MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Южнокорейская компания Samsung Electronics давно стремится к расширению круга клиентов на направлении контрактного производства чипов, и сотрудничество с японской компанией Preferred Networks может служить свидетельством успеха. Samsung намерена выпускать для японского стартапа 2-нм компоненты и упаковывать их с использованием 2.5D-решения I-Cube S.
Источник изображения: Samsung Electronics
Об этом сообщил пресс-релиз на официальном сайте Samsung Electronics, но за всеми восторженными комментариями участников процесса остался в тени ответ на вопрос о сроках появления соответствующих изделий на рынке. По словам разработчика, использующее чиплеты и упаковку со сложной пространственной интеграцией решение для ускорения вычислений в системах искусственного интеллекта будет продемонстрировано в неопределённом будущем.
Однако ранее Samsung сообщала о планах начать выпуск 2-нм чипов в 2025 году. В частности, 2-нм техпроцесс первого поколения, получивший название SF2, будет готов в следующем году, а улучшенная версия 2-нм техпроцесса, получившая название SF2P, будет готова в 2026 году.
Preferred Networks является японской компанией, которая разрабатывает не только ускорители вычислений для систем генеративного искусственного интеллекта, но и программное обеспечение для них, предлагая вертикально интегрированные решения. Samsung в контексте данного сотрудничества не без удовольствия отмечает, что у неё появился клиент на выпуск 2-нм чипов с использованием структуры транзисторов с окружающим затвором (GAA), но не менее важно и участие Samsung в последующей упаковке этих компонентов.
Источник изображения: Samsung Electronics
По сути, технология 2.5D-упаковки I-Cube S подразумевает использование кремниевой подложки для объединения разнородных чипов с микросхемами памяти HBM, которую Samsung также способна выпускать собственными силами. Объединяя все три компетенции под «одной крышей», Samsung надеется предоставлять клиентам комплексную услугу по производству передовых компонентов со сложной пространственной структурой. Помимо высокого быстродействия, такая технология интеграции обеспечивает улучшение теплоотвода.
Источник:
