Буквально чуть более года назад Intel была не до конца уверена в целесообразности освоения ангстремного техпроцесса 14A, но в прошлом месяце сменила риторику. Теперь компания даже утверждает, что динамика снижения плотности дефектов в случае с Intel 14A превосходит показатели всех техпроцессов, освоенных ею со времён 22-нм технологии.

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Источник изображения: Intel

По крайней мере, подобные заявления сделал финансовый директор Intel Дэвид Зинснер (David Zinsner) на недавней технологической конференции Deutsche Bank. Ресурс ComputerBase.de взял на себя труд напомнить, что в своё время 22-нм техпроцесс имел для компании большое значение и был труден в освоении хотя бы из-за внедрения в его рамках структуры транзисторов FinFET. Впрочем, данная веха в истории Intel характеризуется ещё и серьёзными последующими неудачами. Поскольку 10-нм техпроцесс провалился на старте, Intel пришлось всеми силами «продлевать молодость» более зрелому 14-нм техпроцессу.

Даже в случае с относительно удачным 22-нм техпроцессом Intel пришлось довести процессоры Ivy Bridge на его основе до степпинга E1, прежде чем они достигли удовлетворительного для поставок на рынок качества. Для сравнения, 32-нм процессоры Lynnfield стартовали на рынке со степпинга B1, а Nehalem и вовсе было достаточно дойти по алфавиту до степпинга C0. Чем «тоньше» технологические нормы производства чипов, тем сложнее они в освоении, и в этом смысле Intel 14A представляет собой сочетание высоких рисков, иначе компания не задумалась бы об отказе от его освоения в прошлом году.

Инструментарий для разработчиков чипов, которые хотели бы поручить Intel их производство по технологии 14A, в октябре этого года мигрирует на версию 0.9, которая фактически пригодна для создания первых физических образцов. Опытное производство чипов по технологии Intel 14A компания планирует начать в следующем году, а массовое — только в 2028 году. Как признался Зинснер, компания уже вовсю готовит мощности для освоения массового выпуска таких чипов. Во-первых, этим займётся новая Fab 62 в Аризоне. Во-вторых, под выпуск чипов по технологии 14A будет переоборудована экспериментальная линия в Орегоне, где сейчас производятся чипы по технологии Intel 18A-P. После перевооружения этой линии Intel будет выпускать в Орегоне продукцию по технологии 14A в серийных масштабах. Более того, под выпуск подобных чипов будет выделена первая очередь нового комплекса в штате Огайо, строительство которого компания ранее была вынуждена заморозить. С конца 2027 года клиентам Intel будут доступны и услуги по упаковке чипов с использованием передовой компоновки EMIB-T. Примерно в это же время они смогут рассчитывать и на получение от Intel чипов, выпускаемых по их заказу с применением технологии 14A.

Первой среди крупнейших производителей памяти к более справедливой, по мнению сотрудников, модели распределения прибыли в условиях бума ИИ перешла компания SK hynix. Работники конкурирующей Samsung Electronics под угрозой забастовки быстро добились сопоставимых улучшений условий оплаты труда, и вот теперь их примеру готовы последовать сотрудники тайваньских предприятий Micron Technology.

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Источник изображения: Micron Technology

Добавим, что в самой Южной Корее «эпидемия забастовок» распространилась далеко за пределы полупроводникового сектора, охватив и другие отрасли экономики. Теперь, как сообщает Commercial Times, крупнейшие профсоюзы сотрудников MicronTechnology на Тайване подталкивают руководство местного представительства компании к проведению переговоров об аналогичных изменениях в системе оплаты труда. Рассмотрение трудового спора намечено на два этапа: в конце августа и середине сентября. Если оно не приведёт к удовлетворительному для профсоюзов результату, то забастовка на тайваньских предприятиях Micron состоится уже в сентябре.

По имеющимся данным, Samsung Electronics и SK hynix направляют на выплату премий работникам 10,5 % и 10 % прибыли соответственно. Тайваньское законодательство ограничивает размер премиальных выплат примерно пятью месячными окладами, но на практике они не превышают 2,6 месячного оклада. Стремление добиться улучшения условий оплаты труда уже привлекло в профессиональные объединения около 10 000 сотрудников Micron на Тайване. Примерно 80 % членов двух профсоюзов поддержали идею забастовки.

Между тем южнокорейские работники предприятий по выпуску памяти не собираются останавливаться на достигнутом. Представители трудовых коллективов SK hynix во вторник отвергли предложение работодателя о повышении базовой ставки оплаты труда на 6,3 % и пересмотре системы премирования. Компания уже распределяет между работниками до 10 % своей годовой операционной прибыли, но некоторых из них не устраивает схема выплаты до 60 % премии в виде акций компании. Ситуация грозит новыми забастовками.

В случае с Samsung своё недовольство всё активнее выражают сотрудники, которые не заняты в производстве микросхем памяти, поскольку проведённые реформы не учли их интересов. В результате внутри компании возник стократный разрыв в размерах премиальных выплат сотрудникам.

Приехавший на церемонию закладки фундамента предприятия в Индиане генеральный директор SK hynix Квак Но Чжун (Kwak Noh-jung) воспользовался мероприятием, чтобы поделиться своим видением дальнейшего развития рынка памяти. По его словам, дефицит на нём сохранится до конца 2030 года, а опасаться перепроизводства больше не стоит, поскольку ситуация в отрасли принципиально изменилась.

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображения: SK hynix

Свой прогноз по срокам сохранения дефицита глава SK hynix дал на пресс-конференции, которая последовала за церемонией закладки фундамента нового предприятия в штате Индиана, где тестирование и упаковка передовой памяти HBM начнутся во второй половине 2029 года. Генеральный директор SK hynix подчеркнул, что до начала 2031 года дефицит памяти будет сохраняться на мировом рынке. Никаких сигналов, которые могли бы свидетельствовать о потенциальном обвале спроса, SK hynix в настоящий момент не видит. К моменту ввода в строй предприятия в Индиане оно будет снабжать американских клиентов, включая Nvidia, микросхемами памяти HBM4E, хотя начальные стадии их обработки всё равно будут осуществляться в Южной Корее.

При этом Квак Но Чжун признаёт, что отрасль может столкнуться с трудностями, если сегмент ИИ минует свой пик, но даже цикл снижения окажется отличным от тех, что наблюдались на рынке памяти за прошедшие два десятилетия. Современная память для систем ИИ является высокотехнологичным видом продукции, который существенно адаптирован к нуждам конкретных заказчиков. Это позволяет производителю более достоверно прогнозировать спрос со стороны клиентов и избегать ситуаций с перепроизводством. Если спрос на память со стороны сегмента ИИ вдруг и снизится, то это снижение не будет резким, а более вероятно оно вообще получит форму плато, как считает глава SK hynix. По его словам, компания готова строить новые предприятия «где угодно», но пока соответствующих решений в этой сфере не принято.

Связи с японскими производителями памяти SK hynix тоже будет поддерживать, но главным образом через сохранение своего пакета акций Kioxia. Одновременно SK hynix хотела бы напрямую участвовать в разработке новых типов NAND при поддержке японских клиентов и поставщиков. Напомним, недавно Kioxia объявила о намерениях построить на севере Японии крупное предприятие по выпуску памяти типа NAND для серверного сегмента. SK hynix на правах крупного акционера Kioxia (14,19 %) сможет опосредованно участвовать в финансировании подобных проектов. Дочернюю компанию Solidigm, которая унаследовала бизнес Intel по производству твердотельной памяти, SK hynix может вывести на биржу, как признался глава последней. По неофициальным данным, перед выходом на IPO компания Solidigm может привлечь до $3,6 млрд финансирования. Подробности о планах в этой сфере могут проясниться в ближайшие недели.

Уменьшение размеров транзисторов и цепей в целом всегда было простым путём к повышению производительности чипов. Всё это работало ровно до того момента, как размеры элементов вплотную приблизились к масштабу атомов. На дыбы встала сама физика материалов, электрические и физические свойства которых перестали выполнять свои задачи — точно и под полным контролем передавать электрические сигналы. Диэлектрики не стали исключением и тоже пошли в разнос.

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Источник изображения: NUS

Проблему диэлектриков и изоляционных материалов для чипов атомарного масштаба среди прочих изучают учёные из Сингапура. Так, исследователи из Национального университета Сингапура (NUS) создали сверхтонкую углеродную плёнку толщиной всего 0,8 нм, которая может помочь продолжить уменьшение размеров компьютерных чипов. И что самое обнадёживающее — они ещё весной передали эти знания инженерам из тайваньской компании TSMC, которые занялись вопросами адаптации разработки к запуску в промышленное производство.

На удивление, аморфный углерод проявил необычное сочетание сверхнизкой диэлектрической проницаемости, высокой механической прочности и способности блокировать диффузию атомов металлов — это фактически базовый набор свойств, которые становятся критически важными по мере дальнейшей миниатюризации микросхем. Этакое комбо, способное разом пробить проход в будущее производства чипов.

Одна из проблем современных процессоров заключается не только в уменьшении транзисторов, но и в усложнении системы проводников — металлических соединений между ними. Внутри передовых чипов миллиарды транзисторов соединены тончайшими медными проводниками, расстояние между которыми постоянно сокращается. При слишком плотной упаковке возникает паразитная ёмкость: соседние линии начинают влиять друг на друга, увеличивая энергопотребление и замедляя передачу сигналов. Для решения этой проблемы нужны изоляторы с очень низкой диэлектрической постоянной (low-k материалы), однако обычные пористые диэлектрики теряют механическую стабильность при толщине в несколько нанометров и не могут быть использованы в дальнейшем.

Предложенный учёными материал представляет собой аморфный углерод с преобладанием связей типа sp². Даже при толщине всего 0,8 нм он сохраняет диэлектрическую постоянную около 1,35 — значение, близкое к вакууму (1,0). При этом плёнка выдерживает электрическое поле напряжённостью 28–31 МВ/см, что значительно превышает показатели некоторых перспективных ультратонких изоляторов, например аморфного нитрида бора. Дополнительным преимуществом стала высокая твёрдость — около 100 ГПа, что примерно на порядок выше, чем у традиционного диоксида кремния.

Кроме изоляции соседних проводников, углеродная плёнка способна выполнять роль барьерного слоя против миграции металлов. В современных чипах для предотвращения проникновения меди в окружающие материалы обычно требуется отдельный слой нитрида тантала, но он занимает ценное пространство. Новый углеродный материал совмещает обе функции: он снижает паразитную ёмкость и одновременно препятствует движению ионов металла. Испытания показали, что даже слой толщиной 0,8 нм в 100 раз превосходит барьерные свойства нитрида тантала, широко применяющегося в современном производстве чипов.

Также неплохо, что углеродную плёнку можно создавать при относительно невысокой температуре 300 °C методом химического осаждения из газовой фазы и не только на ровную подложку, но на все неровности и углубления, что создаёт перспективы для 3D-компоновки элементов чипа. Не исключено, что компания TSMC первой применит эту технологию на практике как лидер мирового производства полупроводников, но пока это только лабораторные исследования с пластинами малого диаметра и как эта технология проявит себя при масштабировании — это пока открытый вопрос.

До недавних пор присутствие южнокорейских производителей памяти в США с точки зрения локализации ограничивалось предприятиями Samsung Electronics по контрактному производству логических компонентов. SK hynix решила организовать в Индиане упаковку чипов памяти HBM, рассчитывая к 2030 году превратить эту площадку в крупнейшую в США базу этого профиля, превзойдя местную Micron Technology.

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображения: SK hynix

На торжественной церемонии закладки фундамента предприятия по упаковке чипов памяти в Индиане на этой неделе лично присутствовал генеральный директор SK hynix Квак Но Чжун (Kwak Noh-jung), он предсказуемо говорил о важности памяти типа HBM в условиях бума искусственного интеллекта: «Мы предоставим нашим клиентам новый источник изготавливаемой в США памяти HBM, одновременно укрепляя цепочки поставок полупроводниковых компонентов в США и делая вклад в национальную и экономическую безопасность». В строительство и оснащение фабрики в Индиане компания вложит $4 млрд, но здесь микросхемы HBM будут только тестироваться и упаковываться, а подготовленные для этих операций кристаллы памяти будут поставляться из Южной Кореи. Первая «чистая комната» нового комплекса в Индиане будет открыта в октябре 2028 года, а к серийной упаковке памяти HBM нового поколения предприятие приступит во второй половине 2029 года.

SK hynix в прошлом месяце вышла на американский фондовый рынок, ей удалось привлечь $26,5 млрд, что стало рекордом для IPO, проводимых иностранными компаниями. В течение прошлого года капитализация SK hynix выросла почти в семь раз, превысив $1 трлн. SK hynix собирается активно расширять производство памяти у себя на родине в Южной Корее, но с поиском новых площадок для организации её выпуска за пределами страны у компании возникают инфраструктурные проблемы. В Индиане строительство новой фабрики формально началось ещё в апреле, но торжественную церемонию провели только сейчас. Предприятие обеспечит работой около 1000 сотрудников, в процессе строительства и снабжения нового производства будут созданы ещё 6000 новых рабочих мест. На первых порах сотрудников для фабрики в Индиане будут отправлять вахтовым методом из Южной Кореи, но позже их заменят местными жителями. Готовить кадры для предприятия будет и местный Университет Пердью, а ещё на него будет возложена миссия проведения совместных научно-исследовательских работ.

К 2030 году SK hynix рассчитывает в общей сложности инвестировать в американскую промышленность более $45 млрд. Помимо предприятия в Индиане, средства будут вкладываться в дочернюю AI Company и подразделение Solidigm, которое унаследовало от Intel бизнес по производству NAND-памяти в 2020 году. Реализация проекта в Индиане будет субсидироваться не только федеральными ($458 млн), но и властями штата ($712 млн), в последнем случае субсидии станут вторыми по величине в истории региона. Помимо мощностей по тестированию и упаковки памяти, здесь расположатся и исследовательские лаборатории, которые помогут лучше адаптировать выпускаемую память к потребностям местных клиентов. Та же Nvidia в июле заключила сделку с SK hynix на сумму $500 млрд, и компании будут сотрудничать в сфере разработки новых типов памяти. Сейчас SK hynix является мировым лидером в сегменте HBM, хотя уступает традиционному лидеру Samsung на рынке памяти в целом.

Производители твердотельной памяти выгоду ИИ-бума почувствовали позднее своих коллег из сегмента DRAM, но упускать её также не собираются. Kioxia и Sandisk намерены потратить $31,4 млрд на строительство новых линий по производству NAND на территории Японии, из этой суммы примерно треть придётся на комплекс в Китаками.

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Источник изображения: Kioxia

Ещё в июне этого года президент Kioxia Хироо Ота (Hiroo Ota) на встрече с инвесторами признался, что компания размышляет о строительстве нового предприятия, которое должно быть введено в строй к 2029 году. Производитель памяти даже успел обратиться с соответствующими заказами к поставщикам оборудования, которое может понадобиться на новых производственных линиях. Новый завод должен будет стать третьим корпусом на территории комплекса Kioxia в Китаками, префектура Иватэ. На новом предприятии компания собирается наладить выпуск востребованной в серверной инфраструктуре памяти типа NAND.

В Японии Kioxia выпускает твердотельную память при участии Sandisk, с которой имеет совместное предприятие. Обе компании в ближайшие шесть лет направят на расширение производства памяти в Японии в общей сложности $31,4 млрд. Партнёры рассчитывают на поддержку в реализации новых проектов со стороны японского правительства, для чего на этой неделе встретились с японским премьер-министром Санаэ Такаити (Sanae Takaichi). Министерство экономики, торговли и промышленности Японии готово выделить соответствующие субсидии, покрывая до трети расходов Kioxia на реализацию проекта в Китаками. В текущем фискальном году, который завершится в марте следующего календарного, Kioxia собирается увеличить свои капитальные затраты на 60 % до $2,8 млрд, и в последующие три года удерживать их на чуть более высоком уровне.

В прошлом квартале Kioxia занимала четвёртое место в мире среди поставщиков NAND по величине выручки, уступив американской Micron Technology. Финансовые показатели японского производителя в условиях ИИ-бума растут ударными темпами. Выручка во втором квартале последовательно увеличилась на 80 % до $10,72 млрд, но её доля на мировом рынке сократилась до 13,6 %. Производственный комплекс Kioxia в префектуре Миэ сосредоточится на выпуске твердотельной памяти для потребительских устройств, включая смартфоны, но площадка в префектуре Иватэ будет использоваться для удовлетворения потребностей серверного сегмента.

По данным Chosun Biz, экспортная стоимость микросхем DRAM южнокорейского производства за три года и семь месяцев выросла в 12,5 раза. Теперь килограмм такой памяти стоит столько же, сколько 620 граммов золота, и почти в 42 раза дороже килограмма серебра.

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Источник изображения: SK hynix

Как поясняет TrendForce, по темпам подорожания DRAM за этот период значительно обогнала даже золото: если стоимость южнокорейской памяти выросла в 12,5 раза, то драгоценный металл подорожал лишь в 2,4 раза. Сейчас средняя экспортная стоимость килограмма микросхем DRAM из Южной Кореи достигает $92 183, причём за первые три недели августа она выросла на 401 % в годовом сравнении. Экспортная выручка Южной Кореи от поставок DRAM за тот же период увеличилась на 504,8 % год к году, до $9,8 млрд.

Отчасти такая динамика объясняется увеличением ёмкости выпускаемых микросхем: чем больше памяти содержит каждый чип, тем выше его стоимость. За последний год средняя ёмкость экспортируемых из Южной Кореи микросхем DRAM удвоилась с 1 до 2 Гбайт. Однако одним этим фактором столь стремительный рост цен объяснить нельзя.

По данным TrendForce, во второй половине прошлого года контрактные цены на серверную DRAM выросли на 64 %, а по итогам текущего года рост должен составить 270 %. Особенно резко память дорожала во втором квартале, когда контрактные цены последовательно увеличились на 53–58 %. В третьем квартале ожидается рост ещё на 13–18 %, а в четвёртом — на 3–8 %.

Розничный рынок движется в том же направлении. В Германии средняя стоимость модулей DDR5 с июля прошлого года выросла в 4,86 раза, отмечает источник. Кратное подорожание наблюдается также в США и Японии. При этом даже по выросшим ценам память не всегда просто найти в продаже: специализированные боты буквально устроили за ней охоту, зачастую не оставляя обычным покупателям шансов приобрести востребованные модули по приемлемой цене.

Компания Micron Technology на правах третьего по величине производителя DRAM в мире приняла участие в конференции Hot Chips 2026, рассказав об актуальных проблемах развития отрасли ИИ именно с точки зрения эволюции технологий производства памяти. По словам представителей Micron, системы искусственного интеллекта начинают всё сильней упираться в своём развитии в так называемую «стену памяти».

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображений: Micron Technology

Архитектор памяти с высокой пропускной способностью (HBM) Рагху Срираманнени (Raghu Sreeramaneni) от лица компании Micron Technology выразил обеспокоенность несколькими факторами. Во-первых, как уже известно, концентрация отрасли на производстве компонуемой в несколько ярусов вертикально памяти типа HBM3E заметно увеличивает потребление кремниевых пластин, и способствует формированию дефицита той же DDR5. Первый тип памяти требует в три раза больше кремния для своего производства.

Архитектура HBM4, в частности, подразумевает параллельную работу с 256 банками на одном кристалле, тогда как DDR5 ограничивается 32 банками. Это приводит к заметному увеличению расхода кремния и усиливает дефицит памяти, способствуя неуклонному росту цен. С каждым новым поколением HBM разрыв с классической DRAM только увеличивается. При этом в удельном выражении на один контакт HBM уже сейчас стоит в пять раз больше DDR5, и это побуждает производителей жертвовать потребностями клиентов последней в погоне за прибылью от выпуска HBM. Цены на память выросли в этом году в несколько раз, стоимость памяти уже формирует до 35 % нового ПК, а высокие цены на память приведут к тому, что по итогам текущего года рынок ПК сожмётся более чем на 10 %, по версии Gartner.

Во-вторых, вычислительные способности ИИ-ускорителей растут быстрее, чем возможности памяти HBM. Если первые прибавляют в производительности в три раза за два года, то вторая за этот период успевает поднять своё быстродействие менее чем в два раза. Соответственно, ускорители ИИ упираются в пропускную способность памяти, которая сдерживает рост их быстродействия. Сама Micron старается предлагать более быструю HBM4, чем предписывают стандарты JEDEC, но этого вряд ли хватит для сокращения разрыва. В высоту стеки HBM могут спокойно расти до 16 ярусов, но после этого количества дальнейшее масштабирование может сталкиваться с техническими трудностями.

Конкурирующая SK hynix на конференции Hot Chips 2026 заявила, что предельная высота стека будет ограничена 775 микронами до тех пор, пока производители HBM не перейдут на технологию гибридного сращивания, но это случится лишь в рамках изготовления микросхем HBM5. Условия теплоотвода становятся серьёзной проблемой по мере роста плотности компоновки памяти, как признают в Micron. Сильнее всего нагревается при работе базовый кристалл, а он расположен в самом низу стека, на максимальном удалении от радиатора системы охлаждения, который контактирует с верхним кристаллом в стеке. Сейчас Micron уделяет пристальное внимание именно решению проблем термодинамики при разработке HBM. Перегрев становится одной из наиболее явных угроз с точки зрения стабильности работы вычислительной инфраструктуры ИИ.

Аналитики ожидают, что к концу этого года доходность одной кремниевой пластины с DDR5 окажется выше, чем в случае с HBM3E из-за непрерывного роста цен на память первого типа. Производители и так смогут неплохо зарабатывать на DDR5, а поэтому у них останется меньше мотивов для введения в строй дополнительных мощностей по её выпуску. Дефицит DRAM сохранится и в следующем году, как считают многие участники рынка памяти.

Катализатором творческих процессов обычно являются сильные эмоции, и если они носят негативную окраску, то и произведения получаются соответствующими. Как поясняет Nikkei Asian Review, на YouTube в прошлом месяце появилась меланхолическая баллада о том, что не всем сотрудникам Samsung Electronics достались щедрые премии от бума ИИ.

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Источник изображения: Samsung Electronics

Напомним, в начале лета крупнейшее профессиональное объединение работников Samsung Electronics выбило через угрозу масштабной забастовки особые условия премирования для тех, кто занят на производстве микросхем памяти. Настояв на перераспределении между сотрудниками солидной части операционной прибыли, работники полупроводникового подразделения по итогам текущего года теперь могут получить премии в размере более $400 000 на человека. Правда, основная часть суммы будет выдана акциями Samsung, которые нельзя будет сразу реализовать, но будущие доходы таких сотрудников всё равно становятся объектом зависти тех коллег, которых ИИ-бум не обласкал подобными бонусами.

Ресурс Nikkei Asian Review подчёркивает, что разница между годовыми премиями сотрудников подразделений памяти и смартфонов в текущем финансовом году будет достигать двух порядков. То есть, первые получат в 100 раз больше премиальных выплат, чем вторые. Операционная прибыль полупроводникового подразделения Samsung во втором квартале взлетела более чем в 200 раз на волне ИИ-бума.

Автор выложил на YouTube четырёхминутную меланхоличную балладу «Мы этого заслуживаем», посвятив её «сотрудникам Samsung, к которым работодатель отнёсся несправедливо только по той причине, что они не принадлежат к полупроводниковому подразделению». Меланхоличная баллада содержит слова: «Мама, я разрабатываю бытовую технику, а не полупроводники». Произведение было прослушано более 60 000 раз и набрало немало одобрительных комментариев.

Стократный разрыв в величине премиальных выплат деморализует сотрудников подразделений Samsung, которые не имеют отношения к производству памяти, как отмечают представители их профсоюза. За последние два месяца численность этого профессионального объединения выросла с 2000 до 30 000 человек, поскольку обделённые заоблачными премиями сотрудники компании решили активнее бороться за свои права. Во втором квартале операционная прибыль полупроводникового бизнеса Samsung выросла в годовом сравнении в 223 раза, и из этих средств компания собирается выплачивать не только премии ряду сотрудников, но и дивиденды акционерам. В последнем случае планируется вернуть инвесторам около $72 млрд в общей сложности. Разумеется, подобная избирательность выплат устраивает далеко не всех внутри компании.

Напомним, что подразделение Samsung по выпуску смартфонов в прошлом квартале впервые получило операционные убытки — по иронии, как раз из-за резкого роста цен на память, который подогрел прибыль полупроводникового подразделения компании. В своём развитии Samsung Electronics исторически компенсировала потери на одном направлении за счёт прибыли на другом. Фактически, выпуском телевизоров и бытовой техники компания занимается с 1960-х и 1970-х годов прошлого века, а выпускать полупроводниковые компоненты она начала только в 1980-е. В определённые периоды всю прибыль с прочих направлений она инвестировала в полупроводниковый бизнес. Опять же, когда последний в 2023 году на фоне низких цен на память понёс убытки, они компенсировались доходами от реализации смартфонов. Поэтому сотрудников Samsung особенно возмущает, что теперь, когда подразделения поменялись местами, доходы от бума ИИ распределяются столь неравномерно. Призывы председателя Samsung Electronics Ли Чжэ Ёна (Lee Jae-yong) к единству коллектива, прозвучавшие накануне майской забастовки, на этом фоне вряд ли способствуют поднятию боевого духа.

Производители памяти готовы использовать разные подходы к увеличению объёмов поставок продукции, и не всегда они связаны с банальным вводом в строй дополнительных производственных площадей. Samsung Electronics, как сообщает Chosun Biz, делает упор на повышение уровня выхода годной продукции и переход на более прогрессивные техпроцессы.

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Источник изображения: Samsung Electronics

В этом случае дополнительные площади для увеличения объёмов выпуска продукции не требуются, и это позволяет быстрее наращивать объёмы производства памяти. По данным источника, сейчас Samsung сосредоточена на переводе производства DRAM с техпроцесса 1b на 1c, а также стабилизации показателей качества конечной продукции. По оценкам Omdia, в текущем году объёмы выпуска продукции Samsung в сегменте DRAM вырастут примерно на 6 % до 8,2 млн кремниевых пластин. В следующем году прирост ограничится 1,3 %, что обеспечит выпуск 8,28 млн кремниевых пластин. Отчасти в этом будет виновата и память типа HBM4, на производстве которой старается сосредоточиться Samsung.

Представители компании на условиях анонимности подтвердили изданию, что с прошлого года Samsung Electronics считает приоритетной задачу увеличения объёмов производства памяти без фактического расширения площадей. На производственной площадке в Пхёнтхэке обновляется имеющееся оборудование. Если в прошлом году она обеспечивала 49,5 % объёмов производства DRAM в программе компании, то в следующем доля этого комплекса вырастет до 55,4 %. Впрочем, у таких методов увеличения объёмов выпуска продукции есть свои ограничения по сравнению с экстенсивными, подразумевающими строительство новых линий.

Производственный комплекс Samsung в Хвасоне в последние три года демонстрирует если не стагнацию, то отрицательную динамику, по данным осведомлённых источников. Здесь компания модернизирует старые производственные линии, в отдельных случаях перевооружая линии по выпуску 2D NAND с целью перевода их на тестирование и упаковку DRAM. В 2024 году на долю зрелых версий DRAM и NAND приходилось 30 % выручки Samsung, поэтому подобные линии скрывают в себе определённый потенциал дальнейшей модернизации. В Хвасоне расширение площадей тоже замедлилось, поскольку Samsung предпочла сосредоточиться на перевооружении уже существующих линий прежнего поколения.

С другой стороны, конкурирующая SK hynix придерживается более агрессивной производственной политики. Она собирается по итогам текущего года увеличить объёмы обработки кремниевых пластин почти на 10 % до 6,66 млн штук. Если в прошлом году Samsung опережала SK hynix на 27 % по объёмам выпуска DRAM, то по итогам следующего года разрыв может сократиться до 13,6 %. Эксперты считают, что в условиях дефицита памяти подход SK hynix обеспечивает больше гибкости в насыщении рынка. При этом приоритеты Samsung в какой-то мере будут способствовать увеличению объёмов выпуска продукции благодаря повышению качества и модернизации техпроцессов.

Производители печатных плат обратились в Минпромторг с просьбой смягчить требования к локализации продукции из-за нехватки отечественных материалов. Обязательный переход на российское сырьё может сорвать сроки производства в пиковый для отрасли четвёртый квартал и увеличить стоимость материалов в два-восемь раз.

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Источник изображения: Yogesh Phuyal / unsplash.com

Об этом пишет «Коммерсантъ» со ссылкой на письмо АНО «Консорциум печатных плат» (в состав входят Yadro, GS Group, «Резонит» и «Технотек»), направленное в адрес гендиректора ФГБУ ВНИИР Магомеда Курбанова и директора департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга Юрия Плясунова. В нём говорится, что производители печатных плат столкнулись с задержками поставок сырья из-за проблем с логистикой, которые обусловлены санкционными ограничениями. Уже фиксируются прецеденты, подтверждающие «срывы отгрузок и ухудшение отношений с заказчиками». В это же время переход на российские материалы может привести к значительному росту цен.

В письме АНО КПП предлагает Минпромторгу исключить обязательное использование российских материалов из новых требований постановления правительства №719. Эту меру предлагается поддерживать до тех, пока не появится «как минимум три-пять поставщиков сырья по каждой критической позиции». На этот период АНО КПП предлагает начислять за использование отечественных материалов «дополнительные, а не обязательные баллы».

Напомним, постановление правительства №719 предусматривает начисление баллов, которые требуются для внесения в реестр отечественной радиоэлектронной продукции Минпромторга. Баллы начисляются, в том числе, за использование локальных комплектующих и техпроцессов производства. Действующая версия проекта постановления предусматривает балльную систему для печатных плат за используемые материалы и сырьё.

Гендиректор АНО КПП Ольга Кожуховская добавила, что более 40 % стоимости печатной платы составляют именно материалы, а их, в свою очередь, выбирает заказчик партии. Она добавила, что всё ещё остаются вопросы к происхождению и характеристикам материалов: позиционируемые как отечественные преимущественно базируются на импортном сырье и полуфабрикатах. Также фиксируются прецеденты несоответствия заявленных параметров сырья фактическим, что подтверждают результаты независимых испытаний. Поставщики таких материалов внесены в реестр недобросовестных.

Представитель производителя электроники Fplus согласен с тем, что может возникнуть дефицит, поскольку на четвёртый квартал всегда приходится пик производства. Для производства печатной платы требуется основание и подложки из диэлектриков, медная фольга, химия для осаждения меди и др. В России есть материалы, которые могут заменить часть импортных аналогов, но по соотношению цены и качества они не соответствуют современным стандартам, отметил представитель Fplus. При этом китайские платы и сырьё всегда дешевле примерно на 40-60 % по сравнению с российскими аналогами.

Производство 2-нм чипов на конвейере передовых предприятий TSMC на Тайване уже набирает обороты, но она в следующем квартале готова приступить к массовому выпуску полупроводниковых компонентов и по более совершенному техпроцессу A16, который можно в привычных терминах считать 1,6-нм. Разработка и валидация соответствующей технологии уже завершена.

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображения: TSMC

Об этом на текущей неделе сообщило тайваньской издание Liberty Times, как отмечает Chosun Biz. Данный техпроцесс предусматривает важное новшество — подвод питания к оборотной стороне кремниевой пластины, который в терминологии TSMC носит обозначение Super Power Rail (SPR). Сигнальные и силовые электрические цепи при этом разделяются, что позволяет снизить взаимное их влияние, поднять энергетическую эффективность и быстродействие чипов. При этом правила проектирования чипов не особо меняются, что позволяет ускорить разработку новых компонентов.

По сравнению с версией техпроцесса N2P, который является самым совершенным на данный момент среди 2-нм в исполнении TSMC, технология A16 обеспечивает прирост производительности на 8–10 % при неизменном энергопотреблении, либо позволяет равном быстродействии сократить энергопотребление на 15–20 %. Плотность размещения транзисторов при этом увеличивается почти на 10 %. Техпроцесс A16 станет первым в арсенале TSMC с подводом питания с обратной стороны чипа. При производстве крупных процессоров, востребованных в сегменте ИИ, данная технология раскроет свои преимущества, поскольку позволит снизить энергопотребление при повышении плотности компоновки элементов на кристалле.

Впервые внедрённые в рамках технологий серии N2 транзисторы с окружающим затвором (GAA) также продолжат совершенствоваться в рамках A16. То есть, данное поколение технологических норм TSMC обеспечит прогресс сразу по двум направлениям: в сфере архитектуры транзисторов и силовой разводки соответственно. С точки зрения продолжительности жизненного цикла A16 будет проходным решением, на которое TSMC не делает больших ставок. Более серьёзные надежды возлагаются на более совершенный A14, запуск которого в серийном производстве чипов запланирован на 2028 год. Подвод питания с оборотной стороны кристалла будет предусмотрен и в этом случае.

У TSMC сохраняется заметное преимущество по срокам освоения передовых литографических технологий. Samsung Electronics свой SF1.4 начнёт внедрять не ранее 2029 года, сосредоточившись на повышении уровня выхода годных чипов в рамках технологий серии SF2. Корпорация Intel уже предлагает клиентам техпроцесс 18A, но более совершенный 14A начнёт использоваться при массовом производстве не ранее 2028 года.

Бум систем искусственного интеллекта быстро вывел производителей микросхем памяти в центр внимания полупроводниковой отрасли. Генеральный директор Micron Technology регулярно этим пользуется, и в очередном интервью недавно дал понять, что клиенты компании вовлекаются в разработку новых типов памяти на всё более ранних этапах. Это, по его мнению, говорит о важной трансформации рынка памяти.

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображения: Micron Technology

Свои заявления глава третьего по величине производителя памяти в мире сделал на канале CNBC, во время общения с ведущим рубрики Mad Money Джимом Крамером (Jim Cramer): «В наши дни не существует ИИ без памяти. ИИ-системы нуждаются в бόльших объёмах памяти. Им нужна производительная память. Им нужна память с низким энергопотреблением. То есть, ценность памяти, само уравнение полностью изменилось».

Сама Micron в ближайшие лет пятнадцать собирается направить на развитие производства памяти в США около $250 млрд, часть этой суммы будет использована для финансирования исследований и разработок. По соседству со штаб-квартирой в штате Айдахо Micron строит два новых завода по выпуску памяти, и для строительства каждого потребуется такое количество арматуры, которого хватит, чтобы опоясать Землю по экватору дважды, по словам главы компании. Первое из новых предприятий в Айдахо начнёт обрабатывать кремниевые пластины уже в середине следующего года.

Мехротра убеждён, что былая цикличность рынка памяти останется в прошлом, поскольку экспансия систем ИИ меняет структуру спроса. Центрами обработки данных всё не ограничится, как пояснил он, в ближайшие годы больше памяти потребуют автономные транспортные средства, роботы и персональные ИИ-устройства: «Память в наши дни становится товаром базовой потребности. По этой причине я считаю её элементом стратегической инфраструктуры в эру ИИ».

При разработке памяти клиенты Micron всё больше внимания уделяют максимизации её быстродействия, а для этого они подключаются к её разработке на всё более ранних этапах. «Наши клиенты осознают ценность памяти, поскольку именно она позволяет им разрабатывать продукты, которые становятся для них локомотивами роста», — подчеркнул Мехротра. По его словам, компания не может удовлетворить спрос на свою продукцию во всех сегментах рынка. В серверном секторе, например, спрос превышает предложение примерно на 50 %. В конце июня Micron располагала 16 долгосрочными контрактами со своими клиентами, с тех пор это количество выросло.

Девять лет назад компания SanDisk начала разработку секретной оперативной памяти 3D Matrix Memory по типу 3D NAND. Подобной памяти ждут все, чтобы за те же деньги получить намного больше бит с каждого кристалла DRAM. И хотя SanDisk говорит о впечатляющем прогрессе, компания не спешит начинать производство революционных чипов. Просто её время ещё не пришло, говорит руководство.

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображений: SanDisk

Как сообщил технический директор SanDisk Алпер Илкбахар (Alper Ilkbahar) на мероприятии Investor Day 2026, впервые на 300-мм пластинах были изготовлены чипы 3D Matrix Memory и упакованы в корпуса для дальнейших испытаний. В ходе тестов удалось продемонстрировать работоспособность отдельных областей памяти объёмом несколько гигабит, а уровень производительности, по словам руководства, уже очень близок к запланированным спецификациям конечного продукта. Годом ранее на той же сцене Илкбахар уже рассказывал об этой технологии, исследования которой ведутся с 2017 года.

По сути, 3D Matrix Memory представляет собой потенциальную альтернативу DRAM с трёхмерной структурой, которая должна обеспечить сопоставимую производительность при кратно большей ёмкости. Конечная цель — снизить стоимость бита вдвое по сравнению с DRAM. За прошедший год, опираясь на тестовый образец, созданный совместно с исследовательским партнёром — бельгийским центром IMEC, компания добилась устойчивого прогресса: прототипы производятся на стандартном оборудовании для 300-мм пластин и делается это в рамках стековой компоновки памяти в несколько уровней.

Несмотря на обнадёживающие результаты, Илкбахар подчеркнул, что до возможного выхода на рынок ещё очень далеко. «Работа продолжается, но это проект с далёким по времени горизонтом. Мы будем держать вас в курсе прогресса», — заявил он. При этом обновлённый план, если его можно так назвать, не содержит никаких конкретных сроков следующих этапов. В своё время компания обещала начать выпуск 32–64-Гбит чипов 3D Matrix Memory, но не называла каких-либо дат.

Добавим, что нет полной ясности о типе ячейки 3D Matrix Memory. Большинство экспертов склоняются к мысли, что это память типа PCM на основе фазового перехода вещества в ячейке. Подобную память компания SanDisk разрабатывала вместе с Intel в рамках проекта 3D XPoint. Как вариант, это может быть память типа ReRAM. В своё время компания Western Digital, которая позже купила SanDisk, занималась разработкой памяти типа ReRAM с компанией 4DS. В любом случае компания SanDisk избегает разговоров на эту тему.

Датская компания Atlant 3D представила Nanofabricator Pro — установку, предназначенную для непосредственного изготовления и проверки материалов, предложенных искусственным интеллектом. Разработчики называют её первой в мире физической платформой для ИИ-поиска материалов. Основная задача системы — устранить разрыв между компьютерным моделированием и экспериментом: сегодня все умения ИИ тормозит длительная подготовка к синтезу образцов.

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Источник изображения: ATLANT 3D

Разработчики заявляют, что установка Nanofabricator Pro объединяет этап разработки материалов искусственным интеллектом с изготовлением образцов, последующему изучению и описанию их свойств и прототипированием полупроводниковых устройств.

«Искусственный интеллект коренным образом меняет процесс открытия новых материалов. Следующий шаг — превращение этих открытий в реальные инновации», — сказал кандидат наук в области нанотехнологий и фотовольтаики Максим Плахотнюк, генеральный директор и один из основателей компании Atlant 3D.

В основе установки лежит разработанная компанией Altant 3D технология Direct Atomic Layer Processing (DALP) — локализация послойной атомной обработки. В отличие от обычного ALD, когда химическая реакция происходит сразу на значительной и даже на всей площади подложки, в DALP подвижный миниатюрный микрореактор ограничивает область взаимодействия исходных материалов (прекурсоров) конкретным участком поверхности. За счёт этого материал можно наносить непосредственно по цифровому рисунку, формируя структуры с контролем толщины на уровне отдельных атомных слоёв и без традиционной фотолитографии с нанесением маски и удаления лишнего материала. Платформа совместима более чем с 450 семействами материалов, а программное управление позволяет задавать расположение материала, параметры процесса и последовательность операций.

Особенно важна возможность проводить множество экспериментов на одной подложке. В традиционной технологической цепочке изменение состава, толщины или режима осаждения часто требует новой пластины и отдельного цикла обработки. Платформа Nanofabricator Pro способна локально создавать на одной подложке различные материалы, комбинации слоёв, структуры и участки, обработанные при разных параметрах. Полученные образцы можно измерить, сопоставить их свойства, передать результаты обратно алгоритмам ИИ и на их основе автоматически сформировать следующую серию экспериментов. Таким образом, установка должна стать физическим звеном замкнутого цикла «ИИ — изготовление — измерение — обучение — новый эксперимент», что особенно востребовано при разработке новых полупроводников, материалов для перспективной упаковки чипов и квантовых устройств.

Atlant 3D рассматривает Nanofabricator Pro не как замену современным серийным полупроводниковым производства, а прежде всего как инструмент ускоренной разработки материалов и технологических процессов с последующим переносом найденных техпроцессов в промышленное производство. Установка выполнена с учётом стандартов SEMI, а её промышленную сборку в США компания организует совместно с Automated Industrial Robotics. Следующим этапом разработчики называют создание практически автономных лабораторий с интегрированной метрологией и дополнительными технологическими модулями, где ИИ сможет не только предлагать новые материалы, но и организовывать их изготовление, измерять результат и самостоятельно корректировать последующие эксперименты.