Сегодня 26 апреля 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

TSMC начнёт массовый выпуск чипов по усовершенствованному 3-нм техпроцессу в 2023 году

Компания TSMC подтвердила, что переход на массовое производство чипов согласно передовым технологическим процессам будет проводиться согласно графику. Разработка усовершенствованного 3-нм техпроцесса N3E идёт гладко. Первые коммерческие продукты на его основе ожидаются в следующем году. Продукты на базе основного 3-нм техпроцесса N3 начнут массово выпускаться в этом году.

 Источник изображения: TSMC

Источник изображения: TSMC

Тестовый выпуск чипов согласно нормам 3 нм был запущен в прошлом году. Сейчас же TSMC массово производит чипы согласно техпроцессу 5 нм, на базе которого этой осенью ожидается выход на рынок большого числа различных потребительских продуктов. По словам тайваньской компании, выпуск чипов по нормам 5 нм принёс ей 21 % от общей выручки во втором квартале этого года.

Одной из главных особенностей узла N3 является технология FinFlex, которая должна увеличить для заказчиков привлекательность чипов, выпускаемых компанией. Суть технологии состоит в том, что производитель позволит использовать разные виды FinFET-транзисторов в рамках одного полупроводникового кристалла. В конце августа глава компании Си-Си Вэй (C.C. Wei) сообщил, что TSMC столкнулась со множеством сложностей при разработке 3-нм техпроцесса. Однако совсем скоро начнётся массовый выпуск чипов на его основе, и многие клиенты компании этого очень ждут.

В то же время в TSMC подтвердили, что в 2025 году планируют начать выпуск кремниевых пластин с использованием 2-нм техпроцесса производства. Для этого компания построит новый завод на территории Научного парка Синьчжу. Подготовка инфраструктуры для новой фабрики уже началась.

В рамках 2-нм техпроцесса TSMC будет выпускать микросхемы с архитектурой транзистора с круговым затвором Gate-All-Around (GAA). Прогнозируется, что TSMC выйдет на массовое производство чипов на основе 2-нм техпроцесса раньше, чем это сделают южнокорейский гигант Samsung Electronics и американская компания Intel. По мнению аналитиков, тайваньская компания в 2024 году станет первым производителем чипов, который задействует новое оборудование для литографии в глубоком ультрафиолете (EUV) с высокой числовой апертурой.

Согласно прогнозам, чипы на базе 2-нм техпроцесса будут на 10–15 % быстрее микросхем на базе узла N3E при том же уровне энергопотребления или на 25–30 % энергоэффективнее при той же тактовой частоте работы.

Из-за высокого спроса на передовые микросхемы производственные мощности TSMC по-прежнему загружены на 100 %. Компания ожидает, что это продлится как минимум до конца текущего года. В то же время многие соглашаются, что полупроводниковой отрасли сейчас приходится проводить корректировку запасов микросхем в связи со снижающимся потребительским спросом на различную бытовую технику.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
TSMC научилась создавать монструозные двухэтажные процессоры размером с пластину 55 мин.
Федеральное расследование аварий с автопилотом Tesla нашло их причину — «неправильное использование» 2 ч.
Oppo представила смартфон A60 с Snapdragon 680 и 50-Мп камерой 2 ч.
Япония ужесточит контроль экспорта полупроводников и квантовых технологий куда бы то ни было 2 ч.
Hisense представила ультракороткофокусный лазерный 4K-проектор PX3-PRO для геймеров и киноманов 2 ч.
Intel пожаловалась на производственные проблемы при сборке Core Ultra — из-за этого процессоров не хватает 4 ч.
Великобритания и Новая Зеландия задействуют подводные оптические кабели для распознавания землетрясений и цунами 4 ч.
Объём российского IoT-рынка превысил 35 млрд руб. 4 ч.
Китайцы начали выпускать Radeon RX 6600 LE — вариант RX 6600 с разгоном на 0,16 % 5 ч.
Realme представила 5G-версию 125-долларового смартфона C65 на чипе Dimensity 6300 6 ч.