяют не только увеличить эффективную полосу пропускания, но и снизить задержки при работе с данными. Темпы дальнейшего масштабирования инфраструктуры ИИ будут зависеть от прогресса в сфере внедрения более скоростной памяти. HBM4 предложит прирост быстродействия в полтора раза относительно HBM3E, позволяя через свою более широкую 2048-разрядную шину передавать до 2 терабайт данных в секунду. К 2027 году на арену выйдет память типа HBM4E, которая потенциально увеличить скорость передачи информации ещё в полтора раза. Внедрение интерфейса CXL также должно способствовать повышению эффективности обмена данными между компонентами вычислительных систем. В части памяти переход к CXL обеспечит увеличение степени загрузки на 50 %, а также снижение энергопотребления на величину до 20–30 %. Появление новых методов трёхмерной компоновки памяти тоже должно способствовать повышению производительности и снижению энергопотребления. Китайские учёные сообщили о разработке альтернативной ячейки памяти DRAM — дешевле и лучше «классики»
10.01.2026 [13:39],
Геннадий Детинич
Хотя Китай находится под санкциями в плане возможности закупок передового оборудования для производства чипов, включая оперативную память, работе исследователей это сильно не вредит. Более того, санкции заставляют активнее искать альтернативы классическим производствам, включая разработку перспективных архитектур. Одним из таких открытий стала разработка китайскими учёными архитектуры ячейки DRAM без обязательного конденсатора. 
Источник изображения: IME CAS О разработке сообщили исследователи из Института микроэлектроники при Китайской академии наук (IME CAS), создавшие техпроцесс производства новой памяти совместно с другими научными учреждениями Китая. В общем случае речь идёт о ячейке DRAM стандартного относительного размера 4F² (это минимальный размер классической ячейки памяти с одним транзистором и одним конденсатором). Тем самым ячейка новой архитектуры не больше классической, что уже намекает на хорошие перспективы разработки. Самое важное, что «китайская» ячейка не содержит отдельного конденсатора для хранения заряда (данных), что всегда служило проблемой для снижения масштаба техпроцесса производства DRAM. Вместо этого заряд хранится в канале управляющего транзистора ячейки, иначе называемого плавающим зарядом. Более того, у ячейки два управляющих транзистора (схема 2T0C), что позволяет им хранить заряд совместно в одном общем канале. Это повышает стабильность работы ячейки во всех режимах, включая снижение токов утечек. Также эта архитектура даёт возможность записывать два бита данных в каждую ячейку, обеспечивая четырёхуровневое значение заряда. Не менее хитро продуман техпроцесс производства новой памяти, и он предельно простой — заключается всего в одном экспонировании и одной обработке после экспонирования. Литографическая обработка производится сразу для заранее подготовленной многослойной пластины, состоящей из пяти нанометровых слоёв полупроводников, таких как материалы IGZO, тантал и другие, разделённых четырьмя слоями изолятора в лице диоксида кремния. В пластине за один проход вытравливаются углубления до 120 нм, стенки которых затем отжигом и напылением превратят в элементы транзисторов. Каждое углубление представляет собой два транзистора и, фактически, одну ячейку памяти. Транзисторы изготавливаются за один проход и поэтому не требуют совмещения по осям — процесс происходит как бы с самовыравниванием. Верхний транзистор отвечает за запись ячейки, а нижний — за чтение. Между ними физически расположен канал, одновременно являющийся местом для хранения заряда. Похоже, что проще техпроцесса для выпуска DRAM не придумать, что может стать основой для массового производства относительно недорогой оперативной памяти. Согласно проведённым исследованиям образцов новой памяти, ячейка может хранить данные 470–500 секунд без регенерации. Это не NAND-флеш, но тоже интересно с точки зрения снижения потребления новой архитектурой DRAM. Данное свойство может быть востребовано во встраиваемой архитектуре DRAM для мобильных применений. Задержка чтения составляет 50 нс, что сопоставимо с возможностью DDR5. Температурные дрейфы напряжения затвора находятся в допустимом диапазоне — менее 100 мВ для 85 °C. Одним словом, хоть сейчас в производство. Кстати, техпроцесс идеален для стекового многослойного выпуска оперативной памяти, с чем сегодня пока проблемы. Впрочем, ещё вопрос, попадёт ли эта память в производство. Очевидно, что одних лабораторных исследований для этого недостаточно. Неясны уровень брака и повторяемость характеристик в производственных условиях. Как бы там ни было, от лабораторных экземпляров до серийных чипов могут пройти даже не годы, а десятилетия, как показывает практика внедрения ReRAM, FeRAM, MRAM и других типов перспективной памяти. Гендиректор Intel рассказал об освоении 14A и работе с заказчиками
10.01.2026 [13:31],
Павел Котов
Основной новинкой от Intel на выставке CES 2026 стали процессоры Core Ultra 3-й серии «Panther Lake», но генеральный директор компании Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan) воспользовался мероприятием как возможностью поговорить о техпроцессе 14A (1,4 нм) и заверить потенциальных клиентов и инвесторов, что работа в этом направлении продвигается успешно. 
Источник изображения: Brecht Corbeel / unsplash.com «Активно работаем над технологией 14A. Следите за новостями, 14A отлично проявит себя с точки зрения выхода годной продукции и комплекта решений для качественного обслуживания клиентов», — заявил он. Технология Intel 14A, как ожидается, будет готова к работе в массовом производстве в 2027 году, а первые версии инструментов PDK (Process Design Kit) для клиентов выйдут в начале этого. Заявление господина Тана также может означать, что у Intel уже есть минимум один клиент на производство полупроводниковой продукции с использованием технологии 14A. Актуальный техпроцесс Intel 18A, который применяется при изготовлении чипов Panther Lake, — важный этап в развитии решений компании: он знаменует переход на технологию RibbonFET транзисторов с окружающим затвором (GAA) и PowerVia — схему подачи питания с обратной стороны кристалла. Техпроцесс 14A не менее важен — в его основу ложатся разработки, которые компания сделала при разработке 18A. С появлением 14A компания перейдёт на транзисторы RibbonFET второго поколения и на схему обратной подачи питания PowerDirect второго поколения непосредственно на сток и исток транзисторов, что поможет эффективнее этим питанием управлять. Ещё одним нововведением станут узлы Turbo Cells — они помогут оптимизировать критически важные пути синхронизации, то есть повысить скорость работы чипа без значительных компромиссов по его площади или потреблению энергии. Ещё один важный для Intel момент в отношении техпроцесса 14A состоит в том, что он будет активно предлагаться другим игрокам — компания станет полномасштабным полупроводниковым подрядчиком. С 18A ей не удалось привлечь ни одного крупного клиента с заказами достаточного объёма за исключением в большей мере собственных нужд и в меньшей — нужд Microsoft и Министерства обороны США. С переходом на 14A Intel рассчитывает как минимум ещё на одного клиента с большими объёмами заказов, которые помогут производителю окупить инвестиции в разработку передового техпроцесса. Сложность в том, что утверждённый план капитальных затрат не предусматривает вложений в мощности 14A для сторонних клиентов. То есть если заказ поступит от игрока масштабов Apple, AMD, Nvidia или Qualcomm, ей придётся смириться с инвестициями в дополнительные мощности, и выход производственного подразделения на безубыточность снова будет отложен. 
Источник изображения: Rubaitul Azad / unsplash.com «Когда мы привлечём клиента на Intel 14A, нам придётся наращивать расходы задолго до получения дохода. Откровенно говоря, по мере формирования определённого спроса со стороны клиентов, этот этап [выход на безубыточность], вероятно, отложится. Но, думаю, большинство инвесторов отнесётся к этому спокойно, потому что это подтвердит, что мы действительно сможем создать собственное контрактное производство чипов», — заявил в ноябре минувшего года корпоративный вице-президент Intel по корпоративному планированию и связям с инвесторами Джон Питцер (John Pitzer). Контрактные производители полупроводников традиционно обсуждают с клиентами перспективные техпроцессы ещё до введения необходимых мощностей — и наращивают мощности лишь после того, как первые клиенты возьмут на себя соответствующие обязательства. В Intel такая модель пока отсутствует, потому что основной клиент — её собственное подразделение Products Group, и мощности вводятся в первую очередь для удовлетворения собственного спроса. Особенно остро вопрос встаёт, когда речь идёт о передовом производстве: тепроцесс Intel 14A, например, требует низко- и высоко апертурного EUV-оборудования и других дорогостоящих машин. Капитальные затраты оказываются огромными, и производитель просто не может позволить себе простой мощностей — они наращиваются только при гарантированной загрузке более 80 %. С другой стороны, предложение клиентам техпроцесса без доступных мощностей может угрожать планам Intel стать контрактным производителем. Её конкуренты в лице TSMC и Samsung Foundry расширяют предприятия, когда уже есть несколько основных клиентов, и ожидается дальнейший рост спроса. Передовое оборудование, в том числе EUV-сканеры, отличают весьма продолжительные сроки поставки, и если Intel не сможет вовремя предоставить мощности новым клиентам, её план может просто рухнуть. Qualcomm ведёт переговоры с Samsung о контрактном производстве 2-нм чипов
10.01.2026 [11:09],
Николай Хижняк
По информации газеты Korea Economic Daily, ссылающейся на генерального директора Qualcomm Кристиано Амона (Cristiano Amon), американская компания ведёт переговоры с Samsung Electronics о контрактном производстве двухнанометровых чипов. 
Источник изображения: Qualcomm По данным газеты, Qualcomm ведёт переговоры с Samsung Electronics, а также несколькими другими компаниями-производителями полупроводников, о контрактном производстве их чипов с использованием новейшего двухнанометрового процесса. Отмечается, что разработка новых чипов уже завершена и и они готовы для коммерциализации в ближайшем будущем. Как сообщает издание Reuters, в Qualcomm не предоставили комментариев в ответ на запрос. Samsung Electronics заявила, что не комментирует информацию о конкретных клиентах. Один из директоров и руководителей подразделения по производству чипов Samsung Electronics, Чон Ён-хён (Jun Young-hyun), заявил на прошлой неделе, что недавние соглашения о поставках с крупными клиентами подготовили её убыточный бизнес по производству микросхем «к большому рывку вперёд». В июле прошлого года Samsung Electronics заключила сделку с Tesla на сумму $16,5 млрд. TSMC нарастила квартальную выручку на 20 % и превзошла прогнозы
09.01.2026 [19:32],
Павел Котов
Тайваньская TSMC, крупнейший в мире контрактный производитель полупроводниковой продукции, сообщила о росте выручки в IV квартале на 20,45 % по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. Превзойти прогнозы аналитиков компании помог высокий спрос на оборудование для систем искусственного интеллекта. 
Источник изображения: tsmc.com Компания, среди клиентов которой значатся Nvidia и Apple, стала одним из бенефициаров эпохи ИИ — она более чем компенсировала TSMC снижение спроса на чипы для потребительской электроники, обозначившееся в пандемию. Выручка в период с октября по декабрь составила 1,046 трлн тайваньских долларов ($33,11 млрд), подсчитали в Reuters на основе открытых данных. Аналитики ожидали увидеть 1,036 трлн тайваньских долларов ($32,79 млрд); в прогнозе самой компании значился диапазон от $32,2 млрд до $33,4 млрд — прогнозы производитель публикует в долларах США. В IV квартале 2024 года выручка TSMC была 868,46 млрд тайваньских долларов ($27,49 млрд). 
Показатели роста выручки TSMC. Здесь и далее источник изображений: Bloomberg Полные финансовые результаты за IV квартал 2025 года TSMC опубликует 15 января вместе с обновлённым прогнозом за текущий квартал и за весь год, включая планируемые капитальные затраты и прогноз по росту выручки. За минувший год торгующиеся на Тайбэйской бирже акции TSMC показали рост на 44,2 %, опередив рынок на 25,7 %. 
Динамика акций TSMC Ранее тайваньская Foxconn, крупнейший в мире контрактный производитель электроники, сообщила о рекордных продажах в объёме 2,6028 трлн тайваньских долларов ($82,61 млрд), что соответствует росту на 22,07 %. Micron на следующей неделе заложит фундамент крупнейшего комплекса по производству памяти в США
08.01.2026 [08:59],
Алексей Разин
Ещё при президенте Байдене компания Micron Technology объявила о намерениях построить в США крупные предприятия по производству памяти, часть которых должна расположиться в штате Нью-Йорк. Пройдя все необходимые этапы согласований, она теперь готова 16 января заложить фундамент комплекса в этом штате, который станет крупнейшим среди подобных на территории США. 
Источник изображения: Micron Technology В общей сложности на строительство четырёх предприятий по выпуску микросхем памяти в штате Нью-Йорк будет направлено около $100 млрд, и это половина всей суммы, которую Micron собирается направить на развитие производства в США в ближайшие полтора десятилетия. В середине января будет в торжественной обстановке заложен фундамент первого из четырёх предприятий на территории штата Нью-Йорк, но оно вряд ли начнёт выпускать продукцию ранее 2030 года. Ещё три предприятия по соседству будут достроены до 2040 года, так что программа развития комплекса рассчитана на длительный срок. Micron подчёркивает, что этот комплекс станет самым современным с технологической точки зрения, во многом его возможности будут использоваться для удовлетворения спроса на память со стороны инфраструктуры для ИИ. Кроме того, эта площадка станет самой крупной среди выпускающих полупроводниковые компоненты на территории США. Судя по обширному списку приглашённых на январскую церемонию закладки фундамента официальных лиц, обратного пути не будет, и как минимум первое предприятие по выпуску памяти в штате Нью-Йорк компания построит. Производители памяти сворачивают выпуск MLC — спрос есть, но выгоднее выпускать другую флеш-память
08.01.2026 [08:42],
Алексей Разин
В прошлом году серьёзной трансформации подверглась отрасль по производству оперативной памяти DRAM, поскольку запросы серверного сегмента заставили участников рынка отдавать предпочтение выпуску HBM и DDR5, а все прочие направления в результате страдали. В текущем году в сфере выпуска NAND будет наблюдаться падение объёмов выпуска MLC на 41,7 %. 
Источник изображения: Micron Technology Такой прогноз делают представители TrendForce, традиционно пристально следящие за тенденциями рынка памяти. Выпуск твердотельной памяти типа MLC, которая предполагает хранение двух бит информации в ячейке и соответственно не может похвастаться высокой плотностью, перестаёт привлекать производителей NAND. В текущем году они предпочтут перенаправить свои ресурсы и мощности на более актуальные виды продукции, в результате чего по итогам года мощности по выпуску MLC сократятся на 41,7 %. Компания Samsung Electronics окажет существенное влияние на рынок, поскольку к июню 2026 года свернёт поставки MLC, а ведь именно она оставалась крупнейшим производителем памяти такого типа. Kioxia, SK hynix и Micron наращивать выпуск MLC не собираются, поскольку имеющиеся объёмы нужны для обеспечения поставок избранным клиентам, а мотивация для увеличения объёмов производства у этих участников рынка отсутствует. Samsung о своём решении уйти с рынка объявила ещё в марте прошлого года, поэтому с конца первого квартала цены на MLC начали неуклонно расти высокими темпами. По мнению представителей TrendForce, память типа MLC продолжает пользоваться стабильным спросом со стороны производителей робототехнической продукции, автомобильной электроники, медицинского и сетевого оборудования. Производителям таких устройств важны высокий ресурс памяти и стабильность поставок. Альтернативой MLC в этой сфере могут выступать адаптированные решения на базе TLC, долгосрочные перспективы рынка пока не определены. К слову, воспользоваться конъюнктурой готова тайваньская Macronix, которая даже перепрофилировала часть мощностей по выпуску NOR Flash под нужды MLC ради увеличения объёмов выпуска последней. В сегменте NOR Flash при этом наблюдался избыток предложения, поэтому подобные шаги должны привести к стабилизации цен и некоторому их росту. В прошлом квартале операционная прибыль Samsung взлетела в три с лишним раза на фоне дороговизны памяти
08.01.2026 [07:48],
Алексей Разин
В условиях, когда цены на память за квартал успевают вырасти на десятки процентов, производителям не приходится жаловаться на ухудшение финансовой обстановки. В прошлом квартале операционная прибыль Samsung увеличилась более чем втрое до $14 млрд, а выручка увеличилась в годовом сравнении на 22,7 % до $64 млрд.  Южнокорейский гигант уже подвёл предварительные итоги прошлого квартала и всего фискального года, но более подробный отчёт за период опубликует позже. Прошлый фискальный год характеризовался для Samsung ростом выручки на 10,6 % до $230 млрд, а операционная прибыль за весь год выросла на треть до $30 млрд. По сути, почти половину годовой операционной прибыли компания получила в четвёртом квартале, что отображает ускорение роста цен на память во втором полугодии. Операционная прибыль в четвёртом квартале последовательно выросла на 64,3 %, а выручка последовательно увеличилась на 8,1 %. Аналитики Macquarie считают, что именно Samsung станет одним из главных выгодоприобретателей в сегменте компонентов для ИИ. Дефицит памяти только усугубляется, до 2028 года ситуация с поставками не нормализуется, по их мнению. По прогнозам аналитиков Counterpoint Research, в текущем квартале цены на память вырастут на величину от 40 до 50 %, а во втором квартале подрастут ещё на 20 %. Динамика цен на память уже перекрыла достижения «суперцикла» 2018 года. Спрос на память достиг исторических максимумов. Акции Samsung на фоне публикации предварительных итогов квартала выросли в цене на 1,8 %. В своём новогоднем обращении к сотрудникам руководство Samsung заявило, что клиенты компании высоко оценили качества памяти HBM4, и это позволяет ей рассчитывать на устранение отставания от SK hynix, которое наблюдалось в сегменте HBM3E. Samsung оправилась от провала с HBM3E и утверждает, что клиенты довольны её HBM4
02.01.2026 [14:38],
Владимир Фетисов
Клиенты Samsung Electronics высоко оценили конкурентоспособность чипов памяти нового поколения HBM4. Об этом пишет информационное агентство Reuters со ссылкой на заявление одного из топ-менеджеров южнокорейской компании Чун Ён Хена (Jun-Young-hyun). 
Источник изображения: Samsung Electronics В октябре Samsung сообщала о проведении переговоров по поставкам своих чипов памяти HBM4 американскому производителю графических ускорителей Nvidia. За счёт этого Samsung рассчитывала догнать конкурентов, таких как SK Hynix, в сегменте поставок чипов для сферы искусственного интеллекта. «В частности, что касается HBM4, то клиенты заявили, что Samsung вернулась», — приводит источник слова Чун Ён Хена. Он также добавил, что компании предстоит проделать большую работу для дальнейшего повышения конкурентоспособности своих чипов. Генеральный директор SK Hynix Квак Но-Джун (Kwak Noh-Jung) в своём предновогоднем обращении к сотрудникам заявил, что компания сумела извлечь выгоду из благоприятных внешних условий, поскольку спрос на чипы памяти для сферы ИИ вырос быстрее, чем ожидалось. Он добавил, что конкуренция стремительно обостряется, и теперь спрос на ИИ-чипы — это данность, а не приятная неожиданность. По его мнению, бизнес-среда в 2026 году будет более жесткой, чем в прошлом году, но время смелых инвестиций не прошло, поскольку они помогут подготовиться к будущему. Данные аналитической компании Counterpoint Research указывают на то, что SK Hynix была лидером на рынке памяти HBM в третьем квартале 2025 года с долей в 53 %. Следом за ней находились Samsung и Micron, занявшие 35 % и 11 % рынка соответственно. Акции Samsung и SK Hynix завершили первую торговую сессию нового года ростом на 7,2 % и 4 % соответственно, обновив рекордные максимумы и опередив рост базового индекса KOSPI на 2,3 %. Что касается контрактного производства, то, по словам Чун Ён Хена, недавно Samsung заключила несколько сделок по поставкам крупным заказчикам, тем самым подготовив данное направление бизнеса к «большому скачку вперёд». Помимо прочего, Samsung заключила соглашение с Tesla стоимостью $16,5 млрд. Прототип частной полупроводниковой фабрики на орбите Земли впервые выработал плазму в космосе
01.01.2026 [16:06],
Геннадий Детинич
Британская компания Space Forge объявила об успешной генерации плазмы на борту своего спутника ForgeStar-1, который с лета 2025 года находится на низкой околоземной орбите. Это стало первым в истории примером коммерческой спутниковой платформы, способной создавать плазму и условия для роста кристаллов из газовой фазы. Ранее это было показано только в научных экспериментах на борту МКС. Коммерциализация процесса обещает новый виток развития отрасли. 
Источник изображений: Space Forge Генерация плазмы — это ключевой шаг для создания в условиях микрогравитации среды, пригодной для выращивания кристаллов материалов с широкой запрещённой зоной, таких как нитрид галлия, карбид кремния, нитрид алюминия и алмаз. Эти материалы используются в силовой электронике, системах связи, квантовых системах, оборонных технологиях и высокопроизводительных вычислениях, но на Земле их производство сопровождается дефектами кристаллической структуры и загрязнениями. В космосе благодаря отсутствию конвекции, сверхвысокому вакууму и минимальному содержанию азота можно добиться кристаллов значительно более чистых, чем на Земле.  Спутник ForgeStar-1 будет проводить серию испытаний с целью изучения поведения плазмы в условиях микрогравитации, собирая данные, которые послужат основой для проектирования и эксплуатации будущих космических полупроводниковых производств. Образцы материалов данного эксперимента на ForgeStar-1 будут под контролем уничтожены вместе с платформой при спуске в атмосферу Земли. Во-первых, их возвращение не предусмотрено — это будет реализовано в последующих миссиях. Во-вторых, компания проверит способность платформы контролируемо уничтожаться, чтобы не увеличивать объём космического мусора на орбите.  В отдалённой перспективе Space Forge планирует объединить орбитальное выращивание «семян» кристаллов с наземной обработкой, возвращая их на Землю для окончательной переработки в пластины на своём производстве. Такой гибридный подход позволит дополнять существующие цепочки поставок, а не заменять их, и открывает путь к новому формату производства высокопроизводительных материалов с качеством, недостижимым на Земле. Neuralink начнёт массовое производство мозговых имплантов в 2026 году
01.01.2026 [15:33],
Владимир Фетисов
Компания Neuralink, принадлежащая американскому бизнесмену Илону Маску (Elon Musk), намерена начать «массовое производство» мозговых имплантатов и перейти к полностью автоматизированной хирургической процедуре по их установке в 2026 году. Об этом Маск написал в одном из недавних сообщений в соцсети X. 
Источник изображений: Neuralink Напомним, Neuralink разрабатывает импланты для помощи парализованным людям. Первый пациент, которому вживили такой чип, смог буквально при помощи мысли взаимодействовать с видеоиграми, просматривать веб-контент и управлять курсором на ноутбуке. Neuralink начала клинические испытания своего импланта на людях в 2024 году после того, как были решены вопросы безопасности, поднятые Управлением по санитарному надзору за качеством пищевых продуктов и медикаментов (FDA) США. Первую заявку на проведение клинических испытаний на людях компания подала в 2022 году, но надзорное ведомство её отклонило. В сентябре прошлого года Neuralink объявила, что в настоящее время 12 человек с тяжёлой формой паралича по всему миру получили импланты, благодаря чему у них снова появилась возможность взаимодействия с физическими устройствами. В середине прошлого года Neuralink сумела привлечь $650 млн инвестиций в ходе очередного раунда финансирования. Представители компании пока никак не комментировали заявление Маска о начале серийного производства имплантов. Китайский производитель памяти CXMT собирается выручить в ходе IPO до $4,2 млрд
01.01.2026 [09:00],
Алексей Разин
Давно понятно, что наблюдавшийся в прошлом году подъём цен на память вызван бумом ИИ, который нацелил ресурсы всех производителей на удовлетворение спроса в этом сегменте рынка. Пожалуй, для привлечения инвестиций производителям памяти лучшего времени не найти, поэтому китайская CXMT собирается выйти на биржу в Шанхае именно сейчас, рассчитывая привлечь $4,2 млрд. 
Источник изображения: CXMT В прошлом году CXMT, которая является крупнейшим производителем DRAM в Китае, почти удвоила свою выручку и ожидает благодаря этому перейти на безубыточность. В мировых масштабах CXMT является четвёртым по величине производителем DRAM, уступающим только тройке классических лидеров в лице Samsung, SK hynix и Micron. Вырученные на IPO деньги она намеревается направить на расширение производства памяти, модернизацию предприятий и разработку перспективных типов памяти. Ориентируясь главным образом на внутренний рынок Китая, компания вполне неплохо могла бы себя чувствовать при наличии достаточных для расширения производства сумм. Следует учитывать, что инвестиции в производство памяти не дают моментальной отдачи, на строительство новых линий уходят годы, а в условиях западных санкций китайским производителям сложно получать доступ к необходимым технологиям и обеспечивать экономически оправданный уровень выхода годной продукции. Спрос уже превышает предложение, и дальше разрыв будет только увеличиваться, поэтому CXMT предстоит действовать решительно, находя адекватное применение вырученным на IPO средствам. Недавно CXMT оказалась замешана в скандале с предполагаемой утечкой технологических секретов Samsung Electronics, поэтому определённые репутационные издержки могут помешать ей завоёвывать доверие инвесторов. Дополнительные производственные мощности когда-нибудь пригодятся, даже если к моменту насыщения рынка памяти на этом этапе CXMT со своим расширением производства не успеет. Спрос на H200 в Китае в три раза превысил запасы Nvidia — TSMC придётся нарастить производство
31.12.2025 [14:11],
Алексей Разин
Ещё в середине уходящего месяца появлялась информация о том, что Nvidia придётся увеличивать объёмы производства ускорителей H200, поскольку на западных рынках она уже не делает на них больших ставок, а после снятия экспортных ограничений для Китая они станут самым производительным импортируемым решением, а потому будут востребованы. Сейчас становится понятно, что спрос на H200 в Китае кратно превышает запасы продукции Nvidia. 
Источник изображения: Nvidia В очередной публикации на эту тему Reuters сообщает, что китайские клиенты заказали Nvidia более 2 млн ускорителей H200, а она располагает запасом из не более чем 700 тысяч экземпляров. Чтобы насытить китайский рынок, Nvidia придётся заказывать у TSMC в производство дополнительное количество чипов H200, хотя точные числа в этом контексте не называются. Предполагается, что к выпуску новых партий H200 тайваньская TSMC приступит во втором квартале 2026 года. Поскольку более современные чипы Nvidia остаются в дефиците по всему миру, перераспределение ресурсов в пользу H200 для Китая может усугубить проблемы с их доступностью за пределами страны. Кроме того, сама Nvidia тоже рискует, поскольку не факт, что китайские власти разрешат всем компаниям в КНР покупать импортные ускорители в желаемых количествах. По данным источников, Nvidia определилась, какие именно версии ускорителей H200 будет поставлять в Китай, а также назначила цену в $27 000 за одну штуку. Новые ускорители окажутся для китайских клиентов в среднем на четверть дороже прежних H20, но при этом по уровню быстродействия они окажутся до шести раз выше. Более того, закупать H200 по официальным каналам окажется на 15 % выгоднее, чем по «серым», которые использовались китайскими разработчиками ранее в условиях ограничений США. Представители Nvidia в комментариях для Reuters отказались вдаваться в детали, но заявили, что необходимость поставлять H200 в Китай не скажется на способности компании обслуживать заказы клиентов на других географических рынках. Первая партия ускорителей H200 прибудет в Китай до середины февраля, на её комплектацию будут направлены чипы из имеющихся запасов готовой продукции. Источники пояснили, что из 700 000 имеющихся у Nvidia чипов примерно 100 000 являются версиями Grace Hopper, объединяющих CPU и GPU, а оставшиеся являются именно дискретными GPU. При этом китайским заказчикам будут доступны оба варианта ускорителей. Основная часть из более чем 2 млн заказанных китайскими клиентами ускорителей H200 должна быть направлена на нужды местных интернет-гигантов. Последних китайские власти могут обязать покупать вместе с каждым импортным ускорителем некоторое количество отечественных. Ускорителей китайской разработки с уровнем быстродействия H200 на местном рынке пока нет, но с H20 в этом отношении некоторые уже соперничают. Китайская SMIC выкупила одно из своих подразделений за $5,8 млрд
30.12.2025 [13:13],
Алексей Разин
Являющаяся крупнейшим контрактным производителем чипов в Китае компания SMIC владеет не только собственными мощностями, но и некоторыми совместными предприятиями подобного профиля. Одно из них, именуемое SMNC — Semiconductor Manufacturing North China Corp., до недавних пор на 49 % принадлежало прочим акционерам, но недавно материнская компания решила выкупить оставшиеся акции. 
Источник изображения: TSMC Примечательно, по данным Silicon Angle, что денежных затрат эта сделка на сумму $5,79 млрд от SMIC не потребует, поскольку для получения 49 % акций дочерней SMNC она выпустит и передаст в собственность акционеров последней 547,2 млн акций класса A. Помимо SMIC, дочерняя SMNC располагала ещё пятью акционерами, среди которых числились и инвестиционные фонды с государственным участием. SMNC была основана в 2013 году, до недавних пор она сосредотачивалась на выпуске 45-нм продукции, но постепенно перешла к производству 12-нм продукции. Она выпускает и прочие виды сопутствующих изделий, включая кремниевые пластины типоразмера 300 мм. Совместно с другим подразделением SMIC (SMBC), эта компания в первой половине текущего года выручила $1,24 млрд, увеличив показатель на 22 % в годовом сравнении. Чистая прибыль SMNC и SMBC за период в совокупном выражении составила около $18 млн. Выкуп акций SMNC, по всей видимости, направлен на консолидацию активов SMIC в попытке нарастить объёмы выпуска чипов для китайских заказчиков, что в условиях бума ИИ и стремления КНР к импортозамещению весьма актуально. По слухам, SMIC не только готовится наладить выпуск 5-нм чипов с использованием имеющегося оборудования западного производства, но и создать аналог EUV-сканеров ASML, которые в Китай не попадают из-за западных санкций. Теоретически, со временем это позволит SMIC выпускать более продвинутые полупроводниковые компоненты. США разрешили Samsung и SK hynix ещё год поставлять оборудование на свои фабрики в Китае
30.12.2025 [11:13],
Алексей Разин
Когда администрация Байдена начала ограничивать поставки американского оборудования в Китай, южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix сумели добиться сначала временного, а потом и долгосрочного разрешения обеспечивать свои китайские предприятия необходимым оборудованием. Срок действия этих лицензий истекал в этом месяце, но власти США продлили их ещё на год. 
Источник изображения: SK hynix Об этом сообщает Reuters со ссылкой на свои источники, попутно заявляя, что в этом году американские власти начали отзывать экспортные лицензии у некоторых компаний. Samsung Electronics и SK hynix сохраняют способность снабжать свои китайские предприятия по производству микросхем памяти зарубежным оборудованием, которое требуется для обновления производственной инфраструктуры, даже без учёта расширения объёмов выпуска. При нынешней американской администрации лицензии на поставку в Китай оборудования для выпуска чипов будут выдаваться максимум на один год, после чего нужно будет заново согласовывать выдачу новых. Предполагается, что аналогичную лицензию получила и TSMC, которая на своём предприятии в китайском Нанкине выпускает ассортимент чипов с использованием довольно зрелых литографических технологий. По мнению действующего правительства США, экспортный контроль при президенте Байдене был довольно слабым, поэтому действующие лицензии и разрешения сейчас пересматриваются. В случае с Samsung и SK hynix китайские предприятия являются основной базой по производству микросхем памяти, поэтому поддержание их исправного функционирования важно для всей полупроводниковой отрасли. Для этого в Китай необходимо ввозить новое оборудование для выпуска чипов, что компании смогут продолжать делать на протяжении как минимум 2026 года. По оценкам TrendForce, китайские предприятия Samsung обеспечат около трети всех объёмов выпуска NAND этой компанией в текущем году. В случае с SK hynix эта доля в сегменте NAND достигает 40–45 %, а в сегменте DRAM — от 30 до 35 %. Рост цен на память на фоне ИИ-бума уже привёл к тому, что выпускать её выгоднее, чем логические компоненты на заказ. В этом смысле сохранение возможности модернизировать свои китайские предприятия очень важно для бизнеса указанных южнокорейских производителей памяти. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
