Разработчики из студии KillPixel Games определились с датой релиза своего олдскульного фэнтезийного шутера Wrath: Aeon of Ruin на консолях. Проект вышел из раннего доступа на ПК ещё 27 февраля 2024 года, а уже 25 апреля появится на двух поколениях Xbox и PlayStation, а также Nintendo Switch.

Источник изображения: 3D Realms

Wrath: Aeon of Ruin сделана на базе движка оригинальной Quake (вышла в 1996 году) и содержит в себе многочисленные элементы шутеров той эпохи. Здесь есть мрачный саундтрек, древние руины, большой арсенал оружия, могущественные артефакты и, разумеется, поджидающие главного героя монстры из глубин.

Финальная версия Wrath: Aeon of Ruin предлагает игрокам доступ к трём мирам с пятью уровнями в каждом, 15 уникальным врагам, 10 артефактам и трём боссам.

Шутер от KillPixel Games после выхода из раннего доступа собрал в Steam свыше 1,6 тыс. «в основном положительных» пользовательских отзывов (рейтинг игры составляет 78 %). В своём материале для 3DNews Денис Щенников поставил оценку 7/10, подытожив: «Wrath не только выглядит, но и ощущается как игра из прошлого. Развлечь фанатов жанра может, но ничем не удивит».

Компания Samsung Electronics начнёт массовое производство 290-слойных чипов флеш-памяти 9-го поколения 3D V-NAND уже в этом месяце, пишет южнокорейское издание Hankyung, ссылающееся на индустриальные источники. В следующем году производитель планирует выпустить 430-слойные чипы флеш-памяти NAND.

Источник изображений: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с 290 слоями будут выпускаться с использованием технологии двойного штабелирования, которую Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание массива чипов 3D NAND на кремниевых пластин диаметром 300 мм, после чего две такие пластины накладываются друг на друга и спаиваются, а затем нарезаются на отдельные чипы, представляющие собой двойные стеки.

Ранее в полупроводниковой индустрии ходили разговоры, что производство чипов флеш-памяти NAND с количеством слоёв около 300 потребует укладки друг на друга трёх пластин из-за технологических ограничений метода двойного стека. Однако, как сообщается, Samsung усовершенствовала процесс двойного штабелирования и теперь будет использовать его для производства памяти NAND с 290–300 слоями.

Во второй половине следующего года компания собирается перейти к производству 10-го поколения флеш-памяти 3D V-NAND с 430 слоями. Именно здесь начнёт применяться укладка трёх пластин друг на друга, пишет южнокорейское издание, ссылающееся на данные исследовательской фирмы Tech Insights. Как отмечается, производитель собирается пропустить выпуск чипов памяти NAND с более чем 300 слоями и сразу перейти к производству 430-слойных микросхем.

Конкуренты Samsung тоже не сидят без дела. С начала следующего года SK hynix собирается начать массовый выпуск 321-слойных чипов флеш-памяти NAND, но будет для этого «спаивать» три пластины с чипами. Китайский производитель памяти YMTC, который в настоящий момент выпускает 232-слойную память NAND, планирует выйти на производство 300-слойных чипов памяти во второй половине текущего года.

Запущенный ещё 20 марта спутник Tiandu-2 вместе с его близнецом Tiandu-1 и спутником-ретранслятором «Цюэцяо-2» впервые использовал в космосе ряд новых технологий, что вывело китайских ракетостроителей на новый уровень технологичности. Во-первых, это сама двигательная ракетная установка на сжиженном азоте, которая впервые использовалась вне орбиты Земли. Во-вторых, на спутнике была испытана алюминиевая ёмкость, изготовленная методом 3D-печати.

Источник изображения: Zhang Jingyi

Спутники «Тианду-1» и «Тианду-2» 25 марта 2024 года после примерно 112-часового полёта успешно выполнили манёвр торможения на лунной орбите на высоте 209 км над поверхностью Луны. Они будут использоваться для испытаний ряда технологий навигации в окололунном пространстве. Спутник «Цюэцяо-2» станет ретранслятором миссии «Чанъэ-6», которая стартует в мае для забора образцов грунта с обратной стороны Луны.

Успешное выполнение спутником «Тианду-2» полётной программы лучше всяких слов подтвердило надёжность оборудования — как двигательной установки в целом, так и бакового компонента. Использование 3D-печати алюминиевым сплавом позволило выполнить сложную работу по изготовлению ёмкости в кратчайшие сроки со всеми необходимыми интегрированными узлами, включая патрубки для прокачки содержимого. Эта методика ускорит разработку и производство узлов космических аппаратов и поэтому будет взята китайской космической отраслью на вооружение.

Отдельно отметим, что 3D-печать позволяет изготавливать сложные элементы вдалеке от Земли, например, на будущих лунных или марсианских базах, а также на космических станциях. Формовка, плавка и черновая обработка деталей становятся не нужны, а значит связанные с этими этапами работы можно выполнять едва ли ни в офисе.

В ночь с 8 на 9 апреля, в 2:00 по московскому времени, прекратят работу онлайн-сервисы для консолей Nintendo Wii U и 3DS. Впрочем, это никак не отразится на возможности для игр на этих приставках в офлайн-режиме. О планах на закрытие служб платформодержатель объявил ещё в октябре прошлого года, но некоторые из онлайн-функций прекратили работу раньше намеченного срока.

Это не первый случай, когда компания закрывает онлайн-сервисы своих игровых консолей. Например, Nintendo Wii обеспечивала геймерам возможность баталий в онлайне с большим выбором игр. Был даже специальный магазин, предоставлявший доступ к играм WiiWare и множеству хитов с NES, SNES и Nintendo 64 через виртуальную консоль. Однако оба сервиса для Nintendo Wii были закрыты: многопользовательские серверы — в 2014 году, а магазин — в 2019-м. Также в 2014-м прекратили работу онлайн-сервисы портативной консоли DS. Теперь наступила очередь Wii U и 3DS.

Вместе с тем «в обозримом будущем» у пользователей по-прежнему будет возможность загружать любые обновления, необходимые для игры в автономном режиме, или повторно загружать любые DLC, которые они уже приобрели.

Компания Kioxia планирует перейти к массовому производству чипов флеш-памяти 3D NAND с более чем 1000 слоёв к 2031 году. Об этом, как пишет издание Xtech Nikkei, на лекции в ходе 71-го весеннего собрания Общества прикладной физики в Токийском университете сообщил технический директор Kioxia Хидефуми Миядзима (Hidefumi Miyajima). В рамках своего выступления он затронул вопросы, связанные с техническими проблемами и способами их решения для создания 1000-слойных чипов 3D NAND.

Источник изображения: Kioxia

Увеличение количества активных слоёв в чипах флеш-памяти 3D NAND в настоящее время является лучшим способом повысить плотность записи на такие микросхемы. Все производители памяти 3D NAND стремятся увеличивать количество слоёв в составе чипов с помощью более передовых техпроцессов каждые 1,5–2 года. Каждый переход на новый техпроцесс сопряжён с рядом проблем, поскольку производителям 3D NAND приходится не только увеличивать количество слоев, но также сжимать ячейки NAND как по горизонтали, так и по вертикали. Это требует от производителей использования новых материалов, что является настоящей головной болью для специалистов их научно-исследовательских центров.

На сегодняшний день самыми передовыми чипами флеш-памяти 3D NAND в ассортименте Kioxia являются BiCS 3D NAND 8-го поколения с 218 активными слоями и скоростью передачи данных 3,2 Гбит/с. Они были представлены производителем в марте 2023 года. В этом поколении флеш-памяти представлена новая архитектура CBA (CMOS directly Bonded to Array), предлагающая отдельное производство пластин массива ячеек памяти 3D NAND и пластин CMOS ввода-вывода, а затем их последующее объединение с помощью наиболее подходящих для этих целей технологий. В результате получается продукт с повышенной битовой плотностью и улучшенной скоростью ввода-вывода NAND, на основе которого можно создавать одни из самых лучших твердотельных накопителей на рынке.

Компания Kioxia и её производственный партнёр Western Digital не раскрывают всех подробностей архитектуры CBA. Неизвестно, включают ли CMOS-платы ввода-вывода дополнительные периферийные схемы NAND, такие как страничные буферы, усилители считывания и зарядовые насосы. Однако применение метода раздельного производства ячеек памяти и периферийных схем позволяет производителям использовать для создания того или иного компонента памяти 3D NAND наиболее эффективные технологические процессы.

Следует напомнить, что компания Samsung ещё в 2022 году подтвердила планы начать выпуск 1000-слойной флеш-памяти 3D NAND к 2030 году.

Моддер Дэниел Петерсон (Daniel Peterson), известный под псевдонимом Cheello, опубликовал видеоролик с демонстрацией прогресса работы над новой модификацией для Duke Nukem 3D — Voxel Duke Nukem.

Источник изображения: DSOGaming

Voxel Duke Nukem заменит 2D-спрайты врагов и объектов, поворачивающиеся к игроку при приближении, полностью трёхмерными моделями. Воксельные аналоги выполнены с сохранением оригинального визуального стиля, что особенно выделяет работу Cheello среди других трёхмерных модов для игры.

В новом ролике создатель показал модели героя, вазы, штурмовика (Enforcer), боеприпасов, аптечки, а также несколько секунд геймплея. Журналист DSOGaming, обративший внимание на ролик, высоко его оценил: «Duke Nukem 3D ещё никогда не выглядел так хорошо».

Больше геймплея можно увидеть в мартовском трейлере.

Voxel Duke Nukem пока не имеет даты выхода. Поддержать автора можно на Patreon.

В прошлом Cheello создал воксельные моды для Doom и Doom II: Hell on Earth. Как и в Voxel Duke Nukem, в них предельно точно выдержан стиль оригинальных шутеров, так что издалека воксельные модели выглядят в точности как спрайты. В прошлом месяце другой моддер, Деррик Дэвисон (Derrick Davison), выпустил Brutal Voxel Doom — мод для второй части, сочетающий воксельные модели от Cheello с параллактическими текстурами и вдобавок делающий игру более разнообразной и жестокой.

Duke Nukem 3D была разработана студией 3D Realms на движке Build Engine, который также стал основой для Shadow Warrior, Blood, Redneck Rampage, PowerSlave и Witchaven. Как и id Tech 1, движок был псевдотрёхмерным, однако благодаря технологии порталов позволял отображать уровни с более высокой скоростью и без рендеринга невидимых частей, а также просматривать их во время редактирования без предварительной обработки. Кроме того, он поддерживал прыжки, приседания, ограниченное взаимодействие с окружением, наклонные поверхности и зеркала (с помощью дублирования комнаты и модели героя). Спрайтовые враги на тот момент оставались стандартом, но устарели уже спустя полгода — в Quake противники стали полигональными.

Интересно, что Build Engine всё же получил поддержку вокселей в поздних версиях — эту технологию использовали в Blood образца 1997 года для оружия, улучшений, боеприпасов и элементов окружения.

Duke Nukem 3D вышла в январе 1996 года на ПК (MS-DOS). Впоследствии шутер появился на множестве платформ, включая PlayStation, PlayStation 3, PlayStation 4, Xbox 360, Xbox One, Nintendo Switch, Android и iOS.

Компания Intel выпустила новую версию своей технологии масштабирования изображения XeSS и сообщила, что поддержка XeSS теперь реализована в более чем 100 различных играх.

Источник изображений: Intel

Новейшая версия технологии масштабирования XeSS 1.3 обеспечивает более высокую производительность по сравнению с предыдущей версией. Однако следует уточнить, что в новой версии были изменены профили масштабирования изображения. Иными словами, хотя компания заявляет о повышении производительности у XeSS 1.3, этот прирост достигается за счёт меньшего разрешения (более высокого уровня масштабирования), а не благодаря той же оптимизации кода самой XeSS.

В новую версию XeSS 1.3 компания добавила алгоритм с новой ИИ-моделью, которая, как заявляется, обеспечивает отображение более визуально сложных элементов, лучшую реконструкцию изображения, улучшенное сглаживание, уменьшение ореолов вокруг объектов и повышенную временную стабильность.

В XeSS 1.3 также представлены два дополнительных профиля настроек масштабирования: Ultra Performance и Ultra Quality Plus. Первые максимально повышают производительность за счёт снижения качества изображения, а вторые призваны минимизировать снижение качества картинки за счёт снижения производительности. Кроме того, в XeSS 1.3 представлена технология Native Anti-Aliasing, являющаяся аналогом Nvidia DLAA и представляющая собой сглаживание без масштабирования.

Как уже говорилось выше, XeSS 1.3 использует иные уровни масштабирования. Настройки «Ultra Quality» теперь обеспечивают масштабирования в 1,5 раза вместо 1,3, в свою очередь настройки «Quality» предлагают масштабирование в 1,7 раза вместо 1,5. Настройки «Balanced» масштабируют картинку в 2,0x вместо 1,7x, «Performance» — 2,3x вместо 2,0x, а «Ultra Performance» масштабирует изображения в три раза.

Intel также приводит несколько сравнений технологий масштабирования XeSS 1.2 и XeSS 1.3. Однако учитывая, что каждый профиль настроек XeSS 1.3 был изменён просто за счёт изменения разрешения, это сравнение может показаться бессмысленным. И всё же окончательные выводы можно будет делать после того, как XeSS 1.3 станет доступна в играх, и можно будет сравнить эффективность профилей настроек обеих технологий, их производительность и, что важнее, обеспечиваемое ими качество изображения.

Intel сообщила, что выпустила новую версию SDK с поддержкой XeSS 1.3, поэтому игровые разработчики уже могут приступать к интеграции новой технологии в свои проекты.

Компания Samsung добавила в свой план по выпуску новых продуктов память 3D DRAM. Информацией об этом производитель поделился на технологической конференции Memcom. Компания планирует представить первый технологический процесс для производства 3D DRAM в течение ближайших четырёх лет.

Источник изображения: Samsung

Крупнейший в мире производитель памяти планирует внедрить производство DRAM с транзисторами с вертикальным каналом (VCT) при переходе на техпроцессы тоньше 10 нм для выпуска памяти, следует из слайда компании, продемонстрированного на конференции Memcom.

Транзистор с вертикальным каналом (VCT) может представлять собой разновидность FinFET, в котором проводящий канал обёрнут тонким кремниевым «плавником», образующим корпус транзистора. VCT также может представлять собой транзистор с кольцевым затвором (GAA), в котором материал затвора окружает проводящий канал со всех сторон. В случае Samsung речь, судя по всему, идёт о процессе производства DRAM на основе FinFET.

От внедрения техпроцесса тоньше 10 нм для производства памяти компанию Samsung отделяет два поколения техпроцессов. Наиболее свежим сейчас является пятое поколение технологии 10-нм класса (фактически 12 нм), которая была представлена в середине 2023 года. Samsung готовит ещё две технологии 10-нм класса, а первое поколение техпроцесса тоньше 10-нм ожидается у производителя во второй половине этого десятилетия.

Источник изображения: Tokyo Electron

Применение 3D-транзисторов для DRAM подразумевает создание и применение конструкции ячеек формата 4F², считающегося с одной из самых эффективных схем расположения ячеек памяти с точки зрения производственных затрат. Производитель оборудования для выпуска чипов, компания Tokyo Electron, ожидает, что производство DRAM с VCT и форматом ячеек 4F² начнётся в 2027–2028 годах. Компания полагает, что для производства DRAM на основе VCT производителям памяти придётся использовать новые материалы для конденсаторов и разрядных шин.

Из предоставленного Samsung изображения планов по выпуску будущих продуктов также становится известно, что компания планирует адаптировать технологию производства многоуровневой памяти DRAM в начале 2030-х, тем самым значительно повысив плотность своих чипов памяти в ближайшие десять лет.

Эволюция флеш-памяти с точки зрения плотности хранения информации подразумевает, что чем больше зарядов (бит) хранятся в ячейке, тем ниже эксплуатационный ресурс такой памяти. Китайская компания YMTC не согласна с этим и утверждает, что её микросхемы 3D NAND типа QLC по своей долговечности способны превосходить ячейки памяти типа TLC.

Источник изображения: YMTC

Память QLC в одной ячейке способна хранить четыре бита информации, а TLC — только три, и исторически считалось, что последняя выигрывает с точки зрения своей долговечности по количеству циклов перезаписи. По информации ресурса ITHome, на которую ссылается Tom’s Hardware, компания YMTC заявляет для своих 128-слойных микросхем X3-6070 типа 3D QLC NAND ресурс в 4000 циклов перезаписи. Это как минимум сопоставимо с ресурсом микросхем TLC, достигаемым за счёт оптимизации на уровне контроллеров и применяемых при производстве памяти материалов.

Изначально было принято считать, что память типа QLC способна переносить от 100 до 1000 циклов перезаписи, но и здесь усилия крупных производителей привели к тому, что этот показатель заметно увеличился. YMTC сочла нужным акцентировать внимание на своих достижениях в этой области, хотя очевидно, что они не столь уж уникальны. Память YMTC данной серии уступает конкурирующим решениям по количеству слоёв, поскольку соперники предлагают 176-слойные и более продвинутые микросхемы QLC.

В составе твердотельного накопителя PC41Q потребительского класса YMTC использует 128-слойную память QLC серии X3-6070, предлагая скорости передачи информации до 5000 Мбайт/с и способность хранить информацию при температуре 30 градусов Цельсия на протяжении не менее чем одного года. Время наработки на отказ составит 2 млн часов. Данные показатели отстают от показателей современных SSD на памяти TLC. Тем не менее, компания YMTC даже готова использовать микросхемы QLC в твердотельных накопителях корпоративного класса, где важна надёжность и долговечность.

Обновлено: стоит отметить, что память TLC демонстрировала ресурс в 3000 циклов перезаписи ещё в 2018 году, а к настоящему моменту производители смогли добиться от неё значительно более высокой выносливости, вплоть до 10 тыс. циклов перезаписи.

В то время как многие разработчики придумывают способы использования генеративного ИИ для создания целых 3D-объектов «с нуля», Adobe уже использует свою модель ИИ Firefly для оптимизации существующих процессов при работе с 3D-моделями. Сегодня компания представила две новые функции для своего пакета программного обеспечения для 3D-дизайна Substance, которые позволяют быстро создавать ресурсы из текстовых описаний.

Источник изображений: Adobe

Функция Text to Texture умеет, по утверждению Adobe, генерировать «фотореалистичные или стилизованные текстуры» на основе текстовых подсказок, таких как «чешуйчатая кожа» или «тканый материал». Эти текстуры затем можно накладывать непосредственно на 3D-модели, избавляя дизайнеров от необходимости искать подходящую текстуру в справочниках и базах готовых изображений.

Инструмент Generative Background позволяет дизайнерам использовать текстовые подсказки для создания фоновых изображений для 3D-объектов. Нужно отметить, что обе эти функции фактически используют технологию создания 2D-изображений, как и предыдущие инструменты Adobe на базе Firefly в Photoshop и Illustrator. Firefly не создаёт 3D-модели или файлы — вместо этого Substance использует 2D-изображения, созданные на основе текстовых описаний, и применяет их так, чтобы они выглядели объёмными.

Новые функции доступны в бета-версиях Substance 3D Sampler 4.4 и Stager 3.0 соответственно. Глава Adobe по 3D и метавселенной Себастьян Деги (Sebastien Deguy) сообщил, что обе функции были обучены на ресурсах, принадлежащих Adobe, включая справочные материалы, созданные компанией. В настоящее время новые инструменты находятся в фазе бета-тестирования и доступны всем пользователям бесплатно.

Издательство 3D Realms и студия Slipgate Ironworks, которые скоро перестанут быть частью холдинга Embracer Group, раскрыли дату выхода своего ретрошутера Phantom Fury — продолжения Ion Fury от Voidpoint.

Источник изображений: 3D Realms

Напомним, Phantom Fury была анонсирована осенью 2022 года и ожидалась к релизу в 2023-м, однако разработка затянулась: на запуске временной демоверсии в прошлом сентябре о сроках выпуска уже ничего не говорилось.

Как стало известно, Phantom Fury поступит в продажу 23 апреля текущего года эксклюзивно для ПК (Steam). Игра также разрабатывается для PS5, Xbox Series X, S и Nintendo Switch, но эти версии сроки релиза не получили.

Смотреть все изображения (13)

Смотреть все
изображения (13)

Вместе с датой выхода Phantom Fury разработчики раскрыли, что привезут публичную демоверсию игры (будет содержать уровень Crater Bar) на фестиваль PAX East 2024, который пройдёт в Бостоне с 21 по 24 марта.

Анонс даты выхода Phantom Fury сопровождался дебютировавшим на презентации The Mix x Kinda Funny Spring Showcase взрывным полутораминутным геймплейным трейлером (прикреплён ниже).

События Phantom Fury развернутся спустя много лет после финала Ion Fury: Шелли Харрисон по прозвищу Бомба пробуждается после комы с новой бионической рукой и задачей — добыть могущественный артефакт «Ядро Демона».

Шелли предстоит преодолеть собственное прошлое, чтобы спасти человечество. Обещают смесь «экшена и роуд-муви», «невероятно интерактивный мир», ужасающее количество врагов, более 20 видов оружия и поддержку русского языка.

Данные берутся из публикации Обзор Ryzen 7 5700X3D: Socket AM4 жил, Socket AM4 жив, Socket AM4 будет жить

Компания Peri 3D Construction построила в Гейдельберге (Германия) с помощью 3D-печати здание ЦОД. Этот объект, спроектированный архитектурными фирмами SSV Architekten и Mense-Korte для застройщика KrausGruppe, является самым крупным в Европе зданием, построенным с помощью 3D-технологий. Здание получило название Wave House из-за волнистой формы стен.

Источник изображения: Sabine Arndt

Столь необычный внешний облик объекта архитекторы объяснили желанием сделать его более привлекательным визуально, поскольку он находится в городской черте. «Из-за типичного отсутствия окон и больших проёмов во всех или основных зонах центров обработки данных по соображениям безопасности и по другим причинам центры обработки данных имеют тенденцию выглядеть довольно уныло и скучно», — поясняется в пресс-релизе COBOD.

Для строительства здания площадью около 600 м² использовался 3D-принтер COBOD BOD2, который послойно выдавливал из сопла пригодную для переработки цементоподобную смесь со скоростью 4 м³ в час для формирования наружных стен здания длиной 54 метра, шириной 11 м и высотой 9 м. Процесс печати здания занял всего 140 часов, после чего строители и команда специалистов внесли последние штрихи в проект, включая установку крыши и дверей, а также освещения, проводки и оборудования, необходимого для работы современного ЦОД. Как сообщается, для покраски интерьера использовался робот-маляр от Deutsche Amphibolin-Werke.

Источник изображения: SSV Architekten

Весь проект, включая работу роботов и людей, был выполнен за период с апреля по октябрь 2023 года. COBOD сообщила о планах автоматизировать минимум 50 % строительных процессов при возведении объектов.

Компания ZTE анонсировала второе поколение планшета Nubia Pad 3D, оснащённого 3D-экраном, не требующим специальных стереоскопических очков. Хотя внешне новинка мало отличается от предшественника, выпущенного в прошлом году, ZTE обновила технические характеристики устройства.

Источник изображений: ZTE

Вместо процессора Snapdragon 888, использующегося в Nubia Pad 3D первого поколения, модель Nubia Pad 3D II оснащён более передовым чипом Snapdragon 8 Gen 2, который должен обеспечить прибавку производительности примерно в 1,37 раза. Переход на новый процессор также добавил планшету поддержку беспроводного стандарта 5G.

Новинка также получила более ёмкую батарею на 10 000 мА·ч с поддержкой зарядки мощностью 66 Вт. Для сравнения, Nubia Pad 3D первого поколения оснащён аккумулятором на 9700 мА·ч и поддерживает зарядку мощностью 33 Вт.

Хотя разрешение задней двойной камеры устройства снизилось с 16 до 13 мегапикселей, она предлагает поддержку панорамной съёмки и режима HDR 3D, чего не было ранее. Nubia Pad 3D II также получил обновлённую систему отслеживания глаз пользователя. Для этого на фронтальной стороне устройства расположены две 8-Мп камеры.

Пожалуй, ключевое изменение в новом Nubia Pad 3D II связано с экраном. Устройство оснащено 12,1-дюймовым дисплеем с поддержкой разрешения 2560 × 1600 пикселей. Он на 0,3-дюйма меньше, чем у предшественника, но обладает более высокой частотой обновления в 144 Гц против 120 Гц у первого nubia Pad 3D. Кроме того, он вдвое ярче в режиме 3D и поддерживает на 80 % более высокое разрешение.

К сожалению, ZTE пока не сообщает ни стоимости устройства, ни его даты поступления в продажу.

Компания Micron представила на выставке MWC 2024 самые компактные микросхемы флеш-памяти стандарта UFS 4.0, предназначенные для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств. Размеры упаковки чипа составляет всего 9 × 13 мм. Они будут выпускаться в объёмах до 1 Тбайт и предложат скорости последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно.

Источник изображений: Micron

Новые микросхемы памяти Micron UFS 4.0 построены на базе 232-слойных чипов 3D TLC NAND. Сокращение размеров микросхем компания объясняет потребностью производителей смартфонов и других мобильных устройств в оснащении своих продуктов более крупными батареями. Новые микросхемы памяти стандарта UFS 4.0 от компании Micron являются результатом совместных усилий специалистов компании из лабораторий в США, Китае и Южной Корее.

Площадь новых микросхем сократилась на 20 % по сравнению с чипами UFS производителя, выпущенных в июне прошлого года. Компания заявляет, что сокращение размера микросхем также привело к снижению их энергопотребления, но без потери в общей производительности. В новых чипах памяти Micron используется новая проприетарная технология HPM (High-Performance Mode), которая оптимизирует производительность памяти при интенсивном использовании смартфона и повышает её скорость работы на 25 %.

Micron сообщила, что уже начала поставки образцов памяти UFS 4.0 OEM-производителям устройств. Компания предлагает микросхемы ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также объёмом 1 Тбайт.