Первые образцы памяти HBM4E в исполнении Samsung будут готовы в следующем месяце

Для Samsung Electronics очень важно занять своё место на рынке HBM4E, своевременно предоставив основным клиентам образцы этой памяти, удовлетворяющие всем техническим требованиям. Уже в следующем месяце, с опережением собственного графика, Samsung рассчитывает получить первые образцы HBM4E, которые будут обладать нужными характеристиками.

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Гид по выбору складного смартфона в 2026 году

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Источник изображения: Samsung Electronics

Компоновка HBM4E подразумевает наличие логического кристалла, который лежит в основе стека с микросхемами DRAM. В случае с Samsung его производством будет заниматься контрактное подразделение компании, соответствующий кристалл будет готов к середине мая. Протестировав результирующие образцы HBM4E собственными силами, Samsung затем передаст их для оценки компании Nvidia.

Номинально, Samsung демонстрировала образцы HBM4E ещё в марте этого года на конференции GTC 2026 для разработчиков. Принято считать, что эти образцы не были функциональными и служили только для демонстрационных целей. Ранее Samsung удалось первой среди трёх основных производителей отчитаться о начале поставок памяти типа HBM4, которая должна поступить на рынок ранее HBM4E. Базовый кристалл для HBM4E корейская компания намерена производить по 4-нм техпроцессу, а чипы DRAM в стеке — по 10-нм техпроцессу шестого поколения (1c), который также должен обеспечить ей преимущество по сравнению с конкурентами. Применять 4-нм техпроцесс для выпуска базового кристалла Samsung начнёт ещё при производстве HBM4.

SK hynix, которая полагается на услуги TSMC в сфере производства базовых кристаллов, попытается форсировать переход на более прогрессивные технологии. При выпуске HBM4 она планирует сочетать 12-нм техпроцесс для базового кристалла и 10-нм техпроцесс пятого поколения (1b) для чипов DRAM в стеке. Считается, что для HBM4E базовые кристаллы будут выпускаться TSMC по 3-нм технологии.

По некоторым данным, Nvidia немного отстаёт от первоначального графика вывода на рынок ускорителей поколения Vera Rubin и Rubin Ultra, которые будут использовать HBM4 и HBM4E, поэтому и массовое производство памяти данных типов тоже осваивается с задержкой, но Samsung в любом случае не желает уступать позиции конкурентам в этой сфере.