TSMC построит две новые фабрики для массового производства 2-нм чипов

Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC), лидирующий мировой производитель полупроводников, объявил о начале строительства двух новых фабрик для разработки и изготовления чипов, основанных на передовом 2-нанометровом техпроцессе (N2). Дополнительно ведутся подготовительные работы для строительства третьей фабрики, которое предстоит начать после получения одобрения от правительства Тайваня.

Источник изображения: TSMC

Марк Лю (Mark Liu), председатель совета директоров TSMC, поделился планами компании во время разговора с аналитиками и инвесторами, выразив уверенность в начале массового производства чипов с использованием 2-нм техпроцесса уже в 2025 году. Он также упомянул о стремлении компании развернуть несколько производственных площадок в научных парках Хсинчу и Каосюн для удовлетворения растущего спроса.

Первая фабрика будет размещена вблизи Баошаня в Хсинчу, недалеко от исследовательского центра R1, который был специально создан для разработки 2-нм технологии. Ожидается, что фабрика приступит к массовому производству 2-нм полупроводников уже во второй половине 2025 года. Вторая фабрика, также предназначенная для производства 2-нм чипов, будет находиться в научном парке Каосюн, входящем в состав Южного научного парка Тайваня. Её запуск планируется на 2026 год.

Дополнительно, TSMC активно работает над получением разрешений от властей Тайваня на строительство ещё одной фабрики в научном парке Тайчжун. Если строительство этого объекта начнётся в 2025 году, он сможет начать свою работу уже в 2027 году. С вводом в строй всех трёх фабрик, способных выпускать чипы с использованием 2-нм техпроцесса, TSMC существенно укрепит свои позиции на мировом рынке полупроводников, предложив клиентам новые мощности для производства чипов нового поколения.

В планах компании на ближайшее будущее — начало массового производства с применением 2-нм техпроцесса, включающего использование транзисторов с нанолистами и круговыми затворами (GAA) во второй половине 2025 года. К 2026 году предполагается внедрение усовершенствованной версии этого техпроцесса, который, как ожидается, будет предусматривать подачу питания с обратной стороны кристалла, расширяя таким образом возможности массового производства.