Сегодня 17 ноября 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Китайские компании научились создавать память HBM — запуск производства ожидается в 2026 году

Первоначально AMD пыталась продвигать память HBM в сегменте игровых видеокарт, но больше всего эта память пригодилась конкурирующей Nvidia при создании ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта. Китай до сих пор не мог выпускать память такого класса, но недавно появились свидетельства того, что местные компании серьёзно продвинулись в этой сфере.

 Источник изображения: CXMT

Источник изображения: CXMT

Являющаяся лидером среди китайских производителей DRAM компания CXMT, как сообщает Reuters со ссылкой на осведомлённые источники, уже создала первые образцы памяти типа HBM в сотрудничестве с Tongfu Microelectronics, которая обеспечила партнёра технологиями по их упаковке в стек. Образцы этой памяти китайского производства уже демонстрируются неким потенциальным клиентам. В документах, которые стали доступны Reuters, также упоминаются намерения компании Xinxin приступить к строительству в Ухане предприятия по выпуску HBM, которое смогло бы ежемесячно обрабатывать по 3000 кремниевых пластин типоразмера 300 мм. Материнской структурой этой компании является YMTC — крупнейший в Китае производитель памяти типа 3D NAND, который уже находится под санкциями США.

По информации источника, CXMT и другие компании также проводят регулярные переговоры с южнокорейскими и японскими поставщиками оборудования для оснащения своих будущих предприятий, на которых может быть налажен выпуск HBM. Агентству Reuters также удалось выяснить, что планы по организации выпуска HBM2 в сотрудничестве с китайскими партнёрами к 2026 году вынашивает Huawei Technologies. В качестве одного из партнёров должна выступить Fujian Jinhua Integrated Circuit, тоже находящаяся под санкциями США.

Лидерами в производстве HBM остаются южнокорейские SK hynix и Samsung Electronics, но в технологическом плане от них почти не отстаёт и американская Micron Technology, готовая начать поставки HBM3E. Китайские компании пока рассчитывают наладить выпуск только HBM2, но и это для них будет серьёзным технологическим прорывом. Отставание китайских разработчиков памяти от мировых лидеров в этой сфере может измеряться десятью годами, по мнению отраслевых экспертов.

CXMT располагает около 130 патентными заявками, связанными с технологией производства HBM, причём некоторые из них теоретически позволяют выпускать HBM3. Компания также закупила необходимое для выпуска такой памяти оборудование впрок, опасаясь скорого введения санкций США. При производстве таких микросхем используются технологии американского происхождения, поэтому национальное законодательство даёт властям страны право ограничивать экспорт не только готовой продукции такого типа в недружественные государства, но и необходимого для выпуска HBM оборудования.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Bloom Energy поставит ИИ ЦОД топливные элементы на 1 ГВт 7 ч.
Стартап xAI Илона Маска получит от арабов $5 млрд на покупку ещё 100 тыс. ускорителей NVIDIA 8 ч.
Сандийские национальные лаборатории запустили ИИ-систему Kingfisher на огромных чипах Cerebras WSE-3 8 ч.
Пара чёрных дыр влетела в межзвёздное облако и устроила «дискотеку» вселенских масштабов 8 ч.
Отходы производства бурбона могут стать источником чистой энергии 11 ч.
Межпланетная станция «Гера» поддала газу и устремилась к Марсу, где в марте совершит гравитационный манёвр 12 ч.
MSI выпустила 1100-долларовую материнскую плату X870E MEG GODLIKE для Ryzen 9000 13 ч.
Colorful представила память iGame Shadow DDR5 со скоростью до 8000 МТ/с и iGame Shadow DDR5 CKD со скоростью до 9600 МТ/с 14 ч.
В Финляндии тепловой аккумулятор ёмкостью 100 МВт·ч на мыльном камне пройдёт зимние испытания 14 ч.
Китайский электрокар Jiyue Robo X с внешностью истребителя разгоняется до «сотни» менее чем за 1,9 секунды 21 ч.