Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Tokyo Electron уволила руководителя из-за слишком тесных связей с китайскими конкурентами
27.04.2026 [12:52],
Алексей Разин
Не самая известная в широких кругах японская компания Tokyo Electron в начале этой неделе поразительно часто замелькала в новостях не только из-за приговора по делу о промышленном шпионаже, который нанёс ущерб TSMC. Её также пришлось избавиться от бывшего руководителя бизнеса в Китае, который оказался связан с местными конкурентами. 
Источник изображения: Tokyo Electron Как поясняет Financial Times, речь идёт о Джей Чэне (Jay Chen), который до прошлого года руководили бизнесом Tokyo Electron в Китае. В феврале прошлого года его сместили с поста вице-президента Tokyo Electron и главы двух китайских представительств этой японской компании, поскольку осенью 2024 года руководству японской компании стало известно о связях Чэня с молодыми китайскими производителями оборудования для производства чипов, которые формально могут считаться прямыми конкурентами Tokyo Electron. До сентября прошлого года Чэнь сохранял за собой должность особого советника китайского подразделения Tokyo Electron, пока срок его контракта не истёк. Материнской компании удалось выяснить, что близкие Чэня имели отношение к инвестиционным структурам, поддерживающим китайских конкурентов Tokyo Electron. В частности, его супруга Такако Охтори (Takako Ohtori) владела пакетом акций компании WST Semiconductor Technology из Сучжоу, которая сперва сотрудничала с японским поставщиком оборудования в сфере его технического обслуживания, но потом начала разрабатывать аналогичное оборудование самостоятельно. Прототипы такого оборудования начали создаваться в 2022 году, оно изначально было ориентировано на способность быстро и без проблем интегрироваться в существующие производственные процессы. WST также специализировалась на реновации подержанного оборудования, которое после модернизации перепродавала в Китае. По данным Tokyo Electron, компания более не сотрудничает с WST. Одновременно сам Джей Чэнь являлся акционером и одним из основателей Britech Semiconductor Equipment, которая также занимается разработкой оборудования, схожего по назначению с продукцией Tokyo Electron. Жена Чэня также владеет пакетом акций указанной китайской компании. Джей Чэнь начинал свою работу в Intel, прежде чем в 1997 году его наняла Tokyo Electron для представления своих интересов в Китае. Участники рынка признают заслуги Чэня в увеличении присутствия оборудования Tokyo Electron в Китае. По словам представителей этой компании, никаких утечек технической информации из-за связей Чэня с китайскими конкурентами не обнаружено. Формально, Tokyo Electron даже не считает WST своим рыночным соперником. Бешеный спрос: у Intel теперь покупают даже те процессоры, которые раньше выбрасывались
27.04.2026 [10:03],
Алексей Разин
Взлёт выручки на направлении ЦОД на 22 % по итогам первого квартала Intel объяснила высоким спросом на свои процессоры. Она смогла реализовать даже старые складские запасы, которые относились к чипам прежних поколений. Более того, как выяснилось, в продажу поступили даже те чипы, которые в лучшие времена могли быть отбракованы, хотя по факту они вполне работоспособны, пусть и с оговорками. 
Источник изображения: Intel Как отмечает Tom’s Hardware со ссылкой на главу Creative Strategies, представители Intel подтвердили, что рост нормы прибыли компании отчасти обусловлен подходом к отбраковке чипов в новых условиях. Традиционно кристаллы, расположенные ближе к периферии кремниевой пластины, содержат больше дефектов и часто либо отбраковываются полностью, либо выводятся на рынок с более слабыми характеристиками под видом младших моделей. В условиях дефицита Intel стало выгоднее тщательнее проводить отбор среди таких «рисковых» чипов, чтобы продавать их в составе процессоров с более слабыми характеристиками по сравнению с теми, что оснащаются лучшими кристаллами из центральной части кремниевой пластины. Чипы из «группы риска» нашли своих покупателей, Intel смогла на них заработать, и в итоге все остались довольны. Возможно, подобной практики компания будет придерживаться до тех пор, пока не сможет в полной мере удовлетворять спрос на свою продукцию. Забастовка рабочих Samsung сократит мировой выпуск памяти — в условиях дефицита цены тут же подскочат
27.04.2026 [09:23],
Алексей Разин
«Репетиция» массовой забастовки сотрудников Samsung Electronics, которые не вышли в ночную смену на предприятии в корейском Пхёнтхэке, уже вызвала снижение объёмов выпуска памяти на нём на 18 %. К счастью для потребителей, Samsung выпускает память и на других предприятиях, включая расположенные в Китае, поэтому даже грядущая 18-дневная забастовка в Южной Корее не вызовет сокращения объёмов поставок DRAM на мировом рынке более чем на 3–4 %. И тем не менее, бесследно протест не пройдёт. 
Источник изображения: Samsung Electronics По крайней мере, к таким выводам приходят аналитики, на которых ссылается TrendForce. Они же добавляют, что по выпуску NAND мировой рынок в результате забастовки сотрудников Samsung в Южной Корее просядет на 2–3 %. При всей незначительности отклонений, в условиях острой нехватки памяти даже такое сокращение объёмов производства больно ударит по рынку, как отмечают эксперты. Ущерб Samsung от 18-дневной забастовки сотрудников, по мнению представителей профсоюза, достигнет $20 млрд. Проблема также заключается в необходимости возвращения производства к прежним уровням после длительного простоя, и соответствующий процесс растянется минимум на две или три недели. Нехватка работающего персонала также приведёт к снижению уровня загрузки функционирующего оборудования, и только этот фактор сократит объёмы выпуска памяти на 10–20 %. В любом случае, деятельность профсоюза Samsung приведёт к росту цен на мировом рынке памяти, снижению доверия клиентов к Samsung и перераспределению рынка в пользу конкурирующих SK hynix и Micron Technology. Главный обвиняемый по делу о хищении 2-нм технологии у TSMC приговорён к 10 годам лишения свободы
27.04.2026 [08:07],
Алексей Разин
В конце марта стало известно, что тайваньские органы правосудия завершили расследование в отношении бывшего сотрудника TSMC, который обвинялся в незаконной передаче сведений по 2-нм техпроцессу японской компании Tokyo Electron. Ему грозило до 20 лет тюремного заключения, но сегодня суд приговорил его к отбыванию половины данного срока. 
Источник изображения: Tokyo Electron В любом случае, как отмечает Bloomberg, такой приговор является достаточно жёстким и призван продемонстрировать решимость властей Тайваня в сфере защиты интересов национальной полупроводниковой промышленности. Напомним, бывшего сотрудника TSMC Чэнь Лимина (Chen Li-ming) обвиняли в незаконной передаче японской компании Tokyo Electron информации, касающейся 2-нм технологии производства чипов. Как полагает следствие, соответствующие секретные данные должны были помочь Tokyo Electron войти в число поставщиков оборудования для производства чипов по 2-нм технологии компанией TSMC. Четверо других обвиняемых по этому делу ограничились различными сроками заключения от десяти месяцев до шести лет. В первом случае суд признал вину женщины, приговорив её к заключению на десять месяцев, но с отсрочкой исполнения приговора на три года. Кроме того, тайваньское представительство Tokyo Electron должно будет выплатить в доход государства $4,8 млн, а TSMC передать $3,2 млн в качестве компенсации ущерба. Ведущий контрактный производитель чипов нередко становится пострадавшей стороной в подобных расследованиях. Власти Тайваня в 2025 года начали расследовать причастность SMIC к переманиванию инженеров TSMC. Одного из бывших руководителей TSMC, который перешёл на работу в Intel, также заподозрили в передаче секретных данных. Сама Intel подобные обвинения в свой адрес отвергла. Samsung получила первый работоспособный кристалл памяти, выпущенный по технологии тоньше 10 нм
27.04.2026 [07:21],
Алексей Разин
Являясь крупнейшим производителем памяти, южнокорейская Samsung Electronics старается своевременно переходить на использование более современных литографических норм, поскольку это в долгосрочной перспективе позволяет сократить издержки на выпуск памяти. Недавно компания получила первый работоспособный кристалл DRAM, изготовленный по технологии тоньше 10 нм. 
Источник изображения: Samsung Electronics Традиционно литографические нормы в сфере производства микросхем памяти отстают от сферы логических компонентов, поскольку в первом случае передовые технологии просто не требуются и себя не оправдывают. Так или иначе, до недавних пор производители памяти активно осваивали техпроцессы 10-нм класса, которые ранжировались в такой последовательности: 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c и 1d (в порядке убывания параметров геометрии). Samsung недавно получила первый работоспособный образец кристалла DRAM, изготовленный по техпроцессу поколения 10a, который открывает эпоху литографических норм тоньше 10 нм в производстве памяти. Линейные размеры в данном случае варьируются в диапазоне от 9,5 до 9,7 нм, как уточняет The Elec. Последующие этапы внедрения данного техпроцесса подразумевают начало его использования при массовом производстве чипов памяти в 2028 году. Три последовательных технологии (10a, 10b и 10c) будут подразумевать использование архитектуры ячеек 4F2 и транзисторов с вертикальным каналом (VCT). В рамках последующей технологии 10d компания собирается перейти на 3D DRAM. Samsung подстраховалась на тот случай, если 10a не получится внедрить в массовом производстве, параллельно разрабатывая альтернативные технологии, но получение работоспособных образцов позволяет надеяться, что основной сценарий сработает. Внедрение 10a влечёт для Samsung риски, связанные с увеличением плотности размещения ячеек памяти. Структура 4F2 подразумевает увеличение количества ячеек на единице площади кристалла на 30–50 %. Одновременно транзисторы с вертикальным каналом (VCT) позволяют разместить конденсатор над транзистором, также увеличивая плотность компоновки элементов на кристалле. Периферийные схемы будут изготавливаться на отдельном кристалле и монтироваться под основной методом гибридного соединения пластин. Изменения в компоновке повлекли и замену химического состава элементов. Вместо кремния Samsung будет изготавливать каналы транзисторов из оксида индия, галлия и цинка (IGZO) для подавления токов утечки и обеспечения более стабильного хранения данных в ячейках памяти более компактной структуры. В выборе материала для слововой линии Samsung рассматривала две альтернативы: нитрид титана и молибден, но второй обладает повышенной коррозионной активностью и требует внедрения нового оборудования, поэтому чаша весов пока не склонилась к какому-то конкретному варианту. Вертикальные каналы в транзисторах, по мнению экспертов, являются первым шагом к созданию 3D DRAM, поэтому Samsung движется к этой технологии эволюционным путём. В то же время, Micron Technology и китайские производители памяти собираются миновать этап 4F2 и VCT, рассчитывая сразу перейти к 3D DRAM. Трёхмерная компоновка, помимо прочего, позволит наладить выпуск памяти с более высокой плотностью без использования сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии (EUV), которая требует более дорогого оборудования. Для китайских производителей это вдвойне актуально с учётом отсутствия доступа к такому оборудованию в условиях западных санкций. Корейская SK hynix по примеру Samsung намерена применять 4F2 и VCT, но только в рамках техпроцесса 10b, а не 10a. Из-за протестов рабочих производство чипов Samsung моментально упало на 58 %
26.04.2026 [07:52],
Анжелла Марина
Выпуск микросхем на предприятиях Samsung Electronics в Южной Корее резко сократился в ночь на пятницу из-за массовой забастовки сотрудников, основным требованием которых стало повышение заработной платы. События развернулись на заводском комплексе в городе Пхёнтхэк к югу от Сеула. 
Источник изображения: Samsung Electronics По сообщению Reuters, выпуск чипов для контрактного производства (foundry) упал на 58 % в ночную смену с 22:00 четверга до 6:00 пятницы по местному времени. Производство чипов памяти сократилось за тот же период на 18 %. Многие работники, принявшие участие в протесте, впоследствии не вышли на ночную смену на южнокорейских производственных площадках компании. По данным профсоюза, заводы Samsung работают по круглосуточному графику, который разбит на три смены. Отсутствие сотрудников в одной из смен напрямую сказывается на общем объёме выпускаемой продукции. Пропуск ночной смены, вероятно, будет скомпенсирован работой в остальные смены, однако профсоюз зафиксировал конкретные цифры снижения именно за указанный промежуток времени. Samsung отказалась от комментариев по поводу произошедшего, не подтвердив и не опровергнув приведённые профсоюзом данные. Также пока неизвестно, планируются ли новые акции протеста или переговоры между администрацией и сотрудниками. Долгосрочная забастовка членов профсоюза Samsung в случае отсутствия прогресса по согласованию условий оплаты труда в компании должна начаться 21 мая. Intel похвалилась снижением брака по техпроцессам Intel 4, 3 и 18A
24.04.2026 [13:38],
Алексей Разин
С некоторых пор Intel отдельно публикует финансовые результаты своего контрактного подразделения Foundry, поэтому нынешняя квартальная отчётность позволила выяснить, что оно в годовом сравнении хоть и увеличило выручку с $4,7 до $5,4 млрд, избежать операционных убытков в размере $2,4 млрд не смогло. Зато уровень выхода годной продукции улучшился по всему спектру массово выпускаемых чипов. 
Источник изображений: Intel Как отметил финансовый директор компании Дэвид Зинснер (David Zinsner), уровень брака был снижен для техпроцессов Intel 4, Intel 3 и Intel 18A. Формально, это позволило улучшить показатели прибыльности. Впрочем, из-за преобладания расходов над доходами подразделения, норма прибыли на уровне минус 45 % всё равно остаётся отрицательной. Опять же, это лучший показатель за последние пять кварталов. По словам Зинснера, освоение техпроцессов Intel 18A и 14A идёт с опережением графика, но ускорение внедрения первого в массовом производстве вынудит компанию снизить норму прибыли во втором квартале с нынешних 41 % до 39 %.  С другой стороны, в течение этого года показатели прибыльности как раз будут улучшаться благодаря более широкому использованию Intel 18A в массовом производстве. Отчасти это будет происходить потому, что компания начнёт сама выпускать больше кристаллов для собственных процессоров, поскольку до этого она была вынуждена сильно полагаться на TSMC. В сфере освоения Intel 14A все цели по итогам первого квартала были достигнуты. Сейчас компания предлагает своим потенциальным клиентам инструментарий разработчика (PDK) версии 0.5, но уже во втором полугодии будет готов PDK 0.9, с помощью которого клиенты уже смогут к концу текущего года приступить к проектированию своих чипов, предназначенных для выпуска по технологии 14A. По всей видимости, среди них будут Tesla и SpaceX, но о специфике взаимоотношений с этими партнёрами руководство Intel пока ничего внятного не говорит. Сложно даже понять, будет ли техпроцесс Intel 14A использоваться Tesla на своём предприятии Terafab по лицензии, либо Intel всё же будет выпускать необходимые ей компоненты на собственных мощностях. Камеры Canon подорожают из-за бума ИИ — до производителя дотянулся кризис памяти, затраты подскочили
24.04.2026 [13:36],
Алексей Разин
Производители электроники вынуждены либо сокращать объёмы выпуска продукции в условиях дефицита памяти, либо пытаться закупить её в нужных количествах по высоким ценам. Японская корпорация Canon выбрала второй путь, но в масштабах года это увеличило её расходы на дополнительные $313 млн. Кроме того, операционная прибыль компании снижается быстрее, чем ожидалось. 
Источник изображения: Canon Акции Canon на японской фондовой площадке упали в цене максимально за последние 12 с лишним месяцев, на 8 %, после заявлений руководства компании о влиянии кризиса на рынке памяти на её бизнес. Этот производитель электроники смог сформировать необходимый запас микросхем памяти, но данные меры стоили ему дополнительных затрат в размере $313 млн, поскольку покупать память приходилось по завышенным ценам. Canon призналась, что будет вынуждена повышать цены на свою продукцию, но это компенсирует рост цен на память лишь частично. Кроме того, компания пока не определилась со степенью влияния ближневосточного кризиса на свой бизнес. Годовой прогноз по величине операционной прибыли Canon была вынуждена сократить на 5 % до $2,85 млрд. В этом смысле её росту не будет способствовать даже ситуация на рынке оборудования для производства чипов, ведь спрос на литографические системы, которые компания тоже поставляет, весьма высок. В первом квартале операционная прибыль Canon падала быстрее ожидаемого, сократившись на 26 % до $447 млн. Прибыль компании снижалась по многим направлениям деятельности: в устройствах печати, медицинском оборудовании, фотоаппаратуре и промышленном оборудовании. Примечательно, что это происходило на фоне роста выручки. Это объясняется как раз ростом расходов Canon на закупку микросхем памяти. 3D X-DRAM впервые воплотили в кремнии — оперативная память будущего стала ближе
23.04.2026 [22:17],
Геннадий Детинич
Стековое размещение ячеек оперативной памяти могло бы значительно повысить плотность хранения данных и решить проблему дефицита ОЗУ. Первый шаг в этом направлении сделала память HBM, но это оказалось недёшево и не для всех. Прорыв мог бы произойти только в том случае, если бы память DRAM пошла по пути производства памяти 3D NAND. Пока этого не произошло, но первый прототип такого решения уже воплощён в кремнии и привлёк внимание именитых инвесторов. 
Источник изображений: NEO Semiconductor О создании образца 3D X-DRAM в рамках доказательства концепции сообщила молодая американская компания NEO Semiconductor. Год назад она безуспешно искала поддержки среди производителей памяти, а сегодня у неё нет отбоя от инвесторов и заказчиков. Руководство компании утверждает, что ведутся интенсивные переговоры с рядом ведущих производителей памяти и это ускорит появление стековой ОЗУ. Важным моментом в деятельности NEO Semiconductor стало привлечение на свою сторону такого инвестора, как Стэн Ши (Stan Shih). В мире электроники это человек-легенда. Сейчас ему 81 год. В своё время он основал компанию Acer и около 20 лет возглавлял компанию TSMC. Также значимым стало сотрудничество с высшими учебными заведениями Тайваня — Национальным университетом Янмин Цзяотун (NYCU) и его подразделением — Школой инноваций в сфере взаимодействия промышленности и академических кругов (Industry-Academia Innovation School, IAIS). Образец также был изготовлен на Тайване — в Тайваньском научно-исследовательском институте полупроводников (National Institutes of Applied Research — Taiwan Semiconductor Research Institute, NIAR-TSRI). Вероятно, тестирование и измерение характеристик образца также были проведены в стенах NIAR-TSRI. В компании сообщают, что задержка чтения/записи составила менее 10 нс, время регенерации при 85 °C — более 1 секунды (в 15 раз лучше, чем в стандарте JEDEC — 64 мс), устойчивость к износу достигла 10¹⁴. Помехоустойчивость также была на высоком уровне. «Я рад, что благодаря тесному партнёрству между промышленностью и научными кругами удалось подтвердить осуществимость концепции 3D DRAM от NEO в реальных условиях кремниевого производства, — сказал Джек Сан (Jack Sun), старший вице-президент Нью-Йоркского университета и декан Института прикладных исследований в области науки и технологий, а также бывший технический директор TSMC. — Успешная проверка концепции не только демонстрирует потенциал инновационных архитектур памяти, но и подтверждает возможность внедрения передовых технологий памяти с использованием отработанных процессов».  По замыслу разработчиков NEO Semiconductor, стековая компоновка памяти DRAM и чрезвычайно широкая шина данных — порядка 32 000 бит — позволят создавать оперативную память с плотностью записи 512 Гбит на кристалл и пропускной способностью в 16 раз выше, чем у современной памяти HBM. Развитие стандарта HBM не предполагает появления ничего подобного раньше середины нынешнего века, тогда как NEO Semiconductor готова представить оперативную память с такими характеристиками в обозримом будущем. Популярность Galaxy S26 не спасёт мобильное подразделение Samsung от больших убытков в этом году
23.04.2026 [15:10],
Николай Хижняк
Производители смартфонов вынуждены повышать цены на свои продукты или сокращать прибыль из-за дефицита чипов оперативной памяти. Проблемы добрались и до Samsung. Мобильное подразделение компании бьёт тревогу, предупреждая о возможных убытках по итогам года.  По данным издания Money Today, ссылающегося на отраслевые источники, глава мобильного подразделения Samsung Тэ Мун Ро (Tae-moon Roh) предупредил руководство компании, что подразделение может понести убытки по итогам года. Это стало бы крайне неприятным известием для мобильного бизнеса компании и, по всей видимости, привело бы к его первым в истории годовым убыткам. В том же отчёте говорится, что подразделение Samsung, занимающееся производством памяти, напротив, ожидает рекордно высокую прибыль. Издание также приводит отрезвляющую статистику: в грядущем процессоре для ИИ Vera от Nvidia будет использоваться 1,5 Тбайт оперативной памяти LPDDR5X, а в суперкомпьютере Vera Rubin NVL72 — 36 таких процессоров Vera. «Учитывая, что в Galaxy S26 Ultra обычно установлено 12 Гбайт оперативной памяти LPDDR5X, один суперкомпьютер с искусственным интеллектом потребляет столько же памяти, сколько 4600 таких смартфонов», — поясняется в статье. С учётом этого неудивительно, что компании, производящие потребительскую электронику, повышают цены и даже отменяют некоторые релизы, испытывая трудности с поставками оперативной памяти. Ситуация вряд ли улучшится в ближайшее время: по прогнозам Money Today, в этом квартале цены на оперативную память могут дополнительно вырасти более чем на 80 %. Как пишет Android Authority, новость о возможных годовых убытках мобильного подразделения Samsung появилась на фоне сообщений о том, что подразделение перешло на «аварийный режим управления» из-за роста цен на комплектующие и возможного дефицита. Компания пытается сократить расходы на 30 % и даже перешла на использование авиаперелётов эконом-класса вместо бизнес-класса для своих топ-менеджеров. Пока мобильному подразделению не помогают даже впечатляющие продажи смартфонов серии Galaxy S26. По данным аналитиков Counterpoint Research, первые продажи новых флагманов Galaxy оказались выше, чем у серии Galaxy S25, а в США и Западной Европе продажи выросли на двузначные проценты. Война США и Ирана ударила по рынку чипов — возник дефицит сырья для литографии
23.04.2026 [13:48],
Алексей Разин
Влияние военных действий на Ближнем Востоке на азиатскую полупроводниковую промышленность, как выясняется, не ограничивается перебоями с поставками природного газа и гелия. Японские производители и компании в Южной Корее рискуют столкнуться с нехваткой многих химикатов, необходимых для производства чипов. 
Источник изображения: Shin-Etsu Chemical Публикацию на эту тему разместил южнокорейский ресурс The Elec. В Японии крупнейшие в мире поставщики фоторезиста и других расходных материалов, применяемых в производстве чипов, столкнулись с нехваткой растворителей, необходимых для изготовления соответствующих составов. Японские поставщики, в свою очередь, начали информировать клиентов, в число которых входят южнокорейские Samsung Electronics и SK hynix, о возможных перебоях с поставками своей продукции. В дефиците оказались используемые в качестве растворителя метиловый эфир пропиленгликоля, а также пропиленгликоль ацетат монометилового эфира. Они входят в состав фоторезистивных покрытий, антибликовых подложек, наносимых в центрифуге масок и вспомогательных клеящих веществ, которые применяются при производстве той же памяти HBM, например. По словам некоторых представителей отрасли, ситуация напоминает ту, когда человек располагает сухими ингредиентами для приготовления кофе, но не имеет возможности залить их водой. Основными поставщиками упоминаемых растворителей являются японские компании Shin-Etsu Chemical, Tokyo Ohka Kogyo, JSR, Fujifilm и Nissan Chemical Corporation. Дефицит растворителей, в свою очередь, спровоцирован перебоями в поставках лигроина — продукта переработки нефти, который до начала конфликта в Иране на 40 % обеспечивал потребности японской химической промышленности именно через Ближний Восток. Из 12 заводов по переработке лигроина на территории Японии шесть уже были вынуждены сократить объёмы выпуска продукции. Окись пропилена, на основе которой изготавливаются растворители для полупроводниковой промышленности, оказалась в дефиците. Цены на сырьё в Японии практически удвоились по сравнению с началом марта. Получать растворители для своих расходных материалов японские производители теперь попытаются через Южную Корею или Китай. Проблема заключается в том, что изменения в источниках сырья вызовут необходимость повторной сертификации конечной продукции, которая может занять до года времени. Впрочем, южнокорейские поставщики растворителей наверняка воспользуются возникшей ситуацией для извлечения выгоды. В отличие от японских, корейские производители специализированных химикатов меньше зависят от ближневосточного сырья, и могут получать его как в США, так и в Китае. Светлое будущее чипов: TSMC создаст по-настоящему интегрированную кремниевую фотонику
23.04.2026 [12:35],
Геннадий Детинич
TSMC всегда была занята разработкой, внедрением и отладкой передовых процессов производства полупроводников. Относительно недавно она также вошла в бизнес по упаковке и тестированию чипов. Похоже, всё это не оставляло ей достаточно времени всерьёз развивать кремниевую фотонику, которой обещают светлое будущее. Теперь позиция компании меняется. Как специалист по выпуску чипов TSMC обещает создать по-настоящему интегрированную кремниевую фотонику. 
Источник изображений: TSMC В последние годы интеграция оптических компонентов в те или иные чипы продвигалась под термином CPO (co-packaged optics). Между тем, правильнее понимать эту технологию как сопутствующую кремниевую фотонику, поскольку интеграция непосредственно в чип или на интерпозер не производилась. Как правило, производители ограничивались установкой оптических компонентов на печатную плату модуля, соединяя их с чипами и периферией оптическими или даже медными линиями связи. Для более глубокой интеграции оптических блоков в чипы или сборки компания TSMC предлагает подход COUPE (Compact Universal Photonic Engine). Такое решение позволит тайваньскому производителю чипов догнать и даже обогнать конкурентов, среди которых, например, далеко вперёд по пути сопутствующей кремниевой оптики вырвалась компания GlobalFoundries. По сравнению с CPO, COUPE обещает больше преимуществ как в плане кратного снижения задержек, так и повышения энергоэффективности. В частности, при интеграции компонентов оптики COUPE на уровне подложки вместо схемы «плата с проводами» задержки должны снизиться в 10 раз, а энергоэффективность вырасти в четыре раза. Интеграция оптических компонентов в интерпозер снизит задержки в 20 раз, а эффективность повысит в 10 раз. Дальнейшая интеграция оптических компонентов в 3D-упаковке, решения для которой у TSMC имеются на все случаи жизни, улучшит характеристики гибридных чипов ещё сильнее.  Как уточняет источник, основой для быстрого продвижения TSMC к намеченной цели является разработанный в компании микрокольцевой модулятор (MRM) со скоростью 200 Гбит/с, серийное производство которого начнётся во второй половине года. Если компания TSMC начнёт реализовывать задуманное, то у неё есть все шансы переманить таких лидеров, как Nvidia, Broadcom и, что тоже нельзя исключать, AMD, которая сейчас плотно сотрудничает с GlobalFoundries. Конкуренцию TSMC также составляют компании Ayar Labs и, особенно, SPIL, сотрудничающая сегодня с Nvidia. Всё будет зависеть от того, насколько TSMC преуспеет в реализации планов в отношении технологии COUPE и более глубокой интеграции кремниевой фотоники в чипы. SpaceX готовит выпуск собственного GPU вместе с Tesla, но признаёт проект рискованным
23.04.2026 [12:05],
Алексей Разин
Подготовка SpaceX к публичному размещению акций подразумевает предоставление американским регуляторам отчёта о рисках, влияющих на бизнес этой пока ещё частной аэрокосмической компании. Среди прочих факторов, она относит проект по выпуску GPU собственной разработки к довольно рискованным инициативам. 
Источник изображения: Tesla Выпускать графические процессоры собственной разработки для нужд инфраструктуры ИИ, как следует из изученного Reuters документа по форме S-1, компания SpaceX собирается совместными усилиями с Tesla на мероприятии Terafab, которое будет построено и введено в строй в ближайшие годы. Помимо прочего, SpaceX осознаёт, что организация выпуска GPU собственной разработки потребует существенных капитальных вложений. Когда ранее Илон Маск (Elon Musk) рассказывал о проекте Terafab, он не уточнял, какого типа чипы будут производиться на этом совместном предприятии SpaceX и Tesla. На этой неделе он пояснил, что Tesla будет выпускать свои чипы с использованием технологии Intel 14A, но в данном случае не уточнялось, где именно это будет происходить. До сих пор Tesla занималась разработкой чипов для бортовых систем своих электромобилей типа AI5, изображённого на иллюстрации выше, но термин «GPU» в отчётности SpaceX подразумевает разработку более сложного по компоновке процессора. По замыслу Маска, на предприятии Terafab будет осуществляться не только обработка кремниевых пластин, но и упаковка готовых чипов с последующим и промежуточным тестированием. Процесс будет подразумевать и интеграцию микросхем памяти. SpaceX может использовать термин «GPU» и для общего обозначения ИИ-чипов, поэтому делать какие-то выводы об ассортименте разрабатываемых Tesla полупроводниковых компонентов преждевременно. Первая из компаний также признаётся, что до сих пор не имеет долгосрочных контрактов ни с одним из своих поставщиков чипов, и продолжит зависеть от них в значительной части своих потребностей, поэтому данный фактор тоже формирует серьёзные риски для деятельности SpaceX. Нет никакой гарантии, как подчёркивает компания, что проект по запуску Terafab удастся реализовать в заданные сроки и в нужном масштабе. Руководство TSMC в этом месяце уже отмечало, что путь Tesla к массовому выпуску собственных чипов не будет ни лёгким, ни быстрым. TSMC откладывает High-NA EUV-литографию: представлен техпроцесс A13 и раскрыты планы до конца десятилетия
23.04.2026 [08:38],
Алексей Разин
Откровения контрактных производителей чипов о своих планах на будущее звучат не только на квартальных отчётных конференциях, но и на специализированных отраслевых мероприятиях. TSMC на этой неделе использовала проводимый в США технологический симпозиум для рассказа о своих намерениях освоить к 2029 году новые передовые техпроцессы A13 и A12, приближающие компанию к 1-нм технологии. 
Источник изображений: TSMC О планах TSMC в их актуальном виде поведал ресурс Tom’s Hardware. Одним из главных откровений стало отсутствие у TSMC планов применять оборудование для сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV) до 2029 года включительно. На фоне конкурентов в лице Samsung и Intel это выглядит довольно самоуверенным заявлением, особенно с учётом наличия у TSMC предполагаемого прогресса в освоении всё более тонкой геометрии при производстве чипов. В 2028 году TSMC рассчитывает освоить техпроцесс A14, об этом было известно с прошлого года, но теперь компания рассказала о намерениях в 2029 году внедрить два производных варианта этой технологии, который получат обозначения A13 и A12 соответственно. A13 получен из A14 главным образом за счёт оптического сжатия, он обеспечивает увеличение плотности размещения транзисторов на 6 % без необходимости менять инструментарий для проектирования по сравнению с исходным A14. Напомним, в классической терминологии A14 можно считать 1,4-нм техпроцессом, тогда A13 будет уже 1,3-нм технологией. Каждый производитель чипов предлагает свою классификацию технологических норм, их разные числовые обозначения не всегда можно сопоставлять напрямую. Из откровений представителей TSMC стало понятно, что компания взяла курс на более тщательную адаптацию своих техпроцессов под нужды конкретных сегментов рынка. Исторически передовые техпроцессы TSMC первыми брали на вооружение разработчики мобильных процессоров, но теперь эту роль чаще берут на себя разработчики более крупных и сложных чипов для ИИ-ускорителей вроде Nvidia и AMD. Техпроцессы N2, N2P, N2U, A14 и A13, перечисляемые в хронологическом порядке освоения, ориентированы на выпуск чипов для смартфонов и клиентских устройств, поскольку в этом случае важна себестоимость продукции, помимо технических характеристик. Их компания готова улучшать каждый год. Техпроцессы типа A16 и A12 ориентируются на высокопроизводительные вычисления и сегмент ИИ, здесь важнее именно производительность выпускаемых чипов, поэтому в рамках данных технологий TSMC будет использовать более дорогостоящие решения вроде повода питания с обратной стороны кремниевой пластины. Такую категорию техпроцессов TSMC готова обновлять раз в два года.  Структуру транзисторов с окружающим затвором второго поколения (GAA) компания собирается внедрить в рамках технологии A14, а затем использовать и для A13, и для A12. Подвод питания с обратной стороны кремниевой пластины будет предусмотрен только для A12 и A16. Особняком будет стоять раскрытый на этой неделе техпроцесс N2U. По сути, он будет предложен на третий год жизненного цикла семейства технологий N2, позволяя поднять быстродействие на 3–4 %, либо снизить энергопотребление на 8–10 %, при этом увеличив плотность размещения транзисторов на 2–3 %. Совместимость с прежним инструментарием для разработки чипов позволит разработчикам без серьёзного увеличения затрат перейти с N2 на N2U. Новый техпроцесс подойдёт как для рынка смартфонов, так и для высокопроизводительных вычислений. Выпуск чипов с его использованием намечен на 2028 год. Техпроцесс A16 компания TSMC теперь намеревается освоить в 2027 году, хотя ранее рассчитывала сделать это в текущем. A16 будет сочетать первое поколение GAA-транзисторов с подводом питания с обратной стороны кремниевой пластины, а вот A12 уже перейдёт на GAA-транзисторы второго поколения с тем же вариантом подвода питания. Технически, TSMC будет готова к выпуску чипов по технологии A16 к концу этого года, просто серийные продукты для её клиентов перейдут на её использование лишь в следующем году. Появление A16 не отменит освоения N2X — оптимизированного варианта N2P, повышающего производительность транзисторов на 10 % при снижении энергопотребления. A12 станет эволюционным преемником A16, тогда как A13 на этом пути воздержится от использования подвода питания с оборотной стороны кремниевой пластины, но будет базироваться на GAA-транзисторах второго поколения. Все эти техпроцессы не потребуют использования более дорогого оборудования с высоким значением числовой апертуры (High-NA), которые Intel собирается внедрить в ближайшие пару лет для выпуска чипов по своей технологии 14A. Главным доводом против применения такого оборудования в TSMC считают высокую себестоимость. Эта тайваньская компания является крупнейшим контрактным производителем чипов в мире, поэтому для неё важно снижать затраты на выпуск продукции. SK hynix утроила выручку и увеличила прибыль в пять раз на фоне бума ИИ
23.04.2026 [04:54],
Алексей Разин
Микросхемы памяти сейчас очень востребованы в инфраструктуре систем искусственного интеллекта, поэтому их поставщики ожидаемо хорошо зарабатывают. В случае с южнокорейской SK hynix это утверждение наглядно иллюстрируется итогами минувшего квартала: компания в годовом сравнении увеличила выручку почти втрое, а её операционная прибыль выросла в пять раз. 
Источник изображения: SK hynix Выручка компании за период составила рекордные $35,55 млрд, а операционная прибыль достигла $25,4 млрд, последовательно увеличившись почти в два раза. Более того, норма операционной прибыли достигла рекордных 72 %. При этом и выручка, и операционная прибыль SK hynix по итогам первого квартала оказались несколько ниже ожиданий аналитиков. Первый квартал для рынка памяти в целом не является пиковым периодом с точки зрения финансовых показателей, но бум ИИ позволил опровергнуть данный стереотип. Представители компании подчеркнули, что клиенты SK hynix считают важным обеспечить себя необходимыми объёмами памяти, и не особо оглядываются на цену. «Память важна, как никогда ранее», — резюмировали они. Хотя Samsung в четвёртом квартале прошлого года вернула себе статус лидера на рынке DRAM в денежном выражении, в сегменте HBM продолжает доминировать SK hynix с долей 57 %. Рынок памяти растёт более чем на 30 % уже два квартала подряд. По оценкам руководства SK hynix, нехватка HBM будет ощущаться минимум до 2030 года, даже с учётом наличия у компании планов по расширению производственных мощностей. Даже если цены на память во втором полугодии будут расти умеренными темпами, прибыль SK hynix продолжит увеличиваться на протяжении всего текущего года. По некоторым оценкам, капитальные затраты SK hynix в этом году будут увеличены на 45 %. Средняя цена реализации DRAM в первом квартале выросла последовательно на 60,8 %, а цены на NAND увеличились на 55,3 %. Во многом это и определяет взрывную динамику финансовых показателей производителей памяти. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
