Сегодня 14 апреля 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

SK hynix рассказала о своём представлении, как может выглядеть 300-слойная память 3D NAND

На конференции ISSCC 2023 представители компании SK hynix выступили с докладом, в котором сообщили о разработке флеш-памяти 3D NAND с более чем 300 слоями. Документ готовили 35 инженеров компании, что лишний раз подчёркивает сложность совершенствования техпроцесса производства многослойной флеш-памяти. Примечательно, что разработчики намерены не только увеличить плотность записи, но и значительно поднять пропускную способность чипов: со 164 Мбайт/с до 194 Мбайт/с.

 Предыдущий рекордсмен — 238-слойная 3D NAND SK Hynix. Источник изображения: SK Hynix

Предыдущий рекордсмен — 238-слойная 3D NAND SK hynix. Источник изображения: SK hynix

Нетрудно понять, что инженеры SK hynix работают по двум основным и важнейшим направлениям: они намерены повысить плотность записи (снизить стоимость хранения каждого бита данных) и повысить производительность. С появлением «многоэтажной» 3D NAND повышать плотности записи стало довольно просто в идее, но сложно в исполнении — это увеличение числа слоёв с одновременным сокращением шага между слоями. И то и другое ведёт к росту сопротивления линии wordline (WL), соединяющей ячейки в строке матрицы. Этот рост приходится тем или иным образом компенсировать, иначе пострадают быстродействие и энергоэффективность.

 Сравненние 238- и 300-слойной

Сравнение 238- и 300-слойной 3D NAND

SK hynix рассказала о гипотетическом чипе памяти NAND с более чем 300 слоями, который состоит из трёхбитовых (TLC) ячеек и может похвастаться ёмкостью 1 Тбит. За счёт увеличения числа слоёв плотность размещения ячеек вырастет с 11,55 Гбит/мм2 у актуальной 238-слойной памяти до более чем 20 Гбит/мм2. Общую производительность памяти предложено поднимать пятью отдельными способами, в целом направленными на ускорение процессов записи, стирания и чтения. Для этого придётся внести изменения в последовательности и тайминги команд.

В частности, предложено реализовать метод тройной проверки программирования (TPGM) вместо ранее двойной проверки DPGM. В новой версии ячейки будут делиться на четыре группы, а не на три. Технология TPGM уменьшает параметр tPROG и это вместе с увеличенной разбивкой примерно на 10 % сократит время программирования ячеек.

Также параметр tPROG уменьшит новая технология адаптивного предварительного заряда невыбранной строки (AUSP). Это ускорит работу с ячейками ещё примерно на 2 %. Ещё немного ускорения получится за счёт снижения ёмкостной нагрузки на линию WL, что обеспечит метод программируемой фиктивной строки (PDS). Метод всепроходного нарастания (APR) даст уменьшение времени считывания (tR), что выразится в сокращении времени реакции линии WL на новый уровень напряжения и улучшит время чтения на 2 %. Наконец, для улучшения качества обслуживания во время стирания применят метод повторного чтения на уровне плоскости (PLRR).

 Источник изображения: blocksandfiles.com

Компиляция по данным о поколениях 3D NAND разных производителей. Источник изображения: blocksandfiles.com

Всё вместе, как сказано выше, позволит поднять скорость работы 1-Тбит 3D NAND TLC компании SK hynix за поколение с 164 Мбайт/с до 194 Мбайт/с с одновременным увеличением плотности записи. Уточним, представители компании не стали и вряд ли могли раскрыть производственный график по выпуску памяти NAND 300+. Можно ожидать, что первые прототипы начнут появляться к концу года или даже не раньше начала 2024 года. Пока же и в течение текущего года в производстве будет находиться память с 230+ слоями, выпуск которой в той или иной степени наладили все главные игроки рынка NAND-памяти.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Японская Rapidus открыла центр разработок в Калифорнии, чтобы привлекать клиентов в США 2 ч.
SSD-чемодан ёмкостью 368 Тбайт — Western Digital выпустила мобильное All-Flash хранилище Ultrastar Transporter 8 ч.
По суху аки по морю: Ирак и Кувейт намерены проложить интернет-магистраль между Европой и странами Персидского залива 9 ч.
«Ростех» начал поставки серверов и обновлённого интерконнекта «Ангара» для отечественных суперкомпьютеров 10 ч.
Samsung начнёт выпускать 290-слойные чипы 3D NAND уже в этом месяце, а 430-слойные — в следующем году 12 ч.
В Китае перестали ремонтировать по гарантии GeForce RTX 4090 из-за санкций 12 ч.
Илон Маск рассказал, что Starship вырастет до 150 метров 17 ч.
Физики обосновали существование тёмной материи повышенной плотности 17 ч.
В Китае создали водомёт с ИИ — он поможет в решении территориальных споров с соседями 19 ч.
«Одна из величайших загадок в Вашингтоне»: американских законодателей возмутил ноутбук Huawei с ИИ-чипами Intel Core Ultra 19 ч.